背景技術(shù)：

1、在光刻中，光致抗蝕劑用于將光圖案轉(zhuǎn)移到襯底上且形成圖案化涂層。首先，在襯底上涂敷一層光敏感光致抗蝕劑材料。然后，使用圖案化掩模，將光致抗蝕劑的未遮蔽區(qū)域暴露于光。暴露會增強(qiáng)負(fù)型光致抗蝕劑或劣化(degrade)正型光致抗蝕劑。接下來，使用顯影劑去除負(fù)型光致抗蝕劑的遮蔽區(qū)域，或正型光致抗蝕劑的劣化區(qū)域。剩下的光致抗蝕劑材料在襯底上形成圖案化涂層。例如，圖案化涂層可用于選擇性地保護(hù)襯底的涂覆區(qū)域免受后續(xù)沉積或蝕刻工藝的影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、提供本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
，以利用簡化的形式來介紹概念的選擇，其將在以下的具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述。本發(fā)明內(nèi)容不意圖識別所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或基本特征，也不意圖用于限制所要求保護(hù)的主題的范圍。此外，所要求保護(hù)的主題不限于解決本公開內(nèi)容的任何部分中所提到的任何或所有缺點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)方案。

2、公開的示例涉及使用極紫外光(euv)吸收光電子發(fā)射摻雜劑，其鍵合至用于光致抗蝕劑的供氫光敏感底層中的原子。

3、一示例提供在襯底上形成光敏感底層的方法。所述方法包括：將所述襯底暴露于摻雜劑前體和烴前體，所述摻雜劑前體包括鍵合在含碳可聚合分子內(nèi)的極紫外光(euv)吸收光電子發(fā)射摻雜劑。所述方法還包括：將所述襯底暴露于自由基物質(zhì)。所述方法還包括：通過所述摻雜劑前體以及所述烴前體與所述自由基物質(zhì)的反應(yīng)，由所述摻雜劑前體和所述烴前體在所述襯底上形成供氫光敏感底層。

4、在一些這樣的示例中，將所述襯底暴露于所述自由基物質(zhì)包括：通過離子屏蔽和輻射屏蔽入口將所述自由基物質(zhì)從遠(yuǎn)程等離子體引入到包括所述襯底的處理室中。

5、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，將所述摻雜劑前體在所述離子屏蔽和輻射屏蔽入口的離子屏蔽和輻射屏蔽結(jié)構(gòu)的下游引入。

6、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述含碳可聚合分子包括碳-碳雙鍵、碳-碳三鍵、或環(huán)狀基團(tuán)中的一或更多者。

7、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述方法還包括在將所述襯底暴露于所述烴前體之前，將所述烴前體與含氫氣體混合。

8、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述摻雜劑前體包括含碘摻雜劑前體。

9、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述含碘摻雜劑前體包括碘乙炔或3-碘丙烯中的一或更多者。

10、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述摻雜劑前體包括含錫摻雜劑前體。

11、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述含錫摻雜劑前體包括二甲基錫(ii)、二乙基錫(ii)、四乙烯基錫(iv)、或二甲基(二乙烯基)錫(iv)中的一或更多者。

12、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，以標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(sccm)為單位的烴前體氣體流量比以sccm為單位的摻雜劑前體氣體流量的比率在2:1至100:1的范圍內(nèi)。

13、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述方法還包括控制襯底加熱器，以加熱至100℃至300℃的范圍內(nèi)的溫度。

14、另一示例提供了一種設(shè)置在襯底上的圖案化堆疊件。所述圖案化堆疊件包括光致抗蝕劑層。所述圖案化堆疊件還包括供氫光敏感底層，其設(shè)置在所述光致抗蝕劑層和所述襯底之間。所述供氫光敏感底層包括極紫外光(euv)吸收光電子發(fā)射摻雜劑，所述極紫外光吸收光電子發(fā)射摻雜劑鍵合至所述供氫光敏感底層中的原子上。

15、在一些這樣的示例中，所述供氫光敏感底層包括碳化硅。

16、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述供氫光敏感底層包含聚合物。

17、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述euv吸收光電子發(fā)射摻雜劑包括in、sn、sb、te或i中的一或更多者。

18、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述光致抗蝕劑層包括極紫外光(euv)光致抗蝕劑。

19、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述euv光致抗蝕劑包括錫基金屬氧化物光致抗蝕劑。

20、另一示例提供了一種處理工具。所述處理工具包括處理室。所述處理工具還包括等離子體產(chǎn)生器。所述處理工具還包括射頻電源，其被配置成向所述等離子體產(chǎn)生器提供射頻功率。所述處理工具還包括流動(dòng)控制硬件，其被配置成控制進(jìn)入所述處理室和進(jìn)入所述等離子體產(chǎn)生器的氣體流動(dòng)。所述處理工具還包括邏輯子系統(tǒng)；以及儲存子系統(tǒng)，其包括指令，所述指令能由所述邏輯子系統(tǒng)執(zhí)行以：控制所述流動(dòng)控制硬件，以將摻雜劑前體和烴前體引入到所述處理室中，所述摻雜劑前體包括極紫外光(euv)吸收光電子發(fā)射摻雜劑，所述極紫外光(euv)吸收光電子發(fā)射摻雜劑鍵合在含碳可聚合分子內(nèi)。所述指令還能執(zhí)行以控制所述流動(dòng)控制硬件，以將惰性氣體引入到所述等離子體產(chǎn)生器中。所述指令還能執(zhí)行以控制所述射頻電源，以在所述等離子體產(chǎn)生器中形成等離子體。所述指令還能執(zhí)行以控制所述流動(dòng)控制硬件，以將自由基物質(zhì)前體引入到所述等離子體產(chǎn)生器中。

21、在一些這樣的示例中，所述處理工具還包括摻雜劑前體氣體源，其中所述摻雜劑前體氣體源包括含碘摻雜劑前體或含錫摻雜劑前體中的一或更多者。

22、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述處理工具還包括離子屏蔽和輻射屏蔽入口，所述離子屏蔽和輻射屏蔽入口將所述等離子體產(chǎn)生器和所述處理室連接。

23、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述指令能執(zhí)行以控制所述流動(dòng)控制硬件，從而使所述烴前體流動(dòng)且使所述摻雜劑前體流動(dòng)，其中氣體流量比在2sccm:1sccm到10sccm:1sccm的范圍內(nèi)。

24、在一些這樣的示例中，附加地或替代地，所述處理工具還包括襯底加熱器，且所述指令還能執(zhí)行以控制所述襯底加熱器，以加熱到100℃至300℃的范圍內(nèi)的溫度。

技術(shù)特征：

1.一種在襯底上形成光敏感底層的方法，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述襯底暴露于所述自由基物質(zhì)包括：通過離子屏蔽和輻射屏蔽入口將所述自由基物質(zhì)從遠(yuǎn)程等離子體引入到包括所述襯底的處理室中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中將所述摻雜劑前體在所述離子屏蔽和輻射屏蔽入口的離子屏蔽和輻射屏蔽結(jié)構(gòu)的下游引入。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含碳可聚合分子包括碳-碳雙鍵、碳-碳三鍵、或環(huán)狀基團(tuán)中的一或更多者。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包括在將所述襯底暴露于所述烴前體之前，將所述烴前體與含氫氣體混合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述摻雜劑前體包括含碘摻雜劑前體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述含碘摻雜劑前體包括碘乙炔或3-碘丙烯中的一或更多者。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述摻雜劑前體包括含錫摻雜劑前體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述含錫摻雜劑前體包括二甲基錫(ii)、二乙基錫(ii)、四乙烯基錫(iv)、或二甲基(二乙烯基)錫(iv)中的一或更多者。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中以標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(sccm)為單位的烴前體氣體流量比以sccm為單位的摻雜劑前體氣體流量的比率在2:1至100:1的范圍內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包括控制襯底加熱器，以加熱至100℃至300℃的范圍內(nèi)的溫度。

12.一種設(shè)置在襯底上的圖案化堆疊件，所述圖案化堆疊件包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖案化堆疊件，其中所述供氫光敏感底層包括碳化硅。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖案化堆疊件，其中所述供氫光敏感底層包括碳基聚合物。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖案化堆疊件，其中所述極紫外光吸收光電子發(fā)射摻雜劑包括in、sn、sb、te或i中的一或更多者。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖案化堆疊件，其中所述光致抗蝕劑層包括極紫外光(euv)光致抗蝕劑。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖案化堆疊件，其中所述euv光致抗蝕劑包括錫基金屬氧化物光致抗蝕劑。

18.一種處理工具，其包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的處理工具，其還包括摻雜劑前體氣體源，其中所述摻雜劑前體氣體源包括含碘摻雜劑或含錫摻雜劑中的一或更多者。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的處理工具，其還包括離子屏蔽和輻射屏蔽入口，所述離子屏蔽和輻射屏蔽入口將所述等離子體產(chǎn)生器和所述處理室連接。

21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的處理工具，其中所述指令能執(zhí)行以控制所述流動(dòng)控制硬件，從而使所述烴前體流動(dòng)且使所述摻雜劑前體流動(dòng)，其中氣體流量比在2sccm:1sccm到10sccm:1sccm的范圍內(nèi)。

22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的處理工具，其還包括襯底加熱器，且其中所述指令還能執(zhí)行以控制所述襯底加熱器，以加熱到100℃至300℃的范圍內(nèi)的溫度。

技術(shù)總結(jié)
公開的示例涉及使用極紫外光(EUV)吸收光電子發(fā)射摻雜劑，該摻雜劑鍵合至用于光致抗蝕劑的供氫光敏感底層中的原子。一示例提供在襯底上形成供氫光敏感底層的方法。該方法包括將該襯底暴露于摻雜劑前體和烴前體，該摻雜劑前體包括鍵合在含碳可聚合分子內(nèi)的極紫外光(EUV)吸收光電子發(fā)射摻雜劑。該方法還包括將該襯底暴露于由等離子體形成的自由基物質(zhì)。該方法還包括通過該摻雜劑前體以及該烴前體與該自由基物質(zhì)的反應(yīng)，由該摻雜劑前體和該烴前體在該襯底上形成供氫光敏感底層。

技術(shù)研發(fā)人員：西瓦·克里希南·卡納卡薩巴帕蒂,巴德里·瓦拉達(dá)拉簡,阿爾潘·普拉文·毛洛瓦拉,杜爾加拉克什米·A·辛格哈爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：朗姆研究公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6