本公開涉及光罩護膜組件(pellicle?assembly)、光罩組件(reticle?assembly)、光罩盒(reticle?case)、光罩護膜測量方法和光罩測量方法，具體地，涉及被提供為感測光罩護膜或光罩的狀態(tài)的光罩護膜組件、光罩組件、光罩盒、光罩護膜測量方法和光罩測量方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體器件可以通過各種工藝來制造。例如，半導(dǎo)體器件可以通過曝光工藝、蝕刻工藝、沉積工藝和/或鍍覆工藝來制造。在曝光工藝中，可以使用光罩在晶片上形成期望的圖案。為了保護光罩免受外部污染物質(zhì)的影響，光罩護膜可以位于光罩上并且聯(lián)接到光罩。光罩護膜可以提供為薄膜的形式。在光罩護膜損壞的情況下，在曝光工藝之后可能在晶片上產(chǎn)生缺陷。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式提供光罩護膜組件、光罩組件、光罩盒、光罩護膜測量方法和光罩測量方法，其被提供來感測光罩護膜和/或光罩中的缺陷。

2、本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式提供光罩護膜組件、光罩組件、光罩盒、光罩護膜測量方法和光罩測量方法，其被提供來估計光罩護膜的壽命。

3、本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式提供光罩護膜組件、光罩組件、光罩盒、光罩護膜測量方法和光罩測量方法，其用于甚至在光罩護膜或光罩的運輸或儲存期間也測量光罩護膜和/或光罩。

4、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式，一種光罩護膜組件可以包括：光罩護膜框架，配置為提供第一開口；光罩護膜，在光罩護膜框架上；以及多個光罩護膜電極，沿著光罩護膜的邊緣布置并彼此間隔開。光罩護膜可以包括具有四邊形或矩形框架形狀的光罩護膜邊界以及位于光罩護膜邊界的頂表面上并且聯(lián)接到光罩護膜邊界的頂表面的光罩護膜膜狀物。每個光罩護膜電極可以包括位于光罩護膜膜狀物的頂表面上并與光罩護膜膜狀物的頂表面接觸的接觸構(gòu)件。

5、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式，一種光罩組件可以包括：光罩，配置用于曝光工藝；載物臺，配置為支撐光罩；以及多個光罩電極，在光罩和載物臺之間。光罩可以包括頂表面和與頂表面間隔開的底表面，頂表面在其上包括掩模圖案。每個光罩電極可以與光罩的底表面接觸，所述多個光罩電極可以沿著光罩的底表面的邊緣布置并彼此間隔開。

6、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式，一種光罩盒可以包括下盒(lower?pod)和位于下盒上并且聯(lián)接到下盒的上盒(upper?pod)。下盒可以包括：下盒主體，配置為提供下插入空間；以及多個下支撐電極，從下盒主體的限定下插入空間的底表面向上延伸。當(dāng)在平面圖中觀察時，所述多個下支撐電極可以沿著四邊形或矩形形狀的拐角布置并彼此間隔開。

7、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式，一種光罩護膜測量方法可以包括：向兩個光罩護膜電極供應(yīng)電流，所述兩個光罩護膜電極被包括在沿著光罩護膜膜狀物的邊緣布置并彼此間隔開的多個光罩護膜電極中；測量從所述多個光罩護膜電極中選擇的一對光罩護膜電極之間的電位差；以及測量光罩護膜膜狀物的阻抗。

8、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式，一種光罩測量方法可以包括：向兩個光罩電極供應(yīng)電流，所述兩個光罩電極被包括在沿著光罩的底表面的邊緣布置并彼此間隔開的多個光罩電極中；測量從所述多個光罩電極中選擇的一對光罩電極之間的電位差；以及測量光罩的阻抗。

技術(shù)特征：

1.一種光罩護膜組件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩護膜組件，其中每個所述光罩護膜電極還包括支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件位于所述光罩護膜框架上并由所述光罩護膜框架支撐，以及

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光罩護膜組件，其中所述光罩護膜邊界的所述頂表面在所述光罩護膜膜狀物的所述周邊部分和所述光罩護膜框架的頂表面之間，以及

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩護膜組件，其中所述光罩護膜框架還提供聯(lián)接孔，所述聯(lián)接孔從所述光罩護膜框架的底表面向上凹入。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩護膜組件，其中當(dāng)在平面圖中觀察時，所述光罩護膜膜狀物具有四邊形或矩形形狀，以及

6.一種光罩組件，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光罩組件，其中當(dāng)在平面圖中觀察時，所述光罩具有四邊形或矩形形狀，以及

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光罩組件，其中所述載物臺還包括靜電卡盤，所述靜電卡盤具有配置為支撐所述光罩的頂表面，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光罩組件，其中每個所述光罩電極還包括聯(lián)接構(gòu)件，所述聯(lián)接構(gòu)件從所述插入構(gòu)件延伸到在所述光罩外部的區(qū)域并暴露于在所述光罩外部的所述區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光罩組件，還包括光罩護膜組件，所述光罩護膜組件位于所述光罩上并且聯(lián)接到所述光罩，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光罩組件，其中所述光罩護膜組件還包括：

12.一種光罩盒，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光罩盒，其中所述下盒還包括多個支撐構(gòu)件，所述多個支撐構(gòu)件從所述下盒主體的所述底表面向上延伸，以及

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光罩盒，其中所述多個支撐構(gòu)件中的每個包括絕緣材料，以及

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光罩盒，其中在所述下盒主體的所述底表面限定基準參考平面的情況下，分別至少部分地圍繞所述下支撐電極的所述多個支撐構(gòu)件中的每個的上端的水平等于或低于每個所述下支撐電極的上端的水平。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光罩盒，其中所述上盒包括：

17.一種光罩護膜測量方法，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光罩護膜測量方法，其中被供應(yīng)所述電流的所述兩個光罩護膜電極彼此相鄰。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光罩護膜測量方法，其中對所述多個光罩護膜電極的全部依次執(zhí)行向所述兩個光罩護膜電極供應(yīng)所述電流。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光罩護膜測量方法，其中對所述多個光罩護膜電極中的兩個相鄰的光罩護膜電極執(zhí)行在所選擇的一對所述光罩護膜電極之間的所述電位差的測量。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了光罩護膜組件、光罩組件、光罩盒和光罩護膜測量方法。一種光罩護膜組件可以包括：光罩護膜框架，配置為提供第一開口；光罩護膜，在光罩護膜框架上；以及多個光罩護膜電極，沿著光罩護膜的邊緣布置并彼此間隔開。光罩護膜可以包括具有四邊形或矩形框架形狀的光罩護膜邊界以及位于光罩護膜邊界的頂表面上并且聯(lián)接到光罩護膜邊界的頂表面的光罩護膜膜狀物。每個光罩護膜電極可以包括位于光罩護膜膜狀物的頂表面上并與光罩護膜膜狀物的頂表面接觸的接觸構(gòu)件。

技術(shù)研發(fā)人員：李允漢,具君謨,金文子
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9