本發(fā)明涉及液晶顯示屏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板以及液晶顯示器。

背景技術(shù)：

顯示面板非顯示區(qū)的導(dǎo)電端通常為從顯示區(qū)引出的金屬線與芯片的觸點壓接導(dǎo)電粒子形成。傳統(tǒng)的芯片的觸點通常為凸起結(jié)構(gòu)，壓接金屬線時由于導(dǎo)電粒子中的樹脂的流動，造成導(dǎo)電粒子在觸點與金屬線之間空隙處聚集，而觸點與金屬線壓接縫隙內(nèi)無導(dǎo)電粒子，反而使相鄰的端子導(dǎo)通，造成短路。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種導(dǎo)電粒子不穩(wěn)定導(dǎo)致導(dǎo)電端之間導(dǎo)通而造成短路的陣列基板。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示器。

本發(fā)明所述的陣列基板，包括外圍區(qū)域及設(shè)于所述外圍區(qū)的數(shù)個導(dǎo)電端，所述外圍區(qū)域包括基底、依次層疊設(shè)置于基底的緩沖層、絕緣層及層間電介質(zhì)層，還包括由所述層間點介質(zhì)層延伸至所述基底的凹槽；

每一所述導(dǎo)電端包括第一端子、包括壓接層及設(shè)于壓接層的第二端子的壓接端及數(shù)個導(dǎo)電粒子，所述第一端子包括層疊于所述凹槽的內(nèi)壁表面的連接段及與連接段連接的由所述內(nèi)壁延伸至所述凹槽周緣的層間電介質(zhì)層上的延伸段；所述第二端子截面與所述凹槽截面相同，所述壓接層與所述第一端子延伸段相對，所述第二端子插接于所述凹槽內(nèi)，所述導(dǎo)電粒子均勻封于所述第一端子的連接段與第二端子之間的縫隙，以及壓接層與延伸段之間的縫隙內(nèi)，以實現(xiàn)所述第一端子與第二端子的導(dǎo)通。

其中，所述凹槽的內(nèi)壁部分或者全部為向遠離凹槽內(nèi)部方向傾斜的斜面。

其中，所述凹槽的橫截面為v型，所述第二端子為凸設(shè)于壓接層的凸起。

其中，所述凹槽的橫截面為倒置梯形，所述第二端子為凸設(shè)于壓接層的截面為倒置梯形的凸起。

其中，所述凹槽的橫截面為圓弧形，所述內(nèi)壁為圓弧形凹面，所述第二端子為凸設(shè)于壓接層的截面為圓弧形的凸起。

其中，所述凹槽的內(nèi)壁包括傾斜的槽側(cè)壁和由基底形成的槽底壁，所述連接段層疊于所述槽側(cè)壁及槽底壁上，并且層疊于所述槽側(cè)壁的部分與槽側(cè)壁傾斜角度相同。

其中，所述第一端子為金屬層。

其中，所述壓接端形成于為芯片的觸點。

本發(fā)明所述一種液晶顯示屏，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，還包括所述的陣列基板，所述陣列基板的外圍區(qū)域位于所述非顯示區(qū)內(nèi)。

其中，所述液晶顯示器為柔性oled或者lcd顯示屏。

本發(fā)明所述的陣列基板的位于基底上的第一端子21在縱向上，深度延伸至基底的位置，橫向上，連接段采用斜面設(shè)置，如此增加了整個端子的接觸面積，當(dāng)壓接端壓接后，第二端子與第一端子之間的壓接縫隙面積增大，導(dǎo)電粒子所在縫隙接觸面積增大，限制了導(dǎo)電粒子向壓接端與第一端子空隙流動頻率，增強壓接縫隙內(nèi)導(dǎo)電粒子的均勻性和穩(wěn)定性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例所述陣列基板平面示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例的陣列基板的導(dǎo)電端的包含第一端子的內(nèi)部側(cè)面示意簡圖；

圖3為圖2所示的導(dǎo)電端的內(nèi)部側(cè)面示意簡圖；

圖4為本發(fā)明一實施例的陣列基板的導(dǎo)電端的包含第一端子的內(nèi)部側(cè)面示意簡圖；

圖5為圖4所示的導(dǎo)電端的內(nèi)部側(cè)面示意簡圖；

圖6為圖4所示的第一端子的俯視圖；

圖7為本發(fā)明一實施例的陣列基板的導(dǎo)電端的包含第一端子的內(nèi)部側(cè)面示意簡圖；

圖8為圖7所示的導(dǎo)電端的內(nèi)部側(cè)面示意簡圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本申請所述的圖案化構(gòu)圖工藝包括成膜、顯影、曝光、蝕刻等構(gòu)圖工藝。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括外圍區(qū)域及設(shè)于所述外圍區(qū)的數(shù)個導(dǎo)電端，所述外圍區(qū)域包括基底、依次層疊設(shè)置于基底的緩沖層、絕緣層及層間電介質(zhì)層，還包括由所述層間點介質(zhì)層延伸至所述基底的凹槽；

每一所述導(dǎo)電端包括第一端子、壓接層及設(shè)于壓接層的第二端子及數(shù)個導(dǎo)電粒子，所述第一端子包括層疊于所述凹槽的內(nèi)壁表面的連接段及與連接段連接的由所述內(nèi)壁延伸至所述凹槽周緣的層間電介質(zhì)層上的延伸段；

所述第二端子截面與所述凹槽截面相同，所述壓接層與所述第一端子延伸段相對，所述第二端子插接于所述凹槽內(nèi)，所述導(dǎo)電粒子均勻封于所述第一端子的連接段與第二端子之間的縫隙，以及壓接層與延伸段之間的縫隙內(nèi)，以實現(xiàn)所述第一端子與第二端子的導(dǎo)通。其中，所述凹槽的內(nèi)壁部分或者全部為向遠離凹槽內(nèi)部方向傾斜的斜面。其中，斜面傾斜的角度值越小，所述第一端子的面積越大，這樣有利于第一端子的接觸性能。

具體請參閱圖1與圖2，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板100，包括外圍區(qū)域10及設(shè)于所述外圍區(qū)域10的數(shù)個導(dǎo)電端20。所述外圍區(qū)域10包括基底11、依次層疊設(shè)置于基底11的緩沖層12、絕緣層13及層間電介質(zhì)層14，還包括由所述層間點介質(zhì)層14延伸至所述基底11的凹槽15。其中絕緣層為兩層結(jié)構(gòu)。所述基板11為柔性材質(zhì)制成。所述陣列基板還包括中間功能區(qū)域(圖未示)用于設(shè)置如半導(dǎo)體層、源漏極、電極等。其中所述基底11、依次層疊設(shè)置于基底11的緩沖層12、絕緣層13及層間電介質(zhì)層14均為所述陣列基板中間區(qū)域延伸出來的。

請參閱圖3，本發(fā)明實施例中，所述凹槽15橫截面為v型，所述凹槽15包括兩個相對的槽側(cè)壁151及相對的端側(cè)壁，槽側(cè)壁與端側(cè)壁圍成條狀的槽體，槽側(cè)壁151及相對的端側(cè)壁均向遠離凹槽15內(nèi)部方向傾斜構(gòu)成傾斜面。每一所述導(dǎo)電端20包括第一端子21、壓接端及數(shù)個導(dǎo)電粒子24，壓接端包括壓接層22及設(shè)于壓接層22的第二端子23。所述壓接端為芯片封裝件或者芯片集成件或芯片上的觸點。本實施例中，為芯片30延伸的觸點。所述第一端子21為金屬層，可以是所述陣列基板上的源漏極的通道工序同層形成，也可以是單獨形成。

所述第一端子21包括層疊于所述凹槽15的內(nèi)壁表面的連接段211及與連接段211連接的由所述內(nèi)壁延伸至所述凹槽15周緣的層間電介質(zhì)層14上的延伸段212。所述第一端子21位于凹槽內(nèi)的部分的形狀與凹槽相同，位于層間電介質(zhì)層14上的延伸段212圍繞所述凹槽15設(shè)置。由于槽側(cè)壁151及端側(cè)壁均為傾斜面，相較于豎直面面積大，那么形成于槽側(cè)壁151及端側(cè)壁均的連接段212的面積就增大，這樣就可以增大第一端子21的有效接觸面積。

所述第二端子23截面與所述凹槽15截面相同，所述第二端子23為凸設(shè)于壓接層22的錐形的凸起。壓接端與所述第一端子21壓接時，所述壓接層22與所述第一端子21延伸段212相對，所述第二端子23插接于所述凹槽15內(nèi)，所述導(dǎo)電粒子24均勻封于所述第一端子21的連接段211與第二端子23之間的縫隙，以及壓接層22與延伸段212之間的縫隙內(nèi)，以實現(xiàn)所述第一端子21與第二端子23的導(dǎo)通。

本發(fā)明所述的陣列基板的位于基底11上的第一端子21在縱向上，深度延伸至基底11的位置，橫向上，連接段采用斜面設(shè)置，如此增加了整個端子的接觸面積，當(dāng)壓接端壓接后，壓接層22與第二端子23與第一端子21之間的壓接縫隙面積增大，因此，導(dǎo)電導(dǎo)電粒子24所在縫隙接觸面積增大，深度方向上至少可以容納一個導(dǎo)電粒子，限制了導(dǎo)電粒子向壓接端與第一端子空隙流動頻率，增強壓接縫隙內(nèi)導(dǎo)電粒子的均勻性和穩(wěn)定性，進而提高第一端子21與第二端子23之間的連接穩(wěn)定性。

請采納語文圖4與圖5，本發(fā)明另一實施例中，與上述實施例不同的是，所述凹槽15的橫截面為倒置梯形，包括基底形成的槽底壁152及圍繞底壁152設(shè)置的槽側(cè)壁153，所述槽側(cè)壁153為傾斜面，所述第二端子23為凸設(shè)于壓接層22的截面為倒置梯形的凸起。所述第一端子21的連接段211在制造過程中隨著凹槽的截面形狀而變化，本實施例的連接段211層疊于槽底壁152及槽側(cè)壁153上，并且層疊于所述槽側(cè)壁153的部分與槽側(cè)壁153傾斜角度相同，以保證連接段的最大面積。壓接端的第二端子與所述第一端子21的連接段211的相對并形成壓接縫隙容納導(dǎo)電粒子23，壓接層22與所述延伸段相對形成容納導(dǎo)電粒子23的縫隙。比如圖,6所示，為本實施例第一端子21的俯視圖，其包括a、b、c三個區(qū)域，所述b區(qū)域與c區(qū)域為所述第一端子21的連接段211的俯視圖，所述a區(qū)域為延伸段212的俯視圖，當(dāng)連接段211的傾斜角度值越小，那么b區(qū)域的面積越大，這樣就增加了第一端子21的接觸面積。

請參閱圖7與圖8，本發(fā)明另一實施例中，與上述實施例不同的是，所述凹槽15的橫截面為圓弧形，所述第一端子21的連接段211為圓弧形，所述內(nèi)壁155為圓弧形凹面，所述第二端子23為凸設(shè)于壓接層的截面為圓弧形的凸起。所述壓接端與所述第一端子21壓接時，圓弧形第二端子23與第一端子21的連接段211形成容納導(dǎo)電粒子24的壓接縫隙，壓接層22與所述延伸段相對形成容納導(dǎo)電粒子23的縫隙。

本發(fā)明實施例還提供一種液晶顯示屏，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)及所述的陣列基板，所述陣列基板的外圍區(qū)域位于所述非顯示區(qū)內(nèi)，設(shè)置壓接端的芯片為液晶顯示屏的驅(qū)動芯片。還包括顯示介質(zhì)層以及對向基板。其中，陣列基板與對向基板上設(shè)置有多個顯示元件(圖未示)，所示多個顯示元件用于產(chǎn)生電場驅(qū)動顯示介質(zhì)層進行圖像顯示。本實施例中，顯示介質(zhì)層還以為其他顯示介質(zhì)，例如有機發(fā)光材料(organicelectroluminesencedisplay,oled)為例進行說明。當(dāng)然，可變更地，顯示介質(zhì)層為液晶分子層，也即是本實施中顯示面板以液晶顯示面板(liquidcrystaldisplay,lcd)或者其他顯示材料，并不以此為限。所述第一端子21與壓接端壓接并通過導(dǎo)電粒子導(dǎo)通實現(xiàn)陣列基板與對向基板與芯片的導(dǎo)通。

所述陣列基板的緩沖層12、絕緣層13及層間電介質(zhì)層14，這些結(jié)構(gòu)主要為sio2和sinx制成。通過芯片觸點的壓接，使第一端子21與壓接端的壓接層和第二端子23進行壓合。如果按照常規(guī)設(shè)計該線金屬線在介電層顯示區(qū)引出之后，先換線到柵極層，再通過較小的過孔結(jié)構(gòu)跳回介電層顯。由于柔性oled的基底通常是柔性的聚酰亞胺(pi)，其膨脹率與金屬層(如ti/al/ti)、sio2和sinx不一致，壓接過程的高溫易造成陣列基板的多層結(jié)構(gòu)的開裂如。本發(fā)明所述的導(dǎo)電端的第一端子深度方向直接到基底穿過絕緣層和緩沖層，而且連接段采用斜面設(shè)置，不但可以較小高溫造成的多層開裂現(xiàn)象，而且可以穩(wěn)固導(dǎo)電粒子的穩(wěn)定性。需要說明的是，本發(fā)明的附圖只是示意圖，大小形狀可能存在尺寸差皆為正常。

以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。