本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術：

高級超維場轉換技術(advancedsuperdimensionswitch，ads)顯示模式是當今液晶顯示領域的主流顯示模式之一，然而由于其數(shù)據(jù)線(dataline)附近電場的作用，數(shù)據(jù)線附近位置處的液晶分子會發(fā)生偏轉，從而導致漏光。為彌補漏光的問題，在數(shù)據(jù)線上方設置黑矩陣(blackmatrix)，但是數(shù)據(jù)線上方的黑矩陣通常需要較大寬度，從而使像素整體開口率偏低。

為了避免黑矩陣的設置減少顯示面板中的開口率，基于ads技術的hads技術將公共電極線(comelectrode)設置在數(shù)據(jù)線上方，從而使得數(shù)據(jù)線附近電場限制在較窄區(qū)域，從而提高了開口率。

然而由于數(shù)據(jù)線和公共電極線具有交疊區(qū)域，造成了數(shù)據(jù)線和公共電極線之間具有交疊區(qū)域處產生寄生電容，從而加重了數(shù)據(jù)線的負載。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法，用以減少陣列基板中數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的寄生電容，從而減少數(shù)據(jù)線的負載。

本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板依次設置在所述襯底基板之上的數(shù)據(jù)線、鈍化層和公共電極線，所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影具有交疊區(qū)域，該陣列基板還包括：

設置在所述鈍化層中其位于所述交疊區(qū)域的第一過孔。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述第一過孔中填充有填充物，且所述填充物的介電常數(shù)小于所述鈍化層的材料的介電常數(shù)。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述陣列基板還包括：

設置在所述所述公共電極線且位于所述交疊區(qū)域的貫穿所述公共電極線所在膜層的第二過孔。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述第二過孔與所述第一過孔在所述襯底基板上的投影完全重疊。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述陣列基板還包括：

設置在所述公共電極線之上的聚酰亞胺膜層，所述第二過孔填充有所述聚酰亞胺膜層。

相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法，包括：采用構圖工藝在襯底基板上依次形成數(shù)據(jù)線、鈍化層和公共電極線的圖案，其中，所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影具有交疊區(qū)域，該方法還包括：

在形成所述鈍化層的圖案時，在所述鈍化層的交疊區(qū)域形成第一過孔。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，形成第一過孔之后，該方法還包括：

在所述第一過孔處填充填充物，且所述填充物的介電常數(shù)小于所述鈍化層的材料的介電常數(shù)。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成所述公共電極線的圖案時，該方法還包括：

在所述公共電極線的交疊區(qū)域形成第二過孔。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成所述鈍化層的圖案時，在所述鈍化層的交疊區(qū)域形成第一過孔，包括：

在所述數(shù)據(jù)線的圖案之上形成鈍化層膜層；

在所述鈍化層膜層之上形成第一光刻膠，采用掩膜版對所述第一光刻膠進行曝光，顯影，形成第一光刻膠完全保留區(qū)域和第一光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述第一光刻膠完全去除區(qū)域與所述交疊區(qū)域相對應；

刻蝕所述第一光刻膠完全去除區(qū)域所對應的鈍化層膜層，形成第一過孔；

在所述第一過孔處填充所述第一光刻膠，剝離所述第一光刻膠完全保留區(qū)域所對應的第一光刻膠；

在形成所述公共電極線的圖案時，在所述公共電極線的交疊區(qū)域形成所述第二過孔，包括：

在所述鈍化層的圖案之上形成公共電極線膜層；

在所述公共電極線膜層之上形成第二光刻膠，采用所述掩膜版對所述第二光刻膠進行曝光，顯影，形成第二光刻膠完全保留區(qū)域和第二光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述第二光刻膠完全去除區(qū)域與所述交疊區(qū)域相對應；

刻蝕所述第二光刻膠完全去除區(qū)域所對應的公共電極線膜層，形成第二過孔；

剝離所述第二光刻膠完全保留區(qū)域所所對應的第二光刻膠。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成所述公共電極線的圖案之后，該方法還包括：

對所述第一過孔中的第一光刻膠進行曝光顯影，使得第一光刻膠完全去除；

在所述公共電極線的圖案之上形成聚酰亞胺膜層，其中，所述第一過孔和第二過孔處均填充有所述聚酰亞胺膜層。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板依次設置在所述襯底基板之上的數(shù)據(jù)線、鈍化層和公共電極線，所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影具有交疊區(qū)域，該陣列基板還包括：設置在所述鈍化層且位于交疊區(qū)域的第一過孔。因此，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，通過在數(shù)據(jù)線和公共電極線之間具有交疊區(qū)域的鈍化層中設置第一過孔，從而減少了數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的寄生電容，從而進一步減少數(shù)據(jù)線的負載。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的第二種陣列基板的結構示意圖；

圖3(a)、圖3(b)和圖3(c)分別為本發(fā)明實施例提供的第三種陣列基板的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的第四種陣列基板的結構示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖；

圖6(a)-圖6(i)分別為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法每步驟執(zhí)行后得到的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法，用以減少陣列基板中數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的寄生電容，從而減少數(shù)據(jù)線的負載。

下面結合附圖，對本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制作方法的具體實施方式進行詳細地說明。

附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內容。

參見圖1，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，包括：襯底基板10、依次設置在襯底基板10之上的數(shù)據(jù)線11、鈍化層12和公共電極線13，公共電極線13和數(shù)據(jù)線11在襯底基板10上的投影具有交疊區(qū)域，該陣列基板還包括：設置在鈍化層12其位于交疊區(qū)域的第一過孔121。

其中，在鈍化層的交疊區(qū)域設置第一過孔，且數(shù)據(jù)線和公共電極線具有交疊的區(qū)域處的鈍化層減少，由于鈍化層的材料一般為氮化硅，介電常數(shù)越為6，而設置了第一過孔后，第一過孔中存在真空或空氣，使得第一過孔處的介電常數(shù)減小，從而進一步減少了公共電極線和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板，包括襯底基板依次設置在襯底基板之上的數(shù)據(jù)線、鈍化層和公共電極線，公共電極線和數(shù)據(jù)線在襯底基板上的投影具有交疊區(qū)域，該陣列基板還包括：設置在鈍化層且位于交疊區(qū)域的第一過孔。因此，本發(fā)明實施例中的陣列基板通過在數(shù)據(jù)線和公共電極線之間具有交疊區(qū)域的鈍化層中設置第一過孔，從而減少了數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的寄生電容，從而進一步減少數(shù)據(jù)線的負載。

在具體實施例中，為了進一步減少數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的寄生電容，參見圖2，第一過孔121中填充有填充物14，其中，填充物的介電常數(shù)小于鈍化層的材料的介電常數(shù)。

其中，鈍化層的材料一般為氮化硅，介電常數(shù)一般為6，本發(fā)明實施例中提供的填充物的介電常數(shù)小于鈍化層的材料的介電常數(shù)，即填充物的介電常數(shù)小于6。具體地，填充物的材料可以為介電常數(shù)小于鈍化層材料的介電常數(shù)的任一材料，另外填充物還具有絕緣的特性。由于數(shù)據(jù)線和公共電極線在交疊區(qū)域之間的填充物的介電常數(shù)較小，從而減小了數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的寄生電容。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，填充物為聚酰亞胺，或光刻膠。一般地，鈍化層的材料為氮化硅，且氮化硅的介電常數(shù)為6，本發(fā)明的填充物的介電常數(shù)小于6，可以用聚酰亞胺，或者光刻膠進行代替，其中，聚酰亞胺的介電常數(shù)為4，且經過優(yōu)化后可低至2.4，是少有的低介電常數(shù)有機絕緣材料。

在具體實施例中，為了進一步減少數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的寄生電容，參見圖3(a)，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，陣列基板還包括：設置在公共電極線13且位于交疊區(qū)域的貫穿公共電極線所在膜層的第二過孔131，其中，鈍化層12中還包括第一過孔121，且第一過孔121中不具有填充物；或者，參見圖3(b)，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，陣列基板還包括：設置在公共電極線13且位于交疊區(qū)域的貫穿公共電極線所在膜層的第二過孔131，其中，鈍化層12中還包括第一過孔121，且第一過孔121中具有填充物14。

具體地，為了進一步減少數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的交疊面積，在第二公共電極線的交疊區(qū)域設置第二過孔，從而減少了交疊區(qū)域的公共電極線的面積，其中，第二過孔設置在公共電極線中，因此，只要避免公共電極線的斷裂，第二過孔的孔徑大小僅僅小于公共電極線的寬度即可。本發(fā)明實施例中的第二過孔的大小不做具體限定。另外，參見圖3(c)，為了進一步減少公共電極線和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，可以在第二過孔131中填充本發(fā)明實施例中的填充物。

在具體實施例中，為了避免制作第一過孔和第二過孔增加工藝成本，參見圖3(a)，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，第二過孔131與第一過孔121在襯底基板10上的投影完全重疊。

具體地，第一過孔和第二過孔的大小和位置均相等。第一過孔和第二過孔可以采用同一掩膜版進行制作。其中，第一過孔和第二過孔可以相互疊加。

在具體實施例中，參見圖4，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，陣列基板還包括：設置在公共電極線13之上的聚酰亞胺膜層15(pi)，聚酰亞胺膜層15與填充物14為一體化結構。具體地，陣列基板還包括：設置在數(shù)據(jù)線11和鈍化層12之間的有機膜層16和像素電極層17。

具體地，第二過孔填充有填充物，可以在形成公共電極線上方的聚酰亞胺膜層時，將聚酰亞胺填充在第二過孔處，由于聚酰亞胺的介電常數(shù)小于鈍化層中的材料的介電常數(shù)，因此，聚酰亞胺作為填充物填充在第二過孔中，從而減少了公共電極線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容。

可選地，在第一過孔和第二過孔中的填充物均采用聚酰亞胺進行代替，且在第一過孔和第二過孔均填充有聚酰亞胺，或者，第一過孔中填充光刻膠，第二過孔中填充有聚酰亞胺。

本發(fā)明實施例中提供的陣列基板，通過在鈍化層中設置第一過孔，且將該第一過孔延伸至公共電極線中，從而減少公共電極線和數(shù)據(jù)線之間的交疊面積，減少公共電極線和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容。進一步地，在第一過孔和第二過孔中填充有介電常數(shù)小于鈍化層的材料的介電常數(shù)，進一步減少公共電極線和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容。

基于同一發(fā)明思想，參見圖5，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法，包括：

s501、采用構圖工藝在襯底基板上依次形成數(shù)據(jù)線、鈍化層和公共電極線的圖案，其中，公共電極線和數(shù)據(jù)線在襯底基板上的投影具有交疊區(qū)域；

s502、在形成鈍化層的圖案時，在鈍化層的交疊區(qū)域形成第一過孔。

其中，本發(fā)明實施例中的構圖工藝可只包括光刻工藝，或，可以包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖形的工藝；光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。在具體實施時，可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結構選擇相應的構圖工藝。

具體地，在形成數(shù)據(jù)線之前，還包括在襯底基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、源漏電極層、有機膜層(org)和像素電極層。其中，數(shù)據(jù)線與源漏電極層同層設置。本發(fā)明實施例中，通過在形成鈍化層的圖形時，在交疊區(qū)域中形成第一過孔。在具有第一過孔的鈍化層之上形成公共電極線時，第一過孔中填充有空氣或真空，且空氣或者真空的介電常數(shù)小于鈍化層的材料的介電常數(shù)。從而減少了數(shù)據(jù)線和公共電極線的寄生電容，以及減少數(shù)據(jù)線的負載。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，形成第一過孔之后，該方法還包括：在第一過孔處填充填充物，且填充物的介電常數(shù)小于所述鈍化層的材料的介電常數(shù)。具體地，為了進一步減少數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的寄生電容，在第一過孔中填充上比鈍化層材料的介電常數(shù)更小的填充物。其中，在第一過孔中填充填充物可以采用沉積、涂覆或者其他方式進行填充。具體填充方式在此不做具體限定。

可選地，為了方便在填充有填充物的第一過孔上方形成公共電極電線的圖案，填充物至少填充到第一過孔的邊緣，從而避免公共電極線的材料沉積在第一過孔中。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成公共電極線的圖案時，該方法還包括：在鈍化層的交疊區(qū)域形成第二過孔。具體地，在公共電極線與數(shù)據(jù)線交疊的區(qū)域形成貫穿公共電極線的第二過孔，在形成第二過孔時，可以采用構圖工藝中的任一方式形成。通過在鈍化層中形成第一過孔的基礎上，在公共電極線的交疊區(qū)域形成第二過孔，減少了公共電極線和數(shù)據(jù)線之間的交疊區(qū)域面積，進一步減少了兩者之間的寄生電容。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成鈍化層的圖案時，在鈍化層的交疊區(qū)域形成第一過孔，包括：在數(shù)據(jù)線的圖案之上形成鈍化層膜層；在鈍化層膜層之上形成第一光刻膠，采用掩膜版對第一光刻膠進行曝光，顯影，形成第一光刻膠完全保留區(qū)域和第一光刻膠完全去除區(qū)域，其中，第一光刻膠完全去除區(qū)域與交疊區(qū)域相對應；刻蝕第一光刻膠完全去除區(qū)域所對應的鈍化層膜層，形成第一過孔；在第一過孔處填充第一光刻膠，剝離第一光刻膠完全保留區(qū)域所對應的第一光刻膠；在形成公共電極線的圖案時，在公共電極線的交疊區(qū)域形成第二過孔，包括：在鈍化層的圖案之上形成公共電極線膜層；在公共電極線膜層之上形成第二光刻膠，采用掩膜版對第二光刻膠進行曝光，顯影，形成第二光刻膠完全保留區(qū)域和第二光刻膠完全去除區(qū)域，其中，第二光刻膠完全去除區(qū)域與交疊區(qū)域相對應；刻蝕第二光刻膠完全去除區(qū)域所對應的公共電極線膜層，形成第二過孔；剝離第二光刻膠完全保留區(qū)域所對應的第二光刻膠。

具體地，本發(fā)明實施例中通過在形成鈍化層的圖案時，采用構圖工藝形成貫穿鈍化層的第一過孔，且在形成第一過孔之后，在第一過孔中填充有填充物，其中，填充物可以為光刻膠，或者聚酰亞胺。在此不做具體限定。采用構圖工藝形成第一過孔，并且在第一過孔處填充上填充物后，在鈍化層上方形成公共電極層。其中，在對第一過孔進行填充時，為了避免形成公共電極線透明電極材料沉積到過孔內，將填充物至少覆蓋第一過孔的邊緣位置。

具體地，在形成第二過孔時采用的掩膜版與形成第一過孔采用的掩膜版為同一掩膜版，從而減少制作陣列基板的制作成本。另外，使得第一過孔和第二過孔在襯底基板上的投影完全重疊，進一步減少了公共電極線和數(shù)據(jù)線之間的交疊面積，從而減少數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的寄生電容。

另外，由于公共電極線的透明導電材料具有一定的強度，在形成第二過孔時，可以小于第一過孔的孔徑，在此不做具體限定。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成公共電機線的圖案之后，該方法還包括：對第一過孔中的第一光刻膠進行曝光顯影，使得第一光刻膠完全去除；在公共電極線的圖案之上形成聚酰亞胺膜層，其中，第一過孔和第二過孔處均填充有聚酰亞胺膜層。

具體地，在形成公共電極線的圖案之后，需要形成覆蓋公共電極線的聚酰亞胺膜層，由于聚酰亞胺的介電常數(shù)小于鈍化層中的氮化硅的介電常數(shù)，因此，可以將聚酰亞胺填充至第一過孔和第二過孔。

另外，本發(fā)明實施例中在形成聚酰亞胺膜層之前，還包括保留第一過孔中的第一光刻膠，直接在填充有第一光刻膠的第一過孔之上形成公共電極線，將聚酰亞胺填充至第二過孔。

下面通過結構示意圖介紹本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法的詳細步驟。

步驟一，在襯底基板10上形成柵極01、柵極絕緣層02、有源層03和數(shù)據(jù)線11，如圖6(a)所示；

步驟二，在數(shù)據(jù)線11上方形成有機膜層16和像素電極層17，在像素電極層17上方形成鈍化層12，如圖6(b)所示；

步驟三，在鈍化層12上方形成第一光刻膠21，采用掩膜版對第一光刻膠21進行曝光，顯影，形成第一光刻膠完全保留區(qū)域210和第一光刻膠完全去除區(qū)域211，其中，第一光刻膠完全去除區(qū)域211與交疊區(qū)域相對應，如圖6(c)所示；

步驟四，刻蝕第一光刻膠完全去除區(qū)域211所對應的鈍化層12膜層，形成第一過孔121，如圖6(d)所示；

步驟五，在第一過孔121處填充第一光刻膠21，剝離第一光刻膠完全保留區(qū)域所對應的第一光刻膠，如圖6(e)所示；

其中，第一過孔處填充的第一光刻膠至少覆蓋第一過孔的邊緣。

步驟六，在鈍化層12上方形成公共電極線13和第二光刻膠22，采用與形成第一過孔所使用的掩膜版對第二光刻膠22進行曝光，顯影，形成第二光刻膠完全保留區(qū)域221和第二光刻膠完全去除區(qū)域222，其中，第二光刻膠完全去除區(qū)域222與交疊區(qū)域相對應，如圖6(f)所示；

步驟七，刻蝕第二光刻膠完全去除區(qū)域222所對應的公共電極線13，形成第二過孔131，并剝離第二光刻膠完全保留區(qū)域所對應的第二光刻膠，如圖6(g)所示；

步驟八，對公共電極線13進行退火工藝，晶化公共電極線13，并對公共公共電線13進行曝光顯影，使得第一過孔中的第一光刻膠21完全去除，如圖6(h)所示；

步驟八，在公共電極線13上方形成聚酰亞胺膜層15，且覆蓋第二過孔131和第一過孔121，如圖6(i)所示。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法中，在形成第一過孔和第二過孔時，可以在形成公共電極線的同時，一次性形成貫穿公共電極線和鈍化層的過孔，且在過孔處填充聚酰亞胺。

通過上述步驟形成陣列基板中每個膜層的結構均需要采用構圖工藝進行構圖。構圖工藝可只包括光刻工藝，或，可以包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖形的工藝；光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。在具體實施時，可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結構選擇相應的構圖工藝。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板依次設置在所述襯底基板之上的數(shù)據(jù)線、鈍化層和公共電極線，所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影具有交疊區(qū)域，該陣列基板還包括：設置在所述鈍化層中在交疊區(qū)域的第一過孔。因此，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，通過在數(shù)據(jù)線和公共電極線之間具有交疊區(qū)域的鈍化層中設置第一過孔，從而減少了數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的寄生電容，從而進一步減少數(shù)據(jù)線的負載。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。