本發(fā)明涉及顯示
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體而言，涉及一種具有圖案化共通電極層和圖案化像素電極層的陣列基板。
背景技術(shù)：
：陣列基板包括主動(dòng)元件、柵極線、數(shù)據(jù)線、圖案化像素電極層與圖案化共通電極層?；旧?，陣列基板可與彩色濾光基板對(duì)位后將液晶密封于內(nèi)，并且再與背光模塊組裝后形成一液晶顯示面板。一般來說，主動(dòng)元件用以控制各像素區(qū)(亦即，子像素(sub-pixel))的電壓。柵極線依照時(shí)序電連接至主動(dòng)元件的柵極以按序地開啟主動(dòng)元件，數(shù)據(jù)線依照時(shí)序?qū)Ω飨袼貐^(qū)內(nèi)的圖案化像素電極層與圖案化共通電極層之間的儲(chǔ)存電容充電，藉此調(diào)節(jié)液晶偏轉(zhuǎn)角度，每個(gè)像素區(qū)可以獲得灰階電平。而后，可以通過彩色濾光片來搭配各像素區(qū)的灰階電平，從而每個(gè)能夠發(fā)出紅藍(lán)綠顏色的像素區(qū)可以構(gòu)成影像畫面(frame)。一般來說，液晶偏轉(zhuǎn)所需的反應(yīng)時(shí)間對(duì)液晶顯示面板的影像品質(zhì)有相當(dāng)?shù)挠绊??；旧希壕У姆磻?yīng)時(shí)間通常是指對(duì)應(yīng)液晶偏轉(zhuǎn)角度而使得各像素區(qū)的“最暗轉(zhuǎn)最亮”、“最亮轉(zhuǎn)最暗”以及“灰階轉(zhuǎn)灰階”的液晶偏轉(zhuǎn)的反應(yīng)時(shí)間。實(shí)際而言，由于“灰階轉(zhuǎn)灰階”的所需反應(yīng)時(shí)間大于“最暗轉(zhuǎn)最亮”與“最亮轉(zhuǎn)最暗”的所需反應(yīng)時(shí)間，所以“灰階轉(zhuǎn)灰階”的所需反應(yīng)時(shí)間對(duì)液晶顯示面板來說為主要考慮的因素。因此，如何有效縮短液晶由灰階轉(zhuǎn)至灰階所需要的反應(yīng)時(shí)間，在設(shè)計(jì)液晶顯示面板時(shí)顯得相當(dāng)重要。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明一實(shí)施例提出一種陣列基板，陣列基板包括基板、圖案化第一電極層以及圖案化第二電極層。圖案化第一電極層位基板上方，圖案化第一電極層具有多個(gè)第一條狀電極。其中，每一第一條狀電極的相對(duì)二邊緣分別具有多個(gè)凹部與多個(gè)凸部，這些凹部與這些凸部交替排列。相對(duì)二邊緣的多個(gè)凹部相對(duì)設(shè)置且多個(gè)凸部相對(duì)設(shè)置。圖案化第二電極層位于圖案化第一電極層上方，圖案化第二電極層具有多個(gè)第二條狀電極。其中，每一第二條狀電極的相對(duì)二邊緣分別具有多個(gè)凹部與多個(gè)凸部，這些凹部與這些凸部交替排列。相對(duì)二邊緣的多個(gè)凹部相對(duì)設(shè)置且多個(gè)凸部相對(duì)設(shè)置。在基板的垂直投影方向上，這些第二條狀電極與這些第一條狀電極交錯(cuò)排列，相鄰二第一條狀電極的最相鄰的二邊緣實(shí)質(zhì)上彼此不平行，且相鄰二第二條狀電極的最相鄰二邊緣實(shí)質(zhì)上彼此不平行。每一第二條狀電極的這些凸部對(duì)應(yīng)其相鄰的第一條狀電極的這些凹部，且每一第一條狀電極的這些凸部對(duì)應(yīng)其相鄰的第二條狀電極的這些凹部。本發(fā)明一實(shí)施例提出一種陣列基板，陣列基板包含基板、多個(gè)第一條狀電極以及多個(gè)第二條狀電極。多個(gè)第一條狀電極位基板上方，每一第一條狀電極具有相對(duì)二邊緣，且相鄰二第一條狀電極的最相鄰二邊緣實(shí)質(zhì)上彼此不平行。多個(gè)第二條狀電極位多個(gè)第一條狀電極上方，每一第二條狀電極具有相對(duì)二邊緣，且相鄰二第二條狀電極的相鄰二邊緣實(shí)質(zhì)上彼此不平行。在基板的垂直投影方向上，多個(gè)第二條狀電極與多個(gè)第一條狀電極交錯(cuò)排列，且每一第一條狀電極的邊緣與最相近的第二條狀電極的相鄰的邊緣實(shí)質(zhì)上平行。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例的所提供的陣列基板，包括基板、圖案化第一電極層與圖案化第二電極層。圖案化第一電極層的相鄰兩個(gè)第一條狀電極相鄰兩個(gè)邊緣實(shí)質(zhì)上彼此不平行，相鄰兩個(gè)第二條狀電極的相鄰兩個(gè)邊緣實(shí)質(zhì)上彼此不平行，每個(gè)第一條狀電極的邊緣與最相近的第二條狀電極的相鄰的邊緣實(shí)質(zhì)上平行。對(duì)液晶顯示面板而言，顯示出一個(gè)影像畫面(frame)所需的時(shí)間包括儲(chǔ)存電容的充電時(shí)間、液晶的灰階至灰階的反應(yīng)時(shí)間等。由于液晶由灰階轉(zhuǎn)至灰階所需要的反應(yīng)時(shí)間較久，倘若降低儲(chǔ)存電容的充電時(shí)間，則可容許液晶分子由灰階轉(zhuǎn)至灰階的反應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)。因此，本發(fā)明實(shí)施例通過調(diào)整第一條狀電極和/或第二電極的尺寸和間距，使得儲(chǔ)存電容變小，所需的儲(chǔ)存電容的充電時(shí)間亦隨之降低，進(jìn)而可容許較多的液晶的灰階至灰階反應(yīng)時(shí)間，進(jìn)而提升液晶顯示面板整體的影像品質(zhì)。附圖說明圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖2(a)為圖1的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖2(b)為圖1的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖1沿線a-a所示出的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為圖1的圖案化第一電極層。圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的圖案化第一電極層和圖案化第二電極層的局部結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖6為本發(fā)明又一實(shí)施例的圖案化第一電極層和圖案化第二電極層的局部結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖7(a)為本發(fā)明另一實(shí)施例的圖案化第一電極層和圖案化第二電極層的局部結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖7(b)對(duì)應(yīng)圖7(a)而示出的圖案化第一電極層。圖8(a)為本發(fā)明再一實(shí)施例的圖案化第一電極層和圖案化第二電極層的局部結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖8(b)對(duì)應(yīng)圖8(a)而示出的圖案化第一電極層。圖9(a)為本發(fā)明又一實(shí)施例的圖案化第一電極層和圖案化第二電極層的局部結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖9(b)對(duì)應(yīng)圖9(a)而示出的圖案化第一電極層。圖10為對(duì)應(yīng)于圖1的a-a剖線的本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的截面示意圖。圖11為本發(fā)明又一實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖12為本發(fā)明又一實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖13為本發(fā)明又一實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖14為液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間隨儲(chǔ)存電容百分比的曲線圖。附圖標(biāo)記說明：100陣列基板110基板120圖案化第一電極層122第一條狀電極122a第一節(jié)狀部124第一連接電極1242第一環(huán)狀電極1244第一主干電極130圖案化第二電極層132第二條狀電極132a第二節(jié)狀部140導(dǎo)電層150反光膜a1、a2長(zhǎng)度b1、b2寬度θ1、θ2夾角d1第一方向d2第二方向dl數(shù)據(jù)線gl柵極線l1、l2邊緣ls1、ls2側(cè)邊pv絕緣層s1、s2凹部sp1、sp2底部tft主動(dòng)元件t1、t2凸部tp1頂部x1間距具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖1、圖2(a)、圖2(b)和圖3。圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖2(a)及圖2(b)為圖1的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖1沿線a-a所示出的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。其中，陣列基板100包括基板110、主動(dòng)元件tft、圖案化第一電極層120、圖案化第二電極層130、多個(gè)柵極線gl以及多個(gè)數(shù)據(jù)線dl。圖案化第一電極層120包括多個(gè)第一條狀電極122，圖案化第二電極層130包括多個(gè)第二條狀電極132。多個(gè)柵極線gl以第一方向d1延伸且彼此間隔配置。多個(gè)數(shù)據(jù)線dl以第二方向延伸且彼此間隔配置。柵極線gl與數(shù)據(jù)線dl彼此交錯(cuò)設(shè)置而界定出多個(gè)像素區(qū)，像素區(qū)是指任兩相鄰的柵極線gl以及任兩相鄰的數(shù)據(jù)線dl交錯(cuò)所界定的區(qū)域。第一方向d1與第二方向d2可實(shí)質(zhì)上垂直，但不以此為限。陣列基板100具有多個(gè)呈現(xiàn)矩陣狀排列的像素區(qū)，為了便于說明，于圖1中僅示出單一像素區(qū)。請(qǐng)參閱圖1，像素區(qū)的像素結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一條狀電極122以及多個(gè)第二條狀電極132。第一條狀電極122位于基板110上方，且第二條狀電極132位于第一條狀電極122上方。在基板110的垂直投影方向上，第一條狀電極122與第二條狀電極132交錯(cuò)排列。在此實(shí)施例中，此些第一條狀電極122以相同方向延伸，且彼此間隔配置。每一第一條狀電極122具有相對(duì)兩個(gè)邊緣l1。于此，二邊緣l1是指第一條狀電極122在延伸方向上的相對(duì)兩側(cè)的整體邊緣(即由第一條狀電極122的一端延伸至另一端的邊緣)。在一些實(shí)施例中，每一第一條狀電極122的相對(duì)兩側(cè)的兩邊緣l1具有多個(gè)相對(duì)向外的凸部t1以及多個(gè)相對(duì)向內(nèi)的凹部s1，而且這些凹部s1與這些凸部t1繼續(xù)相連且交替排列。每個(gè)邊緣l1具有多個(gè)繼續(xù)相連的側(cè)邊ls1，并且任意兩個(gè)相鄰并連接的側(cè)邊ls1的延伸方向不同。其中，同一個(gè)邊緣l1的任意兩個(gè)相鄰的側(cè)邊ls1向第一條狀電極122的外側(cè)突起形成多個(gè)凸部t1的邊界，并且任意兩個(gè)相鄰的側(cè)邊ls1向第一條狀電極122的內(nèi)部凹入形成多個(gè)凹部s1的邊界。換言之，每個(gè)第一條狀電極122具有多個(gè)繼續(xù)相連的第一節(jié)狀部122a。側(cè)邊ls1即為第一節(jié)狀部122a的邊緣，這些第一節(jié)狀部122a中任意相鄰兩個(gè)第一節(jié)狀部122a的相連處形成相對(duì)兩個(gè)所述凹部s1，且每個(gè)第一節(jié)狀部122a的兩個(gè)側(cè)邊ls1相對(duì)向外突起形成兩個(gè)相對(duì)的凸部t1。其中，同一第一條狀電極122的相對(duì)二側(cè)的邊緣l1的多個(gè)凹部s1彼此為相對(duì)設(shè)置，且同一第一條狀電極122的相對(duì)二側(cè)的邊緣l1的多個(gè)凸部t1彼此為相對(duì)設(shè)置。相鄰兩個(gè)第一條狀電極122的最相鄰的兩個(gè)邊緣l1的凹部s1彼此相對(duì)，相鄰兩個(gè)第一條狀電極122的最相鄰的兩個(gè)邊緣l1的凸部t1彼此相對(duì)。也就是說，每個(gè)第一條狀電極122的凹部s1都對(duì)應(yīng)其相鄰兩個(gè)第一條狀電極122的凹部s1，且第一條狀電極122的凸部t1都對(duì)應(yīng)其相鄰兩個(gè)第一條狀電極122的凸部t1。依此，相鄰兩個(gè)第一條狀電極122的相鄰兩個(gè)邊緣l1實(shí)質(zhì)上彼此不平行，也就是說，相鄰的第一條狀電極122在延伸方向上的兩相對(duì)邊緣l1彼此不平行。在此實(shí)施例中，此些第二條狀電極132以相同方向延伸，且彼此間隔配置。每一第二條狀電極132具有相對(duì)兩個(gè)邊緣l2。于此，二邊緣l2是指第二條狀電極132在延伸方向上的相對(duì)兩側(cè)的整體邊緣(即由此第二條狀電極132的一端延伸至另一端的邊緣)。在一些實(shí)施例中，每一第二條狀電極132的相對(duì)兩側(cè)的兩邊緣l2具有多個(gè)相對(duì)向外的凸部t2以及多個(gè)相對(duì)向內(nèi)的凹部s2，而且這些凹部s2與這些凸部t2繼續(xù)相連且交替排列。每個(gè)邊緣l2具有多個(gè)繼續(xù)相連的側(cè)邊ls2，并且任意兩個(gè)相鄰并連接的側(cè)邊ls2的延伸方向不同。其中，同一個(gè)邊緣l2的任意兩個(gè)相鄰的側(cè)邊ls2向第二條狀電極132的外側(cè)突起形成多個(gè)凸部t2的邊界，并且任意兩個(gè)相鄰的側(cè)邊ls2向第二條狀電極132的內(nèi)部凹入形成多個(gè)凹部s2的邊界。換言之，每個(gè)第二條狀電極132具有多個(gè)繼續(xù)相連的第二節(jié)狀部132a。側(cè)邊ls2即為第二節(jié)狀部132a的邊緣，這些第二節(jié)狀部132a中任意相鄰兩個(gè)第二節(jié)狀部132a的相連處形成相對(duì)兩個(gè)所述凹部s2，且每個(gè)第二節(jié)狀部132a的兩個(gè)側(cè)邊ls2相對(duì)向外突起形成兩個(gè)相對(duì)的凸部t2。其中，同一第二條狀電極132的相對(duì)二側(cè)的邊緣l2的多個(gè)凹部s2彼此為相對(duì)設(shè)置，且同一第二條狀電極132的相對(duì)二側(cè)的邊緣l2的多個(gè)凸部t2彼此為相對(duì)設(shè)置。相鄰兩個(gè)第二條狀電極132的最相鄰的兩個(gè)邊緣l2的凹部s2彼此相對(duì)，相鄰兩個(gè)第二條狀電極132的最相鄰的兩個(gè)邊緣l2的凸部t2彼此相對(duì)。也就是說，每個(gè)第二條狀電極132的凹部s2都對(duì)應(yīng)其相鄰兩個(gè)第二條狀電極132的凹部s2，且第二條狀電極132的凸部t2都對(duì)應(yīng)其相鄰兩個(gè)第二條狀電極132的凸部t2。依此，相鄰兩個(gè)第二條狀電極132的相鄰兩個(gè)邊緣l2實(shí)質(zhì)上彼此不平行，也就是說，相鄰的第二條狀電極132在延伸方向上的兩相對(duì)邊緣l2彼此不平行。在基板110的垂直投影方向上，這些第一條狀電極122與這些第二條狀電極132交錯(cuò)排列。也就是說，其中的一個(gè)第一條狀電極122位于其中相鄰兩個(gè)的第二條狀電極132之間。其中，在基板110的垂直投影中，每個(gè)第一條狀電極122的邊緣l1與相鄰的第二條狀電極132的最相近的邊緣l2實(shí)質(zhì)上平行，而且第一條狀電極122的凸部t1都對(duì)應(yīng)相鄰的第二條狀電極132的凹部s2，第二條狀電極132的凸部t2都對(duì)應(yīng)相鄰的第一條狀電極122的凹部s1。另外，圖案化第一電極層120可以還包括第一連接電極124。為了便于說明，于圖4中僅示出圖1的圖案化第一電極層120。于本實(shí)施例中，請(qǐng)參閱圖1及圖4，第一連接電極124為環(huán)狀電極(以下稱第一環(huán)狀電極1242)。第一環(huán)狀電極1242圍繞于所有第一條狀電極122的周圍，且各第一條狀電極122的兩個(gè)相對(duì)端點(diǎn)都與第一環(huán)狀電極1242連接。但不以此為限，后文會(huì)再詳述其他可能實(shí)施方式。為了便于說明，于圖2中僅示出圖1的局部的圖案化第一電極層120和圖案化第二電極層130。于本實(shí)施例中，如圖2所示出即為其中一種實(shí)施方式，在基板110的垂直投影方向上，第一條狀電極122的凸部t1為角錐狀。具體而言，第一條狀電極122的同一個(gè)邊緣l1的任意兩個(gè)相鄰的側(cè)邊ls1的延伸方向不同并且向第一條狀電極122的外側(cè)突起，而且第二條狀電極132的同一個(gè)邊緣l2的任意兩個(gè)相鄰的側(cè)邊ls2的延伸方向不同并且向第二條狀電極132的外側(cè)突起。依此，第一節(jié)狀部122a和第二節(jié)狀部132a大致上都呈現(xiàn)六邊形圖案。具體來說，在平行于第一條狀電極122延伸方向上，第一條狀電極122的同一邊緣l1的相鄰兩個(gè)凹部s1的二底部sp1之間具有長(zhǎng)度a1，也就是說，長(zhǎng)度a1為第一節(jié)狀部122a的平行于第一條狀電極122延伸方向的長(zhǎng)度。于一實(shí)施例中，長(zhǎng)度a1的范圍介于10～25微米(μm)之間。在垂直于第一條狀電極122延伸方向上，第一條狀電極122的兩邊緣l1的相對(duì)兩個(gè)凹部s1的二底部sp1之間具有寬度b1，也就是說，寬度b1為第一節(jié)狀部122a的垂直于第一條狀電極122延伸方向的最小寬度。于一實(shí)施例中，寬度b1的范圍介于1～6.5微米(μm)之間。第一條狀電極122的凸部t1具有夾角θ1，即為第一節(jié)狀部122a的其中兩個(gè)相鄰并連接的側(cè)邊ls1之間所夾的鈍角，如圖2所示。于一實(shí)施例中，夾角θ1的范圍介于150度(°)至170度(°)之間。值得對(duì)其進(jìn)行說明是，第一條狀電極122的俯視形狀與第二條狀電極132的俯視形狀實(shí)質(zhì)上相同。對(duì)第二節(jié)狀部132a來說，第二節(jié)狀部132a亦同樣具有長(zhǎng)度a2、寬度b2以及夾角θ2。其中，長(zhǎng)度a2、寬度b2以及夾角θ2的定義與長(zhǎng)度a1、寬度b1以及夾角θ1相似，因此，于此不再贅述第二條狀電極132的俯視形狀、長(zhǎng)度a2、寬度b2以及夾角θ2的定義。值得對(duì)其進(jìn)行說明是，第一條狀電極122的電極圖案和第二條狀電極132的電極圖案可以有多種，例如是繼續(xù)相連的多邊形、圓形等。也就是說，第一條狀電極122的凸部t1和凹部s1以及第二條狀電極132的凸部t2和凹部s2的形狀可以是但不限于角錐狀、弧面。于另一實(shí)施例中，如圖5所示出即為其中另一種實(shí)施方式，第一條狀電極122的相對(duì)兩側(cè)的兩邊緣l1的凸部t1為弧面。具體而言，第一條狀電極122的每個(gè)側(cè)邊ls1皆為相對(duì)向外突起的弧線，且任意兩個(gè)相鄰的側(cè)邊ls1端點(diǎn)相連接，且此些相連接的端點(diǎn)向第一條狀電極122的內(nèi)部凹入形成多個(gè)凹部s1。換言之，第一節(jié)狀部122a的俯視形狀近似圓形。需對(duì)其進(jìn)行說明是，于圖5的實(shí)施方式中，第一條狀電極122的俯視形狀與第二條狀電極132的俯視形狀不相同。于此實(shí)施例中，第二條狀電極132的每個(gè)側(cè)邊ls2都為向第二條狀電極132內(nèi)部凹入的弧線，且側(cè)邊ls2的凹處朝向的方向與側(cè)邊ls1凸處朝向的方向一致。其中，同一個(gè)第二條狀電極132的任意兩個(gè)相鄰的側(cè)邊ls2端點(diǎn)相連接，且此些相連接的端點(diǎn)相對(duì)向第二條狀電極132的外側(cè)突起形成多個(gè)凸部t2的邊界，且每個(gè)相對(duì)向第二條狀電極132的內(nèi)部凹入的側(cè)邊ls2形成多個(gè)凹部s2的邊界，而且這些凹部s2與這些凸部t2繼續(xù)相連且交替排列。如圖6所示出即為其中的又一種實(shí)施方式，第一條狀電極122的凸部t1亦為弧面。具體而言，第一條狀電極122的每個(gè)側(cè)邊ls1為弧線，任意兩個(gè)相鄰的側(cè)邊ls1之間的凹處朝向不同的方向。任意兩個(gè)相鄰的側(cè)邊ls1相連接且呈現(xiàn)間隔地相對(duì)于第一條狀電極122的外側(cè)突起以及內(nèi)側(cè)凹入。其中，其中一部分間隔配置的側(cè)邊ls1相對(duì)向第一條狀電極122的外部突起形成多個(gè)凸部t1的邊界，而其中另一部分間隔配置的側(cè)邊ls1相對(duì)向第一條狀電極122的內(nèi)側(cè)凹入形成多個(gè)凹部s1的邊界，而且這些凹部s1與這些凸部t1繼續(xù)相連且交替排列。需對(duì)其進(jìn)行說明是，于圖6的實(shí)施方式中，第一條狀電極122的俯視形狀與第二條狀電極132的俯視形狀相同。因此，于此不再贅述第二條狀電極132的形狀特征。此外，在基板110的垂直投影方向上，圖案化第一電極層120的第一條狀電極122和圖案化第二電極層130的第二條狀電極132可以是重疊或是不重疊，以下詳述可能的實(shí)施方式。于本實(shí)施例中，請(qǐng)參閱圖1及配合參閱圖2(a)及圖2(b)，在基板110的垂直投影方向上每個(gè)第一條狀電極122與其相鄰的第二條狀電極132不重疊。具體來說，在基板110的垂直投影方向上，第二條狀電極132是對(duì)應(yīng)位于任兩相鄰的第一條狀電極122之間，而且每個(gè)第二條狀電極132的兩個(gè)邊緣l2都沒有落入每個(gè)第一條狀電極122的投影范圍內(nèi)。每個(gè)第一條狀電極122的邊緣l1與相鄰的第二條狀電極132的最相近的邊緣l2之間具有水平之間距x1，間距的絕對(duì)值︱x1︱小于或等于1.5μm。需特別對(duì)其進(jìn)行說明是，間距x1的正(+)負(fù)(-)符號(hào)為區(qū)別第一條狀電極122與相鄰的第二條狀電極132之間因重疊或是分開(不重疊)所產(chǎn)生邊緣l1與邊緣l2之間的水平之間距x1，其中，在基板110的垂直投影方向上，間距x1的正(+)符號(hào)是指第一條狀電極122與相鄰的第二條狀電極132之間是部分重疊而使邊緣l1與最相近的邊緣l2之間產(chǎn)生的水平之間距x1，間距x1的負(fù)(-)符號(hào)是指第一條狀電極122與相鄰的第二條狀電極132之間是分開而使邊緣l1與最相近的邊緣l2之間產(chǎn)生的水平之間距x1。于另一實(shí)施例中，如圖7(a)及圖7(b)所示出，圖7(a)及圖7(b)為本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)局部俯視示意圖，為了方便描述，圖7(a)示出圖案化第一電極層120和圖案化第二電極層130的局部結(jié)構(gòu)俯視示意圖。由于本實(shí)施例的圖案化第一電極層120位于圖案化第二電極層130的下方，第一電極層120的邊緣l1以虛線標(biāo)示。為方便描述，圖7(b)僅對(duì)應(yīng)圖7(a)而示出的圖案化第一電極層120。在基板110的垂直投影方向上，每個(gè)第一條狀電極122與相鄰的第二條狀電極132部分重疊，而且相鄰的第一條狀電極122的相鄰的凸部t1之間沒有相連。具體來說，第二條狀電極132是對(duì)應(yīng)位于任兩相鄰的第一條狀電極122之間，而且每個(gè)第二條狀電極132的兩個(gè)邊緣l2分別對(duì)應(yīng)地落入最相近的兩個(gè)相鄰第一條狀電極122的投影范圍內(nèi)。于此實(shí)施例中，間距x1小于或等于+1.5μm。于再一實(shí)施例中，如圖8(a)及圖8(b)所示出，圖8(a)及圖8(b)為本發(fā)明再一實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)局部俯視示意圖，為了方便描述，圖8(a)示出圖案化第一電極層120和圖案化第二電極層130的局部結(jié)構(gòu)俯視示意圖。由于本實(shí)施例的圖案化第一電極層120位于圖案化第二電極層130的下方，第一電極層120的邊緣l1以虛線標(biāo)示。為方便描述，圖8(b)僅對(duì)應(yīng)圖8(a)而示出的圖案化第一電極層120。在基板110的垂直投影方向上，每個(gè)第一條狀電極122與相鄰的第二條狀電極132部分重疊，而且任兩相鄰的第一條狀電極122的任兩相鄰的凸部t1之間直接相連。需對(duì)其進(jìn)行說明是，于此實(shí)施例中，任兩相鄰的第一條狀電極122的任意相對(duì)兩個(gè)凸部t1的頂部tp1相連接，且兩相鄰的第一條狀電極122的任意相對(duì)兩個(gè)凹部s1彼此相對(duì)，以使相鄰的第一條狀電極122的相對(duì)兩個(gè)凹部s1形成一封閉孔洞h1。實(shí)務(wù)上，封閉孔洞h1可視為在整層的第一電極層上進(jìn)行圖案化制程以所形成孔洞。于此實(shí)施例中，每個(gè)第二條狀電極132的兩個(gè)邊緣l2分別對(duì)應(yīng)地落入最相近的兩個(gè)相鄰第一條狀電極122的投影范圍內(nèi)，且間距x1小于或等于+1.5μm。于又一實(shí)施例中，如圖9(a)及圖9(b)所示出，圖9(a)及圖9(b)為本發(fā)明又一實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)局部俯視示意圖，為了方便描述，圖9(a)示出圖案化第一電極層120和圖案化第二電極層130的局部結(jié)構(gòu)俯視示意圖。由于本實(shí)施例的圖案化第一電極層120位于圖案化第二電極層130的下方，第一電極層120的邊緣l1以虛線標(biāo)示。為方便描述，圖9(b)僅對(duì)應(yīng)圖9(a)而示出的圖案化第一電極層120。圖案化第一電極層120的各第一條狀電極122的各凸部t1與相鄰的第一條狀電極122的相鄰的凸部t1直接相連并且重疊，而且相鄰的第一條狀電極122的相對(duì)兩個(gè)凹部s1同樣地形成封閉孔洞h1。于此實(shí)施例中，每個(gè)第二條狀電極132的兩個(gè)邊緣l2分別對(duì)應(yīng)地落入最相近的兩個(gè)相鄰第一條狀電極122的投影范圍內(nèi)，且間距x1小于或等于+1.5μm。換言之，相鄰的第一條狀電極122的對(duì)應(yīng)的兩個(gè)第一節(jié)狀部122a彼此接觸并且連接。同樣地，實(shí)務(wù)上，封閉孔洞h1可視為在整層的第一電極層上進(jìn)行圖案化制程以所形成孔洞。圖10為對(duì)應(yīng)于圖1的a-a剖線的本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的截面示意圖，請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D3以及另外參照?qǐng)D10。陣列基板100包括基板110、圖案化第一電極層120、圖案化第二電極層130與主動(dòng)元件tft。每一主動(dòng)元件tft設(shè)置于一像素區(qū)內(nèi)且與對(duì)應(yīng)的柵極線gl與數(shù)據(jù)線dl連接。于此，以底柵極型的薄膜晶體管為例，然不以此為限，在其他實(shí)施例中，亦可以頂柵極型或雙柵極型薄膜晶體管形成主動(dòng)元件tft。在一些實(shí)施例中，參照?qǐng)D1、圖3和圖10，此些第一條狀電極122可由一圖案化電極層(以下稱為圖案化第一電極層120)實(shí)現(xiàn)，換言之，圖案化第一電極層120包括多個(gè)第一電極層122。此些第二條狀電極132亦可由另一圖案化電極層(以下稱為圖案化第二電極層130)實(shí)現(xiàn)，換言之，圖案化第二電極層130包括多個(gè)第二條狀電極132。圖案化第一電極層120位于基板110上，而圖案化第二電極層130位于圖案化第一電極層120上方。圖案化第一電極層120和圖案化第二電極層130之間夾有絕緣層pv。其中，圖案化第一電極層120可以是圖案化共通電極層和圖案化像素電極層其中的一者，并且圖案化第二電極層130是圖案化共通電極層和圖案化像素電極層其中的另一者。換句話說，在一實(shí)施例中，參照?qǐng)D1與圖3，圖案化第一電極層120可為圖案化像素電極層，且圖案化第二電極層130為圖案化共通電極層；此時(shí)，此實(shí)施例的陣列基板100即為上共通電極(topcommon)形式。于另一實(shí)施例中，參照?qǐng)D1與圖10，圖案化第一電極層120可為圖案化共通電極層，且圖案化第二電極層130則為圖案化像素電極層；此時(shí)，此實(shí)施例的陣列基板100即為上像素電極(toppixel)形式。于如圖1所示出的實(shí)施例中，圖案化第一電極層120和圖案化第二電極層130設(shè)置于像素區(qū)內(nèi)，且在基板110的垂直投影方向上，圖案化第一電極層130與數(shù)據(jù)線dl不重疊。不過，于其他實(shí)施例中，如圖11所示出，圖案化第一電極層130為圖案化共通電極層時(shí)，也可以視電性設(shè)計(jì)覆蓋于數(shù)據(jù)線dl上且與數(shù)據(jù)線dl重疊。此外，圖案化第一電極層130亦可以覆蓋于主動(dòng)元件tft上。如圖1及圖4所示出的實(shí)施例中，圖案化第一電極層120還包括圍繞于所有第一條狀電極122的周圍的第一環(huán)狀電極1242。于又一實(shí)施例中，如圖12所示出，第一連接電極124為第一主干電極1244(以下稱第一主干電極)。于本實(shí)施例中，第一主干電極1244的延伸方向與數(shù)據(jù)線dl的延伸方向相同，第一主干電極1244位于所有第一條狀電極122的一端點(diǎn)的旁側(cè)，且相鄰于第一主干電極1244的第一條狀電極122的端點(diǎn)都與第一主干電極1244連接。即各第一條狀電極122也可以視電性連接設(shè)計(jì)而僅通過其中一端點(diǎn)與第一連接電極124連接，而各第一條狀電極122的另一端點(diǎn)與第一連接電極124并未連接。此外，如圖1所示出的實(shí)施例中，第一條狀電極122的延伸方向和第二條狀電極13的延伸方向與柵極線gl的延伸方向相同。換言之，各第一條狀電極122的延伸方向和各第二條狀電極13的延伸方向都相同，都以第一方向d1延伸且彼此實(shí)質(zhì)上平行。不過，于其他實(shí)施例中，如圖13所示出，第一條狀電極122的延伸方向和第二條狀電極132的延伸方向也可以與數(shù)據(jù)線dl的延伸方向相同，也就是說，各第一條狀電極122的延伸方向和各第二條狀電極132的延伸方向都相同，都以數(shù)據(jù)線dl的延伸方向延伸且彼此實(shí)質(zhì)上平行。值得對(duì)其進(jìn)行說明是，圖案化第一電極層120與圖案化第二電極130之間可形成儲(chǔ)存電容，而所述儲(chǔ)存電容的值與圖案化第一電極層120的第一條狀電極122的尺寸相關(guān)。為了便于詳述第一條狀電極122的尺寸以及所產(chǎn)生的特性，于表1中列出數(shù)據(jù)。值得對(duì)其進(jìn)行說明是，反應(yīng)時(shí)間百分比rtratio是指應(yīng)用本發(fā)明尺寸的液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間與對(duì)照組a的液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間的百分比值，液晶的穿透百分比lcratio是指應(yīng)用本發(fā)明尺寸的液晶的穿透率與對(duì)照組a的液晶穿透率的百分比值。需特別對(duì)其進(jìn)行說明是，表1中的對(duì)照組a是指第一條狀電極122的長(zhǎng)度a1為15微米(μm)、寬度b1為4.5微米(μm)且夾角θ1為160°(度)，且第二條狀電極132采和第一條狀電極122相同設(shè)計(jì)的結(jié)果。以對(duì)照組a作為基準(zhǔn)點(diǎn)，列出變化的長(zhǎng)度a1、寬度b1及夾角θ1對(duì)反應(yīng)時(shí)間百分比rtratio及液晶的穿透百分比lcratio的影響。表1請(qǐng)參閱表1，當(dāng)長(zhǎng)度a1的范圍介于10～25微米(μm)之間，例如是表1中的10微米(μm)時(shí)，可知相較于對(duì)照組a來說，反應(yīng)時(shí)間百分比rtratio變高，因此應(yīng)用本發(fā)明尺寸的液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間相較于對(duì)照組a的液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間來得多。但如果長(zhǎng)度a1越大時(shí)，相較于對(duì)照組a來說反應(yīng)時(shí)間百分比rtratio變低，以致液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間相較來說較少。由表1得知，當(dāng)a1越小時(shí)，液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間越多，然液晶的穿透百分比會(huì)較小，因此，長(zhǎng)度a1較佳介于10～25μm，又更佳可介于10～20μm。請(qǐng)參閱表1，當(dāng)寬度b1的范圍介于2.5～6.5微米(μm)之間，例如是表1中的2.5微米(μm)，可知相較于對(duì)照組a來說，反應(yīng)時(shí)間百分比rtratio變高，因此應(yīng)用本發(fā)明尺寸的液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間相較于對(duì)照組a的液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間來得多。但如果寬度b1越大時(shí)，相較于對(duì)照組a來說反應(yīng)時(shí)間百分比rtratio變低，以致液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間相較來說較少。由表1得知，當(dāng)b1越大時(shí)，液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間越少，另由于制程關(guān)系，b1大于等于1微米時(shí)較佳，因此，寬度b1較佳介于1～6.5μm，又更佳可介于1～4.5μm。請(qǐng)參閱表1，相較于對(duì)照組a來說，當(dāng)夾角θ1為150度(°)及170度(°)時(shí)，反應(yīng)時(shí)間百分比rtratio變低，以致液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間相較來說較少。依此可知，夾角θ1的較佳范圍介于150度(°)及170度(°)之間。請(qǐng)參閱表1，當(dāng)間距x1是表1中的-1.0微米(μm)、-1.5微米(μm)，可知相較于對(duì)照組a來說，液晶的灰階至灰階的可容許的反應(yīng)時(shí)間相較來說較少。依此可知，間距x1的較佳范圍介于-1.5μm～1.5μm之間。另外，圖案化第一電極層120與圖案化第二電極130之間的儲(chǔ)存電容亦與圖案化第一電極層120的第一條狀電極122和圖案化第二電極130的第二條狀電極132之間之間距x1相關(guān)。為了便于詳述第一條狀電極122的邊緣l1與相鄰的第二條狀電極132的邊緣l2之間之間距x1所產(chǎn)生的特性，于表2示出間距x1與儲(chǔ)存電容百分比cstratio的相關(guān)數(shù)據(jù)，而圖14為液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間隨儲(chǔ)存電容百分比cstratio的曲線圖。其中，圖14的x軸為儲(chǔ)存電容百分比cstratio，即為應(yīng)用本發(fā)明相關(guān)尺寸的儲(chǔ)存電容與對(duì)照組b的儲(chǔ)存電容之間的比例值。圖14的y軸為液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間，即為可容許液晶分子由灰階轉(zhuǎn)至灰階的反應(yīng)時(shí)間。需特別對(duì)其進(jìn)行說明是，表2中的對(duì)照組b是指圖案化第一電極層為整層結(jié)構(gòu)，亦即，不具有間隔設(shè)置的第一條狀電極122。以對(duì)照組b作為基準(zhǔn)點(diǎn)，列出變化之間距x1對(duì)儲(chǔ)存電容百分比cstratio的影響。表2x1(μm)cstratio(％)對(duì)照組b100+1.580030-1.017-1.514請(qǐng)參閱表2，當(dāng)間距x1的范圍介于-1.5微米(μm)至+1.5微米(μm)之間，例如是表2中的-1.5微米(μm)、0微米(μm)、+1.0微米(μm)、+1.5微米(μm)時(shí)，相較于對(duì)照組b來說，儲(chǔ)存電容變小，進(jìn)而儲(chǔ)存電容的所需的充電時(shí)間亦可隨之降低。接著，請(qǐng)配合參閱圖14，當(dāng)儲(chǔ)存電容比例值cstratio變小，則應(yīng)用本發(fā)明尺寸的液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間相較于對(duì)照組b的液晶的灰階至灰階可容許的反應(yīng)時(shí)間來得多。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例的所提供的陣列基板，包括基板、圖案化第一電極層與圖案化第二電極層。圖案化第一電極層的相鄰兩個(gè)第一條狀電極相鄰兩個(gè)邊緣實(shí)質(zhì)上彼此不平行，相鄰兩個(gè)第二條狀電極的相鄰兩個(gè)邊緣實(shí)質(zhì)上彼此不平行，每個(gè)第一條狀電極的邊緣與相鄰的第二條狀電極的最相近的邊緣實(shí)質(zhì)上平行。對(duì)液晶顯示面板而言，顯示出一個(gè)影像畫面(frame)所需的時(shí)間包括儲(chǔ)存電容的充電時(shí)間、液晶的灰階至灰階的反應(yīng)時(shí)間等。由于液晶由灰階轉(zhuǎn)至灰階所需要的反應(yīng)時(shí)間較久，倘若降低儲(chǔ)存電容的充電時(shí)間，則可容許液晶分子由灰階轉(zhuǎn)至灰階的反應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)。因此，本發(fā)明實(shí)施例通過調(diào)整圖案化第一電極層的第一條狀電極和/或圖案化第二電極層的第二條狀電極的尺寸和間距，使得儲(chǔ)存電容變小，所需的儲(chǔ)存電容的充電時(shí)間亦隨之降低，進(jìn)而可容許較多的液晶的灰階至灰階反應(yīng)時(shí)間，進(jìn)而提升液晶顯示面板整體的影像品質(zhì)。雖然本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容已經(jīng)以優(yōu)選實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思所作些許的變動(dòng)與潤(rùn)飾，皆應(yīng)涵蓋于本發(fā)明的范圍內(nèi)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁12