本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，尤其是涉及一種陣列基板。

背景技術：

薄膜晶體管-液晶顯示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，tft-lcd)是目前在亮度、對比度、功耗、壽命、體積和重量等綜合性能均表現(xiàn)良好的顯示器件，它的性能優(yōu)良、大規(guī)模生產特性好，自動化程度高，發(fā)展空間廣闊，已經逐漸占據了顯示器領域的主導地位。tft-lcd由薄膜晶體管陣列基板(array基板)、彩色濾光陣列基板(cf基板)和夾在兩基板間的液晶構成。

目前的液晶顯示面板為了滿足低色彩偏移(lowcolorshift)的要求，把子像素(subpixel)電極的電荷通過增加第三個tft開關和深淺孔單元導入陣列公共線(arraycomline)，從而拉低子像素(subpixel)電位，達到子像素(subpixel)與主像素(mainpixel)不同電位而實現(xiàn)低色移目的。但是目前深淺孔單元在制程過程中，第一金屬層與第二金屬層之間的第一絕緣層的錐度角常常存在倒角現(xiàn)象，導致浮置導電層(通常采用銦錫氧化物ito制成)爬坡出現(xiàn)斷裂，從而影響深孔與淺孔之間的電荷傳輸，從而導致在高垂直配向(cellhvacuring)過程中出現(xiàn)配向異常，導致產品報廢。

現(xiàn)有技術公開的一種陣列基板的結構中，如圖2所示，是該陣列基板的深淺孔單元4′的薄膜堆疊層的俯視圖，圖2種a區(qū)域為深孔和淺孔交界位置。圖3為該深淺孔單元的浮置導電層42′的俯視圖，浮置導電層42′覆蓋整個薄膜堆疊層41。圖4是圖2的c-c向剖視圖，該深淺孔單元4上的浮置導電層42′覆蓋整個薄膜堆疊層41，從而在第一絕緣層412的錐度角不佳位置出現(xiàn)浮置導電層42′的斷裂，進而影響深孔和淺孔之間信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性，導致高垂直配向出現(xiàn)異常的風險增高。

技術實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術中所存在的上述技術問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，通過在浮置導電層對應深孔和淺孔交界的位置設置開孔，避免了浮置導電層在該深孔和淺孔位置出現(xiàn)斷裂，并通過在浮置電極層對應所述深孔和淺孔交界的位置兩側設置加寬的凸出部，保證了深孔和淺孔之間電荷傳輸?shù)乃俾?，彌補了設置開孔造成的電荷傳輸速率降低的缺陷。保證了信號傳輸?shù)姆€(wěn)定，降低了高垂直配向過程中出現(xiàn)的配向異常。

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：

基板；

位于所述基板上的多個像素單元，每一像素單元包括主像素電極、子像素電極和用于拉低所述子像素電極電位的深淺孔單元；

其中，所述深淺孔單元包括具有深孔和淺孔的薄膜堆疊層和位于所述薄膜堆疊層上的浮置導電層，所述浮置導電層對應所述深孔和淺孔交界的位置具有開孔，且所述浮置導電層對應所述深孔和淺孔交界位置的兩側具有凸出部。

所述深淺孔單元通過拉低所述子像素電極的電位，使得所述主像素電極和子像素電極的電位不相等，進而實現(xiàn)低色彩偏移的目的。通過在所述浮置導電層對應所述深孔和淺孔交界位置設置開孔和凸出部，避免了浮置導電層在該深孔和淺孔位置出現(xiàn)斷裂，保證了深孔和淺孔之間信號傳輸?shù)姆€(wěn)定，降低了高垂直配向過程中出現(xiàn)的配向異常。

作為對本發(fā)明的進一步改進，所述薄膜堆疊層包括：

第一金屬層，形成于所述基板上；

第一絕緣層，位于所述第一金屬層上，且所述第一絕緣層形成有暴露所述第一金屬層的表面的接觸孔，所述接觸孔具有臺階，使得所述接觸孔構造成第一接觸孔和第二接觸孔；

第二金屬層，位于所述接觸孔一側的第一絕緣層上且靠近所述接觸孔的一側暴露第一絕緣層的表面，使得所述第二金屬層與所述第一絕緣層的暴露的表面構造成第三接觸孔；

第二絕緣層，位于所述第二金屬層上且靠近所述接觸孔的一側暴露第二金屬層的表面，以及位于所述第一絕緣層上。

所述第一接觸孔和第二接觸孔之間構成深孔和淺孔結構，也即第一接觸孔為相對于第二接觸孔的深孔，第二接觸孔為相對于第一接觸孔的淺孔。可以理解的，所述第二接觸孔和所述第三接觸孔之間也構成深孔和淺孔結構，也即第二接觸孔為相對于第三接觸孔的深孔，第三接觸孔為相對于第二接觸孔的淺孔。由于所述深孔和淺孔交界處(也即第一接觸孔和第二接觸孔以及第二接觸孔和第三接觸孔交界的臺階處)常常出現(xiàn)倒角不良，從而導致浮置導電層在該深孔和淺孔交界處的位置容易出現(xiàn)斷裂，造成該處位置信號傳輸不穩(wěn)定，導致高垂直配向過程出現(xiàn)異常。本發(fā)明通過在所述薄膜堆疊層上設置具有開孔的浮置電極層，并在在浮置電極層對應所述深孔和淺孔交界的位置兩側設置加寬的凸出部，避免了上述斷裂造成的信號傳輸不穩(wěn)定現(xiàn)象。

作為對本發(fā)明的進一步改進，所述每一像素單元還包括陣列基板公共電極線，所述深淺孔單元將所述子像素電極的電荷導入所述陣列基板公共電極線，拉低所述子像素電極的電位。

優(yōu)選的，所述凸出部的寬度大于或等于所述開孔的寬度。

作為對本發(fā)明的進一步改進，所述每一像素單元還包括數(shù)據線，位于所述子像素電極和所述主像素電極之間的柵極線，所述數(shù)據線通過第一tft開關連接所述柵極線和所述子像素電極，且所述數(shù)據線通過第二tft開關連接所述柵極線和所述主像素電極。

作為對本發(fā)明的進一步改進，所述深淺孔單元通過第三tft開關連接所述陣列基板公共電極線和所述子像素電極。所述子像素電極的電荷即是通過第三tft開關和深淺孔單元導入了陣列基板公共電極，從而拉低了子像素電極的電位，達到子像素電極和主像素電極的電位不相等，進而實現(xiàn)低色彩偏移的目的。

作為對本發(fā)明的進一步改進，所述浮置導電層采用銦錫氧化物制成。

作為對本發(fā)明的進一步改進，所述第一絕緣層采用g-sinx材料制成，所述第二絕緣層采用有機樹脂材料制成。

作為對本發(fā)明的進一步改進，所述子像素電極和所述主像素電極均采用銦錫氧化物制成。

作為對本發(fā)明的進一步改進，所述每一像素單元還包括將所述浮置導電層連接至所述第一金屬層的過孔。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于，通過在浮置導電層對應深孔和淺孔交界的位置設置開孔，避免了浮置導電層在該深孔和淺孔位置出現(xiàn)斷裂，并通過在浮置電極層對應所述深孔和淺孔交界的位置兩側設置加寬的凸出部，保證了深孔和淺孔之間電荷傳輸?shù)乃俾?，彌補了設置開孔造成的電荷傳輸速率降低的缺陷。保證了信號傳輸?shù)姆€(wěn)定，降低了高垂直配向過程中出現(xiàn)的配向異常。

附圖說明

下面將結合附圖來對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細地描述。在圖中：

圖1是本發(fā)明的實施例所述的陣列基板的結構示意圖。

圖2是現(xiàn)有技術所公開的陣列基板的深淺孔單元的薄膜堆疊層的俯視圖。

圖3是圖2的浮置導電層的俯視圖。

圖4為圖2的c-c向剖視圖。

圖5是本發(fā)明的實施例所述的陣列基板的深淺孔單元的薄膜堆疊層的俯視圖。

圖6是圖5的浮置導電層的俯視圖。

圖7是圖5的b-b向剖視圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例繪制。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發(fā)明做進一步說明。

如圖1，顯示了一種陣列基板，包括：

基板(圖中未顯示)；

位于所述基板上的多個像素單元1，每一像素單元1包括主像素電極2、子像素電極3和用于拉低所述子像素電極3電位的深淺孔單元4；

如圖7所示，所述深淺孔單元4包括具有深孔和淺孔的薄膜堆疊層41和位于所述薄膜堆疊層41上的浮置導電層42。如圖5和圖6所示，所述浮置導電層42對應所述深孔和淺孔交界的位置(如圖5中a所示位置)具有開孔421，且所述浮置導電層42對應所述深孔和淺孔交界位置的兩側具有凸出部422。所述凸出部422加寬了浮置導電層42兩側的寬度，彌補了在浮置導電層42上設置開孔421所導致的傳輸速率降低的缺陷。優(yōu)選的，如圖5和圖6所示，所述凸出部422的寬度大于或等于所述開孔421的寬度。優(yōu)選的，所述浮置導電層42采用ito制成。

所述深淺孔單元4通過拉低所述子像素電極3的電位，使得所述主像素電極2和子像素電極3的電位不相等，進而實現(xiàn)低色彩偏移的目的。并通過在所述浮置導電層42對應所述深孔和淺孔交界位置設置開孔421和凸出部422，避免了浮置導電層42在該深孔和淺孔位置出現(xiàn)斷裂，保證了深孔和淺孔之間信號傳輸?shù)姆€(wěn)定，降低了高垂直配向過程中出現(xiàn)的配向異常。

在一個實施例中，如圖7所示，所述薄膜堆疊層41包括：

第一金屬層411，形成于所述基板上；

第一絕緣層412，位于所述第一金屬層411上，且所述第一絕緣層412形成有暴露所述第一金屬層411的表面的接觸孔5，所述接觸孔5具有臺階53，使得所述接觸孔5構造成第一接觸孔51和第二接觸孔52；

第二金屬層413，位于所述接觸孔5一側的第一絕緣層412上且靠近所述接觸孔5的一側暴露第一絕緣層412的表面，使得所述第二金屬層413與所述第一絕緣層412的暴露的表面構造成第三接觸孔6；

第二絕緣層414，位于所述第二金屬層413上且靠近所述接觸孔5的一側暴露第二金屬層413的表面，以及位于所述第一絕緣層412上。

所述第一接觸孔51和第二接觸孔51之間構成深孔和淺孔結構，也即第一接觸孔51為相對于第二接觸孔52的深孔，第二接觸孔52為相對于第一接觸孔51的淺孔?？梢岳斫獾模龅诙佑|孔52和所述第三接觸孔6之間也構成深孔和淺孔結構，也即第二接觸孔52為相對于第三接觸孔6的深孔，第三接觸孔6為相對于第二接觸孔52的淺孔。由于所述深孔和淺孔交界處(也即第一接觸孔51和第二接觸孔52以及第二接觸孔52和第三接觸孔6交界的臺階處)常常出現(xiàn)倒角7，從而導致浮置導電層42在該深孔和淺孔交界處的位置容易出現(xiàn)斷裂，造成該處位置信號傳輸不穩(wěn)定，導致高垂直配向過程出現(xiàn)異常。本發(fā)明通過在所述薄膜堆疊層41上設置具有開孔421的浮置電極層42，并在在浮置電極層42對應所述深孔和淺孔交界的位置兩側設置加寬的凸出部422，避免了上述斷裂造成的信號傳輸不穩(wěn)定現(xiàn)象。

在一個實施例中，如圖1所示，所述每一像素單元1還包括陣列基板公共電極線8，所述深淺孔單元4將所述子像素電極3的電荷導入所述陣列基板公共電極線8，拉低所述子像素電極3的電位。

在一個實施例中，再次參見圖1，所述每一像素單元1還包括數(shù)據線9，位于所述子像素電極3和所述主像素電極2之間的柵極線10，所述數(shù)據線9通過第一tft開關(圖中未顯示)連接所述柵極線10和所述子像素電極3，且所述數(shù)據線9通過第二tft開關(圖中未顯示)連接所述柵極線10和所述主像素電極2。

在一個實施例中，參見圖1，所述深淺孔單元4通過第三tft開關(圖中未顯示)連接所述陣列基板公共電極線8和所述子像素電極3。所述子像素電極3的電荷即是通過第三tft開關和深淺孔單元4導入了陣列基板公共電極8，從而拉低了子像素電極3的電位，達到子像素電極3和主像素電極2的電位不相等，進而實現(xiàn)低色彩偏移的目的。

在一個實施例中，所述浮置導電層42采用銦錫氧化物制成。

在一個實施例中，所述第一絕緣層412采用g-sinx材料制成，所述第二絕緣層414采用有機樹脂材料制成。

在一個實施例中，所述子像素電極3和所述主像素電極2均采用銦錫氧化物制成。

在一個實施例中，所述每一像素單元1還包括將所述浮置導電層42連接至所述第一金屬層411的過孔11。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于，通過在浮置導電層對應深淺孔交界的位置設置開孔，避免了浮置導電層在該深淺孔位置出現(xiàn)斷裂，并通過在浮置電極層對應所述深淺孔交界的位置兩側設置加寬的凸出部，保證了深孔和淺孔之間電荷傳輸?shù)乃俾?，彌補了設置開孔造成的電荷傳輸速率降低的缺陷。保證了信號傳輸?shù)姆€(wěn)定，降低了高垂直配向過程中出現(xiàn)的配向異常。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但本發(fā)明保護范圍并不局限于此，任何本領域的技術人員在本發(fā)明公開的技術范圍內，可容易地進行改變或變化，而這種改變或變化都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以權利要求書的保護范圍為準。