本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置，通過控制具有雙折射性的液晶分子的轉(zhuǎn)向來控制光線的透射或遮擋，從而實(shí)現(xiàn)顯示功能。常見地，液晶顯示裝置的顯示面板包括tft基板和彩膜基板，tft基板上形成有像素電極和公共電極，tft基板和彩膜基板之間設(shè)置液晶分子，通過集成電路在像素電極和公共電極之間施加一定的電壓來控制液晶分子轉(zhuǎn)向。

在現(xiàn)有的顯示面板中，觸控顯示面板已經(jīng)越來越普及，并且，基于顯示面板向輕薄化方向發(fā)展的趨勢(shì)，觸控面板與液晶面板一體化的研究也日漸盛行，其中，現(xiàn)有的觸摸面板和液晶面板的一體化包括"in-cell"方法和"on-cell"方法。in-cell是指將觸摸面板功能嵌入到tft基板和彩膜基板之間的方法。on-cell是指將觸摸面板功能嵌入到彩膜基板和偏光板之間的方法。

"in-cell"方法中，由于觸控電極設(shè)置于顯示面板的tft基板與彩膜基板之間，在一種顯示面板的技術(shù)中，將公共電極做分塊設(shè)計(jì)后，復(fù)用為觸控電極，從而，在顯示階段，分塊設(shè)置的電極塊作為公共電極完成顯示功能，而在觸控檢測(cè)階段，分塊設(shè)置的電極塊能夠作為觸控電極而完成觸控檢測(cè)的功能。公共電極采取分塊設(shè)計(jì)后，集成電路通過金屬引線連接到公共電極傳送電壓信號(hào)，由于分塊設(shè)計(jì)的公共電極距集成電路遠(yuǎn)近不同，所以公共電極與集成電路之間的金屬引線長度不同，進(jìn)而金屬引線阻抗不同，導(dǎo)致顯示面板內(nèi)公共電極電壓(vcom)均一性變差。一般情況下集成電路對(duì)公共電極施加的電壓都為一個(gè)固定的負(fù)值，例如金屬引線短的公共電極的vcom為-0.13v，而由于金屬引線阻抗影響，金屬引線長的公共電極的vcom變?yōu)?0.18v，這種均一性差異會(huì)導(dǎo)致局部液晶雜質(zhì)離子濃度較高，引起面板內(nèi)閃爍不均，顯示面板容易產(chǎn)生局部殘影。

因此，提供一種公共電極電壓均一性好的顯示面板和顯示裝置，是本領(lǐng)域亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種顯示面板和顯示裝置，解決了上述技術(shù)問題。

本發(fā)明提供了一種顯示面板，包括：基板；設(shè)置于所述基板第一側(cè)的公共電極、像素電極和設(shè)置于所述公共電極與所述像素電極之間的絕緣膜層；與所述公共電極通過連接導(dǎo)線電連接的集成電路芯片，用于向所述公共電極提供參考電壓；

所述顯示面板包括：顯示區(qū)和邊框區(qū)，所述集成電路芯片設(shè)置于所述邊框區(qū)，所述顯示區(qū)包括至少兩個(gè)區(qū)域，每個(gè)所述區(qū)域內(nèi)分別設(shè)置有至少一個(gè)所述公共電極；

所述至少兩個(gè)區(qū)域包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域內(nèi)公共電極與所述集成電路芯片之間連接導(dǎo)線的長度大于所述第二區(qū)域內(nèi)公共電極與所述集成電路芯片之間連接導(dǎo)線的長度；

所述第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度大于所述第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度。

可選的，所述像素電極為梳齒狀，所述像素電極包括至少兩個(gè)梳齒和位于兩個(gè)梳齒之間的狹縫，所述像素電極的寬度為一個(gè)所述梳齒的寬度。

可選的，所述梳齒包括沿第一方向延伸的第一分部和沿第二方向延伸的第二分部，所述第一分部與所述第二分部相連接，所述第一方向與所述第二方向具有傾斜角度，所述像素電極的角度為所述傾斜角度；

所述第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的角度小于所述第二區(qū)域內(nèi)像素電極的角度。

可選的，所述第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的狹縫的寬度等于所述第二區(qū)域內(nèi)像素電極的狹縫的寬度。

可選的，所述像素電極的狹縫的寬度為2.3μm，所述像素電極的梳齒的寬度為1.9μm至3.7μm。

可選的，所述像素電極包括第一梳齒、第二梳齒和位于所述第一梳齒與所述第二梳齒之間的第一狹縫；

所述第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的第一梳齒、第二梳齒和第一狹縫的寬度和等于所述第二區(qū)域內(nèi)的像素電極的第一梳齒、第二梳齒和第一狹縫的寬度和。

可選的，所述第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的第一梳齒、第二梳齒和第一狹縫的寬度和為8.2μm，所述第一梳齒與所述第二梳齒的寬度相等，且所述第一梳齒的寬度為2.7μm至3.4μm，所述第一狹縫的寬度為2.1μm至2.8μm。

可選的，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域相鄰設(shè)置，所述第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度比所述第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度大0.1μm至0.2μm。

可選的，所述顯示面板還包括設(shè)置于所述基板第二側(cè)的背光模組，所述背光模組包括多個(gè)發(fā)光單元，其中，所述第一區(qū)域內(nèi)發(fā)光單元的亮度大于所述第二區(qū)域內(nèi)發(fā)光單元的亮度。

可選的，所述顯示區(qū)包括n個(gè)區(qū)域，其中，n大于或等于3；

按照公共電極與所述集成電路芯片之間連接導(dǎo)線的長度，由大到小，所述n個(gè)區(qū)域依次為所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域、第三區(qū)域至第n區(qū)域；

所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域、所述第三區(qū)域至所述第n區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度依次減小。

可選的，所述邊框區(qū)沿第三方向延伸；

所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域、第三區(qū)域至第n區(qū)域沿第四方向依次排布，所述第四方向與所述第三方向垂直；

每個(gè)所述區(qū)域內(nèi)分別設(shè)置有沿所述第三方向排布的m個(gè)塊狀公共電極。

可選的，所述顯示面板還包括：與所述集成電路芯片分別相連接的柵極驅(qū)動(dòng)電路和源極驅(qū)動(dòng)電路；

設(shè)置于所述基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極經(jīng)柵極線連接至所述柵極驅(qū)動(dòng)電路，所述薄膜晶體管的源極經(jīng)數(shù)據(jù)線連接至所述源極驅(qū)動(dòng)電路，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極相連接，其中，所述柵極線設(shè)置于第一金屬層，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于第二金屬層，所述公共電極與所述集成電路芯片之間連接導(dǎo)線設(shè)置于第三金屬層，所述第一金屬層與所述第二金屬層位于所述基板與所述公共電極之間，所述第三金屬層位于所述公共電極與所述像素電極之間；

與所述像素電極位于同一層的連接電極，所述連接電極通過第一過孔與所述公共電極相連接，所述連接電極通過第二過孔與所述連接導(dǎo)線相連接。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的顯示面板和顯示裝置，實(shí)現(xiàn)了如下的有益效果：

在顯示區(qū)域內(nèi)，對(duì)于公共電極與集成電路芯片之間連接導(dǎo)線較長的第一區(qū)域，設(shè)置較寬的像素電極，對(duì)于公共電極與集成電路芯片之間連接導(dǎo)線較短的第二區(qū)域，設(shè)置較窄的像素電極，由于像素電極寬度越大，撓曲電效應(yīng)越弱，正負(fù)幀亮度差異越小，vcom越大，能夠補(bǔ)償公共電極與集成電路芯片之間連接導(dǎo)線長度不同引起的vcom差異，保證了顯示區(qū)域內(nèi)vcom均一性，降低面板顯示區(qū)局部殘影風(fēng)險(xiǎn)。

當(dāng)然，實(shí)施本發(fā)明的任一產(chǎn)品必不特定需要同時(shí)達(dá)到以上所述的所有技術(shù)效果。

通過以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的俯視示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的像素電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的另一種像素電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的不同區(qū)域內(nèi)像素電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為不同像素電極寬度在0～255灰階的亮度值曲線圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的區(qū)域劃分示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的公共電極排布示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。

以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對(duì)本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括：基板；設(shè)置于基板第一側(cè)的公共電極、像素電極和設(shè)置于公共電極與像素電極之間的絕緣膜層；與公共電極通過連接導(dǎo)線電連接的集成電路芯片，用于向公共電極提供參考電壓；顯示區(qū)和邊框區(qū)，集成電路芯片設(shè)置于邊框區(qū)，顯示區(qū)包括至少兩個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域內(nèi)分別設(shè)置有至少一個(gè)公共電極；至少兩個(gè)區(qū)域包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域內(nèi)公共電極與集成電路芯片之間連接導(dǎo)線的長度大于第二區(qū)域內(nèi)公共電極與集成電路芯片之間連接導(dǎo)線的長度；第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度大于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度。

顯示區(qū)域公共電極與集成電路芯片之間連接導(dǎo)線的長度不同，阻抗不同，導(dǎo)致顯示區(qū)域內(nèi)公共電極電壓vcom不均一，設(shè)計(jì)第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度大于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度，由于像素電極寬度越大，撓曲電效應(yīng)越弱，正負(fù)幀亮度差異越小，vcom越大，因此采用增加像素電極寬度的方式來補(bǔ)償連接導(dǎo)線長度不同引起的vcom差異，保證了顯示區(qū)域內(nèi)vcom均一性，降低面板顯示區(qū)局部殘影風(fēng)險(xiǎn)。

進(jìn)一步的，在一些可選的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板，如圖1所示，在基板201上設(shè)置有公共電極203、像素電極206和公共電極203與像素電極206之間的絕緣膜層209，如圖2所示，顯示面板包括顯示區(qū)aa和邊框區(qū)ba，在邊框區(qū)設(shè)置有集成電路芯片210，集成電路芯片210通過連接導(dǎo)線與公共電極203進(jìn)行電連接，從而集成電路210芯片向公共電極203提供參考電壓。其中，顯示區(qū)aa包括至少兩個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域內(nèi)分別設(shè)置有至少一個(gè)公共電極203；至少兩個(gè)區(qū)域包括第一區(qū)域a1和第二區(qū)域a2，第一區(qū)域a1內(nèi)公共電極203與集成電路芯片210之間連接導(dǎo)線的長度l1大于第二區(qū)域a2內(nèi)公共電極203與集成電路芯片210之間連接導(dǎo)線的長度l2。

該實(shí)施例中的像素電極為梳齒狀，參考圖3，像素電極包括至少兩個(gè)梳齒101和位于兩個(gè)梳齒之間的狹縫102，像素電極的寬度w為一個(gè)梳齒的寬度，并且，第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度大于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度。本實(shí)施例提供的像素電極可以是圖3中封閉的結(jié)構(gòu)，也可以是如圖4所示的在梳齒末端有開口的非封閉結(jié)構(gòu)，例如，在開口的位置設(shè)置與像素電極同層的其他連接導(dǎo)線。

在該實(shí)施例中，像素電極為梳齒狀，在兩個(gè)梳齒之間有狹縫，當(dāng)對(duì)像素電極和公共電極之間施加電壓時(shí)，由于狹縫的影響，在液晶層內(nèi)產(chǎn)生橫方向的電場(chǎng)和縱方向的電場(chǎng)，可以同時(shí)控制位于狹縫上的液晶分子和位于電極上的液晶分子的取向，提高開口率。

進(jìn)一步的，繼續(xù)參考圖3和圖5，像素電極的梳齒包括沿第一方向延伸的第一分部和沿第二方向延伸的第二分部，第一分部與第二分部相連接，第一方向與第二方向具有傾斜角度α，像素電極的角度為所述傾斜角度α；如圖5所示，在顯示區(qū)域內(nèi)，第一區(qū)域a1內(nèi)的像素電極的寬度w1大于第二區(qū)域a2內(nèi)像素電極的寬度w2，第一區(qū)域a1內(nèi)的像素電極的角度α1小于第二區(qū)域a2內(nèi)像素電極的角度α2。

在該實(shí)施例中，第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度大于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度，能夠補(bǔ)償?shù)谝粎^(qū)域與第二區(qū)域內(nèi)公共電極與集成電路芯片之間連接長度差異引起的vcom不均一，但是不同區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度差異可能會(huì)引起不同區(qū)域內(nèi)白態(tài)亮度差異。為了不影響顯示面板的顯示效果，設(shè)計(jì)第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的角度小于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的角度，能夠?qū)︼@示面板不同區(qū)域白態(tài)亮度差異進(jìn)行補(bǔ)償，提升顯示面板整體白態(tài)亮度的均一性。

進(jìn)一步的，在一種實(shí)施例中，設(shè)置第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的狹縫的寬度等于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的狹縫的寬度。具體地，狹縫寬度s可設(shè)置為2.3μm，像素電極的梳齒的寬度(也即像素電極的寬度)可設(shè)置為大于等于1.9μm或小于等于3.7μm。

梳齒狀的像素電極寬度變化對(duì)vcom的影響情況做了實(shí)測(cè)驗(yàn)證，以包括兩個(gè)梳齒和位于兩個(gè)梳齒之間的一個(gè)狹縫的像素電極為例，狹縫寬度s為2.3μm，像素電極的梳齒的寬度w為1.9μm、2.2μm、2.7μm、3.7μm，相應(yīng)的vcom值如下表1所示。

[表1]

參照表1中數(shù)據(jù)，當(dāng)狹縫寬度相同，梳齒寬度不同時(shí)，隨著像素電極的梳齒的寬度的增大，vcom逐漸增大，主要是因?yàn)?，隨著像素電極寬度變大，撓曲電效應(yīng)變小，導(dǎo)致正負(fù)幀亮度差異變小，最終導(dǎo)致vcom變大，因此，設(shè)計(jì)第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度大于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度，第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的狹縫的寬度等于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的狹縫的寬度，能夠補(bǔ)償連接導(dǎo)線長度不同引起的阻抗差異，保證了顯示區(qū)域公共電極電壓的均一性，降低面板顯示區(qū)局部殘影風(fēng)險(xiǎn)。

進(jìn)一步的，在一種實(shí)施例中，像素電極包括第一梳齒、第二梳齒和位于第一梳齒與第二梳齒之間的第一狹縫，并且第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的第一梳齒、第二梳齒和第一狹縫的寬度和等于第二區(qū)域內(nèi)的像素電極的第一梳齒、第二梳齒和第一狹縫的寬度和。具體地，第一梳齒、第二梳齒和第一狹縫的寬度和設(shè)置為8.2μm，第一梳齒與第二梳齒的寬度相等，可設(shè)置為大于等于2.7μm或小于等于3.4μm，第一狹縫的寬度可設(shè)置為大于等于2.1μm或小于等于2.8μm。

梳齒狀的像素電極寬度和狹縫寬度同時(shí)變化對(duì)vcom的影響情況做了實(shí)測(cè)驗(yàn)證，其中，像素電極的第一梳齒與第二梳齒的寬度相等為梳齒的寬度w，固定第一梳齒、第二梳齒和第一狹縫的寬度和為8.2μm，梳齒寬度w為2.7μm、2.9μm、3.1μm和3.4μm，相應(yīng)的第一狹縫寬度s為2.8μm、2.6μm、2.4μm和2.1μm，測(cè)定vcom大小參考表2。

[表2]

參照表2中數(shù)據(jù)，可以看出，當(dāng)像素電極第一梳齒、第二梳齒和第一狹縫的寬度和相等時(shí)，隨著像素電極的梳齒的寬度的增大，vcom逐漸增大，主要是因?yàn)?，隨著像素電極寬度變大，撓曲電效應(yīng)變小，導(dǎo)致正負(fù)幀亮度差異變小，最終導(dǎo)致vcom變大，設(shè)計(jì)第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度大于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度，第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的第一梳齒、第二梳齒和第一狹縫的寬度和等于第二區(qū)域內(nèi)的像素電極的第一梳齒、第二梳齒和第一狹縫的寬度和，能夠補(bǔ)償連接導(dǎo)線長度不同引起的阻抗差異，保證了顯示區(qū)域公共電極電壓的均一性，降低面板顯示區(qū)局部殘影風(fēng)險(xiǎn)。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板，對(duì)于相鄰設(shè)置的第一區(qū)域與第二區(qū)域，第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度比第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度大0.1μm至0.2μm，能夠補(bǔ)償?shù)谝粎^(qū)域內(nèi)公共電極連接導(dǎo)線長而引起的vcom變小，降低面板顯示區(qū)局部殘影風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)，不會(huì)引起人眼識(shí)別出分區(qū)的風(fēng)險(xiǎn)。

具體地，關(guān)于不同區(qū)域設(shè)置不同像素電極對(duì)灰階亮度的影響情況，發(fā)明人進(jìn)行了如下的試驗(yàn)驗(yàn)證。圖6為仿真不同像素電極寬度在0～255灰階的亮度值曲線圖。

其中，計(jì)算公式為：△lum/lum＝lum(wn)/lum(w中心點(diǎn))-1，△lum代表亮度差異，lum(wn)代表第n點(diǎn)的亮度，lum(w中心點(diǎn))代表中心點(diǎn)的亮度。

以像素寬度w為2.5μm，狹縫寬度為3μm為中心值，可以看到g127灰階2.3μm和2.7μm與2.5μm的亮度差異比例小于1.5％(經(jīng)驗(yàn)值)，人眼無法識(shí)別。在低灰階區(qū)域(g10～g60)亮度差值高于1.5％，但灰階亮度為1～20nits，背景亮度低，人眼較難識(shí)別。配合上述實(shí)施例中像素電極角度變化來調(diào)整，那么人眼識(shí)別風(fēng)險(xiǎn)更低。從數(shù)據(jù)圖表中可以看出，不同區(qū)域像素電極寬度相差0.2μm，被人眼識(shí)別出分區(qū)的風(fēng)險(xiǎn)較低，若相鄰區(qū)域像素電極寬度相差0.1μm，各灰階下的亮度差異不會(huì)被人眼識(shí)別。

根據(jù)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，當(dāng)像素電極寬度相差0.15μm時(shí)，可以補(bǔ)償0.01v的vcom，假定顯示面板第一區(qū)域vcom為-0.15v，第二區(qū)域vcom為-0.14v，則補(bǔ)償目標(biāo)值為0.01v，則(0.01/0.01)*0.15μm＝0.15μm，即將第一區(qū)域像素電極增大0.15μm，可實(shí)現(xiàn)對(duì)vcom的補(bǔ)償。實(shí)際設(shè)計(jì)生產(chǎn)中可根據(jù)此計(jì)算方法計(jì)算像素電極寬度變化量。

設(shè)計(jì)第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度大于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度后，在顯示面板中不同區(qū)域可能存在白態(tài)亮度差異問題，此問題可通過上述實(shí)施例中調(diào)整不同區(qū)域像素電極的角度α來解決，也可以通過調(diào)整背光亮度分布來解決。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板，還包括設(shè)置于基板第二側(cè)的背光模組，背光模組包括多個(gè)發(fā)光單元，其中，第一區(qū)域內(nèi)發(fā)光單元的亮度大于第二區(qū)域內(nèi)發(fā)光單元的亮度，來彌補(bǔ)第一區(qū)域像素電極寬度大于第二區(qū)域像素電極寬度造成的亮度差異問題，提升了顯示面板白態(tài)亮度均一。

進(jìn)一步的，如圖7所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板，顯示區(qū)包括n個(gè)區(qū)域，其中，n大于或等于3；按照公共電極與集成電路芯片之間連接導(dǎo)線的長度，由大到小，n個(gè)區(qū)域依次為第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域至第n區(qū)域；第一區(qū)域像素電極寬度w1、第二區(qū)域像素電極寬度w2、第三區(qū)域像素電極寬度w3至第n區(qū)域內(nèi)像素電極寬度wn依次減小。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的公共電極排布示意圖，如圖8所示，顯示面板邊框區(qū)沿第三方向延伸，邊框區(qū)域設(shè)置有用于向公共電極提供參考電壓的集成電路芯片；第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域至第n區(qū)域沿第四方向依次排布，第四方向與第三方向垂直；每個(gè)區(qū)域內(nèi)分別設(shè)置有沿第三方向排布的m個(gè)塊狀公共電極，公共電極通過連接導(dǎo)線電連接到集成電路芯片，連接導(dǎo)線設(shè)置于第三金屬層，第一區(qū)域公共電極的連接導(dǎo)線l1、第二區(qū)域公共電極的連接導(dǎo)線l2、第三區(qū)域公共電極的連接導(dǎo)線l3至第n區(qū)域公共電極的連接導(dǎo)線ln長度依次減小。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板還包括：與集成電路芯片分別相連接的柵極驅(qū)動(dòng)電路和源極驅(qū)動(dòng)電路；設(shè)置于基板上的薄膜晶體管，薄膜晶體管的柵極經(jīng)柵極線連接至柵極驅(qū)動(dòng)電路，薄膜晶體管的源極經(jīng)數(shù)據(jù)線連接至源極驅(qū)動(dòng)電路，薄膜晶體管的漏極與像素電極相連接，其中，柵極線設(shè)置于第一金屬層，數(shù)據(jù)線設(shè)置于第二金屬層，本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)于基板上的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和柵極和源漏極的電路走線方式設(shè)計(jì)可以參照現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。

圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的局部結(jié)構(gòu)示意圖，基板708與公共電極703之間區(qū)域705內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，第一金屬層與第二金屬層均在區(qū)域705內(nèi)，公共電極703與集成電路芯片之間連接導(dǎo)線704設(shè)置于第三金屬層，第三金屬層位于公共電極705與像素電極706之間，公共電極705與像素電極706之間還設(shè)置有絕緣膜層709；連接電極707與像素電極706位于同一層，連接電極707通過第一過孔與公共電極703相連接，通過第二過孔與連接導(dǎo)線704相連接。

可選的，顯示面板還包括與上述基板708相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，由液晶等材料形成的顯示層設(shè)置于基板708與第二基板之間。進(jìn)一步地，對(duì)于具有觸控功能的觸控顯示面板，觸控電極可設(shè)置與基板708與彩膜基板之間，從而實(shí)現(xiàn)觸控面板與顯示面板的一體化功能。在上述任意一種實(shí)施例中，當(dāng)顯示面板的公共電極由多個(gè)塊狀的電極塊構(gòu)成時(shí)，公共電極可同時(shí)復(fù)用為觸控電極，從而，在顯示階段，電極塊作為公共電極完成顯示功能，而在觸控檢測(cè)階段，電極塊能夠作為觸控電極而完成觸控檢測(cè)的功能。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述實(shí)施例提供的顯示面板。在該顯示裝置中，顯示面板采用增加像素電極寬度的方式來補(bǔ)償公共電極與集成電路芯片之間連接導(dǎo)線長度不同引起的vcom差異，提升了顯示裝置顯示區(qū)域內(nèi)vcom均一性，降低顯示裝置局部殘影風(fēng)險(xiǎn)。

通過上述實(shí)施例可知，本發(fā)明的顯示面板及顯示裝置，達(dá)到了如下的有益效果：

(1)顯示區(qū)域公共電極與集成電路芯片之間連接導(dǎo)線的長度不同，阻抗不同，導(dǎo)致顯示區(qū)域內(nèi)公共電極電壓vcom不均一，設(shè)計(jì)第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的寬度大于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的寬度，像素電極寬度越大，撓曲電效應(yīng)越弱，正負(fù)幀亮度差異越小，vcom越大，因此采用增加像素電極寬度的方式來補(bǔ)償連接導(dǎo)線長度不同引起的vcom差異，提升顯示區(qū)域內(nèi)vcom均一性，降低面板顯示區(qū)局部殘影風(fēng)險(xiǎn)。

(2)像素電極為梳齒狀，在兩個(gè)梳齒之間有狹縫，當(dāng)對(duì)像素電極和公共電極之間施加電壓時(shí)，由于狹縫的影響，在液晶層內(nèi)產(chǎn)生橫方向的電場(chǎng)和縱方向的電場(chǎng)，可以同時(shí)控制位于狹縫上的液晶分子和位于電極上的液晶分子的取向，提高開口率。

(3)設(shè)計(jì)第一區(qū)域內(nèi)的像素電極的角度小于第二區(qū)域內(nèi)像素電極的角度，保證了顯示面板不同區(qū)域白態(tài)亮度均一。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明的實(shí)施例可提供為方法、裝置、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本發(fā)明可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器、cd-rom、光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。

雖然已經(jīng)通過例子對(duì)本發(fā)明的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上例子僅是為了進(jìn)行說明，而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來限定。