本公開涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，業(yè)內(nèi)能耗標(biāo)準(zhǔn)的提高，對顯示屏的功能需求也越來越高，例如光感檢測功能。如何將光感檢測功能應(yīng)用于顯示屏中，且在不影響顯示效果的情況下降低顯示屏的功耗，成為了現(xiàn)階段的研究熱點之一。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的實施例的目的在于提供一種顯示面板及顯示裝置，用于實現(xiàn)根據(jù)環(huán)境光亮度的變化進(jìn)行顯示面板亮度的自動調(diào)節(jié)，進(jìn)而降低顯示面板的功耗，給用戶帶來更好的視覺效果。

2、為達(dá)到上述目的，本公開的實施例提供了如下技術(shù)方案：

3、一方面，提供一種顯示面板。所述顯示面板包括顯示區(qū)以及圍繞在所述顯示區(qū)的周邊區(qū)，所述周邊區(qū)包括第一區(qū)、第二區(qū)、第三區(qū)和第四區(qū)，所述第一區(qū)和所述第二區(qū)分別位于所述顯示區(qū)的沿第一方向上的兩側(cè)，所述第三區(qū)和所述第四區(qū)分別位于所述顯示區(qū)的沿第二方向上的兩側(cè)，所述第一方向和所述第二方向垂直；所述第二區(qū)包括綁定區(qū)。所述顯示面板包括光感單元和多個綁定電極。所述光感單元設(shè)置于所述顯示面板的周邊區(qū)，所述光感單元包括遮光單元和漏光單元，所述遮光單元包括多個遮光晶體管，所述漏光單元包括多個漏光晶體管；所述光感單元設(shè)置于所述第一區(qū)、所述第二區(qū)、所述第三區(qū)和所述第四區(qū)中的至少一個。所述多個綁定電極設(shè)置于所述顯示面板的綁定區(qū)，所述多個綁定電極被配置為連接調(diào)光芯片；所述多個綁定電極包括第一電極、第二電極、第三電極、第四電極。其中，所述多個遮光晶體管的控制極依次電連接，且與所述第一電極電連接，所述多個遮光晶體管的第一極依次電連接，且與所述第二電極電連接，所述多個遮光晶體管的第二極依次電連接，且與所述第三電極電連接；所述多個漏光晶體管的控制極依次電連接，且與所述第一電極電連接，所述多個漏光晶體管的第一極依次電連接，且與所述第三電極電連接，所述多個漏光晶體管的第二極依次電連接，且與所述第四電極電連接。

4、上述顯示面板中，光感單元能夠?qū)崿F(xiàn)環(huán)境光亮度變化的檢測，通過設(shè)置遮光單元和漏光單元，在漏光單元工作的過程中，漏光單元中的漏光晶體管受到光照的影響會產(chǎn)生較大的光感電流，而遮光單元中的遮光晶體管不受到環(huán)境光的影響，產(chǎn)生的暗態(tài)電流可以作為參考電流，光感電流與參考電流分別傳輸至對應(yīng)的綁定電極，通過綁定電極將電流信號傳送至調(diào)光芯片，調(diào)光芯片能夠根據(jù)電流信號的差異變化來實現(xiàn)環(huán)境光的檢測，進(jìn)而根據(jù)環(huán)境光亮度變化完成顯示面板亮度的調(diào)節(jié)。

5、在一些實施例中，所述光感單元還包括虛擬單元，所述虛擬單元包括多個虛擬晶體管；

6、所述多個遮光晶體管沿同一方向排列，所述多個漏光晶體管沿同一方向排列，所述多個虛擬晶體管中的至少部分虛擬晶體管沿同一方向排列；所述多個遮光晶體管和所述多個漏光晶體管中的至少一者和所述至少部分虛擬晶體管沿同一方向排列；所述多個綁定電極還包括多個虛擬電極，所述多個綁定電極沿所述第二方向間隔排列。

7、在一些實施例中，所述光感單元位于所述第二區(qū)；所述多個遮光晶體管沿第二方向排列，所述多個漏光晶體管沿第二方向排列，所述多個虛擬晶體管沿第二方向排列；所述遮光單元、所述虛擬單元和所述漏光單元沿所述第二方向排列，且所述虛擬單元位于所述遮光單元和所述漏光單元之間。

8、在一些實施例中，所述顯示區(qū)和所述綁定區(qū)之間設(shè)置有多組扇出走線，所述多組扇出走線的相鄰兩組扇出走線之間具有間隔區(qū)，所述間隔區(qū)包括第一間隔區(qū)、第二間隔區(qū)和第三間隔區(qū)，所述遮光單元位于所述第一間隔區(qū)，所述漏光單元位于所述第二間隔區(qū)，所述虛擬單元位于所述第三間隔區(qū)中。

9、在一些實施例中，所述第一電極包括第一子電極和第二子電極，所述第二電極包括第三子電極和第四子電極；所述多個遮光晶體管的控制極通過第一柵極線依次電連接，且所述第一柵極線與所述第一子電極電連接，所述多個遮光晶體管的第一極通過第一漏極線依次電連接，且所述第一漏極線與所述第三子電極電連接；所述多個漏光晶體管的控制極通過第二柵極線依次電連接，且所述第二柵極線與所述第二子電極電連接，所述多個漏光晶體管的第一極通過第二漏極線依次電連接，且所述第二漏極線與所述第四子電極電連接。

10、在一些實施例中，所述多個虛擬晶體管的控制極通過虛擬柵極線依次電連接，且所述虛擬柵極線與一個虛擬電極電連接，所述多個虛擬晶體管的第二極通過虛擬源極線依次電連接，且所述虛擬源極線與一個虛擬電極電連接，所述多個虛擬晶體管的第一極通過虛擬漏極線依次電連接，且所述虛擬漏極線與一個虛擬電極電連接。

11、在一些實施例中，所述光感單元位于所述第一區(qū)；所述多個遮光晶體管沿第二方向排列，所述多個漏光晶體管沿第二方向排列，所述多個虛擬晶體管沿第二方向排列；所述遮光單元、所述虛擬單元和所述漏光單元沿所述第二方向排列，且所述虛擬單元位于所述遮光單元和所述漏光單元之間。

12、在一些實施例中，所述多個遮光晶體管的控制極和所述多個漏光晶體管的控制極通過柵極信號線依次電連接，且所述柵極信號線與所述第一電極電連接，所述多個遮光晶體管的第一極和所述多個漏光晶體管的第一極通過漏極信號線依次電連接，且所述漏極信號線與所述第二電極電連接。

13、在一些實施例中，所述多個虛擬晶體管的控制極依次電連接；所述多個虛擬晶體管的第二極依次電連接。

14、在一些實施例中，所述遮光單元位于所述第三區(qū)，所述漏光單元位于所述第四區(qū)；所述虛擬單元的多個虛擬晶體管包括多個第一虛擬晶體管和多個第二虛擬晶體管；所述多個第一虛擬晶體管位于所述第三區(qū)，所述多個第二虛擬晶體管位于所述第四區(qū)；所述多個遮光晶體管沿第一方向排列，所述多個漏光晶體管沿第一方向排列，所述多個第一虛擬晶體管沿第一方向排列，所述多個第二虛擬晶體管沿第一方向排列；所述遮光單元和所述多個第一虛擬晶體管沿所述第一方向排列，所述漏光單元和所述多個第二虛擬晶體管沿所述第一方向排列。

15、在一些實施例中，所述第一電極包括第一子電極和第二子電極，所述第二電極包括第三子電極和第四子電極；所述多個遮光晶體管的控制極通過第一柵極線依次電連接，且所述第一柵極線與所述第一子電極電連接，所述多個遮光晶體管的第一極通過第一漏極線依次電連接，且所述第一漏極線與所述第三子電極電連接；所述多個漏光晶體管的控制極通過第二柵極線依次電連接，且所述第二柵極線與所述第二子電極電連接，所述多個漏光晶體管的第一極通過第二漏極線依次電連接，且所述第二漏極線與所述第四子電極電連接。

16、在一些實施例中，所述多個第一虛擬晶體管的控制極依次電連接，所述多個第一虛擬晶體管的第二極依次電連接，所述多個第一虛擬晶體管的第一極依次電連接；所述多個第二虛擬晶體管的控制極依次電連接，所述多個第二虛擬晶體管的第二極依次電連接，所述多個第二虛擬晶體管的第一極依次電連接。

17、在一些實施例中，所述多個第一虛擬晶體管相對所述多個遮光晶體管遠(yuǎn)離所述多個綁定電極；所述多個第二虛擬晶體管相對所述多個漏光晶體管遠(yuǎn)離所述多個綁定電極。

18、在一些實施例中，所述多個遮光晶體管的第二極均與第一源極線電連接，所述第一源極線上具有至少一個第一切割位置，所述第一切割位置位于任意相鄰兩個遮光晶體管的第二極之間；和/或，所述多個漏光晶體管的第二極均與第二源極線電連接，所述第二源極線上具有至少一個第二切割位置，所述第二切割位置位于任意相鄰兩個漏光晶體管的第二極之間。

19、在一些實施例中，所述光感單元位于所述第一區(qū)，所述多個虛擬晶體管的控制極與所述多個遮光晶體管的控制極、所述多個漏光晶體管的控制極電連接；所述多個虛擬晶體管的第一極依次電連接，且與所述多個遮光晶體管的第一極、所述多個漏光晶體管的第一極電連接；所述多個虛擬晶體管的第二極均與虛擬源極線電連接；所述第一源極線和所述虛擬源極線之間具有第一熔接位置，所述第一源極線和所述虛擬源極線能夠在外力作用下，在所述第一熔接位置電連接；和/或，所述第二源極線和所述虛擬源極線之間具有第二熔接位置，所述第二源極線和所述虛擬源極線能夠在外力作用下，在第二熔接位置處電連接。

20、在一些實施例中，所述虛擬源極線包括斷開的至少兩個虛擬源極子線，每個虛擬源極子線與至少一個虛擬晶體管的源極電連接，相鄰兩個虛擬源極子線之間具有第三熔接位置，相鄰兩個虛擬源極子線能夠在外力作用下，在所述第三熔接位置電連接。

21、在一些實施例中，所述遮光單元位于所述第三區(qū)，所述漏光單元位于所述第四區(qū)，所述多個第一虛擬晶體管的控制極和所述多個遮光晶體管的控制極電連接，所述多個第一虛擬晶體管的第一極和所述多個遮光晶體管的第一極電連接；所述多個第一虛擬晶體管的第二極均與遮光虛擬源極線電連接；所述第一源極線和所述遮光虛擬源極線之間具有第四熔接位置，所述第一源極線和所述遮光虛擬源極線能夠在外力作用下，在所述第四熔接位置處電連接；和/或，所述多個第二虛擬晶體管的控制極和所述多個漏光晶體管的控制極電連接，所述多個第二虛擬晶體管的第一極和所述多個漏光晶體管的第一極電連接；所述多個第二虛擬晶體管的第二極均與漏光虛擬源極線電連接；所述第二源極線和所述漏光虛擬源極線之間具有第五熔接位置，所述第二源極線和所述漏光虛擬源極線能夠在外力作用下，在所述第五熔接處電連接。

22、在一些實施例中，所述遮光虛擬源極線包括斷開的至少兩個遮光虛擬源極子線，每個遮光虛擬源極子線與至少一個第一虛擬晶體管電連接；相鄰兩個遮光虛擬源極子線之間具有第六熔接位置，相鄰兩個遮光虛擬源極子線能夠在外力作用下，在所述第六熔接位置處電連接；和/或，所述漏光虛擬源極線包括斷開的至少兩個漏光虛擬源極子線，每個漏光虛擬源極子線與至少一個第二虛擬晶體管電連接；相鄰兩個漏光虛擬源極子線之間具有第七熔接位置，相鄰兩個漏光虛擬源極子線能夠在外力作用下，在所述第七熔接位置處電連接。

23、在一些實施例中，所述顯示面板還包括：襯底基板；設(shè)置于所述襯底基板上的柵極層，所述柵極層包括第一連接線；設(shè)置于所述柵極層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的絕緣層；設(shè)置于所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的有源層；設(shè)置于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的金屬層，所述金屬層包括多個晶體管的第一極和第二極，以及多條信號線，所述多條信號線包括：第一源極線、第二源極線、虛擬源極線、遮光虛擬源極線、漏光虛擬源極線；設(shè)置于所述金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的鈍化層；設(shè)置于所述鈍化層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的連接層；所述連接層包括第二連接線；需要在外力作用下實現(xiàn)電連接的兩條信號線為第一信號線和第二信號線，所述第二連接線通過貫穿所述鈍化層的第一過孔與所述第一信號線電連接，所述第二連接線通過貫穿所述鈍化層和所述絕緣層的第二過孔與所述第一連接線電連接；所述第一連接線與所述第二信號線至少部分交疊，二者交疊位置為所述熔接位置；所述熔接位置包括第一熔接位置、第二熔接位置、第三熔接位置、第四熔接位置、第五熔接位置、第六熔接位置和第七熔接位置。

24、在一些實施例中，所述顯示面板包括襯底基板，還包括設(shè)置于所述光感單元遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的遮光層；所述遮光層設(shè)置有間隔設(shè)置的多個開孔，所述多個開孔中的每個開孔暴露出一個漏光晶體管。

25、在一些實施例中，所述漏光晶體管包括有源層圖案，所述有源層圖案包括溝道區(qū)；所述溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影位于所述開孔在所述襯底基板上的正投影的中間位置。

26、在一些實施例中，在第三方向上位于同側(cè)的所述溝道區(qū)的正投影的邊界與所述開孔的正投影的邊界之間的距離均為第一距離，所述第一距離為5um～6um；在第四方向上位于同側(cè)的所述溝道區(qū)的正投影的邊界與所述開孔的正投影的邊界之間的距離均為第二距離，所述第二距離為5um～6um；所述第四方向為所述漏光晶體管的第二極指向第一極的方向，所述第三方向垂直于所述第四方向。

27、在一些實施例中，所述遮光層還包括設(shè)置于所述開孔內(nèi)的至少一個遮光條，所述遮光條與所述漏光晶體管的第二極和第一極至少部分交疊。

28、在一些實施例中，所述遮光層包括至少兩個遮光條，所述至少兩個遮光條平行設(shè)置。

29、在一些實施例中，所述遮光層包括至少兩個遮光條，所述至少兩個遮光條的寬度均為第一寬度，且相鄰兩個遮光條之間的間距、靠近開孔的第一邊界的遮光條和所述開孔的第一邊界之間的間距、靠近開孔的第二邊界的遮光條和所述開孔的第二邊界之間的間距為第一間距。

30、在一些實施例中，所述多個開孔中包括至少一個虛擬開孔，所述虛擬開孔暴露出所述多個虛擬晶體管中與所述漏光晶體管相鄰的至少一個虛擬晶體管。

31、在一些實施例中，所述光感單元包括的多個晶體管為氧化物晶體管。

32、另一方面，提供一種顯示裝置。所述顯示裝置包括：如上述任一實施例所述的顯示面板和設(shè)置于所述顯示面板一側(cè)的背光模組，以及調(diào)光芯片；所述調(diào)光芯片與所述顯示面板、所述背光模組電連接，所述調(diào)光芯片被配置為接收所述遮光單元產(chǎn)生的第一電流和漏光單元產(chǎn)生的第二電流，根據(jù)所述第一電流和所述第二電流，調(diào)節(jié)所述背光模組的出光亮度。

33、上述顯示裝置具有與上述一些實施例中提供的顯示面板相同的結(jié)構(gòu)和有益技術(shù)效果，在此不再贅述。