本公開內(nèi)容的示例實施方式涉及形成光致抗蝕劑(光刻膠)圖案的方法和烘烤設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、通過如下形成光致抗蝕劑圖案：在基底(基板)上形成光致抗蝕劑層，對所述光致抗蝕劑層進行曝光工藝，對所述光致抗蝕劑層進行曝光后烘烤(peb)工藝，和對所述光致抗蝕劑層進行顯影工藝。所述光致抗蝕劑層包括光酸產(chǎn)生劑(光致產(chǎn)酸劑，pag)，并且當(dāng)進行曝光工藝時，在光致抗蝕劑層的曝光部分中由pag產(chǎn)生酸。在peb工藝期間，酸可擴散以在包括在光致抗蝕劑層中的聚合物的脫保護反應(yīng)中充當(dāng)催化劑，使得在顯影工藝期間容易地除去聚合物。

2、酸在peb工藝期間在隨機(無規(guī))方向上擴散，并且因此擴散到光致抗蝕劑層的在水平方向上與曝光部分相鄰的未曝光部分以及曝光部分中。因此，通過在顯影工藝期間除去光致抗蝕劑層的曝光部分而在光致抗蝕劑層中形成的開口的側(cè)壁在豎直方向上具有隨機斜率且在水平方向上具有隨機形狀。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、示例實施方式提供形成具有增強的特性的光致抗蝕劑圖案的方法。

2、示例實施方式提供具有增強的特性的烘烤設(shè)備。

3、根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，提供形成光致抗蝕劑圖案的方法。在該方法中，可在基底上形成光致抗蝕劑層?？蓪庵驴刮g劑層進行曝光工藝?？稍诨旧洗怪庇诨椎纳媳砻娴呢Q直方向上在光致抗蝕劑層中有溫度梯度的情況下，對光致抗蝕劑層進行曝光后烘烤(peb)工藝。可對光致抗蝕劑層進行顯影工藝。

4、根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，提供形成光致抗蝕劑圖案的方法。在該方法中，可在基底上形成光致抗蝕劑層?？蓪庵驴刮g劑層進行曝光工藝。可通過將基底提供到在烘烤室的熱沉(散熱器)和熱源之間的空間中而對光致抗蝕劑層進行曝光后烘烤(peb)工藝?？蓪庵驴刮g劑層進行顯影工藝。

5、根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，提供烘烤設(shè)備。烘烤設(shè)備可包括烘烤室、在烘烤室的下部部分中的熱沉、在烘烤室的上部部分中的熱源、以及控制器，所述控制器配置為控制熱沉和熱源，使得可在提供到在熱源和熱沉之間的空間中的基底上形成的光致抗蝕劑層的上表面和下表面之間形成溫度梯度。

6、根據(jù)示例實施方式的光致抗蝕劑圖案可具有增強的線邊緣粗糙度(ler)特性和增強的線寬粗糙度(lwr)特性。

技術(shù)特征：

1.形成光致抗蝕劑圖案的方法，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光致抗蝕劑層包括光酸產(chǎn)生劑pag。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中在所述曝光工藝期間由所述pag產(chǎn)生酸，和

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述peb工藝包括將其上形成所述光致抗蝕劑層的基底提供到烘烤室中，和

5.形成光致抗蝕劑圖案的方法，所述方法包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述熱源和所述熱沉分別位于所述烘烤室的上部部分和下部部分中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其中所述熱源包括激光發(fā)生器或燈加熱器，和

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述基底的下表面接觸所述激冷板的上表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述光致抗蝕劑層包括光酸產(chǎn)生劑pag。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述熱沉和所述熱源在豎直方向上彼此間隔開，并且在所述曝光工藝期間由所述pag產(chǎn)生酸，和

11.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其中，在所述peb工藝中，在所述光致抗蝕劑層的上表面和下表面之間的溫度差大于0℃且最高達約300℃。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，進一步包括在進行所述曝光工藝之前，對所述光致抗蝕劑層進行預(yù)烘烤工藝。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其中所述光致抗蝕劑層為化學(xué)放大抗蝕劑(car)。

14.烘烤設(shè)備，包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的烘烤設(shè)備，其中所述熱源包括激光發(fā)生器或燈加熱器，和

技術(shù)總結(jié)
提供形成光致抗蝕劑圖案的方法和烘烤設(shè)備。光致抗蝕劑層可形成在基底上?？蓪庵驴刮g劑層進行曝光工藝?？稍诠庵驴刮g劑層中在基本上垂直于基底的上表面的豎直方向上有溫度梯度的情況下對光致抗蝕劑層進行曝光后烘烤(PEB)工藝?？蓪庵驴刮g劑層進行顯影工藝。

技術(shù)研發(fā)人員：柳亨周,權(quán)徒敬,金相辰,樸昌敏
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2