技術(shù)總結(jié)
CMOS后工藝集成高效率雙向光柵耦合器，包括一個雙向光柵耦合器，由一個用于垂直耦合的均勻光柵和兩個模式轉(zhuǎn)換器組成，均勻光柵作為單模光纖的垂直耦合接口，模式轉(zhuǎn)換器用于連接雙向光柵耦合器兩側(cè)多模光波導(dǎo)與單模光波導(dǎo)，實現(xiàn)無損耗光傳輸及模式轉(zhuǎn)換；一個雙介質(zhì)包層，位于雙向光柵耦合器上方，用于抑制對入射光的向上反射；一個CMOS?IC芯片，作為CMOS后工藝的襯底，其中位于CMOS?IC芯片表面、雙向光柵耦合器底部的金屬焊盤作為雙向光柵耦合器的襯底反射鏡；一個二氧化硅隔離層，位于CMOS?IC芯片和雙向光柵耦合器之間，作為雙向光柵耦合器下包層；一個環(huán)形金屬對準(zhǔn)標(biāo)記，位于雙介質(zhì)包層上方，環(huán)繞在雙向光柵耦合器周圍，用于測試時對單模光纖進(jìn)行對準(zhǔn)。

技術(shù)研發(fā)人員：張贊允;朱華;劉宏偉;陳力穎;李鴻強
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津工業(yè)大學(xué)
文檔號碼：201720285882
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.20
技術(shù)公布日：2017.10.13