本發(fā)明涉及剝除包層光技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及用于剝除包層光的側(cè)耦合光纖及其制備方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的包層光剝除的方法大致分為三類，一類是在內(nèi)包層周?chē)恳粚痈哒凵渎誓z，一類是在內(nèi)包層表面鍍上石墨烯，金屬，藍(lán)寶石等高導(dǎo)熱性質(zhì)的膜(或基質(zhì))，第三類是對(duì)內(nèi)包層石英表面通過(guò)某種技術(shù)手段人為引入缺陷，例如通過(guò)酸腐蝕讓表面凹凸不平。前兩類都是在內(nèi)包層周?chē)敫哒凵渎式橘|(zhì)，使得全反射發(fā)生的折射率條件不再滿足，最后一類是將表面變得粗糙，使得全反射發(fā)生的入射角條件不滿足。常見(jiàn)的包層光剝除的方法基本都是通過(guò)破壞全反射發(fā)生條件來(lái)完成的。
常見(jiàn)的包層光剝除的方法大多都存在包層光功率剝除沿軸向不均勻的問(wèn)題，這就使得靠近剝除起點(diǎn)的地方溫度會(huì)很高，也會(huì)大大限制剝除功率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)缺陷之一，提供一種用于剝除高功率包層光的側(cè)耦合光纖，包括無(wú)源光纖、無(wú)芯光纖及低折射率涂覆層，所述無(wú)源光纖、無(wú)芯光纖兩端分離、中間并行設(shè)置，所述低折射率涂覆層涂覆于所述無(wú)源光纖、無(wú)芯光纖的并行部分的外部，所述無(wú)芯光纖中摻有背景損耗雜質(zhì)。通過(guò)在無(wú)芯光纖中摻入雜質(zhì)來(lái)引入損耗。由于光纖耦合作用，無(wú)源光纖中的包層光會(huì)慢慢耦合到無(wú)芯光纖中去，因此損耗變成的熱不會(huì)在短距離內(nèi)產(chǎn)生積累，而是均勻的分布在光纖軸向上。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案：
一種用于剝除高功率包層光的側(cè)耦合光纖，包括無(wú)源光纖、無(wú)芯光纖及低折射率涂覆層，所述無(wú)源光纖、無(wú)芯光纖兩端分離、中間并行設(shè)置，所述低折射率涂覆層涂覆于所述無(wú)源光纖、無(wú)芯光纖的并行部分的外部，所述無(wú)芯光纖中摻有背景損耗雜質(zhì)。
作為上述方案的優(yōu)選，所述背景損耗雜質(zhì)為鐵、鋁、鎂、鈣或堿金屬中的一種或多種。
作為上述方案的優(yōu)選，所述背景損耗雜質(zhì)還包括磷或氟。
本發(fā)明還提供一種用于剝除高功率包層光的側(cè)耦合光纖的制備方法，具體步驟如下：
(1)制備摻入背景損耗雜質(zhì)的無(wú)芯光纖預(yù)制棒，具體為：在套管內(nèi)通過(guò)mcvd氣相沉積法將背景損耗雜質(zhì)摻入到套管的管內(nèi)生成摻雜的二氧化硅，然后對(duì)套管的外壁進(jìn)行腐蝕，形成無(wú)芯光纖預(yù)制棒；
(2)將常規(guī)的有芯光纖預(yù)制棒和所述無(wú)芯光纖預(yù)制棒拉絲后分別形成無(wú)源光纖與無(wú)芯光纖，然后將所述無(wú)源光纖與無(wú)芯光纖并排設(shè)置后在外層涂覆低折射率涂覆材料制成側(cè)耦合光纖前體；
(3)將所述側(cè)耦合光纖前體的兩端進(jìn)行剝離使得其兩端的無(wú)源光纖與無(wú)芯光纖的端頭均分開(kāi)，然后再對(duì)所述無(wú)源光纖與無(wú)芯光纖的兩端重新涂覆低折射率涂覆材料制成側(cè)耦合光纖。
作為上述方案的優(yōu)選，所述步驟(2)中將所述有芯光纖預(yù)制棒和無(wú)芯光纖預(yù)制棒并排設(shè)置進(jìn)行拉絲及涂覆。
作為上述方案的優(yōu)選，所述步驟(1)中通過(guò)改變所述背景損耗雜質(zhì)的濃度來(lái)改變所述無(wú)芯光纖的損耗以制備不同剝除長(zhǎng)度的側(cè)耦合光纖
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明提供一種用于剝除高功率包層光的側(cè)耦合光纖的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明的附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
如圖1所示，本發(fā)明提供一種用于剝除高功率包層光的側(cè)耦合光纖，包括無(wú)源光纖1、無(wú)芯光纖2及低折射率涂覆層3，所述無(wú)源光纖、無(wú)芯光纖兩端分離、中間并行設(shè)置，所述低折射率涂覆層設(shè)置于所述無(wú)源光纖、無(wú)芯光纖的并行設(shè)置部分的外部，所述無(wú)芯光纖中摻有背景損耗雜質(zhì)4。
本發(fā)明提供的一種用于剝除高功率包層光的側(cè)耦合光纖，通過(guò)在無(wú)芯光纖中摻入雜質(zhì)來(lái)引入損耗。由于無(wú)源光纖、無(wú)芯光纖緊密接觸地并行設(shè)置，通過(guò)光纖耦合作用，無(wú)源光纖中的包層光會(huì)慢慢耦合到無(wú)芯光纖中去，因此損耗變成的熱不會(huì)在短距離內(nèi)產(chǎn)生積累，而是均勻的分布在光纖軸向上。
進(jìn)一步地，所述背景損耗雜質(zhì)4為鐵、鋁、鎂、鈣或堿金屬中的一種或多種。
進(jìn)一步地，所述背景損耗雜質(zhì)還包括磷或氟。當(dāng)所摻入的背景損耗雜質(zhì)對(duì)折射率影響較大時(shí)，可通過(guò)共摻磷或氟來(lái)使其折射率改變不大。
本發(fā)明還提供一種用于剝除高功率包層光的側(cè)耦合光纖的制備方法，具體步驟如下：
(1)制備摻入背景損耗雜質(zhì)的無(wú)芯光纖預(yù)制棒，具體為：在套管內(nèi)通過(guò)mcvd氣相沉積法將背景損耗雜質(zhì)摻入到套管的管內(nèi)生成摻雜的二氧化硅，然后對(duì)套管的外壁進(jìn)行腐蝕，形成無(wú)芯光纖預(yù)制棒，所述背景損耗雜質(zhì)為鐵、鋁、鎂、鈣或堿金屬中的一種或多種；
(2)將常規(guī)的有芯光纖預(yù)制棒和所述無(wú)芯光纖預(yù)制棒拉絲后分別形成無(wú)源光纖與無(wú)芯光纖，然后將所述無(wú)源光纖與無(wú)芯光纖并排設(shè)置后在外層涂覆低折射率涂覆材料制成側(cè)耦合光纖前體；
(3)將所述側(cè)耦合光纖前體的兩端進(jìn)行剝離使得其兩端的無(wú)源光纖與無(wú)芯光纖的端頭均分開(kāi)，然后再對(duì)所述無(wú)源光纖與無(wú)芯光纖的兩端重新涂覆低折射率涂覆材料制成側(cè)耦合光纖。
進(jìn)一步地，所述背景損耗雜質(zhì)還包括磷或氟。當(dāng)所摻入的背景損耗雜質(zhì)對(duì)折射率影響較大時(shí)，可通過(guò)共摻磷或氟來(lái)使其折射率改變不大。
上述方法簡(jiǎn)單、易操作，且采用其制備的側(cè)耦合光纖，通過(guò)在無(wú)芯光纖中摻入雜質(zhì)來(lái)引入損耗，由于無(wú)源光纖、無(wú)芯光纖緊密接觸地并行設(shè)置，通過(guò)光纖耦合作用，無(wú)源光纖中的包層光會(huì)慢慢耦合到無(wú)芯光纖中去，因此損耗變成的熱不會(huì)在短距離內(nèi)產(chǎn)生積累，而是均勻的分布在光纖軸向上。
進(jìn)一步地，所述步驟(2)中將所述有芯光纖預(yù)制棒和無(wú)芯光纖預(yù)制棒并排設(shè)置進(jìn)行拉絲及涂覆?？商岣邆?cè)耦合光纖前體的制備速度。
進(jìn)一步地，所述步驟(1)中通過(guò)改變所述背景損耗雜質(zhì)的濃度來(lái)改變所述無(wú)芯光纖的損耗以制備不同剝除長(zhǎng)度的側(cè)耦合光纖。使得無(wú)芯光纖的損耗可調(diào)。
以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。