本發(fā)明涉及顯示器的加工領(lǐng)域，具體涉及一種具有觸控功能的彩膜基板。
背景技術(shù)：
目前，oncell(外嵌式)觸控屏其最主要缺點(diǎn)有以下兩個(gè)：
一為成盒后須再進(jìn)行玻璃薄化，業(yè)界目前對(duì)成盒的tft-lcd元件有用氰氟酸進(jìn)行玻璃表面薄化的工藝進(jìn)行制備，但其工藝對(duì)環(huán)保有絕對(duì)的影響，且薄化的玻璃面板，容易因?yàn)榍肮に囈蛩鼗虍?dāng)下薄化工藝因素，在玻璃薄化刻蝕過(guò)程中，造成玻璃表面刻蝕不平整，從而導(dǎo)致在制作觸控線(xiàn)路時(shí)良率低下。
二為若不進(jìn)行玻璃薄化，其在工藝制程中也可能因傳送帶結(jié)構(gòu)造成玻璃表面有臟污或刮痕，進(jìn)而造成進(jìn)入觸控屏工藝制程時(shí)良率低下。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的oncell觸控屏玻璃薄化刻蝕后，其表面不平整或臟污及刮痕等，影響后續(xù)制備觸控電路良率偏低的缺陷，提供一種新的觸控屏彩膜基板。
現(xiàn)有技術(shù)的觸控顯示面板oncell工藝程序，是在cf與tft進(jìn)行成盒后，于cf側(cè)背面(也就是屏幕上端)再進(jìn)行觸控屏驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路及感應(yīng)線(xiàn)路的工藝制備，然而，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的這種制備工藝會(huì)存在如下的缺陷：cf與tft進(jìn)行成盒后，通常需要出廠(chǎng)進(jìn)行玻璃薄化，經(jīng)過(guò)薄化刻蝕后，其表面通常不平整或存在臟污及刮痕等，會(huì)影響后續(xù)進(jìn)行觸控屏驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路及感應(yīng)線(xiàn)路的工藝的良率偏低。基于此，發(fā)明人提出了本發(fā)明的技術(shù)方案以解決前述缺陷。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種觸控屏彩膜基板，該彩膜基板由下至上依次包括：
襯底基板；
設(shè)置在所述襯底基板的上表面的第一絕緣層，該第一絕緣層的下表面上具有至少兩條觸控線(xiàn)路tx，各條觸控線(xiàn)路tx嵌入所述第一絕緣層內(nèi)，使得觸控線(xiàn)路tx與第一絕緣層共平面；
設(shè)置在所述第一絕緣層的上表面的第二絕緣層，該第二絕緣層的下表面上具有至少兩條觸控線(xiàn)路rx，各條觸控線(xiàn)路rx嵌入所述第二絕緣層內(nèi)，使得觸控線(xiàn)路rx與第二絕緣層共平面；
設(shè)置在所述第二絕緣層的上表面的黑色矩陣層，該黑色矩陣層由至少三條像素單元間隔成至少兩部分；
設(shè)置在所述黑色矩陣層的上表面的覆蓋層；以及
設(shè)置在所述覆蓋層的上表面的至少兩個(gè)柱層。
本發(fā)明將觸控線(xiàn)路和cf彩膜工藝結(jié)構(gòu)層設(shè)置在襯底基板的同一側(cè)。
“彩膜基板由下至上依次包括”并不表示彩膜基板的被應(yīng)用的方向，本發(fā)明僅是為了方便描述清楚而設(shè)定了由下至上的方向。
優(yōu)選地，所述襯底基板的上表面上還設(shè)置有導(dǎo)通觸控線(xiàn)路，其用于與tft側(cè)貼合導(dǎo)通。因此，所述導(dǎo)通觸控線(xiàn)路優(yōu)選設(shè)置在所述襯底基板的邊緣區(qū)，并且，所述導(dǎo)通觸控線(xiàn)路的上表面上不設(shè)置絕緣層和黑色矩陣層層以及覆蓋層。
本發(fā)明的所述襯底基板例如可以為玻璃基板。所述玻璃基板的厚度可以為本領(lǐng)域常規(guī)的厚度，經(jīng)過(guò)薄化處理后的所述玻璃基板的厚度大幅減小，優(yōu)選情況下，設(shè)置有第一絕緣層和第二絕緣層的經(jīng)過(guò)薄化處理后的襯底基板的厚度約為0.15～0.2mm。
包括黑色矩陣層、覆蓋層和柱層在內(nèi)的結(jié)構(gòu)為cf彩膜工藝結(jié)構(gòu)層，所述cf彩膜工藝結(jié)構(gòu)層的厚度約為4～6微米。
所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的材質(zhì)可以相同，例如可以為sio或sin等材料。
形成所述觸控線(xiàn)路tx和所述觸控線(xiàn)路rx的材質(zhì)為金屬，兩者的材質(zhì)可以相同，例如可以為mo、ti、al、ito等材料。
優(yōu)選地，所述觸控線(xiàn)路tx的厚度小于所述第一絕緣層的厚度，使得所述第一絕緣層的上表面沒(méi)有被觸控線(xiàn)路tx間斷。
優(yōu)選地，所述觸控線(xiàn)路rx的厚度小于所述第二絕緣層的厚度，使得所述第二絕緣層的上表面沒(méi)有被觸控線(xiàn)路rx間斷。
觸控線(xiàn)路tx與第一絕緣層一起形成的平面與所述襯底基板的上表面直接接觸。
觸控線(xiàn)路rx與第二絕緣層一起形成的平面與所述第一絕緣層的上表面直接接觸。
優(yōu)選情況下，由至少三條像素單元間隔形成的所述黑色矩陣層的厚度為0.18～1.5微米。更優(yōu)選地，所述黑色矩陣層的至少兩部分中的各個(gè)部分的寬度相同。
優(yōu)選地，在所述彩膜基板的厚度方向上，各條所述觸控線(xiàn)路tx設(shè)置于所述黑色矩陣層的正下方，并且所述觸控線(xiàn)路tx和所述黑色矩陣層之間至少間隔有第一絕緣層和第二絕緣層。更優(yōu)選地，所述觸控線(xiàn)路tx的寬度小于由至少三條像素單元間隔形成的所述黑色矩陣層的至少兩部分中的各個(gè)部分的寬度。
優(yōu)選情況下，在所述彩膜基板的厚度方向上，各條所述觸控線(xiàn)路rx設(shè)置于所述黑色矩陣層的正下方，并且所述觸控線(xiàn)路rx和所述黑色矩陣層之間至少間隔有第二絕緣層。更優(yōu)選地，所述觸控線(xiàn)路rx的寬度小于由至少三條像素單元間隔形成的所述黑色矩陣層的至少兩部分中的各個(gè)部分的寬度。
根據(jù)優(yōu)選的具體實(shí)施方式1，所述黑色矩陣層由至少三條像素單元間隔成至少兩部分。例如兩部分，此時(shí)，三條像素單元兩兩之間緊密連接或者還可以有重疊區(qū)域。
根據(jù)優(yōu)選的具體實(shí)施方式2，所述黑色矩陣層由至少三條像素單元間隔成至少四部分，也即，三條像素單元各自不相交。
優(yōu)選情況下，各個(gè)所述觸控線(xiàn)路tx和各個(gè)所述觸控線(xiàn)路rx分別設(shè)置在由至少三條像素單元間隔成至少兩部分的黑色矩陣層的不同部分之下。
優(yōu)選地，各條所述觸控線(xiàn)路tx的寬度大于各條所述觸控線(xiàn)路rx的寬度。
優(yōu)選地，在所述彩膜基板的厚度方向上，各條所述像素單元至少部分嵌入所述覆蓋層中。也即，優(yōu)選情況下，所述像素單元的厚度大于所述黑色矩陣層的厚度。
在本發(fā)明中，優(yōu)選所述黑色矩陣層和所述像素單元的下表面共平面。
優(yōu)選情況下，各條像素單元嵌入所述覆蓋層的區(qū)域的寬度大于未嵌入所述覆蓋層的區(qū)域的各條像素單元的寬度。
優(yōu)選情況下，所述像素單元包括紅色像素單元、綠色像素單元和藍(lán)色像素單元。
本發(fā)明對(duì)制備所述觸控屏彩膜基板的工藝方法沒(méi)有特別的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用本領(lǐng)域內(nèi)制備觸控屏彩膜基板的常規(guī)方法進(jìn)行，本發(fā)明在此提供一種示例性的具體實(shí)施方式說(shuō)明制備本發(fā)明的觸控屏彩膜基板的方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員不能理解為對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍的限制，該方法包括：
(1)通過(guò)物理濺射或蒸鍍?cè)O(shè)備在襯底基板的上表面上形成第一金屬薄膜，再涂布光刻膠并使用第一觸摸屏掩版模板對(duì)第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化曝光處理，再進(jìn)行顯影工藝，使用例如2.8重量％的koh對(duì)未曝光的光刻膠區(qū)域進(jìn)行顯影，從而得到觸控線(xiàn)路(tx)；
(2)在步驟(1)得到的基板的上表面上涂布第一絕緣層；
(3)通過(guò)物理濺射或蒸鍍?cè)O(shè)備在步驟(2)得到的基板的上表面上形成第二金屬薄膜，再涂布光刻膠并使用第二觸摸屏掩版模板對(duì)第二金屬薄膜進(jìn)行圖案化曝光處理，再進(jìn)行顯影工藝，使用例如2.8重量％的koh對(duì)未曝光的光刻膠區(qū)域進(jìn)行顯影，從而得到觸控線(xiàn)路(rx)；
(4)在步驟(3)得到的基板的上表面上涂布第二絕緣層；
(5)在步驟(4)得到的基板的上表面涂覆光刻膠，形成光刻膠層，使用第三觸摸屏掩版模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，得到圖案化的黑色矩陣層前體，干燥所述黑色矩陣層前體以形成所述黑色矩陣層；
(6)在步驟(5)得到的基板的上表面涂覆光刻膠，形成光刻膠層，使用第四觸摸屏掩版模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，得到具有紅色像素單元、綠色像素單元和藍(lán)色像素單元中的任意一種的矩陣，干燥該矩陣；
(7)重復(fù)步驟(6)至少2次，以得到具有至少三條像素單元的矩陣，并且，重復(fù)步驟中使用的第四觸摸屏掩版模板各不相同；
(8)在步驟(7)得到的基板的上表面上形成覆蓋層；
(9)在步驟(8)得到的基板的上表面上涂覆光刻膠，形成光刻膠層，使用第五觸摸屏掩版模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成具有柱狀矩陣圖案的柱層矩陣前體，干燥所述柱層矩陣前體得到所述柱層。
在前述優(yōu)選的具體實(shí)施方式的方法中，當(dāng)觸控屏彩膜基板用于tn產(chǎn)品時(shí)，在步驟(8)中，所述覆蓋層為tft-lcd共通電極層，且該步驟(8)包括：通過(guò)物理濺射或蒸鍍?cè)O(shè)備在步驟(7)得到的基板的上表面上形成ito薄膜以得到所述覆蓋層。
在前述優(yōu)選的具體實(shí)施方式的方法中，當(dāng)觸控屏彩膜基板用于ips產(chǎn)品時(shí)，在步驟(8)中，所述覆蓋層為平坦化層，且該步驟(8)包括：在步驟(7)得到的基板的上表面上涂覆光刻膠，形成光刻膠層，光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成平坦化層矩陣前體，干燥所述平坦化層矩陣前體以得到所述覆蓋層。
本發(fā)明提供的觸控屏彩膜基板將觸控屏驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路及感應(yīng)線(xiàn)路工藝均制作于cf側(cè)，再與tft進(jìn)行成盒工藝制備，這樣避免了將觸控屏驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路及感應(yīng)線(xiàn)路工藝在薄化后的不夠平整的cf側(cè)背面進(jìn)行，從而有利于提升觸控屏驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路及感應(yīng)線(xiàn)路的工藝的良率。
本發(fā)明將觸控線(xiàn)路制作在cf玻璃結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)第一層，因觸控線(xiàn)路多為金屬線(xiàn)路或?yàn)槠瑺頸to線(xiàn)路設(shè)計(jì)，其膜厚比cf工藝線(xiàn)路膜厚要薄，從而能夠避免多爬坡造成斷線(xiàn)。
本發(fā)明的觸控屏彩膜基板可在tft成盒后，再外出廠(chǎng)進(jìn)行玻璃薄化，避免因?yàn)檫\(yùn)送過(guò)程中或上述情況所造成的異常，導(dǎo)致后續(xù)觸摸屏工藝良率低下。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的一種優(yōu)選的具體實(shí)施方式的觸控屏彩膜基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
1、襯底基板2、第一絕緣層
3、第二絕緣層4、觸控線(xiàn)路tx
5、觸控線(xiàn)路rx6、黑色矩陣層
7、像素單元71、紅色像素單元
72、綠色像素單元73、藍(lán)色像素單元
8、覆蓋層9、柱層
10、導(dǎo)通觸控線(xiàn)路
具體實(shí)施方式
在本文中所披露的范圍的端點(diǎn)和任何值都不限于該精確的范圍或值，這些范圍或值應(yīng)當(dāng)理解為包含接近這些范圍或值的值。對(duì)于數(shù)值范圍來(lái)說(shuō)，各個(gè)范圍的端點(diǎn)值之間、各個(gè)范圍的端點(diǎn)值和單獨(dú)的點(diǎn)值之間，以及單獨(dú)的點(diǎn)值之間可以彼此組合而得到一個(gè)或多個(gè)新的數(shù)值范圍，這些數(shù)值范圍應(yīng)被視為在本文中具體公開(kāi)。
以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的觸控屏彩膜基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的描述，如圖1所示，所述彩膜基板由下至上依次包括：
襯底基板1；
設(shè)置在所述襯底基板的上表面的第一絕緣層2，該第一絕緣層2的下表面上具有至少兩條觸控線(xiàn)路tx4，各條觸控線(xiàn)路tx4嵌入所述第一絕緣層2內(nèi)，使得觸控線(xiàn)路tx4與第一絕緣層2共平面；
設(shè)置在所述第一絕緣層2的上表面的第二絕緣層3，該第二絕緣層3的下表面上具有至少兩條觸控線(xiàn)路rx5，各條觸控線(xiàn)路rx5嵌入所述第二絕緣層3內(nèi)，使得觸控線(xiàn)路rx5與第二絕緣層3共平面；
設(shè)置在所述第二絕緣層3的上表面的黑色矩陣層6，該黑色矩陣層6由至少三條像素單元7間隔成至少兩部分；
設(shè)置在所述黑色矩陣層6的上表面的覆蓋層8；以及
設(shè)置在所述覆蓋層8的上表面的至少兩個(gè)柱層9。
優(yōu)選地，所述襯底基板的上表面上還設(shè)置有導(dǎo)通觸控線(xiàn)路10，其用于與tft側(cè)貼合導(dǎo)通。因此，所述導(dǎo)通觸控線(xiàn)路10優(yōu)選設(shè)置在所述襯底基板的邊緣區(qū)，并且，所述導(dǎo)通觸控線(xiàn)路10的上表面上不設(shè)置絕緣層和黑色矩陣層層以及覆蓋層。
優(yōu)選地，由至少三條像素單元7間隔形成的所述黑色矩陣層6的厚度為0.18～1.5微米。
優(yōu)選地，在所述彩膜基板的厚度方向上，各條所述觸控線(xiàn)路tx4設(shè)置于所述黑色矩陣層6的正下方。更優(yōu)選地，所述觸控線(xiàn)路tx4的寬度小于由至少三條像素單元7間隔形成的所述黑色矩陣層6的至少兩部分中的各個(gè)部分的寬度。
優(yōu)選地，在所述彩膜基板的厚度方向上，各條所述觸控線(xiàn)路rx5設(shè)置于所述黑色矩陣層6的正下方。更優(yōu)選地，所述觸控線(xiàn)路rx5的寬度小于由至少三條像素單元7間隔形成的所述黑色矩陣層6的至少兩部分中的各個(gè)部分的寬度。
優(yōu)選地，各條所述觸控線(xiàn)路tx4的寬度大于各條所述觸控線(xiàn)路rx5的寬度。
優(yōu)選地，在所述彩膜基板的厚度方向上，各條所述像素單元7至少部分嵌入所述覆蓋層8中。
優(yōu)選地，各條像素單元7嵌入所述覆蓋層8的區(qū)域的寬度大于未嵌入所述覆蓋層8的區(qū)域的各條像素單元7的寬度。
優(yōu)選情況下，所述像素單元7包括紅色像素單元71、綠色像素單元72和藍(lán)色像素單元73。
根據(jù)優(yōu)選的具體實(shí)施方式，所述黑色矩陣層6由三條像素單元7(分別為紅色像素單元71、綠色像素單元72和藍(lán)色像素單元73)間隔成四部分，也即，三條像素單元7各自不相交。
以下將通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
以下實(shí)施例中，第一絕緣層和第二絕緣層的材質(zhì)均為sin材料；觸控線(xiàn)路tx和觸控線(xiàn)路rx的材質(zhì)均為ti材料。
以下使用的襯底基板為cf玻璃基板。
實(shí)施例1：制備圖1所示的觸控屏彩膜基板，且觸控屏彩膜基板用于tn產(chǎn)品
(1)通過(guò)物理濺射在襯底基板的上表面上形成第一金屬薄膜，再涂布光刻膠并使用第一觸摸屏掩版模板對(duì)第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化曝光處理，再進(jìn)行顯影工藝，使用2.8重量％的koh對(duì)未曝光的光刻膠區(qū)域進(jìn)行顯影，從而得到觸控線(xiàn)路(tx)；
(2)在步驟(1)得到的基板的上表面上涂布第一絕緣層；
(3)通過(guò)物理濺射在步驟(2)得到的基板的上表面上形成第二金屬薄膜，再涂布光刻膠并使用第二觸摸屏掩版模板對(duì)第二金屬薄膜進(jìn)行圖案化曝光處理，再進(jìn)行顯影工藝，使用2.8重量％的koh對(duì)未曝光的光刻膠區(qū)域進(jìn)行顯影，從而得到觸控線(xiàn)路(rx)；
(4)在步驟(3)得到的基板的上表面上涂布第二絕緣層；
(5)在步驟(4)得到的基板的上表面涂覆光刻膠，形成光刻膠層，使用第三觸摸屏掩版模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，得到圖案化的黑色矩陣層前體，干燥所述黑色矩陣層前體以形成所述黑色矩陣層；
(6)在步驟(5)得到的基板的上表面涂覆光刻膠，形成光刻膠層，使用第四觸摸屏掩版模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，得到具有紅色像素單元的矩陣，干燥該矩陣；
(7)重復(fù)步驟(6)2次，以分別得到具有綠色像素單元的矩陣和具有藍(lán)色像素單元的矩陣，重復(fù)步驟中使用的第四觸摸屏掩版模板各不相同；
(8)通過(guò)物理濺射在步驟(7)得到的基板的上表面上形成ito薄膜以得到覆蓋層(tft-lcd共通電極層)；
(9)在步驟(8)得到的基板的上表面上涂覆光刻膠，形成光刻膠層，使用第五觸摸屏掩版模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成具有柱狀矩陣圖案的柱層矩陣前體，干燥所述柱層矩陣前體得到所述柱層；
(10)將步驟(9)得到的基板與tft進(jìn)行成盒后出廠(chǎng)進(jìn)行玻璃薄化處理，經(jīng)過(guò)薄化后得到的基板總厚度為0.3～0.4mm。
采用上述工藝過(guò)程進(jìn)行批量生產(chǎn)，結(jié)果：連續(xù)生產(chǎn)300片大板之后，測(cè)得模組的試生產(chǎn)良率為93％以上。
實(shí)施例2：制備圖1所示的觸控屏彩膜基板，且觸控屏彩膜基板用于ips產(chǎn)品
(1)通過(guò)物理濺射在襯底基板的上表面上形成第一金屬薄膜，再涂布光刻膠并使用第一觸摸屏掩版模板對(duì)第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化曝光處理，再進(jìn)行顯影工藝，使用2.8重量％的koh對(duì)未曝光的光刻膠區(qū)域進(jìn)行顯影，從而得到觸控線(xiàn)路(tx)；
(2)在步驟(1)得到的基板的上表面上涂布第一絕緣層；
(3)通過(guò)物理濺射在步驟(2)得到的基板的上表面上形成第二金屬薄膜，再涂布光刻膠并使用第二觸摸屏掩版模板對(duì)第二金屬薄膜進(jìn)行圖案化曝光處理，再進(jìn)行顯影工藝，使用2.8重量％的koh對(duì)未曝光的光刻膠區(qū)域進(jìn)行顯影，從而得到觸控線(xiàn)路(rx)；
(4)在步驟(3)得到的基板的上表面上涂布第二絕緣層；
(5)在步驟(4)得到的基板的上表面涂覆光刻膠，形成光刻膠層，使用第三觸摸屏掩版模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，得到圖案化的黑色矩陣層前體，干燥所述黑色矩陣層前體以形成所述黑色矩陣層；
(6)在步驟(5)得到的基板的上表面涂覆光刻膠，形成光刻膠層，使用第四觸摸屏掩版模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，得到具有紅色像素單元的矩陣，干燥該矩陣；
(7)重復(fù)步驟(6)2次，以分別得到具有綠色像素單元的矩陣和具有藍(lán)色像素單元的矩陣，重復(fù)步驟中使用的第四觸摸屏掩版模板各不相同；
(8)在步驟(7)得到的基板的上表面上涂覆光刻膠，形成光刻膠層，光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成平坦化層矩陣前體，干燥所述平坦化層矩陣前體以得到所述覆蓋層(平坦化層)；
(9)在步驟(8)得到的基板的上表面上涂覆光刻膠，形成光刻膠層，使用第五觸摸屏掩版模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成具有柱狀矩陣圖案的柱層矩陣前體，干燥所述柱層矩陣前體得到所述柱層；
(10)將步驟(9)得到的基板與tft進(jìn)行成盒后出廠(chǎng)進(jìn)行玻璃薄化處理，經(jīng)過(guò)薄化后得到的基板的厚度為0.3～0.4mm。
采用上述工藝過(guò)程進(jìn)行批量生產(chǎn)，結(jié)果：連續(xù)生產(chǎn)300片大板之后，測(cè)得模組的試生產(chǎn)良率為93％以上。
由上述結(jié)果可以看出，本發(fā)明提供的觸控屏彩膜基板將觸控屏驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路及感應(yīng)線(xiàn)路工藝均制作于cf側(cè)，再與tft進(jìn)行成盒工藝制備，這樣避免了將觸控屏驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路及感應(yīng)線(xiàn)路工藝在薄化后的不夠平整的cf側(cè)背面進(jìn)行，從而有利于提升觸控屏驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路及感應(yīng)線(xiàn)路的工藝的良率。
以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本發(fā)明并不限于此。在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡(jiǎn)單變型，包括各個(gè)技術(shù)特征以任何其它的合適方式進(jìn)行組合，這些簡(jiǎn)單變型和組合同樣應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明所公開(kāi)的內(nèi)容，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。