本發(fā)明涉及液晶顯示器領域，尤其涉及一種八疇像素結構。

背景技術：

液晶顯示面板通常由彩色濾光片基板、薄膜晶體管陣列基板以及配置于兩基板間的液晶層所構成，并分別在兩基板的相對內(nèi)側設置像素電極、公共電極，通過施加電壓控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。液晶顯示器包括扭曲向列(tn)模式、電子控制雙折射(ecb)模式、垂直配向(va)等多種顯示模式，其中，va模式是一種具有高對比度、寬視角、無須摩擦配向等優(yōu)勢的常見顯示模式。但由于va模式采用垂直轉(zhuǎn)動的液晶，液晶分子雙折射率的差異比較大，導致大視角下的色偏(colorshift)問題比較嚴重。

隨著液晶顯示技術的發(fā)展，顯示屏幕的尺寸越來越大，傳統(tǒng)采用4domain(4疇)的psva(聚合物穩(wěn)定垂直配向)像素會凸顯視角色偏的不良表現(xiàn)。為了提升面板視角表現(xiàn)，3t_8domain(8疇3晶體管)的psva像素逐漸應用于大尺寸電視面板的設計，使同一個子像素(subpixel)內(nèi)主(main)區(qū)的4個疇與次(sub)區(qū)的4個疇的液晶分子的轉(zhuǎn)動角度不一樣，從而改善色偏。如圖1所示，其為現(xiàn)有的3t像素結構的電路示意圖。液晶顯示面板內(nèi)多個子像素呈陣列式排布，每個子像素可分為主(main)區(qū)和次(sub)區(qū)，包括主區(qū)薄膜晶體管tft_m，主區(qū)液晶電容clc_m，主區(qū)存儲電容cst_m，次區(qū)薄膜晶體管tft_s，次區(qū)液晶電容clc_s，次區(qū)存儲電容cst_s，以及共享薄膜晶體管tft_share，對應每一行子像素分別設置一條掃描線gate，對應每一列子像素分別設置一條數(shù)據(jù)線data；主區(qū)薄膜晶體管tft_m的柵極連接掃描線gate，其源極/漏極連接數(shù)據(jù)線data，在其漏極/源極與公共電極a_com(或c_com)之間并聯(lián)連接主區(qū)液晶電容clc_m和主區(qū)存儲電容cst_m；次區(qū)薄膜晶體管tft_s的柵極連接掃描線gate，其源極/漏極連接數(shù)據(jù)線data，在其漏極/源極與公共電極a_com(或c_com)之間并聯(lián)連接次區(qū)液晶電容clc_s和次區(qū)存儲電容cst_s；共享薄膜晶體管tft_share的柵極連接掃描線gate，其源極和漏極分別連接該次區(qū)薄膜晶體管tft_s的漏極/源極和公共電極a_com。本領域技術人員可以理解，雖然公共電極a_com和c_com名稱不同，但是在實際液晶面板中兩者通常電位相同，可以僅以公共電極a_com來表示；對于薄膜晶體管，由于其源極和漏極的特性一樣，因此在電路中不對其源極和漏極進行特別限定；在液晶顯示面板的立體結構中，液晶電容和存儲電容的兩極通常分別對應像素電極(或與像素電極電位相同的存儲電極)和公共電極。

8疇像素已經(jīng)成為大尺寸tv面板的像素設計趨勢，但是在高分辨率高刷新頻率下，為改善閃爍(flicker)現(xiàn)象，主區(qū)與次區(qū)最佳公共電壓(bestvcom)的平衡始終是一個難點。如何解決這個難點是使用現(xiàn)有3t像素必須考慮的重要問題。

技術實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種八疇像素結構，平衡主區(qū)和次區(qū)的壓差比及最佳公共電壓。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種八疇像素結構，包括多個子像素在液晶顯示面板內(nèi)呈陣列式排布，每個子像素分為主區(qū)和次區(qū)，對應每一行子像素分別設置一條掃描線，該掃描線介于該主區(qū)和次區(qū)之間，對應每一列子像素分別設置一條數(shù)據(jù)線；還包括主區(qū)薄膜晶體管以及主區(qū)存儲電容，次區(qū)薄膜晶體管以及次區(qū)存儲電容；該主區(qū)存儲電容由主區(qū)范圍內(nèi)的第一主區(qū)存儲電極與相對的公共電極形成；該次區(qū)存儲電容由次區(qū)范圍內(nèi)的次區(qū)存儲電極及主區(qū)范圍內(nèi)的第二主區(qū)存儲電極與相對的公共電極形成，該次區(qū)存儲電極及第二主區(qū)存儲電極跨過掃描線相互導通；該主區(qū)薄膜晶體管的柵極連接掃描線，其源極/漏極連接數(shù)據(jù)線，其漏極/源極連接第一主區(qū)存儲電極或主區(qū)的像素電極；該次區(qū)薄膜晶體管的柵極連接掃描線，其源極/漏極連接數(shù)據(jù)線，其漏極/源極連接次區(qū)存儲電極或次區(qū)的像素電極。

其中，所述主區(qū)和次區(qū)各自對應四個疇的液晶分子。

其中，所述第一主區(qū)存儲電極經(jīng)由過孔與主區(qū)的像素電極相連接。

其中，所述次區(qū)存儲電極經(jīng)由過孔與次區(qū)的像素電極相連接。

其中，所述第一主區(qū)存儲電極，次區(qū)存儲電極及第二主區(qū)存儲電極通過同一金屬層制作。

其中，所述主區(qū)薄膜晶體管的柵極，次區(qū)薄膜晶體管的柵極，以及掃描線通過同一金屬層制作。

其中，所述主區(qū)薄膜晶體管的源極和漏極，次區(qū)薄膜晶體管的源極和漏極，以及數(shù)據(jù)線通過同一金屬層制作。

其中，所述主區(qū)和次區(qū)的像素電極由氧化銦錫制成。

其中，其為psva像素。

綜上，本發(fā)明的八疇像素結構通過減小主區(qū)存儲電容，增大次區(qū)存儲電容，可以達到控制主區(qū)及次區(qū)壓差比的目的；另外，由于未形成與公共電極a_com直接放電的通路，不會存在主區(qū)及次區(qū)最佳公共電壓差異太大的問題。

附圖說明

下面結合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的3t像素結構的電路示意圖；

圖2為本發(fā)明八疇像素結構的電路示意圖；

圖3為本發(fā)明八疇像素結構的示意圖。

具體實施方式

參見圖3，其為本發(fā)明八疇像素結構的示意圖。本領域技術人員可以理解，本發(fā)明重點在于對八疇像素結構的改進，因此以下說明中對液晶顯示面板及像素中包含的一般結構不再贅述。

本發(fā)明的八疇像素結構，包括多個子像素在液晶顯示面板內(nèi)呈陣列式排布，每個子像素分為主區(qū)10和次區(qū)20，對應每一行子像素分別設置一條掃描線30，該掃描線30介于該主區(qū)10和次區(qū)20之間，對應每一列子像素分別設置一條數(shù)據(jù)線40；還包括主區(qū)薄膜晶體管11以及主區(qū)存儲電容，次區(qū)薄膜晶體管21以及次區(qū)存儲電容；該主區(qū)存儲電容由主區(qū)10范圍內(nèi)的主區(qū)存儲電極12與相對的公共電極50形成；該次區(qū)存儲電容由次區(qū)20范圍內(nèi)的次區(qū)存儲電極22及主區(qū)10范圍內(nèi)的主區(qū)存儲電極13與相對的公共電極50形成，該次區(qū)存儲電極22及主區(qū)存儲電極13跨過掃描線30相互導通；該主區(qū)薄膜晶體管11的柵極連接掃描線30，其源極/漏極連接數(shù)據(jù)線40，其漏極/源極連接主區(qū)存儲電極12或主區(qū)10的像素電極14；該次區(qū)薄膜晶體管21的柵極連接掃描線30，其源極/漏極連接數(shù)據(jù)線40，其漏極/源極連接次區(qū)存儲電極22或次區(qū)20的像素電極23。

主區(qū)10和次區(qū)20分別對應四個疇的液晶分子。制程中，主區(qū)存儲電極12可以經(jīng)由過孔與像素電極14相連接；次區(qū)存儲電極22可以經(jīng)由過孔與像素電極23相連接。主區(qū)存儲電極12，次區(qū)存儲電極22及主區(qū)存儲電極13可以通過同一金屬層制作。主區(qū)薄膜晶體管11的柵極，次區(qū)薄膜晶體管21的柵極，以及掃描線30可以通過同一金屬層制作。主區(qū)薄膜晶體管11的源極和漏極，次區(qū)薄膜晶體管21的源極和漏極，以及數(shù)據(jù)線40可以通過同一金屬層制作。像素電極14和像素電極23可以由氧化銦錫制成。本發(fā)明的八疇像素結構可以為psva像素。

參見圖2，其為本發(fā)明八疇像素結構的電路示意圖，結合圖2及圖3可進一步理解本發(fā)明。液晶顯示面板內(nèi)多個子像素呈陣列式排布，每個子像素可分為主區(qū)和次區(qū)，包括主區(qū)薄膜晶體管tft_m，主區(qū)液晶電容clc_m，主區(qū)存儲電容cst_m，次區(qū)薄膜晶體管tft_s，次區(qū)液晶電容clc_s，次區(qū)存儲電容cst_s，以及次區(qū)存儲電容cst_s1，對應每一行子像素分別設置一條掃描線gate，對應每一列子像素分別設置一條數(shù)據(jù)線data；主區(qū)薄膜晶體管tft_m的柵極連接掃描線gate，其源極/漏極連接數(shù)據(jù)線data，在其漏極/源極與公共電極a_com(或c_com)之間并聯(lián)連接主區(qū)液晶電容clc_m和主區(qū)存儲電容cst_m；次區(qū)薄膜晶體管tft_s的柵極連接掃描線gate，其源極/漏極連接數(shù)據(jù)線data，在其漏極/源極與公共電極a_com(或c_com)之間并聯(lián)連接次區(qū)液晶電容clc_s，次區(qū)存儲電容cst_s，以及次區(qū)存儲電容cst_s1。本發(fā)明的核心思想就是按照圖2所示次區(qū)通過跨過掃描線gate，在主區(qū)的公共電極a_com上方形成存儲電容cst_s1，使次區(qū)存儲電容增大到極致，同時還相對減小了主區(qū)存儲電容，可以達到控制主區(qū)及次區(qū)壓差比的目的；另外，由于未像圖1現(xiàn)有的3t像素結構的電路一樣形成與a_com直接放電的通路，不會存在主區(qū)及次區(qū)最佳公共電壓差異太大的問題。

綜上，本發(fā)明的八疇像素結構通過減小主區(qū)存儲電容，增大次區(qū)存儲電容，可以達到控制主區(qū)及次區(qū)壓差比的目的；另外，由于未形成與公共電極a_com直接放電的通路，不會存在主區(qū)及次區(qū)最佳公共電壓差異太大的問題。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權利要求的保護范圍。