本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)具有機(jī)身薄、省電、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用。如：液晶電視、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領(lǐng)域中占主導(dǎo)地位。

通常液晶顯示裝置包括殼體、設(shè)于殼體內(nèi)的液晶面板及設(shè)于殼體內(nèi)的背光模組(backlightmodule)。其中，液晶面板的結(jié)構(gòu)主要是由一陣列基板(thinfilmtransistorarraysubstrate，tftarraysubstrate)、一彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate)、以及配置于兩基板間的液晶層(liquidcrystallayer)所構(gòu)成，其工作原理是通過(guò)在兩片向tft基板的像素電極和cf基板的公共電極上施加驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光線折射出來(lái)產(chǎn)生畫(huà)面。

如圖1所示，現(xiàn)有的陣列基板包括：多條水平的掃描線100、多條豎直的數(shù)據(jù)線200、以及陣列排布的多個(gè)子像素300，每個(gè)子像素300內(nèi)均設(shè)置有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、以及與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏極電性連接的像素電極p，同一行的各個(gè)子像素300中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵極均電性連接同一條掃描線100，位于同一列的相鄰兩行的兩子像素300中的兩驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源極分別電性連接位于該列子像素300兩側(cè)的兩數(shù)據(jù)線200，當(dāng)掃描線100被驅(qū)動(dòng)時(shí)，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1處于導(dǎo)通狀態(tài)，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線200送入灰階電壓信號(hào)并將其加載至像素電極p，從而使得像素電極p與公共電極之間產(chǎn)生相應(yīng)的電場(chǎng)，液晶層中的液晶分子則在電場(chǎng)的作用下發(fā)生取向變化，以實(shí)現(xiàn)不同的圖像顯示。

進(jìn)一步地，在圖1所示的陣列基板中數(shù)據(jù)線200采用了左右子像素交替驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)，這種像素結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于可以通過(guò)列反轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)效果，降低像素反轉(zhuǎn)頻率實(shí)現(xiàn)低功耗，同時(shí)可以通過(guò)預(yù)充電提升充電效率，如圖2所示，該陣列基板驅(qū)動(dòng)時(shí)，首先第一行掃描線100的掃描信號(hào)g1輸出第一行掃描線100開(kāi)始掃描，隨后在第一行掃描線100的掃描信號(hào)g1輸出的后半時(shí)間，數(shù)據(jù)信號(hào)data輸出同時(shí)第二行掃描線100的掃描信號(hào)g2輸出為第二行子像素300進(jìn)行預(yù)充電，接著在第二行掃描線100的掃描信號(hào)g2輸出的后半時(shí)間，數(shù)據(jù)信號(hào)data再次輸出同時(shí)第三行掃描線100的掃描信號(hào)g3輸出為第三行子像素300進(jìn)行預(yù)充電，依次類(lèi)推直至完全整塊面板的掃描，然而上述掃描過(guò)程中第一行子像素300沒(méi)有預(yù)充電過(guò)程，當(dāng)畫(huà)面刷新頻率過(guò)高時(shí)第一行子像素300的充電率會(huì)偏低，進(jìn)而影響畫(huà)面顯示質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫(huà)面顯示質(zhì)量。

本發(fā)明的目的還在于提供一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫(huà)面顯示質(zhì)量。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括：多條平行間隔排列的掃描線、多條平行間隔排列且與所述掃描線垂直的數(shù)據(jù)線、陣列排布的多個(gè)子像素、多個(gè)虛擬子像素、一預(yù)充電線、以及一電極連接線；

對(duì)應(yīng)每一條掃描線設(shè)置一行子像素，相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間設(shè)置一列子像素；每個(gè)子像素均包括：驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、以及與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極電性連接的像素電極，位于同一行子像素中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極均與該行子像素對(duì)應(yīng)的掃描線電性連接，位于奇數(shù)行的子像素中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極分別與位于各個(gè)子像素一側(cè)的數(shù)據(jù)線電性連接，位于偶數(shù)行的子像素中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極分別與位于各個(gè)子像素的另一側(cè)的數(shù)據(jù)線電性連接；

所述虛擬子像素的數(shù)量與所述數(shù)據(jù)線的數(shù)量相等并在第一行子像素之前排成一行，所述預(yù)充電線和電極連接線分別與該行虛擬子像素相對(duì)應(yīng)，所述電極連接線與彩膜基板公共電極電性連接，每個(gè)虛擬子像素均包括一共享薄膜晶體管，所述共享薄膜晶體管的柵極電性連接預(yù)充電線，源極電性連接該虛擬子像素對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線，漏極電性連接電極連接線。

所述多個(gè)子像素包括：依次重復(fù)排列的紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素。

所述像素電極均為米字型的圖案電極。

掃描時(shí)，所述預(yù)充電線先掃描，然后所述多條掃描線再按照從第一條往最后一條的順序依次掃描。

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和共享薄膜晶體管為氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

本發(fā)明還提供一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一陣列基板，包括：多條平行間隔排列的掃描線、多條平行間隔排列且與所述掃描線垂直的數(shù)據(jù)線、陣列排布的多個(gè)子像素、多個(gè)虛擬子像素、一預(yù)充電線、以及一電極連接線；

對(duì)應(yīng)每一條掃描線設(shè)置一行子像素，相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間設(shè)置一列子像素；每個(gè)子像素均包括：驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、以及與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極電性連接的像素電極，位于同一行子像素中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極均與該行子像素對(duì)應(yīng)的掃描線電性連接，位于奇數(shù)行的子像素中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極分別與位于各個(gè)子像素一側(cè)的數(shù)據(jù)線電性連接，位于偶數(shù)行的子像素中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極分別與位于各個(gè)子像素的另一側(cè)的數(shù)據(jù)線電性連接；

所述虛擬子像素的數(shù)量與所述數(shù)據(jù)線的數(shù)量相等并在第一行子像素之前排成一行，所述預(yù)充電線和電極連接線分別與該行虛擬子像素相對(duì)應(yīng)，所述電極連接線與彩膜基板公共電極電性連接，每個(gè)虛擬子像素均包括一共享薄膜晶體管，所述共享薄膜晶體管的柵極電性連接預(yù)充電線，源極電性連接該虛擬子像素對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線，漏極電性連接電極連接線；

步驟2、從第一行子像素往最后一行子像素依次進(jìn)行掃描；

設(shè)n為大于1的正整數(shù)，第n行子像素的掃描過(guò)程包括：所述第n-1條掃描線先輸出第n-1掃描信號(hào)，所述第n-1行子像素中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管均打開(kāi)，隨后所述第n-1條掃描線繼續(xù)輸出第n-1掃描信號(hào)，第n條掃描線開(kāi)始輸出第n掃描信號(hào)，第n行子像素中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管均打開(kāi)，對(duì)所述第n行子像素進(jìn)行預(yù)充電，最后所述第n-1條掃描線停止輸出第n-1掃描信號(hào)，所述第n掃描線繼續(xù)輸出第n掃描信號(hào)，所述數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)；

所述第一行子像素的掃描過(guò)程包括：所述預(yù)充電線先輸出預(yù)充電信號(hào)，所述各個(gè)共享薄膜晶體管打開(kāi)，隨后所述預(yù)充電線繼續(xù)輸出預(yù)充電掃描信號(hào)，第一條掃描線輸出第一掃描信號(hào)，第一行子像素中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管打開(kāi)，對(duì)所述第一行子像素進(jìn)行預(yù)充電，最后所述預(yù)充電線停止輸出預(yù)充電信號(hào)，所述第一掃描線繼續(xù)輸出第一掃描信號(hào)，所述數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)。

所述多個(gè)子像素包括：依次重復(fù)排列的紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素。

所述像素電極均為米字型的圖案電極。

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和共享薄膜晶體管為氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供一種陣列基板，該陣列基板通過(guò)在第一行子像素之前增設(shè)一行虛擬子像素，并對(duì)應(yīng)該行虛擬子像素設(shè)置一條預(yù)充電線和一條電極連接線，每一個(gè)虛擬子像素均包括一共享薄膜晶體管，所述共享薄膜晶體管的柵極電性連接預(yù)充電線，源極電性連接數(shù)據(jù)線，漏極通過(guò)電極連接線電性連接彩膜基板公共電極，在所述陣列基板掃描時(shí)，首先進(jìn)行預(yù)充電線的掃描，然后使得預(yù)充電線和第一條掃描線同時(shí)掃描，對(duì)第一行子像素進(jìn)行預(yù)充電，最后第一條掃描線單獨(dú)掃描，同時(shí)數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫(huà)面顯示質(zhì)量。本發(fā)明還提供一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫(huà)面顯示質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)圖；

圖2為現(xiàn)有的陣列基板的時(shí)序圖；

圖3為本發(fā)明的陣列基板的結(jié)構(gòu)圖；

圖4為本發(fā)明的陣列基板的時(shí)序圖；

圖5為本發(fā)明的陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：多條平行間隔排列的掃描線10、多條平行間隔排列且與所述掃描線10垂直的數(shù)據(jù)線20、陣列排布的多個(gè)子像素30、多個(gè)虛擬子像素31、一預(yù)充電線40、以及一電極連接線50；

對(duì)應(yīng)每一條掃描線10設(shè)置一行子像素30，相鄰兩條數(shù)據(jù)線20之間設(shè)置一列子像素30；每個(gè)子像素30均包括：驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10、以及與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10的漏極電性連接的像素電極p10，位于同一行子像素30中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10的柵極均與該行子像素30對(duì)應(yīng)的掃描線10電性連接，位于奇數(shù)行的子像素30中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10的源極分別與位于各個(gè)子像素30一側(cè)的數(shù)據(jù)線20電性連接，位于偶數(shù)行的子像素30中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10的源極分別與位于各個(gè)子像素30的另一側(cè)的數(shù)據(jù)線20電性連接；

所述虛擬子像素31的數(shù)量與所述數(shù)據(jù)線20的數(shù)量相等且一一對(duì)應(yīng)，該些虛擬子像素31在第一行子像素30之前排成一行，所述預(yù)充電線40和電極連接線50分別與該行虛擬子像素31相對(duì)應(yīng)，所述電極連接線50與彩膜基板公共電極(cf--com)電性連接，每個(gè)虛擬子像素31均包括一共享薄膜晶體管t20，所述共享薄膜晶體管t20的柵極電性連接預(yù)充電線40，源極電性連接該虛擬子像素31對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線20，漏極電性連接電極連接線50。

優(yōu)選地，所述多個(gè)子像素30可包括：依次重復(fù)排列的紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素，當(dāng)然根據(jù)需要所述多個(gè)子像素還可以包括白色子像素和黃色子像素等其他顏色的子像素，這并不會(huì)影響本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)。

優(yōu)選地，所述像素電極p10均為米字型的圖案電極，所述米字型的圖案電極包括向不同方向延伸的多個(gè)分支電極，通過(guò)分支電極使得液晶向不同方向偏轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)多疇顯示。當(dāng)然所述像素電極p10也可以為普通的平面電極，這并不會(huì)影響本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10和共享薄膜晶體管t20可以為氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管等各種類(lèi)型的薄膜晶體管。

具體地，請(qǐng)參閱圖4，所述陣列基板掃描時(shí)，所述預(yù)充電線40先掃描，然后所述多條掃描線10再按照從第一條往最后一條的順序依次掃描，詳細(xì)工作過(guò)程為：所述預(yù)充電線40先輸出預(yù)充電信號(hào)g0，所述各個(gè)共享薄膜晶體管t20打開(kāi)，隨后所述預(yù)充電線40繼續(xù)輸出預(yù)充電掃描信號(hào)g0，第一條掃描線10輸出第一掃描信號(hào)g1，第一行子像素30中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10打開(kāi)，對(duì)所述第一行子像素30進(jìn)行預(yù)充電，最后所述預(yù)充電線40停止輸出預(yù)充電信號(hào)g0，所述第一條掃描線10繼續(xù)輸出第一掃描信號(hào)g1，所述數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號(hào)data，同時(shí)所述第二條掃描線10輸出第二掃描信號(hào)g2，第二行子像素30中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10打開(kāi)，對(duì)所述第二行子像素30進(jìn)行預(yù)充電，接著所述第一條掃描線10停止輸出第一掃描信號(hào)g1，所述第二條掃描線10繼續(xù)輸出第二掃描信號(hào)g2，數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號(hào)data，同時(shí)所述第三條掃描線10輸出第三掃描信號(hào)g3，對(duì)所述第三行子像素30進(jìn)行預(yù)充電，接著所述第二條掃描線10停止輸出第二掃描信號(hào)g2，所述第三條掃描線10繼續(xù)輸出第三掃描信號(hào)g3，數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號(hào)data，依次類(lèi)推直至最后一行子像素30。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過(guò)在第一行子像素30之前增設(shè)一行虛擬子像素31，在所述陣列基板掃描時(shí)，首先進(jìn)行預(yù)充電線40的掃描，然后使得預(yù)充電線40和第一條掃描線10同時(shí)掃描，對(duì)第一行子像素30進(jìn)行預(yù)充電，最后第一條掃描線10單獨(dú)掃描，同時(shí)數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號(hào)data，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫(huà)面顯示質(zhì)量。

請(qǐng)參閱圖5，一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一陣列基板，具體結(jié)構(gòu)如上述，此處不再贅述。

步驟2、從第一行子像素30往最后一行子像素30依次進(jìn)行掃描；

設(shè)n為大于1的正整數(shù)，第n行子像素30的掃描過(guò)程包括：所述第n-1條掃描線10先輸出第n-1掃描信號(hào)gn-1，所述第n-1行子像素30中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10均打開(kāi)，隨后所述第n-1條掃描線10繼續(xù)輸出第n-1掃描信號(hào)gn-1，第n掃描線10開(kāi)始輸出第n掃描信號(hào)gn，第n行子像素30中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10均打開(kāi)，對(duì)所述第n行子像素30進(jìn)行預(yù)充電，最后所述第n-1條掃描線10停止輸出第n-1掃描信號(hào)gn-1，所述第n掃描線10繼續(xù)輸出第n掃描信號(hào)gn，所述數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號(hào)data；

所述第一行子像素30的掃描過(guò)程包括：所述預(yù)充電線40先輸出預(yù)充電信號(hào)g0，所述各個(gè)共享薄膜晶體管t20打開(kāi)，隨后所述預(yù)充電線40繼續(xù)輸出預(yù)充電掃描信號(hào)g0，第一條掃描線10輸出第一掃描信號(hào)g1，第一行子像素30中的各個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10打開(kāi)，對(duì)所述第一行子像素30進(jìn)行預(yù)充電，最后所述預(yù)充電線40停止輸出預(yù)充電信號(hào)g0，所述第一掃描線10繼續(xù)輸出第一掃描信號(hào)g1，所述數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號(hào)data。

優(yōu)選地，所述多個(gè)子像素30可包括：依次重復(fù)排列的紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素，當(dāng)然根據(jù)需要所述多個(gè)子像素還可以包括白色子像素和黃色子像素等其他顏色的子像素，這并不會(huì)影響本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)。

優(yōu)選地，所述像素電極p10均為米字型的圖案電極，所述米字型的圖案電極包括向不同方向延伸的多個(gè)分支電極，通過(guò)分支電極使得液晶向不同方向偏轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)多疇顯示。當(dāng)然所述像素電極p10也可以為普通的平面電極，這并不會(huì)影響本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t10和共享薄膜晶體管t20可以為氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管等各種類(lèi)型的薄膜晶體管。

具體地，相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過(guò)在第一行子像素30之前增設(shè)一行虛擬子像素31，在所述陣列基板掃描時(shí)，首先進(jìn)行預(yù)充電線40的掃描，然后使得預(yù)充電線40和第一條掃描線10同時(shí)掃描，對(duì)第一行子像素30進(jìn)行預(yù)充電，最后第一條掃描線10單獨(dú)掃描，同時(shí)數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號(hào)data，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫(huà)面顯示質(zhì)量。

綜上所述，本發(fā)明提供一種陣列基板，該陣列基板通過(guò)在第一行子像素之前增設(shè)一行虛擬子像素，并對(duì)應(yīng)該行虛擬子像素設(shè)置一條預(yù)充電線和一條電極連接線，每一個(gè)虛擬子像素均包括一共享薄膜晶體管，所述共享薄膜晶體管的柵極電性連接預(yù)充電線，源極電性連接數(shù)據(jù)線，漏極通過(guò)電極連接線電性連接彩膜基板公共電極，在所述陣列基板掃描時(shí)，首先進(jìn)行預(yù)充電線的掃描，然后使得預(yù)充電線和第一條掃描線同時(shí)掃描，對(duì)第一行子像素進(jìn)行預(yù)充電，最后第一條掃描線單獨(dú)掃描，同時(shí)數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫(huà)面顯示質(zhì)量。本發(fā)明還提供一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫(huà)面顯示質(zhì)量。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。