本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜版及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、掩膜版(reticle)又稱光罩、光掩膜版、光刻掩膜版等，是微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，是承載圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載體。

2、掩膜版用于下游電子元器件制造業(yè)批量生產(chǎn)，銜接芯片設(shè)計(jì)及制作的關(guān)鍵，是下游產(chǎn)品精度和質(zhì)量的決定因素之一，具有定制化、精細(xì)化特點(diǎn)。

3、目前，掩膜版的性能仍有待提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實(shí)施例解決的問(wèn)題是提供一種掩膜版及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有利于提高掩膜版的性能，從而進(jìn)一步提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

2、為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜版，包括器件區(qū)、以及環(huán)繞所述器件區(qū)的靜電保護(hù)區(qū)；所述靜電保護(hù)區(qū)中具有用于形成誘發(fā)式防靜電保護(hù)環(huán)的保護(hù)圖形，且所述保護(hù)圖形包括多個(gè)間隔分布的遮光圖形，所述保護(hù)圖形滿足如下情形中的一種或多種：相鄰所述遮光圖形的拐角處相正對(duì)；或者，所述遮光圖形的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界相正對(duì)。

3、可選的，所述保護(hù)圖形還包括透光圖形，所述透光圖形位于所述遮光圖形的側(cè)部，且所述透光圖形與所述遮光圖形相接觸。

4、可選的，所述透光圖形的材料包括透明玻璃和透明樹(shù)脂中的一種或兩種；所述遮光圖形的材料包括鉻、硅、硅化鉬和氧化鐵中的一種或多種。

5、可選的，所述遮光圖形的形狀相同。

6、可選的，所述遮光圖形具有多個(gè)拐角處，且所述拐角處的數(shù)量大于等于3個(gè)。

7、可選的，所述遮光圖形的形狀包括三角形和平行四邊形中的一種或兩種。

8、可選的，相鄰所述遮光圖形中最接近的兩條邊在垂直方向上的距離為1納米至5000納米。

9、可選的，相鄰所述遮光圖形的拐角處相正對(duì)時(shí)，所述遮光圖形的邊長(zhǎng)為1微米至100微米；所述遮光圖形的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界相正對(duì)時(shí)，所述遮光圖形的邊長(zhǎng)為1微米至100微米。

10、可選的，所述遮光圖形的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界相正對(duì)時(shí)，所述遮光圖形與所述器件區(qū)中主圖形的邊界的垂直距離為1微米至100微米。

11、相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種采用利用前述實(shí)施例所提供的掩膜版形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括器件區(qū)、以及環(huán)繞所述器件區(qū)的靜電保護(hù)區(qū)：所述靜電保護(hù)區(qū)具有環(huán)繞所述器件區(qū)的誘發(fā)式防靜電保護(hù)環(huán)，且所述誘發(fā)式防靜電保護(hù)環(huán)包括多個(gè)間隔分布的圖形層，所述誘發(fā)式防靜電保護(hù)環(huán)滿足如下情形中的一種或多種：相鄰所述圖形層的拐角處相正對(duì)；或者所述圖形層的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界相正對(duì)。

12、可選的，所述誘發(fā)式防靜電保護(hù)環(huán)包括環(huán)繞所述器件區(qū)的開(kāi)口，所述開(kāi)口中設(shè)置有所述圖形層。

13、可選的，所述圖形層的形狀相同。

14、可選的，所述圖形層具有多個(gè)拐角處，且所述拐角處的數(shù)量大于等于3個(gè)。

15、可選的，所述圖形層的形狀包括三角形和平行四邊形中的一種或兩種。

16、可選的，相鄰所述圖形層最接近的兩條邊在垂直方向上的距離為1納米至5000納米。

17、可選的，相鄰所述層的拐角處相正對(duì)時(shí)，所述圖形層的邊長(zhǎng)為1微米至100微米；所述圖形層的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界相正對(duì)時(shí)，所述圖形層的邊長(zhǎng)為1微米至100微米。

18、可選的，所述圖形層的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界相正對(duì)時(shí)，所述圖形層與所述器件區(qū)中主圖形的邊界的垂直距離為1微米至100微米。

19、可選的，所述圖形層的材料包括光刻膠。

20、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

21、本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜版，掩膜版包括器件區(qū)、以及環(huán)繞所述器件區(qū)的靜電保護(hù)區(qū)，所述靜電保護(hù)區(qū)中具有用于形成誘發(fā)式防靜電保護(hù)環(huán)的保護(hù)圖形，且所述保護(hù)圖形包括多個(gè)間隔分布的遮光圖形，所述保護(hù)圖形滿足如下情形中的一種或多種：相鄰所述遮光圖形的拐角處相正對(duì)；或者，所述遮光圖形的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界相正對(duì)，本實(shí)施例通過(guò)將相鄰所述遮光圖形的拐角處設(shè)置為相正對(duì)，或者，將遮光圖形的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界設(shè)置為相正對(duì)，能夠使掩膜版中積累的電荷能量經(jīng)由所述遮光圖形的拐角處釋放掉，從而使誘發(fā)式防靜電保護(hù)環(huán)的放電發(fā)生在其遮光圖形上，能夠起到將掩膜版積累的電荷能量釋放掉的作用，降低了掩膜版中積累的電荷能量對(duì)器件區(qū)主圖形造成破壞的概率，進(jìn)而提高了采用所述掩膜版形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品良率。

技術(shù)特征：

1.一種掩膜版，其特征在于，包括器件區(qū)、以及環(huán)繞所述器件區(qū)的靜電保護(hù)區(qū)；

2.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述保護(hù)圖形還包括透光圖形，所述透光圖形位于所述遮光圖形的側(cè)部，且所述透光圖形與所述遮光圖形相接觸。

3.如權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述透光圖形的材料包括透明玻璃和透明樹(shù)脂中的一種或兩種；

4.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光圖形的形狀相同。

5.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光圖形具有多個(gè)拐角處，且所述拐角處的數(shù)量大于等于3個(gè)。

6.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光圖形的形狀包括三角形和平行四邊形中的一種或兩種。

7.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，相鄰所述遮光圖形中最接近的兩條邊在垂直方向上的距離為1納米至5000納米。

8.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，相鄰所述遮光圖形的拐角處相正對(duì)時(shí)，所述遮光圖形的邊長(zhǎng)為1微米至100微米；

9.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光圖形的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界相正對(duì)時(shí)，所述遮光圖形與所述器件區(qū)中主圖形的邊界的垂直距離為1微米至100微米。

10.一種采用如權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的掩膜版形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括器件區(qū)、以及環(huán)繞所述器件區(qū)的靜電保護(hù)區(qū)：

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述誘發(fā)式防靜電保護(hù)環(huán)包括環(huán)繞所述器件區(qū)的開(kāi)口，所述開(kāi)口中設(shè)置有所述圖形層。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圖形層的形狀相同。

13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圖形層具有多個(gè)拐角處，且所述拐角處的數(shù)量大于等于3個(gè)。

14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圖形層的形狀包括三角形和平行四邊形中的一種或兩種。

15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰所述圖形層最接近的兩條邊在垂直方向上的距離為1納米至5000納米。

16.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰所述層的拐角處相正對(duì)時(shí)，所述圖形層的邊長(zhǎng)為1微米至100微米；

17.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圖形層的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界相正對(duì)時(shí)，所述圖形層與所述器件區(qū)中主圖形的邊界的垂直距離為1微米至100微米。

18.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圖形層的材料包括光刻膠。

技術(shù)總結(jié)
一種掩膜版及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，掩膜版包括器件區(qū)、以及環(huán)繞所述器件區(qū)的靜電保護(hù)區(qū)；所述靜電保護(hù)區(qū)中具有用于形成誘發(fā)式防靜電保護(hù)環(huán)的保護(hù)圖形，且所述保護(hù)圖形包括多個(gè)間隔分布的遮光圖形，所述保護(hù)圖形滿足如下情形中的一種或多種：相鄰所述遮光圖形的拐角處相正對(duì)；或者，所述遮光圖形的拐角處與所述器件區(qū)中主圖形的邊界相正對(duì)。使掩膜版中積累的電荷能量經(jīng)由所述遮光圖形的拐角處釋放掉，從而使誘發(fā)式防靜電保護(hù)環(huán)的放電發(fā)生在其遮光圖形上，能夠起到將掩膜版積累的電荷能量釋放掉的作用，降低了掩膜版中積累的電荷能量對(duì)器件區(qū)主圖形造成破壞的概率，進(jìn)而提高了采用所述掩膜版形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品良率。

技術(shù)研發(fā)人員：金普楠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6