本發(fā)明涉及一種制造方式，特別是涉及一種陣列基板及其制造方法與應用的顯示面板。

背景技術：

隨著科技進步，具有省電、無幅射、體積小、低耗電量、平面直角、高分辨率、畫質(zhì)穩(wěn)定等多項優(yōu)勢的液晶顯示器，尤其是現(xiàn)今各式信息產(chǎn)品如：手機、筆記本電腦、數(shù)字相機、pda、液晶屏幕等產(chǎn)品越來越普及，亦使得液晶顯示器(lcd)的需求量大大提升。而液晶顯示面板的通常是由一彩膜基板(colorfilter，cf)、一薄膜晶體管陣列基板(thinfilmtransistorarraysubstrate，tftarraysubstrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(liquidcrystallayer，lcd)所構(gòu)成，其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模塊的光線折射出來產(chǎn)生畫面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市場上的液晶顯示面板可以分為以下幾種類型：垂直配向(verticalalignment，va)型、扭曲向列(twistednematic，tn)或超扭曲向列(supertwistednematic，stn)型、平面轉(zhuǎn)換(in-planeswitching，ips)型及邊緣場開關(fringefieldswitching，ffs)型。因此如何滿足日益要求高分辨率的畫素設計，且具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，tft-lcd)已逐漸成為市場的主流。其中，陣列基板為組立液晶顯示器的重要構(gòu)件之一。

而陣列基板有分為具有紅綠藍光阻層在對向基板中(rgboncf)、在平面轉(zhuǎn)換型的顯示面板中具有紅綠藍光阻層在陣列基板(rgbonarray/in-planeswitching，ipsmode)及在垂直配向型的顯示面板中具有紅綠藍光阻層在陣列基板(rgbonarray/verticalalignment，vamode)。如此一來，如何提高分辨率的畫素設計，其中有關陣列基板的畫素結(jié)構(gòu)設計將扮演一個關鍵設計。而邊緣場開關(fringefieldswitching，ffs)型是利用邊緣電場力去推動液晶，具有高液晶效率以及廣視角的優(yōu)勢。一般設計會有兩層銦錫氧化物電極，且中間夾著一層厚約0.6um的保護層。在大畫素的設計中，陣列的膜穿透率并無顯著的影響。但在高分辨率或畫素小于100um的設計上，提高透光區(qū)的膜層穿透率也是一項非常有用的因素。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述技術問題，本發(fā)明的目的在于，提供一種陣列基板及其制造方法與應用的顯示面板，不僅可以提升液晶效率，還可以提高畫素穿透率，以提高面板顯示品質(zhì)。

本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種陣列基板，包括：一第一基底；一第一導電層，形成于所述第一基底上；一導電覆蓋層，形成于所述第一基底上，覆蓋所述第一導電層；一第二導電層，形成于所述導電覆蓋層上；一第一鈍化層，形成于所述導電覆蓋層上，覆蓋所述第二導電層，所述第一鈍化層形成一凹部；一共同電極，形成于所述第一鈍化層上，其中，部分所述共同電極形成于所述凹部內(nèi)部；一第二鈍化層，形成于所述共同電極上；一畫素電極，形成于所述第二鈍化層上，且位于所述凹部內(nèi)部。

本發(fā)明的另一目的一種陣列基板的制造方法，包括：提供一第一基底；將第一導電層形成于所述第一基底上；將一導電覆蓋層形成于所述第一基底上，并覆蓋所述第一導電層；將第二導電層形成于所述導電覆蓋層上；將一第一鈍化層形成于所述導電覆蓋層上，覆蓋所述第二導電層，所述第一鈍化層形成一凹部；將一共同電極形成于所述第一鈍化層上，其中，部分所述共同電極形成于所述凹部內(nèi)部；將一第二鈍化層形成于所述共同電極上；以及將一畫素電極形成于所述第二鈍化層上，且位于所述凹部內(nèi)部。

本發(fā)明的又一目的一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。

本發(fā)明解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。

在本發(fā)明的一實施例中，所述共同電極為銦錫氧化物及所述畫素電極為銦錫氧化物。

在本發(fā)明的一實施例中，所述第一鈍化層使用光掩模版及所述第二鈍化層使用光掩模版。

在本發(fā)明的一實施例中，所述陣列基板的橫截面形狀為一凹部形狀或一圓弧形狀。

在本發(fā)明的一實施例中，所述第一鈍化層與該些共同電極相對應的透光區(qū)及所述導電覆蓋層與該些共同電極相對應的透光區(qū)中被移除區(qū)域的邊緣銦錫氧化物電極做電極能力的優(yōu)化工序。

在本發(fā)明的一實施例中，所述制造方法，所述第一及第二鈍化層具有階梯狀的剖面，所述第一及第二鈍化層是通過光阻涂布、曝光、顯影及光罩過程而同時形成，且所述光罩為灰階光罩或半色調(diào)光罩。

在本發(fā)明的一實施例中，所述制造方法，通過光阻涂布、曝光、顯影、光罩及蝕刻過程而同時將第二導電層形成于所述導電覆蓋層上。

在本發(fā)明的一實施例中，所述制造方法，所述第一鈍化層與所述導電覆蓋層使用干刻清除，且在邊緣區(qū)的錐度小于90度。

本發(fā)明通過陣列基板的結(jié)構(gòu)設計，不僅可以提升液晶效率，還可以提高畫素穿透率，以提高面板顯示品質(zhì)。

附圖說明

圖1a是范例性的邊緣場開關畫素示意圖。

圖1b是范例性的邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖2a是具有第一鈍化層與導電覆蓋層移除的邊緣場開關畫素示意圖。

圖2b是依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖3a是顯示依據(jù)本發(fā)明的制造方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖3b是另一顯示依據(jù)本發(fā)明的制造方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖3c是再一顯示依據(jù)本發(fā)明的制造方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖3d是又一顯示依據(jù)本發(fā)明的制造方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖4是依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面分解圖。

圖5是另一依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖6是又一依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖7是再一依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖8是又一再一依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖9是又一再二依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖10是又一再三依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖11是依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

具體實施方式

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。

附圖和說明被認為在本質(zhì)上是示出性的，而不是限制性的。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標號表示。另外，為了理解和便于描述，附圖中示出的每個組件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本發(fā)明不限于此。

在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中，為了理解和便于描述，夸大了一些層和區(qū)域的厚度。將理解的是，當例如層、膜、區(qū)域或基底的組件被稱作“在”另一組件“上”時，所述組件可以直接在所述另一組件上，或者也可以存在中間組件。

另外，在說明書中，除非明確地描述為相反的，否則詞語“包括”將被理解為意指包括所述組件，但是不排除任何其它組件。此外，在說明書中，“在......上”意指位于目標組件上方或者下方，而不意指必須位于基于重力方向的頂部上。

為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的一種陣列基板及其制造方法與應用的顯示面板，其具體實施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。

本發(fā)明的顯示面板可包括薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)基板、彩色濾光層(colorfilter，cf)基板與形成于兩基板之間的液晶層。

在一實施例中，本發(fā)明的顯示面板可為曲面型顯示面板。

在一實施例中，本發(fā)明的薄膜晶體管(tft)及彩色濾光層(cf)可形成于同一基板上。

圖1a為范例性的邊緣場開關畫素示意圖及圖1b為范例性的邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。請參照圖1a及圖1b，一種陣列基板10，包括：一第一基底110；第一導電層112，形成于所述第一基底110上；一導電覆蓋層114，形成于所述第一基底110上，并覆蓋第一導電層112；第二導電層116，形成于所述導電覆蓋層114上，其中第二導電層116與第一導電層112定義出多個畫素區(qū)；一第一鈍化層118，形成于所述導電覆蓋層114上，并覆蓋第二導電層116；多條共同電極120，形成于所述第一鈍化層118上；一第二鈍化層122，形成于該些共同電極120上；以及一畫素電極124，形成于所述第二鈍化層122上。

請參照圖1a，在一實施例中，范例性的邊緣場開關畫素結(jié)構(gòu)100具有兩層銦錫氧化物電極，且中間夾著一層厚約0.6um的保護層105。

圖2a為具有第一鈍化層與導電覆蓋層移除的邊緣場開關畫素示意圖及圖2b為依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。請參照圖2a及圖2b，一種陣列基板11，包括：一第一基底110；一第一導電層112，形成于所述第一基底上110；一導電覆蓋層114，形成于所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112；一第二導電層116，形成于所述導電覆蓋層114上；一第一鈍化層118，形成于所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部；一共同電極120，形成于所述第一鈍化層118上，其中，部分所述共同電極120形成于所述凹部內(nèi)部；一第二鈍化層122，形成于所述共同電極120上；一畫素電極124，形成于所述第二鈍化層122上，且位于所述凹部內(nèi)部。

請參照圖2a，在一實施例中，具有第一鈍化層118與導電覆蓋層114移除區(qū)域102的邊緣場開關畫素結(jié)構(gòu)101。

在一實施例中，所述共同電極120為銦錫氧化物。

在一實施例中，所述畫素電極124為銦錫氧化物。

在一實施例中，所述第一鈍化層118使用光掩模版。

在一實施例中，所述第二鈍化層122使用光掩模版。

在一實施例中，所述第一鈍化層118與該些共同電極120相對應的透光區(qū)及所述導電覆蓋層114與該些共同電極120相對應的透光區(qū)中被移除區(qū)域的邊緣銦錫氧化物電極做電極能力的優(yōu)化工序。

圖3a為顯示依據(jù)本發(fā)明的制造方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖、圖3b為另一顯示依據(jù)本發(fā)明的制造方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖、圖3c為再一顯示依據(jù)本發(fā)明的制造方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖及圖3d為又一顯示依據(jù)本發(fā)明的制造方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。請參照圖3a、圖3b、圖3c及圖3d，一種陣列基板13的制造方法，包括：提供一第一基底110；將第一導電層112形成于所述第一基底110上；將一導電覆蓋層114形成于所述第一基底110上，并覆蓋第一導電層112；將第二導電層116形成于所述導電覆蓋層114上；將一第一鈍化層118形成于所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部；將一共同電極120形成于所述第一鈍化層118上，其中，部分所述共同電極120形成于所述凹部內(nèi)部；將一第二鈍化層122形成于所述共同電極120上；以及將一畫素電極124形成于所述第二鈍化層122上，且位于所述凹部內(nèi)部。

在一實施例中，所述制造方法，所述第一鈍化層118及所述第二鈍化層122具有階梯狀的剖面，所述第一鈍化層118及所述第二鈍化層122是通過光阻涂布、曝光、顯影及光罩過程而同時形成，且所述光罩為灰階光罩或半色調(diào)光罩。

在一實施例中，所述制造方法，通過光阻涂布、曝光、顯影、光罩及蝕刻過程而同時將第二導電層116形成于所述導電覆蓋層114上。

在一實施例中，所述制造方法，所述第一鈍化層118與所述導電覆蓋層114使用干刻清除，且在邊緣區(qū)的錐度小于90度。

請參照圖2b，在本發(fā)明一實施例中，一種顯示面板，包括：一種陣列基板11，包括：一第一基底110；一第一導電層112，形成于所述第一基底上110；一導電覆蓋層114，形成于所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112；一第二導電層116，形成于所述導電覆蓋層114上；一第一鈍化層118，形成于所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部；一共同電極120，形成于所述第一鈍化層118上，其中，部分所述共同電極120形成于所述凹部內(nèi)部；一第二鈍化層122，形成于所述共同電極120上；一畫素電極124，形成于所述第二鈍化層122上，且位于所述凹部內(nèi)部；一彩色濾光層基板(圖未示)，其與所述陣列基板11相對設置；以及一液晶層(圖未示)，形成于所述陣列基板11與所述彩色濾光層基板之間。其中，顯示面板可以為tn、ocb、va型、曲面型液晶顯示面板，但并不限于此。

多灰階光罩，可分為灰階光罩(gray-tonemask)和半色調(diào)光罩(halftonemask)2種。灰階光罩是制作出曝光機分辨率以下的微縫，再藉由此微縫部位遮住一部份的光源，以達成半曝光的效果。另一方面，半色調(diào)光罩是利用「半透過」的膜，來進行半曝光。因為以上兩種方式皆是在1次的曝光過程后即可呈現(xiàn)出「曝光部分」「半曝光部分」及「未曝光部分」的3種的曝光層次，故在顯影后能夠形成2種厚度的光阻(藉由利用這樣的光阻厚度差異、便可以較一般少的片數(shù)下將圖形轉(zhuǎn)寫至面板基板上，并達成面板生產(chǎn)効率的提升)。若為半色調(diào)光罩則光罩成本會略高于一般光罩。

圖4為依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面分解圖。請參照圖4，本發(fā)明一實施例，一種陣列基板11，其中形成凹部步驟中包括：由一導電覆蓋層114，形成于所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112，所述導電覆蓋層114形成一凹部邊緣；一第一鈍化層118，形成于所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部邊緣；一共同電極120，形成于所述第一鈍化層118上，其中，部分所述共同電極120形成一凹部，覆蓋部分所述第一鈍化層118、部分所述導電覆蓋層114及部分所述第一基底110；一第二鈍化層122，形成于所述共同電極120上，部分所述第二鈍化層122形成一凹部；一畫素電極124，形成于所述第二鈍化層122上，且位于所述凹部內(nèi)部上。

圖5為另一依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖、圖6為又一依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖、圖7是再一依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖、圖8是又一再一依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖、圖9是又一再二依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖、圖10是又一再三依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖及圖11為依據(jù)本發(fā)明的方法，應用于邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。請參照圖5，本發(fā)明一實施例，一種陣列基板12，其中形成凹部步驟中包括：由一第一鈍化層118，形成于所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部，所述凹部暴露出所述導電覆蓋層114。

請參照圖6，本發(fā)明一實施例，一種陣列基板14，其中形成凹部步驟中包括：由一導電覆蓋層114，形成于所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112，所述導電覆蓋層114形成一凹部；一第一鈍化層118，形成于所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部邊緣，且暴露出所述導電覆蓋層114及其形成的凹部。

請參照圖7，本發(fā)明一實施例，一種陣列基板15，其中形成凹部步驟中包括：由一導電覆蓋層114，形成于所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112，所述導電覆蓋層114形成一凹部。

請參照圖8，本發(fā)明一實施例，一種陣列基板16，其中形成凹部步驟中包括：由一第一鈍化層118，形成于所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部，所述凹部暴露出所述導電覆蓋層114；一導電覆蓋層114，形成于所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112。

請參照圖9，本發(fā)明一實施例，一種陣列基板17，其中形成凹部步驟中包括：由一第一鈍化層118，形成于所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部；一導電覆蓋層114，形成于所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112。

請參照圖10，本發(fā)明一實施例，一種陣列基板18，其中形成凹部步驟中包括：由一第二鈍化層122，形成于所述共同電極120上，部分所述第二鈍化層122形成一凹部；一第一鈍化層118，形成于所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116；一導電覆蓋層114，形成于所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112。

請參照圖11，本發(fā)明一實施例，一種陣列基板19，其中形成橫截面形狀步驟中包括：由一導電覆蓋層114，形成于所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112，所述導電覆蓋層114形成一邊緣形狀；一第一鈍化層118，形成于所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一邊緣形狀；其中橫截面形狀為一凹部形狀或一圓弧形狀，但并不限于此。

本發(fā)明通過陣列基板的結(jié)構(gòu)設計，不僅可以提升液晶效率，還可以提高畫素穿透率，以提高顯示面板顯示品質(zhì)。

“在一些實施例中”及“在各種實施例中”等用語被重復地使用。所述用語通常不是指相同的實施例；但它亦可以是指相同的實施例?！鞍?、“具有”及“包括”等用詞是同義詞，除非其前后文意顯示出其它意思。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。