本公開涉及致動平臺,例如,用于支撐光刻設(shè)備和系統(tǒng)中所使用的掩模版的平臺。
背景技術(shù):
1、光刻設(shè)備是一種將所需圖案施加到襯底上(通常是襯底的目標(biāo)部分)的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如制造集成電路(ic)。在這種情況下,圖案形成裝置(也稱為掩?;蜓谀0?可用于生成要在ic的單個層上形成的電路圖案。該圖案可轉(zhuǎn)印到襯底(例如,硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如,包括部分、一個或多個管芯)上。圖案的轉(zhuǎn)印通常是經(jīng)由成像到襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常,單個襯底將包含連續(xù)圖案化的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī),其中每個目標(biāo)部分通過一次將整個圖案曝光到目標(biāo)部分上來被照射,以及所謂的掃描儀,其中每個目標(biāo)部分通過沿給定方向(“掃描”方向)借助輻射束掃描圖案來被照射,同時同步地掃描與該掃描方向平行或反向平行的目標(biāo)部分。還可以通過將圖案壓印到襯底上來將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)印到襯底上。
2、在光刻操作期間,不同的處理步驟可能需要在襯底上依次形成不同的層。因此,可能需要以高準(zhǔn)確度將襯底相對于其上形成的先前圖案定位。通常,對準(zhǔn)標(biāo)記被放置在要對準(zhǔn)的襯底上,并參考第二物體定位。光刻設(shè)備可以使用對準(zhǔn)裝置來檢測對準(zhǔn)標(biāo)記的位置,并使用對準(zhǔn)標(biāo)記來對準(zhǔn)襯底以確保掩模的準(zhǔn)確曝光。兩個不同層處的對準(zhǔn)標(biāo)記之間的對準(zhǔn)不良被測量為套刻誤差。
3、為了監(jiān)測光刻工藝,需要測量圖案化襯底的參數(shù)。這些參數(shù)可以包括,例如,在圖案化襯底中或圖案化襯底上形成的連續(xù)層之間的套刻誤差以及顯影的光敏抗蝕劑的關(guān)鍵線寬。這種測量可以在產(chǎn)品襯底和/或?qū)S昧繙y目標(biāo)上進(jìn)行。有各種技術(shù)可用于測量光刻工藝中形成的微觀結(jié)構(gòu),包括使用掃描電子顯微鏡和各種專用工具。一種快速且非侵入式的專用檢查工具是散射儀,其中將輻射束引導(dǎo)到襯底表面上的目標(biāo)上,并測量散射或反射射束的特性。通過比較射束在被襯底反射或散射之前和之后的特性,可以確定襯底的特性。這可以通過例如將反射射束與存儲在與已知襯底特性相關(guān)的已知測量庫中的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較來實現(xiàn)。光譜散射儀將寬帶輻射束引導(dǎo)到襯底上,并測量散射到特定窄角度范圍內(nèi)的輻射的光譜(作為波長的函數(shù)的強(qiáng)度)。相比之下,角分辨散射儀使用單色輻射束,并測量散射輻射強(qiáng)度與角度的關(guān)系。
4、此類光學(xué)散射儀可用于測量參數(shù),諸如顯影的光敏抗蝕劑的關(guān)鍵尺寸或圖案化襯底內(nèi)或上形成的兩層之間的套刻誤差(ov)??梢酝ㄟ^比較射束被襯底反射或散射之前和之后的照射射束的性質(zhì)來確定襯底的性質(zhì)。
5、光刻系統(tǒng)在給定的時間內(nèi)只能輸出有限數(shù)目的制造器件。快速掃描晶片臺和掩模版臺可以提高制造速度。然而,高加速度可能導(dǎo)致平臺在機(jī)械應(yīng)力下變形。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、因此,希望提高制造速度和產(chǎn)量。根據(jù)本文所述方面,晶片和掩模版臺可以承受高加速度。
2、在一些方面,光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)、投影系統(tǒng)和平臺。照射系統(tǒng)被配置為照射圖案形成裝置的圖案。投影系統(tǒng)被配置為將圖案的圖像投影到襯底上。平臺被配置為移動圖案形成裝置或襯底。平臺包括第一和第二支撐結(jié)構(gòu)、致動器裝置、致動器目標(biāo)和軸。第一支撐結(jié)構(gòu)被配置為支撐圖案形成裝置或襯底。第二支撐結(jié)構(gòu)被配置為支撐第一支撐結(jié)構(gòu)。致動器裝置被設(shè)置在第二支撐結(jié)構(gòu)上,并被配置為沿一方向移動第一支撐結(jié)構(gòu)。致動器目標(biāo)被配置為與致動器裝置相互作用。軸固定到致動器目標(biāo)并位于第一支撐結(jié)構(gòu)的位置。軸被配置為將機(jī)械負(fù)載從致動器目標(biāo)傳輸?shù)皆撐恢谩?/p>
3、在一些方面,可移動平臺包括第一和第二支撐結(jié)構(gòu)、致動器裝置、致動器目標(biāo)和軸。第一支撐結(jié)構(gòu)被配置為支撐物體。第二支撐結(jié)構(gòu)被配置為支撐第一支撐結(jié)構(gòu)。致動器裝置被設(shè)置在第二支撐結(jié)構(gòu)上,并被配置為沿一方向移動第一支撐結(jié)構(gòu)。致動器目標(biāo)被配置為與致動器裝置相互作用。軸固定到致動器目標(biāo)并位于第一支撐結(jié)構(gòu)處。軸被配置為將機(jī)械負(fù)載從致動器目標(biāo)傳輸?shù)皆撐恢谩?/p>
4、在一些方面,光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)、投影系統(tǒng)和平臺。照射系統(tǒng)被配置為照射圖案形成裝置的圖案。投影系統(tǒng)被配置為將圖案的圖像投影到襯底上。平臺被配置為移動圖案形成裝置或襯底。平臺包括支撐結(jié)構(gòu)、致動器裝置、張力性構(gòu)件以及第一、第二和第三致動器目標(biāo)。支撐結(jié)構(gòu)被配置為支撐圖案形成裝置或襯底。第一致動器目標(biāo)被設(shè)置在支撐結(jié)構(gòu)的第一側(cè)處。第二致動器目標(biāo)被設(shè)置在支撐結(jié)構(gòu)的與第一側(cè)相對的第二側(cè)處。第三致動器目標(biāo)附接到支撐結(jié)構(gòu)的第一側(cè)。致動器裝置被設(shè)置在第一和第三目標(biāo)附近。致動器裝置被配置為與第一和第三目標(biāo)磁性相互作用,以沿一方向移動支撐結(jié)構(gòu)。第一和第二致動器目標(biāo)附接到張力性構(gòu)件的相對端。該張力性構(gòu)件被配置為基于施加在第一致動器目標(biāo)上的磁力,經(jīng)由第二致動器目標(biāo)將機(jī)械負(fù)載傳送到支撐結(jié)構(gòu)的第二側(cè)。
5、在一些方面,平臺包括支撐結(jié)構(gòu)、致動器裝置、張力性構(gòu)件以及第一、第二和第三致動器目標(biāo)。支撐結(jié)構(gòu)被配置為支撐物體。第一致動器目標(biāo)設(shè)置在支撐結(jié)構(gòu)的第一側(cè)處。第二致動器目標(biāo)設(shè)置在支撐結(jié)構(gòu)的與第一側(cè)相對的第二側(cè)處。第三致動器目標(biāo)附接到支撐結(jié)構(gòu)的第一側(cè)。致動器裝置被設(shè)置在第一和第三目標(biāo)附近。致動器裝置被配置為與第一和第三目標(biāo)磁性相互作用,以沿一方向移動支撐結(jié)構(gòu)。第一致動器目標(biāo)和第二致動器目標(biāo)附接到張力性構(gòu)件的相對端處。張力性構(gòu)件被配置為基于施加在第一致動器目標(biāo)上的磁力經(jīng)由第二致動器目標(biāo)將機(jī)械負(fù)載傳送到支撐結(jié)構(gòu)的第二側(cè)。
6、下面將參考附圖詳細(xì)描述本公開的其他特征以及各個方面的結(jié)構(gòu)和操作。需要注意的是,本公開不限于本文所述的特定方面。本文僅出于說明目的而呈現(xiàn)這些方面。基于本文所包含的教導(dǎo),相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將清楚了解其他方面。
1.一種光刻設(shè)備,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備,其中:
3.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻設(shè)備,其中:
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備,其中所述致動器裝置還被配置為通過經(jīng)由所述第三致動器目標(biāo)拉動所述第一側(cè)并且通過經(jīng)由所述第二致動器目標(biāo)將所述機(jī)械負(fù)載傳送到所述支撐結(jié)構(gòu)的所述第二側(cè)而推動所述第二側(cè)來移動所述支撐結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻設(shè)備,其中:
6.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻設(shè)備,其中:
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備,其中所述第一致動器目標(biāo)和所述第三致動器目標(biāo)之間的分離間隙為50微米或更小。
8.一種平臺,包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平臺,其中:
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平臺,其中:
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平臺,其中所述致動器裝置還被配置為通過經(jīng)由所述第三致動器目標(biāo)拉動所述第一側(cè)并且通過經(jīng)由所述第二致動器目標(biāo)將所述機(jī)械負(fù)載傳送到所述支撐結(jié)構(gòu)的所述第二側(cè)而推動所述第二側(cè)來移動所述支撐結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平臺,其中:
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平臺,其中:
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平臺,其中所述第一致動器和所述第三致動器目標(biāo)之間的分離間隙是50微米或更小。