本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板、制作方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置(lcd)具有輕、薄、低耗電等優(yōu)點(diǎn)，因此已廣泛應(yīng)用于筆記本計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(pda)等現(xiàn)代化信息設(shè)備。但是，與傳統(tǒng)的crt顯示器相比，由于普通液晶顯示裝置中的液晶分子在長軸和短軸方向的折射率不一致，所以當(dāng)使用者從不同角度觀看液晶顯示裝置時(shí)，隨著視線與顯示裝置面法線之間的角度增大，所顯示圖像的對比度會(huì)降低，從而產(chǎn)生可視角度不足的問題。

為解決液晶顯示裝置可視角度狹小的問題，現(xiàn)已提出了多種解決方案，例如共平面內(nèi)開關(guān)(in-planeswitching，ips)廣視角技術(shù)、邊緣電場開關(guān)(fringefieldswitching，ffs)技術(shù)等。然而對于顯示裝置而言，如圖1所示，正負(fù)極性的像素電壓差異，導(dǎo)致每幀畫面的亮度會(huì)有周期性的高低變化，這些變化會(huì)引發(fā)畫面閃爍等不良現(xiàn)象，從而影響顯示畫面的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板、制作方法及顯示裝置，以避免畫面閃爍的不良現(xiàn)象，提升顯示畫面的質(zhì)量。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，包括：

多條掃描線，用于輸出掃描信號；

多條數(shù)據(jù)線，與多條所述掃描線交叉設(shè)置，形成多個(gè)像素單元，所述數(shù)據(jù)線用于輸出數(shù)據(jù)信號；

每個(gè)所述像素單元包括至少一個(gè)像素電極，調(diào)整相鄰的兩個(gè)所述像素電極之間的距離及所述像素電極的寬度以保持畫面不閃爍；及

多個(gè)薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括連接到所述掃描線的柵極、連接到所述數(shù)據(jù)線的源極及連接到所述像素電極的漏極，所述薄膜晶體管接收所述掃描線輸出的掃描信號后導(dǎo)通，所述數(shù)據(jù)線輸出的數(shù)據(jù)信號提供給所述像素電極。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成掃描線；

依次形成柵極絕緣層和半導(dǎo)體層；

形成數(shù)據(jù)線及薄膜晶體管的源極及漏極，并使所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線電性連接；

形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成通孔；及

在所述鈍化層上形成多個(gè)像素電極，調(diào)整相鄰的兩個(gè)所述像素電極之間的距離及所述像素電極的寬度以保持畫面不閃爍。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板、與所述陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板及設(shè)置在所述陣列基板與所述彩膜基板之前的液晶，其特征在于，所述陣列基板包括：

多條掃描線，用于輸出掃描信號；

多條數(shù)據(jù)線，與多條所述掃描線交叉設(shè)置，形成多個(gè)像素單元，所述數(shù)據(jù)線用于輸出數(shù)據(jù)信號；

每個(gè)所述像素單元包括至少一個(gè)像素電極，調(diào)整相鄰的兩個(gè)所述像素電極之間的距離及所述像素電極的寬度以保持畫面不閃爍；及

多個(gè)薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括連接到所述掃描線的柵極、連接到所述數(shù)據(jù)線的源極及連接到所述像素電極的漏極，所述薄膜晶體管接收所述掃描線輸出的掃描信號后導(dǎo)通，所述數(shù)據(jù)線輸出的數(shù)據(jù)信號提供給所述像素電極。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的所述陣列基板、制作方法及顯示裝置通過調(diào)整相鄰的兩個(gè)像素電極之間的距離及所述像素電極的寬度來保持畫面不閃爍，在相鄰的兩個(gè)像素電極之間的距離減小及所述像素電極的寬度增大時(shí)，所述畫面的閃爍減小，以此避免畫面閃爍的不良現(xiàn)象，提升顯示畫面的質(zhì)量。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有顯示裝置的灰階畫面和波形示意圖；

圖2是本發(fā)明的陣列基板中像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖3是圖1的剖視示意圖；

圖4是本發(fā)明顯示裝置的畫面波形測試結(jié)果示意圖；

圖5是本發(fā)明的陣列基板中相鄰的兩個(gè)像素電極之間的距離的變化對閃爍的影響的波形示意圖；

圖6是圖3中的像素電極的放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明的陣列基板制作方法流程圖；

圖8是本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

請參閱圖2，是本發(fā)明的陣列基板中像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。在陣列基板1上包括多條掃描線102用于輸出掃描信號及多條數(shù)據(jù)線101用于輸出數(shù)據(jù)信號，所述數(shù)據(jù)線101與所述掃描線102相互交叉，并在交叉區(qū)域形成像素單元，整個(gè)陣列基板1中通常有多條數(shù)據(jù)線101與多條掃描線102交叉并形成多個(gè)像素單元，且清楚起見，圖2中只示出了其中一個(gè)像素單元作為示例。每個(gè)所述像素單元包括至少一個(gè)像素電極106，調(diào)整相鄰的兩個(gè)所述像素電極106之間的距離及所述像素電極106的寬度以保持畫面不閃爍。多個(gè)薄膜晶體管，每一薄膜晶體管包括連接到所述掃描線的柵極(圖未示)、連接到所述數(shù)據(jù)線的源極103及連接到所述像素電極的漏極104，所述薄膜晶體管接收所述掃描線102輸出的掃描信號后導(dǎo)通，所述數(shù)據(jù)線101輸出的數(shù)據(jù)信號提供給所述像素電極106。圖2中示出的也只是液晶顯示裝置中的陣列基板部分，而不包括其上的液晶層和彩色濾光片。像素電極106帶有條狀開口107，條狀開口107的寬度例如可以是約4到10微米，以利于電場通過。

圖3為沿圖2所示ii-ii線所在截面看去，在圖3的結(jié)構(gòu)中，陣列基板1部分從下到上依次包括玻璃基板216、柵極絕緣層215和鈍化層214，濾光片部分從上到下依次包括彩色濾光片玻璃基板210、彩色濾光薄膜211和保護(hù)層212。液晶層213位于陣列基板1部分與濾光片部分之間。當(dāng)然，基板中也可以采用本領(lǐng)域已知的任何可用材料來代替玻璃。

請參閱圖4，對于畫面的閃爍的變化情況需要用波形表示，通過光電二極管測量其波形(畫面的閃爍值由ca310測得)，觀察其波形的變化，從圖4中左側(cè)所示可以看到光電二極管測得的不同灰階畫面的閃爍波形，其中橫坐標(biāo)表示時(shí)間，縱坐標(biāo)表示二極管測得的閃爍強(qiáng)度，其閃爍強(qiáng)度與亮度平均值的擬合如圖4右側(cè)所示，二者成正比關(guān)系。

請參閱圖5，對于頻率為60hz的灰階畫面，隨著相鄰的兩個(gè)像素電極106之間的距離的增大，畫面不閃爍變?yōu)殚W爍，畫面量測到的頻率從60hz逐漸變?yōu)?0hz，在波形上的體現(xiàn)是相鄰的兩個(gè)波峰其中一個(gè)逐漸消失，這意味著正負(fù)極性的像素電壓帶來每幀畫面之間的亮度差異變大，因此相鄰的兩個(gè)所述像素電極106之間的距離減小且所述像素電極106的寬度增大時(shí)，所述畫面不閃爍；相鄰的兩個(gè)所述像素電極106之間的距離增大且所述像素電極106的寬度減小時(shí)，所述畫面閃爍。

相鄰的兩個(gè)所述像素電極106之間的距離為4.5微米時(shí)，所述像素電極106的寬度為3微米；相鄰的兩個(gè)所述像素電極106之間的距離為4微米時(shí)，所述像素電極106的寬度為3.5微米；相鄰的兩個(gè)所述像素電極106之間的距離為3.5微米時(shí)，所述像素電極106的寬度為4微米，觀測相鄰的兩個(gè)像素電極106之間距離變化產(chǎn)生的畫面的閃爍情況后發(fā)現(xiàn)，隨著相鄰的兩個(gè)像素電極106之間的距離減小且所述像素電極106的寬度的增大，顯示裝置的畫面的閃爍減小。請參閱圖6，因?yàn)橄噜彽膬蓚€(gè)像素電極106之間的距離增大時(shí)，會(huì)導(dǎo)致相鄰的兩個(gè)像素電極106之間區(qū)域相鄰的液晶分子間的彈性扭矩減小，這種變化使相鄰的兩個(gè)像素電極106之間與所述像素電極106上的穿透率比例會(huì)發(fā)生變化，因此相鄰的兩個(gè)像素電極106之間的距離的不同使得正負(fù)極性的像素電壓帶來每幀畫面之間的亮度差異也不同，因此畫面閃爍的強(qiáng)度發(fā)生變化，在相鄰的兩個(gè)像素電極106之間的距離減小且所述像素電極106的寬度增大時(shí)，所述畫面的閃爍減小。

請參閱圖7，是本發(fā)明的陣列基板制作方法流程圖。具有上述像素結(jié)構(gòu)的陣列基板1可以通過圖7所示的制程方法來形成。

步驟s1：提供一基板216。

其中，所述基板216可以為玻璃材料。

步驟s2：在所述基板216上形成掃描線102。

其中，可以由掃描線102的一部分作為薄膜晶體管的柵極，也可以單獨(dú)形成薄膜晶體管柵極并使其與掃描線電連接。例如，可以通過在基板的適當(dāng)部分濺射沉積厚度為500埃的mo層和厚度為3000埃的aind層這樣的雙層結(jié)構(gòu)來形成掃描線。

步驟s3：依次形成柵極絕緣層215和半導(dǎo)體層。

在步驟s2得到的基板上依次形成柵極絕緣層215和半導(dǎo)體層(圖中未示出)。例如，例如，在步驟s2中，可以通過沉積處理(采用pecvd工藝)，用sih4和nh3形成厚度為3000埃的sinx層、用sih4和h2形成厚度為1300埃的氫化非晶硅(a-si:hx)層，并用sih4、h2和ph3形成厚度為250埃的摻雜氫化非晶硅(n+a-si:hx)層。

步驟s4：形成數(shù)據(jù)線101及薄膜晶體管的源極103及漏極104，并使所述薄膜晶體管的源極103與所述數(shù)據(jù)線101電性連接。

例如，在步驟s4中可以通過濺射形成厚度為450埃的mo層、厚度為2000埃的ai層和厚度為150a的mo層這樣的三層結(jié)構(gòu)。

步驟s5：形成鈍化層214，并在所述鈍化層214上形成通孔105。

例如，可以用sih4和nh3通過pecvd方式想成厚度為4500埃的sihx層構(gòu)成鈍化層214。

步驟s6：在所述鈍化層214上形成多個(gè)像素電極106，調(diào)整相鄰的兩個(gè)所述像素電極106之間的距離及所述像素電極106的寬度以保持畫面不閃爍。

例如，可以通過濺射形成厚度為750埃的ito層構(gòu)成像素電極106，所述像素電極106的材料可以為如透明導(dǎo)電材料氧化銦錫、氧化銦鋅等。在步驟s6中，還通過例如蝕刻形成像素電極106中的開口107或開槽部分并通過鈍化層214中的通孔將像素電極106連接到薄膜晶體管的漏極104。具體地，基本參數(shù)所述像素電極106的寬度為4μm，相鄰的兩個(gè)像素電極106之間的距離3.5μm，實(shí)驗(yàn)中逐漸增大相鄰的兩個(gè)像素電極106之間的距離，從3.5μm增大到4μm，再增大到4.5μm，而像素電極106的寬度會(huì)相應(yīng)減少，從4μm減少到3.5μm，再減少到3μm，觀測相鄰的兩個(gè)像素電極106之間距離變化產(chǎn)生的畫面的閃爍情況后發(fā)現(xiàn)，隨著相鄰的兩個(gè)像素電極106之間的距離減小且所述像素電極106的寬度的增大，顯示裝置的畫面的閃爍減小。因?yàn)橄噜彽膬蓚€(gè)像素電極106之間的距離增大時(shí)，會(huì)導(dǎo)致相鄰的兩個(gè)像素電極106之間區(qū)域相鄰的液晶分子間的彈性扭矩減小，這種變化使相鄰的兩個(gè)像素電極106之間與所述像素電極106上的穿透率比例會(huì)發(fā)生變化，因此相鄰的兩個(gè)像素電極106之間的距離的不同使得正負(fù)極性的像素電壓帶來每幀畫面之間的亮度差異也不同，因此畫面閃爍的強(qiáng)度發(fā)生變化。

通過上述一系列步驟，即可得到如圖2及圖3所示實(shí)施例一樣結(jié)構(gòu)的陣列基板，然后可以將所述陣列基板與彩色濾光片粘合在一起，并使他們之間夾有液晶材料。

需要指出的是，上述材料、厚度等工藝參數(shù)僅僅是示例性的而不應(yīng)認(rèn)為是對本發(fā)明范圍的限制，根據(jù)需要，可以選擇其他適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)。并且。根據(jù)實(shí)際情況，可以對上述步驟進(jìn)行合并、從中省略某一個(gè)或幾個(gè)步驟、或者在上述步驟中加入其他步驟。

請參閱圖8，是本發(fā)明的顯示裝置2的結(jié)構(gòu)示意圖。所述顯示裝置2包括上述的陣列基板1、與所述陣列基板1相對設(shè)置的彩膜基板3及設(shè)置在所述陣列基板1與所述彩膜基板3之前的液晶5，所述顯示裝置2的其他器件及功能與現(xiàn)有顯示裝置的器件及功能相同，在此不再贅述。

所述陣列基板、制作方法及顯示裝置通過調(diào)整相鄰的兩個(gè)像素電極之間的距離及所述像素電極的寬度來保持畫面不閃爍，在相鄰的兩個(gè)像素電極之間的距離減小及所述像素電極的寬度增大時(shí)，所述畫面的閃爍減小，以此避免畫面閃爍的不良現(xiàn)象，提升顯示畫面的質(zhì)量。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。