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去相干裝置和光源系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):40452898發(fā)布日期:2024-12-27 09:17閱讀:來源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種去相干裝置,其特征在于,包括外殼(10);

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去相干裝置,其特征在于,還包括氣體噴吸裝置(20),所述氣體噴吸裝置(20)具有噴氣口(211d)和吸氣口(221a),所述噴氣口(211d)和所述吸氣口(221a)位于所述外殼(10)上或者所述外殼(10)內(nèi),所述噴氣口(211d)用于向所述外殼(10)中噴射流量隨機(jī)變化的單原子氣體,所述吸氣口(221a)用于吸取單原子氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的去相干裝置,其特征在于,所述氣體噴吸裝置(20)具有n個(gè)噴氣口(211d)和n個(gè)吸氣口(221a),n≥1,且為整數(shù),且所述n個(gè)噴氣口(211d)和所述n個(gè)吸氣口(221a)一一相對(duì)設(shè)置以在所述n個(gè)噴氣口(211d)和所述n個(gè)吸氣口(221a)之間形成流量隨機(jī)變化的單原子氣體流,所述光束適于通過所述n個(gè)噴氣口(211d)和所述n個(gè)吸氣口(221a)之間形成的單原子氣體流。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的去相干裝置,其特征在于,n≥2,所述n個(gè)噴氣口(211d)和所述n個(gè)吸氣口(221a)成對(duì)布置,每對(duì)噴氣口(211d)和吸氣口(221a)之間的連線相交于一點(diǎn),所述光束適于通過所述連線的交點(diǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2~4任一項(xiàng)所述的去相干裝置,其特征在于,所述氣體噴吸裝置(20)包括氣體噴射裝置(21)和氣體吸取裝置(22),所述氣體噴射裝置(21)具有所述噴氣口(211d),所述氣體噴射裝置(21)用于通過所述噴氣口(211d)向所述外殼(10)中噴射流量隨機(jī)變化的單原子氣體,所述氣體吸取裝置(22)具有所述吸氣口(221a),所述氣體吸取裝置(22)用于通過所述吸氣口(221a)從所述外殼(10)中吸取氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的去相干裝置,其特征在于,所述氣體噴射裝置(21)包括氣體噴嘴(211),所述氣體噴嘴(211)位于所述外殼(10)內(nèi),或者,一端位于所述外殼(10)內(nèi),另一端位于所述外殼(10)外。

7.根據(jù)權(quán)利要求2~6任一項(xiàng)所述的去相干裝置,其特征在于,所述氣體噴吸裝置(20)具有用于接收電信號(hào)的接口,所述氣體噴吸裝置(20)用于在頻率和/或強(qiáng)度隨機(jī)變化的所述電信號(hào)的作用下,使所述單原子氣體流的流量隨機(jī)變化,所述強(qiáng)度包括電壓大小或電流大小。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的去相干裝置,其特征在于,所述氣體噴嘴(211)包括噴嘴本體(2111)、閥桿(2112)和復(fù)位件(2113),所述噴氣口(211d)位于所述噴嘴本體(2111)的一端,所述閥桿(2112)位于所述噴嘴本體(2111)中,且一端與所述噴氣口(211d)相匹配,所述復(fù)位件(2113)位于所述閥桿(2112)和所述噴嘴本體(2111)的內(nèi)壁之間,所述閥桿(2112)用于在所述噴嘴本體(2111)內(nèi)的氣壓和所述復(fù)位件(2113)的作用下,沿軸向相對(duì)所述噴氣口(211d)往復(fù)移動(dòng),改變所述噴氣口(211d)開啟的程度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的去相干裝置,其特征在于,所述噴嘴本體(2111)具有高壓腔(211a)、過渡腔(211b)、低壓腔(211c)和泄壓孔(211h),所述高壓腔(211a)與所述噴氣口(211d)相連,所述泄壓孔(211h)連接所述過渡腔(211b)和所述低壓腔(211c);

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的去相干裝置,其特征在于,所述控制件(2114)位于所述低壓腔(211c)中,包括桿部(21141)和可控伸縮部(21142),所述桿部(21141)的一端與所述可控伸縮部(21142)相連,另一端與所述泄壓孔(211h)相匹配,所述可控伸縮部(21142)用于在電信號(hào)的作用下形變,帶動(dòng)所述桿部(21141)相對(duì)所述泄壓孔(211h)移動(dòng),使所述泄壓孔(211h)開啟或關(guān)閉。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的去相干裝置,其特征在于,所述可控伸縮部(21142)采用復(fù)合壓電材料或稀土超磁致伸縮材料制成。

12.根據(jù)權(quán)利要求9~11任一項(xiàng)所述的去相干裝置,其特征在于,所述去相干裝置還包括進(jìn)氣管(41)和吸氣管(42);

13.根據(jù)權(quán)利要求2~12任一項(xiàng)所述的去相干裝置,其特征在于,所述吸氣口(221a)呈錐形,且直徑較大的一端靠近所述噴氣口(211d)。

14.一種光源系統(tǒng),其特征在于,包括相干光源(110)和如權(quán)利要求1~13任一項(xiàng)所述的去相干裝置(140);

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光源系統(tǒng),其特征在于,還包括氣源(120)和氣泵(130),所述氣源(120)與所述氣泵(130)的進(jìn)氣口相連,所述氣泵(130)的出氣口與所述氣體噴吸裝置(20)相連。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光源系統(tǒng),其特征在于,還包括過濾器(150),所述氣體噴吸裝置(20)通過所述過濾器(150)與所述氣泵(130)的進(jìn)氣口相連。

17.根據(jù)權(quán)利要求14~16任一項(xiàng)所述的光源系統(tǒng),其特征在于,還包括差分泵(160),所述差分泵(160)連接在所述相干光源(110)與所述外殼(10)的光入口(10a)之間。


技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種去相干裝置和光源系統(tǒng),屬于光源領(lǐng)域。該去相干裝置包括外殼,所述外殼具有光入口和光出口,均用于供光束通過,所述外殼用于與氣體噴吸裝置連接,以在所述外殼中形成有濃度隨機(jī)變化的單原子氣體,所述光束通過所述濃度隨機(jī)變化的單原子氣體。外殼內(nèi)的單原子氣體相當(dāng)于一個(gè)透鏡,由于單原子氣體的濃度隨機(jī)變化,因此在單原子氣體所分布的范圍內(nèi),各個(gè)區(qū)域的折射率在隨機(jī)發(fā)生變化,光束透過不同濃度的單原子氣體,就會(huì)形成光程差,從而實(shí)現(xiàn)光束的去相干,使從光出口中射出的光束為非相干光。

技術(shù)研發(fā)人員:賁寧宇,朱海,史博文,宋厚甫,徐文偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者:華為技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/26
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