【
技術(shù)領(lǐng)域：
：】本發(fā)明涉及顯示
技術(shù)領(lǐng)域：
：，尤其涉及一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示面板、顯示裝置。
背景技術(shù)：
：：在現(xiàn)有的顯示面板中，在顯示階段，依次為多條掃描線提供掃描信號(hào)，多條掃描線對(duì)子像素單元逐行掃描，打開對(duì)應(yīng)行的薄膜晶體管，在打開其中1行的薄膜晶體管后，為多條數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)信號(hào)，對(duì)該行子像素單元中的像素電極施加工作電壓，使該行像素電極達(dá)到指定電壓值。在顯示面板工作過(guò)程中，為了避免液晶的極化，像素電極采用反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式，例如，當(dāng)前像素電極的電壓為+5v時(shí)，在數(shù)據(jù)線對(duì)像素電極施加工作電壓后，該像素電極需要從+5v充電到-5v，或者，當(dāng)前像素電極的電壓為-5v時(shí)，在數(shù)據(jù)線對(duì)像素電極施加充電電壓后，該像素電極需要從-5v充電到+5v，即數(shù)據(jù)線需要將像素電極內(nèi)的電壓從正極性充電到負(fù)極性，或者，數(shù)據(jù)線需要將像素電極內(nèi)的電壓從負(fù)極性充電到正極性，因此在數(shù)據(jù)線對(duì)像素電極充電過(guò)程中，使像素電極達(dá)到目標(biāo)電壓值的時(shí)間較長(zhǎng)，對(duì)于大尺寸高分辨率產(chǎn)品，當(dāng)尋址時(shí)間較短時(shí)，會(huì)存在充電率不足的風(fēng)險(xiǎn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示面板、顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中尋址時(shí)間過(guò)短導(dǎo)致的充電率不足問(wèn)題。一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：多條數(shù)據(jù)線；多條掃描線；所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線交叉絕緣限定的多個(gè)像素單元；預(yù)充電信號(hào)線，所述預(yù)充電信號(hào)線與公共信號(hào)端連接；每個(gè)所述像素單元包括像素電極和第一薄膜晶體管；在每個(gè)所述像素單元中，所述第一薄膜晶體管的第一端電連接于對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線，所述第一薄膜晶體管的第二端電連接于所述像素電極，所述第一薄膜晶體管的控制端電連接于對(duì)應(yīng)的所述掃描線；在第2至第n行所述像素單元中，每個(gè)所述像素單元還包括第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的第一端電連接于對(duì)應(yīng)的所述像素電極，所述第二薄膜晶體管的第二端電連接于所述預(yù)充電信號(hào)線，所述第二薄膜晶體管的控制端電連接于上一行所述像素單元對(duì)應(yīng)的所述掃描線，n為大于2的正整數(shù)。可選地，所述預(yù)充電信號(hào)線包括與每列所述像素單元分別對(duì)應(yīng)的多條預(yù)充電信號(hào)線。可選地，所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條預(yù)充電信號(hào)線沿所述掃描線的延伸方向依次交替排布，且所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條預(yù)充電信號(hào)線平行設(shè)置?？蛇x地，在每個(gè)像素單元中，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別位于靠近對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線的兩個(gè)頂角區(qū)域?？蛇x地，在每個(gè)像素單元中，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別位于像素單元相對(duì)的兩個(gè)頂角區(qū)域?？蛇x地，還包括：一條開關(guān)信號(hào)線，所述開關(guān)信號(hào)線與第1行像素單元對(duì)應(yīng)的所述掃描線平行且同層設(shè)置；在所述第1行像素單元中，每個(gè)所述像素單元還包括所述第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的第一端電連接于對(duì)應(yīng)的所述像素電極，所述第三薄膜晶體管的第二端電連接于所述預(yù)充電信號(hào)線，所述第三薄膜晶體管的控制端電連接于所述開關(guān)信號(hào)線；在顯示階段，所述開關(guān)信號(hào)線和所述多條掃描線依次提供掃描信號(hào)。可選地，所述開關(guān)信號(hào)線位于所述第1行像素單元中，遠(yuǎn)離所述第1行像素單元對(duì)應(yīng)的所述掃描線的一側(cè)?？蛇x地，還包括：襯底基板；所述預(yù)充電信號(hào)線在所述襯底基板所在平面的正投影與所述多個(gè)像素單元中的像素電極在所述襯底基板所在平面的正投影、所述多條數(shù)據(jù)線在所述襯底基板所在平面的正投影都不交疊?？蛇x地，所述多條數(shù)據(jù)線和所述預(yù)充電信號(hào)線同層設(shè)置且材料相同。可選地，所述多條數(shù)據(jù)線和所述預(yù)充電信號(hào)線不同層設(shè)置，所述預(yù)充電信號(hào)線通過(guò)過(guò)孔電連接于所述第二薄膜晶體管的第二端。另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括如上述所述的陣列基板。再一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上述所述的顯示面板。又一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種驅(qū)動(dòng)上述所述陣列基板的方法，包括：多條掃描線依次通過(guò)掃描信號(hào)，當(dāng)?shù)趎行像素單元對(duì)應(yīng)的掃描線提供所述掃描信號(hào)時(shí)，所述第n行像素單元對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管導(dǎo)通，多條數(shù)據(jù)線向所述第n行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極輸入第一電壓；且第n+1行像素單元對(duì)應(yīng)的第二薄膜晶體管導(dǎo)通，公共信號(hào)端通過(guò)預(yù)充電信號(hào)線向所述第n+1行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極輸入第二電壓，其中，n為正整數(shù)；當(dāng)?shù)趎+1行像素單元對(duì)應(yīng)的所述掃描線提供所述掃描信號(hào)時(shí)，所述第n+1行像素單元對(duì)應(yīng)的所述第一薄膜晶體管導(dǎo)通，多條所述數(shù)據(jù)線向所述第n+1行像素單元對(duì)應(yīng)的所述像素電極輸入第一電壓，使所述第n+1行像素單元對(duì)應(yīng)的所述像素電極達(dá)到目標(biāo)電壓，所述第n+1行像素單元對(duì)應(yīng)的所述像素電極的充電電壓為所述第一電壓和所述第二電壓之和。可選地，還包括：當(dāng)開關(guān)信號(hào)線通過(guò)所述掃描信號(hào)時(shí)，第1像素單元對(duì)應(yīng)的所述第三薄膜晶體管導(dǎo)通，公共信號(hào)端通過(guò)預(yù)充電信號(hào)線向所述第1行像素單元對(duì)應(yīng)的所述像素電極輸入所述第二電壓；當(dāng)?shù)?行像素單元對(duì)應(yīng)的所述掃描線通過(guò)所述掃描信號(hào)時(shí)，所述第1行像素單元對(duì)應(yīng)的所述第一薄膜晶體管導(dǎo)通，多條所述數(shù)據(jù)線向所述第1行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極輸入所述第一電壓，使所述第1行像素單元對(duì)應(yīng)的所述像素電極達(dá)到所述目標(biāo)電壓。上述技術(shù)方案中的任一個(gè)技術(shù)方案具有如下有益效果：在本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)像素單元中的每個(gè)像素單元中包括像素電極和第一薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的第一端電連接于對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線，第一薄膜晶體管的第二端與對(duì)應(yīng)的像素電極電連接，第一薄膜晶體管的控制端電連接于對(duì)應(yīng)的掃描線，且在第2至第n行像素單元中，每個(gè)像素單元還包括第二薄膜晶體管，第二薄膜晶體管的第一端電連接于對(duì)應(yīng)的像素電極，第二薄膜晶體管的第二端電連接于預(yù)充電信號(hào)線，第二薄膜晶體管的控制端電連接于上一行像素單元對(duì)應(yīng)的掃描線，其中，n為大于2的正整數(shù)，預(yù)充電信號(hào)線與公共信號(hào)端連接，在對(duì)該行像素電極充電的過(guò)程中，該行的下一行像素單元對(duì)應(yīng)的第二薄膜晶體管導(dǎo)通，公共信號(hào)端通過(guò)預(yù)充電信號(hào)線向該下一行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極輸入第二電壓，在對(duì)該下一行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極充電時(shí)，向該下一行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極輸入第一電壓，可以使該下一行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極在已輸入第二電壓的基礎(chǔ)上，只需再輸入第一電壓即可達(dá)到目標(biāo)電壓，且充電電壓為第一電壓和第二電壓之和。在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)該下一行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極充電時(shí)，該下一行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極需從初始電壓達(dá)到目標(biāo)電壓，所需充電的電壓大于第一電壓，因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，對(duì)該下一行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極充電時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例可以縮短該下一行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極達(dá)到目標(biāo)電壓的時(shí)間，從而可以改善大尺寸高分辨率產(chǎn)品中由于尋址時(shí)間較短導(dǎo)致的充電率不足的問(wèn)題?！靖綀D說(shuō)明】為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電極的電壓變化示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；圖7為圖6中沿aa’方向上的截面圖；圖8為圖6中沿bb’方向上的一種截面圖；圖9為圖6中沿bb’方向上的另一種截面圖；圖10本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板；圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置；圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種驅(qū)動(dòng)陣列基板的方法；圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種驅(qū)動(dòng)陣列基板的方法?！揪唧w實(shí)施方式】為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在本發(fā)明實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實(shí)施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。需要注意的是，本發(fā)明實(shí)施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位詞是以附圖所示的角度來(lái)進(jìn)行描述的，不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限定。此外在上下文中，還需要理解的是，當(dāng)提到一個(gè)元件被形成在另一個(gè)元件“上”或“下”時(shí)，其不僅能夠直接形成在另一個(gè)元件“上”或者“下”，也可以通過(guò)中間元件間接形成在另一元件“上”或者“下”。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。下面對(duì)可行的實(shí)現(xiàn)方案進(jìn)行詳細(xì)闡述。如圖1所示(僅示出5行和5列像素單元)，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視圖，其中，陣列基板包括：多條數(shù)據(jù)線11；多條掃描線12；多條數(shù)據(jù)線11和多條掃描線12交叉絕緣限定的多個(gè)像素單元13；預(yù)充電信號(hào)線14，預(yù)充電信號(hào)線14與公共信號(hào)端17連接；每個(gè)像素單元13包括像素電極131和第一薄膜晶體管15；在每個(gè)像素單元13中，第一薄膜晶體管15的第一端電連接于對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線11，第一薄膜晶體管15的第二端電連接于像素電極131，第一薄膜晶體管15的控制端電連接于對(duì)應(yīng)的掃描線12；在第2至第n行像素單元13中，每個(gè)像素單元13還包括第二薄膜晶體管16，第二薄膜晶體管16的第一端電連接于對(duì)應(yīng)的像素電極131，第二薄膜晶體管16的第二端電連接于預(yù)充電信號(hào)線14，第二薄膜晶體管16的控制端電連接于上一行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12，n為大于2的正整數(shù)。具體的，像素電極的驅(qū)動(dòng)方式包括幀反轉(zhuǎn)、行反轉(zhuǎn)、列反轉(zhuǎn)和點(diǎn)反轉(zhuǎn)，即對(duì)于某一像素電極，上一次施加工作電壓時(shí)施加的是正電壓，則下一次施加工作電壓時(shí)施加的是負(fù)電壓，使得對(duì)應(yīng)的液晶分子長(zhǎng)軸或短軸上感應(yīng)的電子云極性發(fā)生改變，從而避免液晶在同一極性的電壓下工作時(shí)出現(xiàn)極化現(xiàn)象。如圖1和圖2所示，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電極的電壓變化示意圖，一行像素單元13對(duì)應(yīng)一條掃描線12，一列像素單元13對(duì)應(yīng)一條數(shù)據(jù)線11，在顯示階段，多條掃描線12依次通過(guò)掃描信號(hào)，使對(duì)應(yīng)行的像素單元13中的第一薄膜晶體管15的第一端與第二端導(dǎo)通，然后多條數(shù)據(jù)線11通過(guò)數(shù)據(jù)信號(hào)，通過(guò)該行像素單元13中的第一薄膜晶體管15的第一端和第二端為該行像素單元13中的像素電極131充電，在該行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12通過(guò)掃描信號(hào)時(shí)，由于下一行像素單元13中的第二薄膜晶體管16的控制端也與該行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12連接，因此，該下一行像素單元13中的第二薄膜晶體管16的第一端和第二端也導(dǎo)通，由于該下一行像素單元13的第二薄膜晶體管16的第二端與預(yù)充電信號(hào)線14連接，預(yù)充電信號(hào)線14與公共信號(hào)端17連接，因此公共信號(hào)端17可以通過(guò)預(yù)充電信號(hào)線14向該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第二電壓，使該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131從當(dāng)前的初始電壓達(dá)到第二電壓，當(dāng)該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12通過(guò)掃描信號(hào)時(shí)，打開該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管15，使該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管15的第一端和第二端導(dǎo)通，多條數(shù)據(jù)線11在通過(guò)數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，向該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第一電壓，使該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131在已輸入第二電壓的基礎(chǔ)上，只需再輸入第一電壓即可達(dá)到目標(biāo)電壓，且該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131的充電電壓為第一電壓和第二電壓之和。在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極充電時(shí)，該下一行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極從初始電壓達(dá)到目標(biāo)電壓，所需充電電壓大于第一電壓，在充電速率相同的情況下，電壓越大，對(duì)應(yīng)的充電時(shí)間越長(zhǎng)，因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，對(duì)該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131充電時(shí)，像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131從已輸入第二電壓的基礎(chǔ)上進(jìn)行充電，即只需再輸入第一電壓即可達(dá)到目標(biāo)電壓，因此本發(fā)明實(shí)施例可以縮短該下一行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131達(dá)到目標(biāo)電壓的時(shí)間，從而可以改善大尺寸高分辨率產(chǎn)品中由于尋址時(shí)間較短導(dǎo)致的充電率不足的問(wèn)題。例如，如圖1和圖2所示，g1為第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12提供的電壓，g2為第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12提供的電壓，在第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12通過(guò)掃描信號(hào)時(shí)，可以使第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管15和第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的第二薄膜晶體管16導(dǎo)通，由于第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的第二薄膜晶體管16與預(yù)充電信號(hào)線14連接，預(yù)充電信號(hào)線14與公共信號(hào)端17連接，公共信號(hào)端17可以提供第二電壓，因此公共信號(hào)端17可以通過(guò)預(yù)充電信號(hào)線14向第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第二電壓，使第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131從當(dāng)前的初始電壓達(dá)到第二電壓，當(dāng)?shù)?行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12提供掃描信號(hào)時(shí)，第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管15的第一端和第二端導(dǎo)通，在多條數(shù)據(jù)線11通過(guò)數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，向第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第一電壓，使第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131在已輸入第二電壓的基礎(chǔ)上達(dá)到目標(biāo)電壓，避免了在對(duì)第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131充電時(shí)，第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131從當(dāng)前的初始電壓充電到目標(biāo)電壓。進(jìn)一步的，當(dāng)?shù)?行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131的初始電壓為-5v，目標(biāo)電壓需要為+5v時(shí)，該第二電壓可以為5v，第一電壓也可以為5v。在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)第2行像素單對(duì)應(yīng)的像素電極充電時(shí)，需要將像素電極的電壓從-5v充電到+5v，而在本發(fā)明實(shí)施例中，預(yù)充電信號(hào)線14可以將像素電極131的電壓從-5v充電到0v，對(duì)第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131充電時(shí)，只需要將像素電極131從0v充電到+5v即可，因此縮短了第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131的充電時(shí)間，同時(shí)以此類推，可以縮短第n行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131的充電時(shí)間，進(jìn)一步的，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例中在對(duì)像素電極131充電時(shí)間可以縮短一半的時(shí)間，從而可以改善大尺寸高分辨率產(chǎn)品中由于尋址時(shí)間較短導(dǎo)致的充電率不足的問(wèn)題。其中，顯示面板中還包括公共電極(未示出)，公共電極與公共信號(hào)端連接，在像素電極施加充電電壓后，可以與公共電極形成電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)顯示面板中的液晶轉(zhuǎn)動(dòng)，從而使與該像素電極所在的像素單元對(duì)應(yīng)的區(qū)域透光，進(jìn)而使得顯示面板可以顯示畫面，預(yù)設(shè)信號(hào)線可以通過(guò)公共電極與公共信號(hào)端連接。可選地，如圖3所示(僅示出5行和5列像素單元)，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的俯視圖，其中，預(yù)充電信號(hào)線14包括與每列像素單元13分別對(duì)應(yīng)的多條預(yù)充電信號(hào)線14。具體的，如圖3所示，每列像素單元13對(duì)應(yīng)一條預(yù)充電信號(hào)線14，一條預(yù)充電信號(hào)線14與對(duì)應(yīng)列的像素單元13中的第二薄膜晶體管16的第二端電連接，由于每列像素單元13對(duì)應(yīng)一條預(yù)充電信號(hào)線14，即一條預(yù)充電信號(hào)線14與一列像素單元13相對(duì)應(yīng)，所以在布線過(guò)程中，可以使預(yù)充電信號(hào)線14的布線相對(duì)簡(jiǎn)單?？蛇x地，如圖3所示，多條數(shù)據(jù)線11和多條預(yù)充電信號(hào)線14沿掃描線12的延伸方向依次交替排布，且多條數(shù)據(jù)線11和多條預(yù)充電信號(hào)線14平行設(shè)置。具體的，如圖3所示，當(dāng)多條數(shù)據(jù)線11和多條預(yù)充電信號(hào)線14沿掃描線12的延伸方向依次交替排布，且多條數(shù)據(jù)線11和多條預(yù)充電信號(hào)線14平行設(shè)置時(shí)，可以使多條預(yù)充電信號(hào)線14的布線方式與多條數(shù)據(jù)線11的布線方式相同，在多條預(yù)充電信號(hào)線14的布線過(guò)程中，可以使布線方式更加簡(jiǎn)單?？蛇x地，如圖4所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的俯視圖，在每個(gè)像素單元13中，第一薄膜晶體管15和第二薄膜晶體管16分別位于靠近對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線11的兩個(gè)頂角區(qū)域。具體的，如圖4所示，在一個(gè)像素單元13中，當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管15和第二薄膜晶體管16分別位于靠近對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線11的兩個(gè)頂角區(qū)域時(shí)，在設(shè)計(jì)與第一薄膜晶體管15連接的走線和與第二薄膜晶體管16連接的走線時(shí)比較簡(jiǎn)單，無(wú)需增加相對(duì)復(fù)雜的走線?？蛇x地，如圖3所示，在每個(gè)像素單元13中，第一薄膜晶體管15和第二薄膜晶體管16分別位于像素單元13相對(duì)的兩個(gè)頂角區(qū)域。具體的，如圖3所示，在一個(gè)像素單元13中，當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管15和第二薄膜晶體管16分別位于像素單元13相對(duì)的兩個(gè)頂角區(qū)域時(shí)，在設(shè)計(jì)與第一薄膜晶體管15連接的走線和與第二薄膜晶體管16連接的走線時(shí)比較簡(jiǎn)單，無(wú)需增加相對(duì)復(fù)雜的走線?？蛇x地，如圖5所示，圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的俯視圖，該陣列基板還包括：一條開關(guān)信號(hào)線18，開關(guān)信號(hào)線18與第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12平行且同層設(shè)置；在第1行像素單元13中，每個(gè)像素單元13還包括第三薄膜晶體管24，第三薄膜晶體管24的第一端電連接于對(duì)應(yīng)的像素電極131，第三薄膜晶體管24的第二端電連接于預(yù)充電信號(hào)線14，第三薄膜晶體管24的控制端電連接于開關(guān)信號(hào)線18；在顯示階段，開關(guān)信號(hào)線18和多條掃描線12依次提供掃描信號(hào)。具體的，如圖5所示，在陣列基板上設(shè)置一條與第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的多條掃描線12同層且平行的開關(guān)信號(hào)線18，由于該開關(guān)信號(hào)線18與多條掃描線12同層設(shè)置，因此不會(huì)增加顯示面板的厚度，同時(shí)，在第1行像素單元13中，每個(gè)像素單元13還包括第三薄膜晶體管24，第三薄膜晶體管24的第一端電連接于對(duì)應(yīng)的像素電極131，第三薄膜晶體管24的第二端電連接于預(yù)充電信號(hào)線14，第三薄膜晶體管24的控制端電連接于開關(guān)信號(hào)線18，即第1行像素單元13包括第一薄膜晶體管15和第三薄膜晶體管24，第1行像素單元13包括的第三薄膜晶體管24與第2行至第n行像素單元13包括的第二薄膜晶體管16相同，并且由于在顯示階段，該開關(guān)信號(hào)線18與多條掃描線12依次提供掃描信號(hào)，進(jìn)一步的，開關(guān)信號(hào)線18與多條掃描線12都連接到掃描驅(qū)動(dòng)電路，掃描驅(qū)動(dòng)電路按照該開關(guān)信號(hào)線18→第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12→第2行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12→第3行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12→……→第n行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12的順序依次提供掃描信號(hào)，在對(duì)該開關(guān)信號(hào)18提供掃描信號(hào)時(shí)，可以使第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的第三薄膜晶體管24的第一端和第二端導(dǎo)通，然后公共信號(hào)端17通過(guò)多條數(shù)據(jù)線11為第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第二電壓，在掃描驅(qū)動(dòng)電路為第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12提供掃描信號(hào)時(shí)，使第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管15的第一端和第二端導(dǎo)通，然后通過(guò)多條數(shù)據(jù)線11為第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第一電壓，使第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131在輸入第二電壓的基礎(chǔ)上達(dá)到目標(biāo)電壓，即只需再輸入第一電壓即可達(dá)到目標(biāo)電壓，從而使第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131達(dá)到目標(biāo)電壓的時(shí)長(zhǎng)縮短，同時(shí)由于第2行至第n行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131達(dá)到目標(biāo)電壓的時(shí)長(zhǎng)也縮短，進(jìn)而使整個(gè)顯示面板中的像素電極131達(dá)到目標(biāo)電壓的時(shí)長(zhǎng)縮短，從而可以改善大尺寸高分辨率產(chǎn)品中由于尋址時(shí)間較短導(dǎo)致的充電率不足的問(wèn)題?？蛇x地，如圖5所示，該開關(guān)信號(hào)線18位于第1行像素單元13中，遠(yuǎn)離第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12的一側(cè)。具體的，如圖5所示，在第1行像素單元13中，該開關(guān)信號(hào)線18與第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12分別位于像素電極131沿掃描線12延伸方向的兩側(cè)，使得開關(guān)信號(hào)線18與第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12之間不會(huì)產(chǎn)生干擾，同時(shí)可以使該開關(guān)信號(hào)線18與第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12的排布方式與第2行至第n行像素單元13對(duì)應(yīng)的多條掃描線12之間的排布方式相同，無(wú)需對(duì)該開關(guān)信號(hào)重新設(shè)置走線方式，使不會(huì)增加顯示面板的制作工藝和制作難度?？蛇x地，如圖6所示，圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的俯視圖，如圖7所示，圖7為圖6中沿aa’方向上的截面圖，如圖8所示，圖8為圖6中沿bb’方向上的一種截面圖，陣列基板還包括：襯底基板19，預(yù)充電信號(hào)線14在襯底基板19所在平面的正投影與多個(gè)像素單元13中的像素電極131在襯底基板19所在平面的正投影、多條數(shù)據(jù)線11在襯底基板19所在平面的正投影都不交疊。具體的，如圖6、圖7和圖8所示，當(dāng)預(yù)充電信號(hào)線14在襯底基板19所在平面的正投影與多個(gè)像素單元13中的像素電極131在襯底基板19所在平面的正投影、多條數(shù)據(jù)線11在襯底基板19所在平面的正投影都不交疊時(shí)，可以避免預(yù)充電信號(hào)線14與像素電極131形成電容，以及避免預(yù)充電信號(hào)線14與多條數(shù)據(jù)線11形成電容，從而避免預(yù)充電信號(hào)線14和多條數(shù)據(jù)線11在傳輸信號(hào)時(shí)，對(duì)信號(hào)產(chǎn)生的干擾?？蛇x地，如圖7和圖8所示，多條數(shù)據(jù)線11和預(yù)充電信號(hào)線14同層設(shè)置且材料相同。具體的，如圖7和圖8所示，當(dāng)多條數(shù)據(jù)線11和預(yù)充電信號(hào)線14同層設(shè)置且材料相同時(shí)，可以在陣列基板上同時(shí)形成數(shù)據(jù)線11和預(yù)充電信號(hào)線14，進(jìn)而不會(huì)增加制作陣列基板時(shí)的工藝流程，同時(shí)由于多條數(shù)據(jù)線11和預(yù)充電信號(hào)線14同層設(shè)置，因此也不會(huì)增加陣列基板的厚度，進(jìn)而不會(huì)增加顯示面板的厚度，也不會(huì)影響到顯示面板的穿透率?？蛇x地，如圖9所示，圖9為圖6中沿bb’方向上的另一種截面圖，多條數(shù)據(jù)線11和預(yù)充電信號(hào)線14不同層設(shè)置，預(yù)充電信號(hào)線14通過(guò)過(guò)孔電連接于第二薄膜晶體管16的第二端。具體的，如圖9所示，在將多條數(shù)據(jù)線11和預(yù)充電信號(hào)線14設(shè)置在不同層后，可以降低預(yù)充電信號(hào)線14與多條數(shù)據(jù)線11之間的信號(hào)干擾。另外，當(dāng)多條數(shù)據(jù)線和預(yù)充電信號(hào)線不同層時(shí)，多條數(shù)據(jù)線和預(yù)充電信號(hào)線在襯底基板上的正投影可以交疊，進(jìn)而使增加的預(yù)充電信號(hào)線不會(huì)影響到顯示面板的穿透率。如圖10所示，圖10本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板23，包括上述實(shí)施例中的陣列基板20、彩膜基板21和液晶層22，其中，陣列基板20和彩膜基板21相對(duì)設(shè)置，液晶層22位于陣列基板20和彩膜基板21之間。如圖11所示，圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置100，包括上述的顯示面板23。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中所涉及的顯示裝置可以包括但不限于個(gè)人計(jì)算機(jī)(personalcomputer，pc)、個(gè)人數(shù)字助理(personaldigitalassistant，pda)、無(wú)線手持設(shè)備、平板電腦(tabletcomputer)、手機(jī)、mp3播放器、mp4播放器等。如圖5和圖12所示，圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種驅(qū)動(dòng)上述陣列基板的方法，該方法包括以下步驟：步驟1201：多條掃描線12依次通過(guò)掃描信號(hào)，當(dāng)?shù)趎行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12提供掃描信號(hào)時(shí)，第n行像素單元13對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管15導(dǎo)通，多條數(shù)據(jù)線11向第n行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第一電壓；且第n+1行像素單元13對(duì)應(yīng)的第二薄膜晶體管16導(dǎo)通，公共信號(hào)端17通過(guò)預(yù)充電信號(hào)線14向第n+1行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第二電壓，其中，n為正整數(shù)。步驟1202：當(dāng)?shù)趎+1行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12提供掃描信號(hào)時(shí)，第n+1行像素單元13對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管15導(dǎo)通，多條數(shù)據(jù)線11向第n+1行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第一電壓，使第n+1行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極達(dá)到目標(biāo)電壓，第n+1行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極的充電電壓為第一電壓和第二電壓之和?？蛇x地，如圖5和圖13所示，圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種驅(qū)動(dòng)上述陣列基板的方法，該方法包括以下步驟：步驟1301：當(dāng)開關(guān)信號(hào)線18通過(guò)掃描信號(hào)時(shí)，第1像素單元13對(duì)應(yīng)的第三薄膜晶體管24導(dǎo)通，公共信號(hào)端17通過(guò)預(yù)充電信號(hào)線14向第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第二電壓。步驟1302：當(dāng)?shù)?行像素單元13對(duì)應(yīng)的掃描線12通過(guò)掃描信號(hào)時(shí)，第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管15導(dǎo)通，多條數(shù)據(jù)線11向第1行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131輸入第一電壓，使第1行像素單元對(duì)應(yīng)的像素電極達(dá)到目標(biāo)電壓。具體的，關(guān)于第2行至第n行像素單元13對(duì)應(yīng)的像素電極131的充電方法已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，在此不再詳細(xì)贅述。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)12當(dāng)前第1頁(yè)12