本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種空間光調(diào)制器及顯示裝置。

背景技術(shù)：

全息顯示技術(shù)不同于其它的三維顯示技術(shù)，是以空間光調(diào)制器為核心器件，再現(xiàn)原物的三維立體像。全息顯示技術(shù)的特點是將記錄了物光波的振幅和相位信息的數(shù)字全息信息，加載到空間光調(diào)制器，利用全息光電再現(xiàn)技術(shù)再現(xiàn)原物光波。

空間光調(diào)制器是一種光電器件，在信源信號的控制下，它能對光波的某個參數(shù)進行調(diào)制，例如通過吸收調(diào)制振幅、折射率調(diào)制相位、偏振面的旋轉(zhuǎn)調(diào)制偏振態(tài)等等，從而將信源信號所荷載的物光波的振幅和相位信息寫進入射參考光波之中。其輸出光波是隨控制信號變化的空間和時間的函數(shù)。

目前用于全息顯示的空間光調(diào)制器主要有液晶空間光調(diào)制器(liquidcrystalspatiallightmodulator，lc-slm)。數(shù)字微反射鏡器件(digitalmicro—mirrordevice，dmd)以及光折變晶體(photoreflectivecrystal，prc)。其中，液晶空間光調(diào)制器的工作原理為參考光波照射至液晶空間光調(diào)制器，液晶空間光調(diào)制器在信源信號的控制下利用電場控制液晶的偏轉(zhuǎn)，從而控制輸出光波，即參考光波經(jīng)液晶空間光調(diào)制器調(diào)制后輸出。根據(jù)讀參考光波的輸入方式可分為透射式和反射式。如圖1a所示，圖1a為透射式液晶空間光調(diào)制器的光路示意圖，透射式是指參考光波從液晶空間光調(diào)制器1的一側(cè)輸入，經(jīng)液晶調(diào)制后的輸出光波從另一側(cè)輸出。如圖1b所示，圖1b為反射式液晶空間光調(diào)制器的光路示意圖；反射式是指參考光波從液晶空間光調(diào)制器1的一側(cè)輸入先被反射后，反射光經(jīng)液晶調(diào)制后的輸出光波還從輸入側(cè)輸出。

現(xiàn)有的反射式液晶空間光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)如圖2a所示，圖2a為現(xiàn)有的反射式液晶空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)圖；包括相對設(shè)置的陣列基板10和上基板20，位于陣列基板10與上基板20之間的液晶層30、隔離柱40；其中，上基板20上設(shè)置有公共電極21和黑矩陣層22，陣列基板10上設(shè)置有多個像素電極11，覆蓋像素電極11的平坦化層12，位于平坦化層12上且與各像素電極11分別一一對應(yīng)的反射電極13，為了增大存儲電容，反射電極13通過貫穿平坦化層12的過孔v與對應(yīng)的像素電極11電連接，如圖2b所示，圖2b現(xiàn)有的反射式液晶空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；隔離柱40放置于4個相鄰的過孔v之間，由于隔離柱40會影響其周圍電場的分布，導(dǎo)致隔離柱40附近有較大區(qū)域無法正常顯示，因此需要黑矩陣層22覆蓋隔離柱40以及隔離柱40的周圍區(qū)域，并且黑矩陣層22還需要覆蓋過孔v，但是這會導(dǎo)致現(xiàn)有的空間光調(diào)制器像素開口率較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種空間光調(diào)制器及顯示裝置，用以提供空間光調(diào)制器的像素開口率。

本發(fā)明實施例提供的一種空間光調(diào)制器，包括相對設(shè)置的陣列基板和上基板，位于所述陣列基板與所述上基板之間的液晶層和隔離柱；其中，所述陣列基板上設(shè)置有呈矩陣排列的多個像素電極，覆蓋所述像素電極的平坦化層，位于所述平坦化層上且與各所述像素電極分別一一對應(yīng)的反射電極，且各所述反射電極通過貫穿所述平坦化層的過孔與對應(yīng)的所述像素電極電連接；

以相鄰的2×2個像素電極為一像素組，與各所述像素電極對應(yīng)的過孔位于靠近所述像素組的中心的區(qū)域，且所述隔離柱位于所述像素組的中心區(qū)域。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供的上述空間光調(diào)制器及顯示裝置，以相鄰的2×2個像素電極為一像素組，將與各像素電極對應(yīng)的過孔設(shè)置于靠近像素組的中心的區(qū)域，并且將隔離柱設(shè)置在像素組的中心區(qū)域，可以使隔離柱與過孔重疊或者使隔離柱緊鄰過孔。當(dāng)隔離柱與過孔重疊時，覆蓋隔離柱的黑矩陣層以及覆蓋隔離柱周圍區(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋至少部分過孔；當(dāng)隔離柱緊鄰過孔時，覆蓋隔離柱周圍區(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋部分過孔；這與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層覆蓋過孔的區(qū)域和覆蓋隔離柱的區(qū)域是沒有重疊的相比，黑矩陣層的面積大大的減小了，從而可以提高空間光調(diào)制器的像素開口率。

附圖說明

圖1a為透射式液晶空間光調(diào)制器的光路示意圖；

圖1b為反射式液晶空間光調(diào)制器的光路示意圖；

圖2a為現(xiàn)有的反射式液晶空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)圖；

圖2b現(xiàn)有的反射式液晶空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a為本發(fā)明實施例提供的一種空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；

圖4b為本發(fā)明實施例提供的另一種空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的另一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6a為本發(fā)明實施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6b為圖6a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的俯視示意圖；

圖7a為本發(fā)明實施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7b為圖7a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的一種俯視示意圖；

圖7c為圖7a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的另一種俯視示意圖；

圖7d為圖7a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的又一種俯視示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器的中過孔的開口形狀的示意圖；

圖9a為本發(fā)明實施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9b為圖9a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的一種俯視示意圖；

圖9c為圖9a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的另一種俯視示意圖；

圖10為本發(fā)明實施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

附圖中各部件的形狀和大小不反映真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明實施例提供的一種空間光調(diào)制器，如圖3所示，圖3為本發(fā)明實施例提供的一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；包括相對設(shè)置的陣列基板10和上基板20，位于陣列基板與上基板之間的液晶層30和隔離柱40；其中，陣列基板10上設(shè)置有呈矩陣排列的多個像素電極11，覆蓋像素電極11的平坦化層12，位于平坦化層12上且與各像素電極11分別一一對應(yīng)的反射電極13，且各反射電極13通過貫穿平坦化層12的過孔與對應(yīng)的像素電極11電連接；

如圖4a所示，圖4a為本發(fā)明實施例提供的一種空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；以相鄰的2×2個像素電極11為一像素組，與各像素電極11對應(yīng)的過孔v位于靠近像素組的中心的區(qū)域，且隔離柱40位于像素組的中心區(qū)域。

本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器，如圖4a所示，以相鄰的2×2個像素電極11為一像素組，將與各像素電極11對應(yīng)的過孔v設(shè)置于靠近像素組的中心的區(qū)域，并且將隔離柱40設(shè)置在像素組的中心區(qū)域，可以使隔離柱40與過孔v重疊或者使隔離柱40緊鄰過孔v。當(dāng)隔離柱40與過孔v重疊時，覆蓋隔離柱40的黑矩陣層以及覆蓋隔離柱40周圍區(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋至少部分過孔；當(dāng)隔離柱40緊鄰過孔v時，覆蓋隔離柱40周圍區(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋部分過孔v；這與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層覆蓋過孔的區(qū)域和覆蓋隔離柱的區(qū)域是沒有重疊的相比，黑矩陣層的面積大大的減小了，從而可以提高空間光調(diào)制器的像素開口率。

并且，本發(fā)明中由于將與各像素電極11對應(yīng)的過孔v設(shè)置于靠近像素組的中心的區(qū)域，并且將隔離柱40設(shè)置在像素組的中心區(qū)域，這樣可以使黑矩陣層在像素組中每一像素占用的面積一致，不像現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層在有些像素中占用的面積較大，在有些像素中占用的面積較小，從而導(dǎo)致像素開口面積不一致的問題，因此本發(fā)明還可以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的由于像素開口面積不一致導(dǎo)致的顯示亮度不均勻的問題。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖4a所示，相鄰的2×2個像素電極11是指該4個像素電極11位于相鄰兩行且位于相鄰兩列中。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，像素電極與反射電極一一對應(yīng)是指，一個像素電極對應(yīng)一個反射電極，同時一個反射電極也僅對應(yīng)一個像素電極。

具體地，本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器，如圖4b所示，圖4b為本發(fā)明實施例提供的另一種空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；陣列基板10上還設(shè)置有多條沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線data，多條沿行方向延伸的掃描線gate，呈矩陣排列的多個像素電極11是由掃描線gate和數(shù)據(jù)線data所限定的，像素電極11位于數(shù)據(jù)線data和掃描線gate限定的區(qū)域內(nèi)。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，由于隔離柱40和過孔v所在區(qū)域無法正常顯示，因此，如圖5所示，圖5為本發(fā)明實施例提供的另一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；空間光調(diào)制器還包括位于隔離柱40與上基板20之間的黑矩陣層22，且黑矩陣層22在陣列基板10的正投影覆蓋隔離柱40和過孔v在陣列基板10上的正投影。一般黑矩陣層22的邊緣要超出隔離柱40和過孔v的邊緣一定寬度。由于覆蓋隔離柱40的黑矩陣層22以及覆蓋隔離柱40周圍區(qū)域的黑矩陣層22可以覆蓋至少部分過孔v，這與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層22覆蓋過孔v的區(qū)域和覆蓋隔離柱40的區(qū)域是沒有重疊的相比，黑矩陣層22的面積大大的減小了，從而可以提高空間光調(diào)制器的像素開口率。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，一般是將隔離柱固定于黑矩陣層面向液晶層的一側(cè)。即在上基板上形成黑矩陣層之后形成隔墊物。當(dāng)然，也可以將黑矩陣層設(shè)置在陣列基板上，在此不作限定。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖3和圖5所示，在上基板20上還設(shè)置有公共電極21?？臻g光調(diào)制器的工作原理為，向像素電極11與公共電極21上施加電壓，使像素電極11與公共電極21形成電場，液晶分子在電場的作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，電場不同，偏轉(zhuǎn)的程度就不同，偏轉(zhuǎn)的程度不同導(dǎo)致輸出光不同，從而實現(xiàn)對光的調(diào)制。而各像素電極11上的電壓由空間光調(diào)制器接收的記錄了物光波的振幅和相位信息的數(shù)字全息信息決定。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，一個像素組中的4個像素電極可以對應(yīng)同一個過孔，即4個像素電極通過同一個過孔分別與對應(yīng)的反射電極電連接，但是要保證4個反射電極之間彼此絕緣，4個像素電極之間彼此絕緣；當(dāng)然，一個像素組中的4個像素電極也可以對應(yīng)同4個過孔，即1個像素電極對應(yīng)1個過孔，每一像素電極通過各自其對應(yīng)的過孔與反射電極電連接。下面通過具體實施例對本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中隔離柱與過孔的具體相對位置關(guān)系進行說明。

下面先對一個像素組中的4個像素電極對應(yīng)4個過孔的情況進行詳細說明。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖6a和圖6b所示，圖6a為本發(fā)明實施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6b為圖6a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的俯視示意圖；像素組中每一個像素電極11對應(yīng)一個過孔v，像素組對應(yīng)的四個過孔v，各過孔v位于靠近像素組的中心的區(qū)域；隔離柱40位于四個過孔v之間的平坦化層12上。黑矩陣層22覆蓋隔離柱40和過孔v，相當(dāng)于覆蓋隔離柱40周圍區(qū)域的黑矩陣層22與覆蓋過孔的周圍區(qū)域的黑矩陣層重疊了，從而減少了黑矩陣層22所占的面積，因此可以提高像素開口率。并且，隔離柱40位于四個過孔v之間的平坦化層12上，可以使像素組中4個反射電極13在像素組的中心區(qū)域被隔離柱40彼此阻擋，可以避免反射電極13之間發(fā)生短路問題。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖7a和圖7b所示，圖7a為本發(fā)明實施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7b為圖7a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的一種俯視示意圖；隔離柱40在陣列基板10的正投影與像素組對應(yīng)的四個過孔v在陣列基板10的正投影部分重疊。使隔離柱與過孔交疊可以進一步減小黑矩陣層22所占的面積，進一步提高空間光調(diào)制器的像素開口率。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖6b和圖7b所示，像素組對應(yīng)的四個過孔v中，任意相鄰兩個過孔v呈軸對稱設(shè)置。這樣可以使每一過孔v占用像素的面積相同，而隔離柱40又位于4個過孔v之間，隔離柱40占用的每一像素的面積也相同，從而使每一像素的開口率相同，保證顯示畫面亮度均勻。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，過孔的開口形狀可以為任何形狀，在此不作限定。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖7c所示，圖7c為圖7a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的另一種俯視示意圖；過孔v的開口形狀為矩形，但是為了增加隔離柱40與平坦化層12的接觸面積，可以適當(dāng)?shù)臏p小過孔v的面積，如圖7d所示，圖7d為圖7a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的又一種俯視示意圖；過孔v的開口形狀為三角形。當(dāng)過孔v的開口形狀為三角形時，最好使三角形的長邊臨近像素組的中心，這樣使四個過孔之間的平坦化層12的面積較大，以增加隔離柱40與平坦化層12的接觸面積，從而提高隔離柱40的穩(wěn)定性。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖6b、圖7b和圖8所示，圖8為本發(fā)明實施例圖6b和圖7b提供的空間光調(diào)制器的中過孔的開口形狀的示意圖；過孔v的開口形狀為將靠近隔離柱40的一角設(shè)置為圓角的矩形。與過孔v的開口形狀為四個均為直角的矩形相比，可以使四個過孔之間的平坦化層12的面積較大，從而可以增加隔離柱40與平坦化層12的接觸面積，提高隔離柱40的穩(wěn)定性。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的空間關(guān)調(diào)制器中，如圖7d所示，隔離柱40在陣列基板的正投影的形狀為中心對稱圖形。隔離柱40的中心位于像素組的中心，這樣可以保證隔離柱40占用每一像素的面積相同，從而保證每一像素的開口率相同。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，針對像素組中的4個像素電極對應(yīng)4個過孔的情況，過孔的開口形狀可以根據(jù)實際情況進行設(shè)定，例如從工藝制作來講，過孔的開口形狀越簡單工藝制作越容易實現(xiàn)；過孔的開口形狀最好能在保證使反射電極和像素電極電連接的基礎(chǔ)上使隔離柱與平坦化層的接觸面積最大等。另外，隔離柱在陣列基板的正投影的形狀也可以根據(jù)過孔的開口形狀進行設(shè)計，例如當(dāng)4個過孔包圍的區(qū)域為圓形時，可以將隔離柱在設(shè)計成圓柱形，當(dāng)4個過孔包圍的區(qū)域為矩形時，可以將隔離柱在設(shè)計成矩形柱等，此不作限定。

下面對一個像素組中的4個像素電極對應(yīng)1個過孔的情況進行詳細說明。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖9a至圖9c所示，圖9a為本發(fā)明實施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9b為圖9a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的一種俯視示意圖；圖9c為圖9a所示的空間光調(diào)制器對應(yīng)的另一種俯視示意圖；像素組中的四個像素電極11對應(yīng)一個過孔v，過孔v位于靠近像素組的中心的區(qū)域且覆蓋像素組的中心；隔離柱40位于過孔v內(nèi)，且反射電極13通過貫穿過孔v的部分區(qū)域與對應(yīng)的像素電極11電連接。

具體地，像素組中的四個像素電極對應(yīng)一個過孔與四個像素電極對應(yīng)四個過孔相比可以進一步提高像素的開口率，具體原因是由于過孔工藝限制，當(dāng)對應(yīng)四個過孔時，每一過孔的大小均不能太小，而現(xiàn)在將四個小的過孔合并為一個大的過孔，從工藝上一個大的過孔的面積可以適當(dāng)減小，過孔占的面積小了，相對像素的開口率就提高了。但是當(dāng)將四個小的過孔合并為一個大的過孔時，需要注意相鄰反射電極之間的絕緣問題。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖9a所示，過孔v的側(cè)壁與位于過孔v內(nèi)的隔離柱40之間的距離s1大于反射電極13的厚度。由于當(dāng)過孔v的側(cè)壁與位于過孔v內(nèi)的隔離柱40之間的距離s1等于反射電極13的厚度時，相當(dāng)于過孔v內(nèi)除了隔離柱40只能容納側(cè)壁上一層反射電極13。在隔離柱40的面積一定的基礎(chǔ)上，當(dāng)將過孔v的側(cè)壁與位于過孔v內(nèi)的隔離柱40之間的距離s1設(shè)置為大于反射電極13的厚度，一方面可以使過孔v內(nèi)容納更多的反射電極13，有利于增大反射電極13與像素電極11的接觸面積；一方面由于在制作時，對反射電極進行構(gòu)圖的過程中，4個反射電極13在過孔v內(nèi)需要彼此分隔開，但是4個反射電極13之間可能會存在刻蝕不足導(dǎo)致反射電極13殘留的問題，因此。將過孔v的側(cè)壁與位于過孔v內(nèi)的隔離柱40之間的距離s1設(shè)置為大于反射電極13的厚度，還可以使過孔v內(nèi)相鄰反射電極13之間的距離遠一點，有利于相鄰反射電極13之間的絕緣。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖9a所示，位于過孔v內(nèi)的隔離柱40與貫穿過孔v的反射電極13之間具有預(yù)設(shè)距離s2，相當(dāng)于增大相鄰反射電極13之間的距離，有利于相鄰反射電極13之間的絕緣。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖9b和圖9c所示，過孔v的開口形狀為中心對稱圖形，例如正方形、圓形等。這樣可以保證過孔v占用每一像素的面積相同，從而保證每一像素的開口率相同。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖9b和圖9c所示，過孔v的開口形狀與隔離柱40在陣列基板上的正投影的形狀相似。有利于合理利用過孔的面積，保證反射電極13與像素電極11接觸良好的基礎(chǔ)上增大隔離柱與下方膜層的接觸面積，從而增強隔離柱40的穩(wěn)定性。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的空間關(guān)調(diào)制器中，如圖9b和圖9c所示，隔離柱40在陣列基板10的正投影的形狀為中心對稱圖形。隔離柱40的中心位于像素組的中心，這樣可以保證隔離柱40占用每一像素的面積相同，從而保證過孔內(nèi)留給每一反射電極13的空間是一致的，這樣一方面便于工藝制作，一方面有利于每一反射電極13與像素電極11的接觸電阻一致。

本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)該理解，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，黑矩陣層的圖形可以根據(jù)覆蓋的過孔和隔離柱的形狀等具體面板設(shè)計需要而定，本申請對此不作限定。

上面實施例是針對本發(fā)明提供的空間光調(diào)制器中隔離柱與過孔的具體相對位置關(guān)系進行的說明。下面對于空間光調(diào)制器中的其它器件或膜層進行簡單的介紹。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的上述各空間光調(diào)制器中，陣列基板包括襯底基板、位于襯底基板上且與各像素電極對應(yīng)的薄膜晶體管和覆蓋薄膜晶體管的絕緣層；像素電極通過貫穿絕緣層的過孔與對應(yīng)的薄膜晶體管電連接。例如，如圖10所示，圖10為本發(fā)明實施例提供的又一種空間光調(diào)制的截面示意圖；陣列基板10包括襯底基板101、位于襯底基板101上且與各像素電極11對應(yīng)的薄膜晶體管102和覆蓋薄膜晶體管102的絕緣層103；像素電極11通過貫穿絕緣層103的過孔與對應(yīng)的薄膜晶體管102電連接。

具體地，薄膜晶體管的柵極一般與掃描線相連，薄膜晶體管的源極或漏極與數(shù)據(jù)線相連，薄膜晶體管的漏極或源極與像素電極相連，當(dāng)掃描線輸出掃描信號時，數(shù)據(jù)線上的信號通過薄膜晶體管對像素電極進行充電。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖10所示，薄膜晶體管102包括依次位于襯底基板101上的溝道層01、柵極絕緣層02、柵電極03、層間介質(zhì)層04和源漏電極05；其中，源漏電極05通過貫穿層間介質(zhì)層04和柵極絕緣層02之間的過孔與溝道層01電連接，像素電極11通過貫穿絕緣層103的過孔與源漏電極05中的漏電極05a電連接。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖10所示，還包括位于黑矩陣層22與隔離柱40之間的第一公共電極23?？臻g光調(diào)制器的工作原理為，向像素電極11與第一公共電極23上施加電壓，使像素電極11與第一公共電極23形成電場，液晶分子在電場的作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，電場不同，偏轉(zhuǎn)的程度就不同，偏轉(zhuǎn)的程度不同導(dǎo)致輸出光不同，從而實現(xiàn)對光的調(diào)制。而各像素電極11上的電壓由空間光調(diào)制器接收的記錄了物光波的振幅和相位信息的數(shù)字全息信息決定。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖11所示，絕緣層103包括依次位于薄膜晶體管102上方的第一絕緣層1031和第二絕緣層1032；

空間光調(diào)制器還包括位于第一絕緣層1031和第二絕緣層1032之間的第二公共電極24。第二公共電極24在襯底基板101的正投影與像素電極11在襯底基板101的正投影存在交疊區(qū)域，通過增加第二公共電極23使第二公共電極23與像素電極11形成電容，從而可以增大存儲電容。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖11所示，第二公共電極24在襯底基板101的正投影與薄膜晶體管102的源漏電極05在襯底基板101的正投影存在交疊區(qū)域，第二公共電極24與源漏電極05同樣可以形成存儲電容。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的空間光調(diào)制器，由于該顯示裝置解決問題的原理與前述一種空間光調(diào)制器組相似，因此該顯示裝置的實施可以參見前述背光模組的實施，重復(fù)之處不再贅述。

具體地，如圖12所示，該顯示裝置為全息顯示裝置，除了包括空間光調(diào)制器1，還包括激光器2，激光器2為空間光調(diào)制器1提供參考光波?？臻g光調(diào)制器1在信源信號的控制下利用像素電極和公共電極之間的電場控制液晶的偏轉(zhuǎn)，從而控制輸出光波，即參考光波經(jīng)空間光調(diào)制器1調(diào)制后輸出。

本發(fā)明實施例提供上述空間光調(diào)制器及顯示裝置，以相鄰的2×2個像素電極為一像素組，將與各像素電極對應(yīng)的過孔設(shè)置于靠近像素組的中心的區(qū)域，并且將隔離柱設(shè)置在像素組的中心區(qū)域，可以使隔離柱與過孔重疊或者使隔離柱緊鄰過孔。當(dāng)隔離柱與過孔重疊時，覆蓋隔離柱的黑矩陣層以及覆蓋隔離柱周圍區(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋至少部分過孔；當(dāng)隔離柱緊鄰過孔時，覆蓋隔離柱周圍區(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋部分過孔；這與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層覆蓋過孔的區(qū)域和覆蓋隔離柱的區(qū)域是沒有重疊的相比，黑矩陣層的面積大大的減小了，從而可以提高空間光調(diào)制器的像素開口率。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。