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半導(dǎo)體器件及其制造方法與流程

文檔序號(hào):40458486發(fā)布日期:2024-12-27 09:23閱讀:12來(lái)源:國(guó)知局
半導(dǎo)體器件及其制造方法與流程

本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。


背景技術(shù):

1、電信號(hào)和處理是用于信號(hào)傳輸和處理的一種技術(shù)。近年來(lái),光信號(hào)傳輸和處理已經(jīng)用于越來(lái)越多的應(yīng)用中,特別是由于用于信號(hào)傳輸?shù)墓饫w相關(guān)的應(yīng)用的使用。

2、光信號(hào)和處理通常與電信號(hào)和處理相結(jié)合,以提供成熟的應(yīng)用。例如,光纖可以用于遠(yuǎn)程信號(hào)傳輸,并且電信號(hào)可以用于短程信號(hào)傳輸以及處理和控制。因此,形成了集成遠(yuǎn)程光學(xué)組件和短程電組件的器件,以用于光信號(hào)和電信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換以及光信號(hào)和電信號(hào)的處理。因此,封裝件可以包括:包括光學(xué)器件的光學(xué)(光子)管芯以及包括電子器件的電子管芯。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:接收多層級(jí)連接單元,所述多層級(jí)連接單元包括:第一層級(jí),包括具有第一取向的第一反射鏡;第二層級(jí),包括具有與所述第一取向相同的第二取向的第二反射鏡;以及第三層級(jí),包括第三反射鏡,所述第三反射鏡具有與所述第一取向不同的第三取向;以及將所述多層級(jí)連接單元附接至第一光學(xué)封裝件,所述第一光學(xué)封裝件包括半導(dǎo)體管芯。

2、本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:將電集成電路附接至光學(xué)中介層;以及將第一層級(jí)有源層接合在所述電集成電路和所述光學(xué)中介層上方,所述第一層級(jí)有源層包括:第一光學(xué)組件;以及第一反射鏡,與所述第一光學(xué)組件對(duì)準(zhǔn)。

3、本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件,包括:多層級(jí)連接單元,所述多層級(jí)連接單元包括:第一層級(jí),包括第一反射鏡;第二層級(jí),包括第二反射鏡、第一透鏡和第二透鏡;以及第三層級(jí),包括第三反射鏡和第三透鏡;以及第一光學(xué)封裝件,附接至所述多層級(jí)連接單元,所述第一光學(xué)封裝件包括半導(dǎo)體管芯。



技術(shù)特征:

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第三層級(jí)還包括扇入波導(dǎo)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第二反射鏡包括多個(gè)、分隔的部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第一反射鏡是單個(gè)單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述多層級(jí)連接單元具有恒定的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第一反射鏡位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第一層級(jí)還包括與所述第一反射鏡對(duì)準(zhǔn)的波導(dǎo)。

8.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,在所述接合之后,所述第一反射鏡與位于所述電集成電路的與所述第一反射鏡相對(duì)的側(cè)上的第二反射鏡對(duì)準(zhǔn),所述第二反射鏡位于第二光學(xué)組件的第一有源層中。

10.一種半導(dǎo)體器件,包括:


技術(shù)總結(jié)
提出了光學(xué)器件和制造方法,其中利用多層級(jí)連接件來(lái)向光學(xué)器件發(fā)送光信號(hào)并且從光學(xué)器件接收光信號(hào)。在實(shí)施例中,多層級(jí)連接單元從光學(xué)器件的外部接收光信號(hào),其中,光信號(hào)最初位于多個(gè)層中。然后,多層級(jí)連接單元將光信號(hào)布線至單個(gè)層的光學(xué)組件中。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員:余振華,邵棟梁,林逸然,黃鈺昇,蔡宗甫,王朝仁,盧思維
受保護(hù)的技術(shù)使用者:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/26
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