本發(fā)明實(shí)施例涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器運(yùn)用在越來(lái)越多的行業(yè)中，為用戶的生活和工作等方面帶來(lái)很多幫助。

隨著用戶對(duì)更高分辨率顯示器的需求的加大，相關(guān)技術(shù)中的顯示器的亮度不足時(shí)，通常是通過(guò)提升背光光源的電流來(lái)提升亮度，會(huì)導(dǎo)致功耗更大。因此相關(guān)技術(shù)中的液晶顯示器存在功耗高，進(jìn)而工作時(shí)產(chǎn)生溫度過(guò)高的問(wèn)題，

因此，急需一種能夠解決上述技術(shù)問(wèn)題的顯示裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置，以實(shí)現(xiàn)在不增加功耗的情況下，提升顯示裝置的顯示畫(huà)面的亮度。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括多個(gè)矩陣排列的像素區(qū)域，每一所述像素區(qū)域的顯示開(kāi)口區(qū)包括多層功能膜層，所述多層功能膜層包括襯底，以及沿遠(yuǎn)離所述襯底出光側(cè)表面的方向依次形成的緩沖層、柵極絕緣層、第一層間絕緣層、平坦化層和電極膜層結(jié)構(gòu)；其中，所述電極膜層結(jié)構(gòu)包括像素電極、公共電極，以及位于所述像素電極和所述公共電極之間的第一鈍化層；任意一層所述功能膜層的折射率，大于等于該功能膜層與所述襯底之間的各功能膜層的折射率，且大于等于所述襯底的折射率。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括上述任一陣列基板。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述任一顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置，通過(guò)在顯示開(kāi)口區(qū)中，將其中任意一層功能膜層的折射率，設(shè)計(jì)為大于等于該功能膜層與襯底之間的各功能膜層的折射率，且大于等于襯底的折射率，各功能膜層的折射率沿遠(yuǎn)離襯底的方向逐漸增大，可以提升背光光線的透過(guò)率，進(jìn)而可間接降低背光模組的驅(qū)動(dòng)電壓或背光模組的驅(qū)動(dòng)電流，降低功耗。

附圖說(shuō)明

圖1a是一種自容式的觸控結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖1b是一種互容式的觸控結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b是圖2a中沿剖面線a-a'的位于一像素顯示開(kāi)口區(qū)內(nèi)的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a是圖2b中的電極膜層結(jié)構(gòu)的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b是圖2b中的電極膜層結(jié)構(gòu)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種沿圖2a中剖面線a-a'的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種沿圖2a中剖面線a-a'的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5b是與圖5a對(duì)應(yīng)的單個(gè)像素區(qū)域的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6a是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種沿圖2a中剖面線a-a'的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6b是與圖6a對(duì)應(yīng)的單個(gè)像素區(qū)域的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種沿圖2a中剖面線a-a'的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光線的入射光路的示意圖；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

在顯示技術(shù)中，觸控結(jié)構(gòu)可以是自容式或者互容式的觸控結(jié)構(gòu)。圖1a是一種自容式的觸控結(jié)構(gòu)的示意圖；參考圖1a，觸控結(jié)構(gòu)包括多個(gè)呈矩陣排列的觸控電極塊100；與觸控電極塊100一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的多條觸控走線110，觸控走線110的第一端與對(duì)應(yīng)的觸控電極塊100電連接且與非對(duì)應(yīng)的觸控電極塊100絕緣；觸控走線110的第二端與驅(qū)動(dòng)芯片120電連接。在自容式觸控顯示技術(shù)中，可以將觸控電極塊100設(shè)置在彩膜基板或陣列基板上，例如，陣列基板中的公共電極層包括多個(gè)公共電極塊，通過(guò)將公共電極塊復(fù)用為觸控電極塊100，可以簡(jiǎn)化顯示面板的整體結(jié)構(gòu)，降低顯示面板的厚度。圖1b是一種互容式的觸控結(jié)構(gòu)的示意圖；參考圖1b，觸控結(jié)構(gòu)包括沿第一方向延伸的多條第一觸控電極130，沿第二方向延伸的多條第二觸控電極140，第一方向與第二方向相交叉；第一觸控電極130和第二觸控電極140通過(guò)觸控引線150與互容式驅(qū)動(dòng)芯片160電連接。在互容式觸控顯示技術(shù)中，可以將第一觸控電極130整層都設(shè)置在彩膜基板或陣列基板上，同樣也可以將第二觸控電極140整層都設(shè)置在彩膜基板或陣列基板上。例如，陣列基板中的公共電極層包括多個(gè)沿第一方向延伸的公共電極，復(fù)用陣列基板中的公共電極作為第一觸控電極130，可以簡(jiǎn)化顯示面板的整體結(jié)構(gòu)。

圖2a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；參考圖2a，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板包括多個(gè)矩陣排列的像素區(qū)域，多個(gè)矩陣排列的像素區(qū)域例如可以是由多條絕緣交叉的掃描線1和數(shù)據(jù)線2劃分而成，每個(gè)像素區(qū)域包括顯示開(kāi)口區(qū)3；其中，顯示開(kāi)口區(qū)3是指每個(gè)像素區(qū)域的顯示區(qū)，光線能透過(guò)顯示開(kāi)口區(qū)3進(jìn)行顯示。圖2b是圖2a中沿剖面線a-a'的位于一像素顯示開(kāi)口區(qū)內(nèi)的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖2b，每一像素區(qū)域的顯示開(kāi)口區(qū)3包括多層功能膜層，多層功能膜層包括襯底11，以及沿遠(yuǎn)離襯底11出光側(cè)表面的方向依次形成的緩沖層12、柵極絕緣層13、第一層間絕緣層14、平坦化層15和電極膜層結(jié)構(gòu)16；其中，電極膜層結(jié)構(gòu)16包括像素電極、公共電極，以及位于像素電極和公共電極之間的第一鈍化層(在圖2b中未示出，電極膜層結(jié)構(gòu)的具體結(jié)構(gòu)在下文有具體的描述)，任意一層功能膜層的折射率，大于等于該功能膜層與襯底11之間的各功能膜層的折射率，且大于等于襯底11的折射率。

本實(shí)施例提供的陣列基板，在顯示開(kāi)口區(qū)3中，將其中任意一層功能膜層的折射率，設(shè)計(jì)為大于等于該功能膜層與襯底11之間的各功能膜層的折射率，且大于等于襯底11的折射率，各功能膜層的折射率沿遠(yuǎn)離襯底11的方向逐漸增大，可以提升背光光線的透過(guò)率，進(jìn)而可間接降低背光模組的驅(qū)動(dòng)電壓或背光模組的驅(qū)動(dòng)電流，降低功耗。

圖3a是圖2b中的電極膜層結(jié)構(gòu)的一種結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖3a，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選地，沿遠(yuǎn)離襯底11出光側(cè)表面(圖3a中未畫(huà)出)的方向，電極膜層結(jié)構(gòu)依次包括公共電極161、第一鈍化層162和像素電極163。圖3b是圖2b中的電極膜層結(jié)構(gòu)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；參考圖3b，可選地，沿遠(yuǎn)離襯底11出光側(cè)表面的方向，電極膜層結(jié)構(gòu)依次包括像素電極163、第一鈍化層162和公共電極161。需要說(shuō)明的是，圖3a和圖3b中的公共電極161、第一鈍化層162和像素電極163的形狀只是一種示意圖。在本實(shí)施例中，電極膜層結(jié)構(gòu)可以為多種不同的組成結(jié)構(gòu)，為陣列基板的設(shè)計(jì)提供了更多的可能性。

參見(jiàn)圖2a，可選地，每一像素區(qū)域還包括非開(kāi)口區(qū)4，非開(kāi)口區(qū)4主要設(shè)置各種晶體管、電容器件以及各種信號(hào)線等。圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種沿圖2a中剖面線a-a'的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；參考圖4，非開(kāi)口區(qū)4包括分別與顯示開(kāi)口區(qū)3中的襯底11、緩沖層12、柵極絕緣層13、第一層間絕緣層14以及平坦化層15同層形成且材料相同的功能膜層；非開(kāi)口區(qū)4中的第一層間絕緣層14和平坦化層15之間還包括有第二層間絕緣層17；第二層間絕緣層17和非開(kāi)口區(qū)4中的平坦化層15之間還包括有數(shù)據(jù)線2。數(shù)據(jù)線2通常用于與每個(gè)像素區(qū)域的開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極電連接，以提供數(shù)據(jù)信號(hào)。在相關(guān)技術(shù)中，通常會(huì)在柵極絕緣層13和平坦化層15之間形成第一層間絕緣層14和第二層間絕緣層17，在本實(shí)施例中只用在顯示開(kāi)口區(qū)3中，只包括第一層間絕緣層14，簡(jiǎn)化了顯示開(kāi)口區(qū)3中功能膜層的結(jié)構(gòu)，利于提升陣列基板的透過(guò)率。

圖5a是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種沿圖2a中剖面線a-a'的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；參考圖5a，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選地，在非開(kāi)口區(qū)4中的平坦化層15上還包括有依次排列的觸控走線19、第二鈍化層18，以及與第一鈍化層162同層形成且材質(zhì)相同的功能膜層；復(fù)用公共電極161為觸控電極，觸控走線19與公共電極161電連接。圖5a中顯示開(kāi)口區(qū)3中，以像素電極163形成在公共電極161之上為例進(jìn)行示意，電極膜層結(jié)構(gòu)也可以是其他組成結(jié)構(gòu)。圖5b是與圖5a對(duì)應(yīng)的單個(gè)像素區(qū)域的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5b只示意性的畫(huà)出該像素區(qū)域中的一部分膜層結(jié)構(gòu)，其中，晶體管5的柵極與掃描線1電連接，晶體管5的柵極的源極或漏極與數(shù)據(jù)線2電連接，相應(yīng)的，晶體管5的柵極的漏極或源極與像素電極163電連接。在數(shù)據(jù)線2的上方還可以形成有觸控走線19，觸控走線19與公共電極161電連接，用于在公共電極161復(fù)用為觸控電極時(shí)，提供觸控信號(hào)；在非觸控時(shí)段，觸控走線19可以為公共電極161提供相同的公共電壓信號(hào)。在本實(shí)施例中，將觸控結(jié)構(gòu)集成在陣列基板中，可以復(fù)用公共電極161為觸控電極，觸控走線19與觸控電極電連接，用于為觸控電極提供觸控信號(hào)；將觸控層設(shè)置在陣列基板中，可以提高陣列基板的集成化程度，利于減小陣列基板的體積。

圖6a是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種沿圖2a中剖面線a-a'的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；參考圖6a，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選地，當(dāng)沿遠(yuǎn)離襯底11出光側(cè)表面的方向，電極膜層結(jié)構(gòu)依次包括像素電極163、第一鈍化層162和公共電極161時(shí)，非開(kāi)口區(qū)4中的第一鈍化層162上還包括有與公共電極161同層形成且材質(zhì)相同的功能膜層。參考圖6a，在非開(kāi)口區(qū)4中的平坦化層15上還包括有依次排列的觸控走線19、第二鈍化層18；圖6b是與圖6a對(duì)應(yīng)的單個(gè)像素區(qū)域的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖6b只示意性的畫(huà)出該像素區(qū)域中的一部分膜層結(jié)構(gòu)，其中，晶體管5的柵極與掃描線1電連接，晶體管5的柵極的源極或漏極與數(shù)據(jù)線2電連接，相應(yīng)的，晶體管5的柵極的漏極或源極與像素電極163電連接。在數(shù)據(jù)線2的上方還可以形成有觸控走線19和公共電極161(觸控走線19和公共電極161之間間隔有第一鈍化層162和第二鈍化層18，圖6b中未示出)，觸控走線19與公共電極161電連接，用于在公共電極161復(fù)用為觸控電極時(shí)，提供觸控信號(hào)；在非觸控時(shí)段，觸控走線19可以為公共電極161提供相同的公共電壓信號(hào)。在工作時(shí)，各個(gè)公共電極161的電壓信號(hào)通常是相同的，在非開(kāi)口區(qū)4中也形成有公共電極161，可以使相鄰兩個(gè)像素區(qū)域中的公共電極161連接在一起，省掉各個(gè)像素區(qū)域的公共電極161的連接線，簡(jiǎn)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)。

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種沿圖2a中剖面線a-a'的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；參考圖7，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選地，當(dāng)沿遠(yuǎn)離襯底11的方向，電極膜層結(jié)構(gòu)依次包括公共電極161、第一鈍化層162和像素電極163時(shí)，顯示開(kāi)口區(qū)3中的平坦化層15和公共電極161之間還包括有與第二鈍化層18同層形成且材質(zhì)相同的功能膜層。結(jié)合圖5b，在非開(kāi)口區(qū)4中的平坦化層15上還包括有依次排列的觸控走線19、第二鈍化層18。在本實(shí)施例中通過(guò)在顯示開(kāi)口區(qū)3中的平坦化層15和公共電極161之間形成第二鈍化層18，為陣列基板的設(shè)計(jì)提供了更多的可能性。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選地，襯底11、緩沖層12、柵極絕緣層13和第一層間絕緣層14的材質(zhì)包括氧化硅；平坦化層15的材質(zhì)包括有機(jī)材料；第一鈍化層162的材質(zhì)包括氮化硅；公共電極161和像素電極163的材質(zhì)包括氧化銦錫。氧化硅以及有機(jī)材料的折射率大約為1.5，氮化硅以及氧化銦錫的折射率大約為1.9，沿遠(yuǎn)離襯底11出光側(cè)的方向，各功能的膜層呈現(xiàn)出增大的趨勢(shì)，因此可以提升背光光線的透過(guò)率，進(jìn)而可間接降低背光模組的驅(qū)動(dòng)電壓或背光模組的驅(qū)動(dòng)電流，降低功耗。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選地，第二層間絕緣層17的材質(zhì)包括氮化硅。在相關(guān)技術(shù)中，第一層間絕緣層的成分通常為氮化硅，第二層間絕緣層的成分為氧化硅。由于氮化硅的折射率較大(1.9左右)，在本實(shí)施例中，第一層間絕緣層14的成分包括氧化硅，第二層間絕緣層17的成分包括氮化硅，使得第一層間絕緣層14可以與其下方的功能膜層的成分的折射率相同或者相近，利于優(yōu)化陣列基板的各膜層的折射率分布。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選地，襯底11、緩沖層12、柵極絕緣層13、第一層間絕緣層14和平坦化層15的折射率均小于等于1.5；公共電極161、第一鈍化層162和像素電極163的折射率均大于等于1.8。在本實(shí)施例中，沿遠(yuǎn)離襯底11出光側(cè)的方向，各功能的膜層呈現(xiàn)出增大的趨勢(shì)，因此可以提升背光光線的透過(guò)率，進(jìn)而可間接降低背光模組的驅(qū)動(dòng)電壓或背光模組的驅(qū)動(dòng)電流，降低功耗。

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光線的入射光路的示意圖，參考圖8，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選地，沿遠(yuǎn)離襯底11出光側(cè)表面的方向，多層功能膜層中任意層疊的三層功能膜層，依次為第一功能膜層31、第二功能膜層32和第三功能膜層33；其中，第一功能膜層31的折射率為n1，第二功能膜層32的折射率為n2，第三功能膜層33的折射率為n3；第一功能膜層31、第二功能膜層32和第三功能膜層33的折射率滿足第一公式：同時(shí)，第二功能膜層32的厚度h2滿足第二公式：其中，λ為入射光的波長(zhǎng)，m為自然數(shù)。圖8中，入射光線40穿過(guò)第三功能膜層33后的透射光束至少包括透射光束41、透射光束42和透射光束43，透射光束42相比透射光束41多經(jīng)歷b、c點(diǎn)的兩次反射及bcd一段光程。當(dāng)?shù)诙δ苣?2的厚度h2滿足第二公式時(shí)，bcd的光程為λ/2的(2m+1)倍，透射光束42相比透射光束41的相移差為π的(2m+1)倍。另外由于c點(diǎn)反射時(shí)無(wú)半波波損(第二功能膜層32的折射率為n2大于第一功能膜層31的折射率為n1)，b點(diǎn)反射時(shí)則有半波損(第二功能膜層32的折射率為n2小于第三功能膜層33的折射率)，則會(huì)產(chǎn)生附加相移π。因此，透射光束42相對(duì)透射光束41總的相移量為(2m+2)π。透射光束42與透射光束41同相，故此時(shí)透射光束42與透射光束41相長(zhǎng)而使透射光整體加強(qiáng)；同理，透射光束43與透射光束42也是相長(zhǎng)的，實(shí)際上透射光速43是經(jīng)過(guò)多次反射后透射出的光束，其光線強(qiáng)度相對(duì)透射光束42來(lái)說(shuō)比較弱，所以帶來(lái)的影響相對(duì)較小。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選地，陣列基板還包括觸控結(jié)構(gòu)，觸控結(jié)構(gòu)包括至少一層觸控電極層?？梢栽陉嚵谢逯刑砑右粚有碌牟牧闲纬捎|控電極層；也可以利用陣列基板中已有的膜層，例如公共電極層，來(lái)做為觸控電極層。其中，利用已有的膜層可以簡(jiǎn)化顯示面板(包括陣列基板和彩膜基板等)的整體結(jié)構(gòu)，降低顯示面板的厚度。本實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括上述任一陣列基板。

本實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖9，顯示裝置包括顯示面板300，顯示面板300為上述任一顯示面板，其中，顯示裝置可以為如圖9中所示的手機(jī)，也可以為電腦、電視機(jī)、智能穿戴顯示裝置等，本實(shí)施例對(duì)此不作特殊限定。

注意，上述僅為本發(fā)明實(shí)施例的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明實(shí)施例不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整、相互結(jié)合和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明實(shí)施例不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明實(shí)施例構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明實(shí)施例的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。