本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其是一種光刻膠供應(yīng)裝置。
背景技術(shù):
在半導(dǎo)體制造工藝中,光刻處于硅片加工過程的中心,常被認(rèn)為是ic制造中最關(guān)鍵的步驟,成本幾乎占到整個硅片加工成本的三分之一。光刻工藝是一個復(fù)雜的過程,其穩(wěn)定性及可靠性對產(chǎn)品的質(zhì)量、良率和成本有著重要的影響。
光刻工藝的質(zhì)量與光刻膠供應(yīng)裝置息息相關(guān),現(xiàn)有的光刻膠供應(yīng)裝置通常包括存儲光刻膠的存儲容器、消耗偵測桶和用于將光刻膠抽至噴嘴的泵浦,它們通過管道依次連接,光刻膠從存儲容器流入消耗偵測桶,再從消耗偵測桶流至泵浦。消耗偵測桶設(shè)置有氣體通道,當(dāng)存儲容器報空時,存儲容器內(nèi)無光刻膠或氣體可從光刻膠瓶流向消耗偵測桶,此時,需要更換報空的存儲容器,為了泵浦能夠繼續(xù)將光刻膠抽至噴嘴,需要打開消耗偵測桶的氣體通道,消耗偵測桶內(nèi)的光刻膠直接與大氣接觸,大氣中的灰塵、微粒等污染物會污染光刻膠,光刻膠中含有雜質(zhì)會影響光刻工藝的質(zhì)量,使產(chǎn)品產(chǎn)生缺陷,大氣中的水蒸氣也會影響光刻膠的粘滯性。當(dāng)泵浦抽取存儲系統(tǒng)中的光刻膠時,會使消耗偵測桶中的光刻膠從氣體通道流出,造成管路堵塞和機(jī)臺污染,目前需要設(shè)備工程師每星期清理一次。
并且,現(xiàn)有的光刻膠供應(yīng)裝置中,沒有應(yīng)對光刻膠管路異常的方法,當(dāng)光刻膠供應(yīng)裝置前段出現(xiàn)問題無法工作時,只能維修和更換設(shè)備,導(dǎo)致不良品增加、機(jī)臺產(chǎn)量減少。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種光刻膠供應(yīng)裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中光刻質(zhì)量不高、設(shè)備工程師必須定期清理機(jī)臺和無法應(yīng)對光刻膠管路異常的問題。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供了一種光刻膠供應(yīng)裝置,用于向一噴嘴提供光刻膠包括:
通過管道順次連接的第一存儲裝置、消耗偵測裝置、第二存儲裝置和泵浦,所述第一存儲裝置、消耗偵測裝置和第二存儲裝置均用于存儲光刻膠,所述泵浦用于將光刻膠抽至所述噴嘴;其中,
所述第一存儲裝置上設(shè)置有第一氣體通道;
所述消耗偵測裝置上設(shè)置有第二氣體通道,或者,所述第一存儲裝置與所述消耗偵測裝置之間的管道上設(shè)置有第二氣體通道,所述第二氣體通道上設(shè)置有第一閥門;
所述第二存儲裝置上設(shè)置有第三氣體通道,或者,所述消耗偵測裝置與所述第二存儲裝置之間的管道上設(shè)置有第三氣體通道,所述第三氣體通道上設(shè)置有第二閥門;
所述消耗偵測裝置與所述第二存儲裝置之間的管道上設(shè)置有第三閥門;
可選的,所述第一存儲裝置上設(shè)置有第一檢測器;或者,所述第一存儲裝置與所述消耗偵測裝置之間的管道上設(shè)置有第一檢測器;所述第一檢測器控制所述第一閥門的開合;
可選的,所述第一存儲裝置報空時,所述第一閥門開啟;所述第一存儲裝置未報空時,所述第一閥門閉合;
可選的,所述消耗偵測裝置與所述第二存儲裝置之間的管道上設(shè)置有第二檢測器,所述第二檢測器控制所述第二閥門和所述第三閥門的開合;
可選的,所述第二管道上有光刻膠流過時,所述第二閥門開啟,所述第三閥門閉合;所述第二管道上沒有光刻膠流過時,所述第二閥門閉合,所述第三閥門開啟;
可選的,所述第一氣體通道與所述第二氣體通道相連;
可選的,所述第一儲存裝置和所述消耗偵測裝置之間的管道上設(shè)置有第四閥門;
可選的,所述消耗偵測裝置和所述第二存儲裝置都設(shè)置有排泡管道;
可選的,所述第二存儲裝置的容量大于所述第一存儲裝置;
可選的,所述消耗偵測裝置與所述第三閥門之間的管道上還設(shè)置有過濾裝置;
可選的,所述第一閥門為單向閥門。
在本發(fā)明提供的光刻膠供應(yīng)裝置中,包括:通過管道順次連接的第一存儲裝置、消耗偵測裝置、第二存儲裝置和泵浦,所述第一存儲裝置、消耗偵測裝置和第二存儲裝置均用于存儲光刻膠,所述泵浦用于將光刻膠抽至所述噴嘴;其中,所述第一存儲裝置上設(shè)置有第一氣體通道;所述消耗偵測裝置上設(shè)置有第二氣體通道,或者,所述第一存儲裝置與所述消耗偵測裝置之間的管道上設(shè)置有第二氣體通道,所述第二氣體通道上設(shè)置有第一閥門;所述第二存儲裝置上設(shè)置有第三氣體通道,或者,所述消耗偵測裝置與所述第二存儲裝置之間的管道上設(shè)置有第三氣體通道,所述第三氣體通道上設(shè)置有第二閥門;所述消耗偵測裝置與所述第二存儲裝置之間的管道上設(shè)置有第三閥門。第一存儲裝置報空時,第一閥門開啟,使泵浦能正常抽取光刻膠,同時為了使光刻膠更好的在管道中流通,通過第二氣體通道往消耗偵測裝置中通入潔凈氣體的、不與光刻膠發(fā)生反應(yīng)的氣體,避免了光刻膠和大氣直接接觸而被污染,并且,光刻膠也不能通過第二氣體通道流出而污染機(jī)臺。
當(dāng)光刻膠供應(yīng)系統(tǒng)前段發(fā)生故障、無法繼續(xù)工作時,第二閥門開啟,第三閥門關(guān)閉,通過第三氣體通道往第二存儲裝置中通入潔凈的、不與光刻膠發(fā)生反應(yīng)的氣體,利用第二儲存裝置中的光刻膠繼續(xù)工作。
附圖說明
圖1是實施例提供的第一種光刻膠供應(yīng)裝置的示意圖;
圖2是實施例提供的檢測器安放位置的示意圖;
圖3是實施例提供的第一氣體通道與第二氣體通道相連的示意圖;
圖4是實施例提供的第一存儲裝置和消耗偵測裝置之間設(shè)置第四閥門的示意圖;
圖5是實施例提供的第二種光刻膠供應(yīng)裝置的示意圖;
其中,1-第一存儲裝置,11-第一氣體通道,2-消耗偵測裝置,21-第二氣體通道,22-第一閥門,3-第二存儲裝置,31-第三氣體通道,32-第二閥門,33-第三閥門,4-泵浦;5-第一管道,51-第一檢測器,6-第二管道,61-第二檢測器;52-第四閥門,12-第五閥門;23-第一排泡管道,34-第二排泡管道。
具體實施方式
下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明提供的光刻膠供應(yīng)裝置的具體實施方式進(jìn)行更詳細(xì)的描述。根據(jù)下列描述和權(quán)利要求書,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
參閱圖1,圖1為實施例提供的第一種光刻膠供應(yīng)裝置的示意圖,通過管道順次連接的第一存儲裝置1、消耗偵測裝置2、第二存儲裝置3和泵浦4,所述第一存儲裝置1、消耗偵測裝置2和第二存儲裝置3均用于存儲光刻膠,所述泵浦4用于將光刻膠抽至所述噴嘴;其中,所述第一存儲裝置1上設(shè)置有第一氣體通道11;所述消耗偵測裝置2上設(shè)置有第二氣體通道21,或者,所述第一存儲裝置1與所述消耗偵測裝置2之間的管道5(在此稱第一管道5)上設(shè)置有第二氣體通道21,所述第二氣體通道21上設(shè)置有第一閥門22;所述第二存儲裝置3上設(shè)置有第三氣體通道31,或者,所述消耗偵測裝置2與所述第二存儲裝置3之間的管道6(在此稱第二管道6)上設(shè)置有第三氣體通道31,所述第三氣體通道31上設(shè)置有第二閥門32;所述消耗偵測裝置2與所述第二存儲裝置3之間的第二管道6上設(shè)置有第三閥門33。
整個裝置正常工作時,第一閥門22和第二閥門32關(guān)閉,第三閥門33開啟,往第一氣體通道11通入潔凈的高壓氣體,如氮?dú)獾榷栊詺怏w,氣體的壓強(qiáng)可以根據(jù)正在加工的產(chǎn)品進(jìn)行調(diào)整,本發(fā)明不做限制。第一存儲裝置1內(nèi)的光刻膠受到氣體的壓力通過第一管道5流進(jìn)消耗偵測裝置2,再從消耗偵測裝置2通過第二管道6流進(jìn)第二儲存裝置3,泵浦從第二存儲裝置3內(nèi)將光刻膠抽至噴嘴,進(jìn)行涂覆作業(yè)。當(dāng)?shù)谝淮鎯ρb置1內(nèi)沒有存儲光刻膠或者儲存的光刻膠小于一定的量時,第一存儲裝置報空,此時,第一閥門22開啟,往第二氣體通道21通入潔凈的高壓氣體,高壓氣體從第二氣體通道21進(jìn)入消耗偵測裝置2內(nèi),將消耗偵測裝置2內(nèi)的光刻膠壓向第二存儲裝置3,待工作人員更換了第一存儲裝置1或者往第一存儲裝置1內(nèi)添加了光刻膠后,第一存儲裝置未處于報空狀態(tài),第二閥門22關(guān)閉,光刻膠從第一存儲裝置1內(nèi)流入消耗偵測裝置2,整個裝置繼續(xù)正常工作??梢岳斫獾氖?,本發(fā)明中,第一閥門22關(guān)閉時,大氣無法進(jìn)入消耗偵測裝置2內(nèi);第一閥門22開啟時,會往第二氣體通道21內(nèi)通入高壓氣體,不管第一閥門22開啟或關(guān)閉,消耗偵測裝置2內(nèi)的光刻膠都不會與大氣直接接觸,避免了大氣內(nèi)的微粒、灰塵和水蒸氣等污染光刻膠,從而避免了缺陷,提高了光刻的質(zhì)量。并且,光刻膠不會通過第二氣體通道21流到機(jī)臺上污染機(jī)臺。當(dāng)光刻膠裝置系統(tǒng)前段出現(xiàn)問題無法繼續(xù)工作時,第二閥門32開啟,第三閥門33關(guān)閉,利用第二儲存裝置3中的光刻膠繼續(xù)作業(yè),避免了修理裝置時機(jī)臺產(chǎn)量減少。
當(dāng)然,為了簡化管道的連接結(jié)構(gòu),優(yōu)選的,第二氣體通道21可以直接設(shè)置于消耗偵測裝置2上,第三氣體通道也可以直接設(shè)置于第二存儲裝置3上。
參閱圖2,所述第一管道5上設(shè)置有第一檢測器51,當(dāng)?shù)谝淮鎯ρb置1報空時,所述第一檢測器51檢測到第一管道5內(nèi)沒有光刻膠或者光刻膠少于一定量,立即發(fā)出第一控制信號,控制第一閥門22開啟。工作人員更換第一存儲裝置1或者在第一存儲裝置1內(nèi)添加了光刻膠后,第一檢測器51檢測到第一管道5內(nèi)有光刻膠,再發(fā)出第一控制信號控制第一閥門22關(guān)閉。當(dāng)然,為了達(dá)到同樣的目的,第一檢測器51也可設(shè)置于第一存儲裝置1底部或者內(nèi)側(cè)壁,此時的第一檢測器51可以是精密的壓力傳感器、光電傳感器等,只要能夠根據(jù)第一存儲裝置1裝載情況發(fā)出第一控制信號控制第一閥門22的開合即可。
所述第二管道6上設(shè)置有第二檢測器61,所述第二檢測器61檢測到第二管道6上沒有光刻膠時,可以判斷出光刻膠供應(yīng)裝置的前段出了故障,于是發(fā)出第二控制信號,控制第二閥門32開啟,第三閥門33關(guān)閉,利用第二存儲裝置3中的光刻膠繼續(xù)作業(yè)。工作人員將故障解除后,第二檢測器61檢測到第二管道6上有光刻膠,再發(fā)出第二控制信號,控制第二閥門32關(guān)閉,第三閥門33開啟,整個裝置繼續(xù)正常工作。
參閱圖3,為了簡化整個光刻膠供應(yīng)裝置,可將第一氣體通道11與第二氣體通道21相連,連接方式可以采用焊接、膠接等固定連接,也可以選擇卡扣、螺紋等可拆卸連接,不限于此。并且,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是,第三氣體通道31也可以與第一氣體通道11和第二氣體通道21相連,避免了整個裝置需要多個接氣口的問題。
參閱圖4,優(yōu)選的,在第一管道5上設(shè)置第四閥門52,當(dāng)?shù)谝淮鎯ρb置1報空時,第一閥門22打開,第四閥門52關(guān)閉,在更換第一存儲裝置1或者在第一存儲裝置1內(nèi)添加光刻膠時,可避免大氣進(jìn)入消耗偵測裝置2污染光刻膠。同時,為了整個裝置的完善性和穩(wěn)定性,也可在第一氣體通道11上設(shè)置第五閥門12,整個裝置不在工作狀態(tài)時,可關(guān)閉第五閥門12,避免第一存儲器1內(nèi)光刻膠被污染。
如圖5,在消耗偵測裝置2上設(shè)置第一排泡管道23,在第二存儲裝置3上設(shè)置第二排泡管道34,并且,為了精簡結(jié)構(gòu),將第一排泡管道23和第二排泡管道34連接,整個裝置中產(chǎn)生的氣泡可通過排泡管道排進(jìn)廢液處理裝置中,由此可以將消耗偵測裝置2和第二存儲裝置3中的氣泡排除,從而提高光刻膠工藝裝置內(nèi)的光刻膠的質(zhì)量與可靠性。當(dāng)然,第一排泡管道23和第二排泡管道34也可以不連接,兩個排泡管道上分別設(shè)置閥門,閥門在整個裝置工作時開啟。
優(yōu)選的,所述第二存儲裝置的容量遠(yuǎn)大于所述第一存儲裝置。光刻膠供應(yīng)裝置的前段出現(xiàn)故障無法繼續(xù)工作時,第二存儲裝置存儲了足夠的光刻膠繼續(xù)作業(yè),為工作人員排除故障留出了足夠的時間。
為了提高光刻膠的性能,可以在消耗偵測裝置與第三閥門之間設(shè)置過濾裝置,濾除光刻膠中的微粒。
優(yōu)選的,第一閥門可以設(shè)計為一單向閥門,避免了消耗偵測裝置中氣泡進(jìn)入第二氣體通道,造成污染。
綜上,在本發(fā)明實施例提供的光刻膠供應(yīng)裝置中,具有如下的優(yōu)點(diǎn):當(dāng)?shù)谝淮鎯ρb置報空時,第一閥門開啟,使泵浦能正常抽取光刻膠,避免了大氣通過第二氣體通道與消耗偵測裝置內(nèi)的光刻膠直接接觸,大氣中的灰塵、微粒、水蒸氣等污染光刻膠而產(chǎn)生缺陷,并且,光刻膠也不能通過第二氣體通道流出污染機(jī)臺;當(dāng)光刻膠供應(yīng)裝置前段發(fā)生故障無法工作時,第二閥門開啟,第三閥門關(guān)閉,利用第二存儲裝置中的光刻膠繼續(xù)作業(yè),在工作人員排除故障時機(jī)臺產(chǎn)量不減少。
上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已,并不對本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi),對本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動,均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容,仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。