本發(fā)明涉及顯示裝置制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種掩膜板、基板以及顯示裝置。

背景技術(shù)：

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣掩膜板的開口設(shè)計(jì)，其開口角落會(huì)有不同1-10μm不等的尖銳倒角，以前在較低解析度的曝光機(jī)下曝出的圖案開口角落處均比較圓滑，而隨著現(xiàn)有技術(shù)中曝光機(jī)的解析度提高，使曝出的圖案角落分明，雖然高解析度的曝光機(jī)曝出的結(jié)果更加還原黑矩陣掩膜板的圖案，但是高解析度曝光機(jī)曝出的圖案開口角落的倒角處的曲率半徑較小，結(jié)構(gòu)間隙較大，電荷容易聚集，這樣的角落容易殘留帶電粒子，使由高解析度曝光機(jī)生產(chǎn)出的玻璃不容易清洗干凈，進(jìn)而會(huì)引起由此制成的顯示裝置殘像不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種掩膜板、基板以及顯示裝置，使用該掩膜板配合高解析度曝光機(jī)進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)，可以較清晰還原掩膜板的圖案，且得到的圖案的開口區(qū)域的角落處兩個(gè)相鄰邊之間圓滑過渡，不容易聚集電荷，有利于殘留的帶電粒子的清洗，進(jìn)而對(duì)利用本發(fā)明提供的掩膜板制備的顯示裝置有改善殘像的效果。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

一種掩膜板，用于顯示裝置制備，包括平板，所述平板上設(shè)有與顯示裝置的像素單元一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)開口；其中，每個(gè)所述開口的角落中，每相鄰的兩個(gè)邊之間圓滑過渡。

上述掩膜板，用于顯示裝置制備，掩膜板包括平板，平板上設(shè)有與顯示裝置的像素單元一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)開口，每個(gè)開口的角落中，每相鄰的兩個(gè)邊之間圓滑過渡，當(dāng)使用上述掩膜板配合高解析度的曝光機(jī)進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)，可以更好的還原掩膜板的圖案，且得到的圖案的開口區(qū)域的角落處兩個(gè)相鄰邊之間圓滑過渡，則使相鄰兩邊之間的拐角曲率半徑較大，結(jié)構(gòu)元間隙小，不容易聚集電荷，有利于殘留的帶電粒子的清洗。

因此，使用上述掩膜板配合高解析度曝光機(jī)進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)，可以較清晰、確切的還原掩膜板的圖案，且得到的圖案的開口區(qū)域的角落處兩個(gè)相鄰邊之間圓滑過渡，不容易聚集電荷，有利于殘留的帶電粒子的清洗，進(jìn)而對(duì)利用本發(fā)明提供的掩膜板制備的顯示裝置有改善殘像的效果。

進(jìn)一步地，所述平板上設(shè)有的多個(gè)開口中，每一個(gè)所述開口中的角落處，每相鄰的兩個(gè)邊的交接處形成圓滑曲線型結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，每一個(gè)所述開口的角落處，每相鄰的兩個(gè)邊的交接處形成弧形結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明還提供了一種基板，包括襯底和黑矩陣，所述黑矩陣制備的構(gòu)圖工序中上述技術(shù)方案中所述的任意一種掩膜板進(jìn)行曝光處理。

另外，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案中所述的基板。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣掩膜板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖2中ⅰ處的局部放大圖；

圖4為圖2中ⅱ處的局部放大圖。

圖標(biāo)：1-平板；2-開口。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參考圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板，用于顯示裝置制備，包括平板1，平板1上設(shè)有與顯示裝置的像素單元一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)開口2；其中，每個(gè)開口2的角落中，每相鄰的兩個(gè)邊之間圓滑過渡。

上述掩膜板，用于顯示裝置制備，掩膜板包括平板1，平板1上設(shè)有與顯示裝置的像素單元一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)開口2，每個(gè)開口2的角落中，每相鄰的兩個(gè)邊之間圓滑過渡，當(dāng)使用上述掩膜板配合高解析度的曝光機(jī)進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)，可以更好的還原掩膜板的圖案，且得到的圖案的開口區(qū)域的角落處兩個(gè)相鄰邊之間圓滑過渡，則使相鄰兩邊之間的拐角曲率半徑較大，結(jié)構(gòu)元間隙小，不容易聚集電荷，有利于殘留的帶電粒子的清洗。

因此，使用上述掩膜板配合高解析度曝光機(jī)進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)，可以較清晰、確切的還原掩膜板的圖案，且得到的圖案的開口區(qū)域的角落處兩個(gè)相鄰邊之間圓滑過渡，不容易聚集電荷，有利于殘留的帶電粒子的清洗，進(jìn)而對(duì)利用本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板制備的顯示裝置有改善殘像的效果。

如圖3和圖4所示，上述掩膜板中，平板1上設(shè)有的多個(gè)開口2中，每一個(gè)開口2中的角落處，每相鄰的兩個(gè)邊的交接處形成圓滑曲線型結(jié)構(gòu)。開口2角落處相鄰邊之間交接處形成圓滑曲線型結(jié)構(gòu)，可以達(dá)到開口2的角落處相鄰的兩個(gè)邊之間圓滑過渡的效果，且結(jié)構(gòu)簡單，易于加工。

具體地，每一個(gè)開口2的角落處，每相鄰的兩個(gè)邊的交接處形成弧形結(jié)構(gòu)。角落處相鄰兩個(gè)邊的交接處形成弧形結(jié)構(gòu)，加工簡單方便，易于制造。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種基板，包括襯底和黑矩陣，黑矩陣制備的構(gòu)圖工序中上述技術(shù)方案中的任意一種掩膜板進(jìn)行曝光處理。上述基板的黑矩陣圖案的開口角落處相鄰兩邊之間圓滑過渡，有利于清洗殘留的帶電粒子，進(jìn)而對(duì)使用該基板的顯示裝置有改善殘像的效果。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案中的基板。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及顯示裝置制備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種掩膜板、基板以及顯示裝置，該掩膜板用于顯示裝置制備，包括平板，平板上設(shè)有與顯示裝置的像素單元一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)開口；其中，每個(gè)開口的角落中，每相鄰的兩個(gè)邊之間圓滑過渡。使用上述掩膜板配合高解析度曝光機(jī)進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)，可以較清晰、確切的還原掩膜板的圖案，且得到的圖案的開口區(qū)域的角落處兩個(gè)相鄰邊之間圓滑過渡，不容易聚集電荷，有利于殘留的帶電粒子的清洗，進(jìn)而對(duì)利用本發(fā)明提供的掩膜板制備的顯示裝置有改善殘像的效果。

技術(shù)研發(fā)人員：胡小弢;畢瑞琳;黎敏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.27
技術(shù)公布日：2017.08.01