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一種太赫茲可變衰減器的制作方法

文檔序號:11275352閱讀:331來源:國知局
一種太赫茲可變衰減器的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及太赫茲可變衰減器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及的是一種太赫茲可變衰減器。



背景技術(shù):

太赫茲波是指光波頻率在0.1~10thz的范圍內(nèi),真空中的相應(yīng)波長為(3000~30)μm,它是位于紅外與微波之間的一個波段,通常也叫thz波。

近幾年來,隨著人們對太赫茲波的產(chǎn)生和探測技術(shù)研究的日漸深入,太赫茲波在物質(zhì)特性分析、成像、探測、遙感和國防上面的作用日益凸顯出來,由此引起了一場世界范圍內(nèi)的針對太赫茲波的研究熱潮。目前對太赫茲波的衰減一般是通過一片硅片的衰減來進行的,但是由于一片硅片的衰減量是固定的,因此不能很好的滿足用戶想要輸出額定太赫茲波功率的要求。

當(dāng)用多片硅片對太赫茲波進行衰減時,由于相鄰兩片硅片會產(chǎn)生法布里-玻羅效應(yīng),導(dǎo)致衰減量與預(yù)期的衰減量不同。因為硅片表面都是很光滑的,所以當(dāng)太赫茲波入射后,會有部分光透過,部分光反射回去,反射回去的光到另一個硅平面,又反射回來,從而形成法布里-玻羅效應(yīng),大大影響太赫茲光的定量衰減。如圖1所示。

現(xiàn)有的太赫茲衰減片存在以下不足:

(1)現(xiàn)有的太赫茲衰減片都是硅片,單片只有固定的衰減量,對太赫茲波的功率衰減只有一個定值,難以達(dá)到理想的太赫茲功率;

(2)現(xiàn)有的多硅片可調(diào)太赫茲衰減器,由于硅片之間存在法布里-玻羅效應(yīng),導(dǎo)致多片硅衰減片的衰減量是不可控的;

(3)由于硅衰減片有一定的厚度,當(dāng)角度稍微有所不同的時候,硅衰減片對太赫茲波的衰減量也有所不同;

(4)平滑表面的硅片加工難度極高,而且需要加工數(shù)片,對加工工藝的要求就更高了。

因此,現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷,需要改進。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種太赫茲可變衰減器。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下:

一種太赫茲可變衰減器,包括數(shù)片基于砷化鎵材料的薄片排列而成,太赫茲光源發(fā)出的太赫茲光經(jīng)過砷化鎵材料的薄片衰減并到太赫茲探測器中,太赫茲探測器用于計算的太赫茲功率;帶有凹槽的底座用于放置使太赫茲波按相同的方向經(jīng)過所述薄片。

上述方案中,所述薄片的數(shù)量根據(jù)需要增加或者減少。

上述方案中,所述薄片1作為衰減片都很薄并且厚度相同。,從而保證最后的衰減量是每片衰減量的和。

上述方案中,所述薄片的厚度小于1mm,最佳為0.7mm。

上述方案中,所述底座放置薄片的槽需要相互平行。

上述方案中,所述薄片根據(jù)需要增加或者減少。

采用上述方案,方法設(shè)計的太赫茲可變衰減器,使用方便,對放置角度要求低,精度高。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中多硅片之間形成的法布里-玻羅效應(yīng)示意圖。

圖2為本發(fā)明太赫茲可變衰減器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明太赫茲可變衰減器底座的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發(fā)明,下面結(jié)合附圖和具體實施例,對本發(fā)明進行更詳細(xì)的說明。但是,本發(fā)明可以采用許多不同的形式來實現(xiàn),并不限于本說明書所描述的實施例。需要說明的是,當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個元件,它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個元件被認(rèn)為是“連接”另一個元件,它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。

除非另有定義,本說明書所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本說明書中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的,不是用于限制本發(fā)明。本說明書所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。

實施例1

如圖2-圖3所示,本發(fā)明太赫茲可變衰減器是由數(shù)片基于砷化鎵材料的薄片1排列而成,薄片1的數(shù)量可以根據(jù)需要增加或者減少。太赫茲光源2發(fā)出的太赫茲光經(jīng)過砷化鎵材料的薄片1可以衰減并到太赫茲探測器3中,太赫茲探測器3可以計算的太赫茲功率。每片砷化鎵材料薄片1作為衰減片都很薄并且厚度相同,這樣就可以保證每片薄片1作為衰減片對太赫茲波的衰減量是相同的,并且多片砷化鎵材料的薄片1作為衰減片不會產(chǎn)生法布里-玻羅效應(yīng),影響最后的太赫茲衰減量。帶有凹槽的底座4可以使太赫茲波按相同的方向經(jīng)過砷化鎵材料的薄片1作為衰減片,從而保證最后的衰減量是每片衰減量的和。所述薄片1的厚度小于1mm,最佳為0.7mm在薄片1為0.7mm,能夠最大程度上保證選用砷化鎵材料作為衰減材料,厚度相同的情況下,對太赫茲波的衰減量相同。

太赫茲衰減器底座放置衰減片的槽5需要相互平行,保證太赫茲波是以相同的角度入射到每個太赫茲衰減片。

太赫茲衰減器上的衰減薄片可以根據(jù)需要增加或者減少。

相對于現(xiàn)有技術(shù)方案,本發(fā)明的優(yōu)點在于:(1)消除了多衰減片組合會產(chǎn)生法布里-玻羅效應(yīng)的問題,可以通過組合得到想要的太赫茲波功率。(2)制作方便,精確度高。(3)使用便捷,適于外出便攜,穩(wěn)定性好。

需要說明的是,上述各技術(shù)特征繼續(xù)相互組合,形成未在上面列舉的各種實施例,均視為本發(fā)明說明書記載的范圍;并且,對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)上述說明加以改進或變換,而所有這些改進和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護范圍。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種太赫茲可變衰減器,由數(shù)片基于砷化鎵材料的薄片排列而成,薄片的數(shù)量可以根據(jù)需要增加或者減少。太赫茲光源發(fā)出的太赫茲光經(jīng)過砷化鎵材料的薄片可以衰減并到太赫茲探測器中,太赫茲探測器可以計算的太赫茲功率。每片砷化鎵材料薄片作為衰減片都很薄并且厚度相同,這樣就可以保證每片薄片作為衰減片對太赫茲波的衰減量是相同的,并且多片砷化鎵材料的薄片作為衰減片不會產(chǎn)生法布里?玻羅效應(yīng),影響最后的太赫茲衰減量。帶有凹槽的底座可以使太赫茲波按相同的方向經(jīng)過砷化鎵材料的薄片作為衰減片,從而保證最后的衰減量是每片衰減量的和。采用上述方案,方法設(shè)計的太赫茲可變衰減器,使用方便,對放置角度要求低,精度高。

技術(shù)研發(fā)人員:姜斌;吳斌;楊延召;王恒飛;應(yīng)承平
受保護的技術(shù)使用者:中國電子科技集團公司第四十一研究所
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.27
技術(shù)公布日:2017.09.26
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