本發(fā)明涉及光纖，具體涉及一種通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)及光纖熔接點(diǎn)處理方法。

背景技術(shù)：

1、光纖(光導(dǎo)纖維的簡(jiǎn)寫(xiě))是一種由玻璃或塑料制成的纖維，由內(nèi)而外通常包括纖芯、包層、涂覆層。光纖作為光傳導(dǎo)的工具，在通信、醫(yī)療、工業(yè)加工等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。利用光纖進(jìn)行光傳導(dǎo)時(shí)，通常需要將兩根光纖對(duì)準(zhǔn)并通過(guò)熔接的方式連接在一起，以此建立可靠的光信號(hào)傳輸通道。光纖在進(jìn)行熔接操作時(shí)，需要先將附著在光纖表面的涂覆層剝除，然后利用熔接設(shè)備進(jìn)行熔接，具體過(guò)程參見(jiàn)申請(qǐng)人較早前的專利成果cn116023045b。

2、為恢復(fù)光纖的物理及光學(xué)特性，增強(qiáng)光纖柔韌性以保護(hù)裸纖及熔接點(diǎn)，在熔接完成后還需要對(duì)熔接點(diǎn)及剝除段進(jìn)行處理。目前常用的熔接點(diǎn)處理方法主要是利用光纖涂覆機(jī)在熔接點(diǎn)及裸纖表面涂覆一層紫外光固化涂料，然后照射紫外光形成彈性保護(hù)層。

3、然而不同光纖的幾何尺寸、纖芯和包層的折射率均存在較大差異，在某些實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合還需要從熔接點(diǎn)位置將特定功率的光導(dǎo)出或?qū)θ劢狱c(diǎn)附近導(dǎo)出的光功率進(jìn)行監(jiān)測(cè)，如果采用光纖涂覆機(jī)涂覆的方法則需要針對(duì)不同的光纖熔接點(diǎn)頻繁更換夾具和膠水，不僅操作復(fù)雜而且也無(wú)法滿足需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，提供一種通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)，其包括熔接光纖、折射率可變的電光層1、熱電吸光層2，所述電光層1包覆在光纖熔接部位，所述熱電吸光層2包覆在電光層1外表面。

2、進(jìn)一步的，所述電光層1完全包覆住光纖熔接部位，并且向兩端延伸包覆住部分未熔接的光纖。

3、進(jìn)一步的，所述電光層1的材質(zhì)選自鈮酸鋰、摻鐵鈮酸鋰、摻鎂鈮酸鋰中的至少一種。

4、進(jìn)一步的，所述熱電吸光層2包括吸收體和附著在吸收體上的熱電材料涂層。

5、進(jìn)一步的，吸收體的材質(zhì)為金屬，如銅、鐵、不銹鋼等。

6、進(jìn)一步的，所述熱電吸光層2面向電光層1的一側(cè)內(nèi)置有用于監(jiān)測(cè)光功率的熱電堆傳感器。

7、進(jìn)一步的，所述熱電堆傳感器具體為多個(gè)(即2個(gè)以上)串聯(lián)在一起的熱電偶，在其表面涂覆有熱電材料涂層。

8、進(jìn)一步的，所述熱電材料涂層的材質(zhì)為bb寬光譜吸收材料或ex準(zhǔn)分子激光專用吸收材料等。

9、進(jìn)一步的，該通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)還包括熱沉3，所述熱沉3包覆在熱電吸光層2外表面。

10、進(jìn)一步的，該通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)還包括電場(chǎng)4，光纖的熔接部位位于電場(chǎng)4之中。

11、本發(fā)明還提供一種通用型光纖熔接點(diǎn)的處理方法，包括：在光纖熔接部位的包層表面形成折射率可變的電光層1；在電光層1外表面形成熱電吸光層2；利用熱電吸光層2吸收泄露的光并測(cè)量光功率，結(jié)合熔接點(diǎn)使用要求和光纖參數(shù)，確定電光層1所需的折射率；將光纖熔接部位置于電場(chǎng)4中，調(diào)整電場(chǎng)4的方向和強(qiáng)度使得電光層1的折射率增大或減小至所需值，由此滿足光纖熔接點(diǎn)的使用要求。

12、進(jìn)一步的，電光層1、熱電吸光層2的形成方式包括涂覆、吸附、外延生長(zhǎng)、粘連、鍵合等。

13、本發(fā)明利用電場(chǎng)動(dòng)態(tài)靈活調(diào)整電光層的折射率，確保了光纖在熔接點(diǎn)處更好的向前傳輸，避免光纖從包層向外大量泄漏，最終滿足了光纖熔接點(diǎn)的使用要求。通過(guò)在光纖包層外表面形成多個(gè)功能包覆層，不僅能夠?yàn)楣饫w熔接點(diǎn)提供物理保護(hù)，而且可以適應(yīng)不同參數(shù)的光纖熔接點(diǎn)，還能夠根據(jù)需要?jiǎng)討B(tài)改變光纖包層外部電光層的折射率，使其滿足熔接點(diǎn)的實(shí)際使用需求，具有很強(qiáng)的通用性和實(shí)用價(jià)值。該方法還具有工藝簡(jiǎn)單、適用面廣、效果突出等優(yōu)點(diǎn)，具有較好的推廣應(yīng)用前景。

技術(shù)特征：

1.一種通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)，其特征在于：該系統(tǒng)包括熔接光纖、折射率可變的電光層(1)、熱電吸光層(2)，所述電光層(1)包覆在光纖熔接部位，所述熱電吸光層(2)包覆在電光層(1)外表面。

2.如權(quán)利要求1所述的通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)，其特征在于：所述電光層(1)完全包覆住光纖熔接部位，并且向兩端延伸包覆部分未熔接的光纖。

3.如權(quán)利要求1所述的通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)，其特征在于：所述電光層(1)的材質(zhì)選自鈮酸鋰、摻鐵鈮酸鋰、摻鎂鈮酸鋰中的至少一種。

4.如權(quán)利要求1所述的通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)，其特征在于：所述熱電吸光層(2)包括吸收體和附著在吸收體上的熱電材料涂層，其中吸收體的材質(zhì)選自銅、鐵、不銹鋼中的至少一種，熱電材料涂層的材質(zhì)選自bb寬光譜吸收材料、ex準(zhǔn)分子激光專用吸收材料中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1所述的通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)，其特征在于：所述熱電吸光層(2)面向電光層(1)的一側(cè)內(nèi)置有用于監(jiān)測(cè)光功率的熱電堆傳感器。

6.如權(quán)利要求5所述的通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)，其特征在于：所述熱電堆傳感器具體為2個(gè)以上串聯(lián)連接的熱電偶，在熱電偶表面涂覆有熱電材料涂層。

7.如權(quán)利要求1所述的通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)，其特征在于：該通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)還包括熱沉(3)，所述熱沉(3)包覆在熱電吸光層(2)外表面。

8.如權(quán)利要求1所述的通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)，其特征在于：該通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)還包括電場(chǎng)(4)，光纖的熔接部位位于電場(chǎng)(4)之中。

9.一種通用型光纖熔接點(diǎn)的處理方法，其特征在于該處理方法包括：在光纖熔接部位的包層表面形成折射率可變的電光層(1)；在電光層(1)外表面形成熱電吸光層(2)；利用熱電吸光層(2)吸收泄露的光并測(cè)量光功率，結(jié)合熔接點(diǎn)使用要求和光纖參數(shù)，確定電光層(1)所需的折射率；將光纖熔接部位置于電場(chǎng)(4)中，調(diào)整電場(chǎng)(4)的方向和強(qiáng)度，使得電光層(1)的折射率增大或減小至所需值。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于：電光層(1)、熱電吸光層(2)的形成方式包括涂覆、吸附、外延生長(zhǎng)、粘連、鍵合。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種通用型光纖熔接點(diǎn)系統(tǒng)及光纖熔接點(diǎn)處理方法。首先在光纖熔接部位的包層表面形成折射率可變的電光層1，然后在電光層1表面形成熱電吸光層2，利用熱電吸光層2吸收泄露的光并測(cè)量光功率，結(jié)合熔接點(diǎn)使用要求和光纖參數(shù)確定電光層1所需的折射率，接著將光纖熔接部位置于電場(chǎng)4中，通過(guò)調(diào)整電場(chǎng)4的方向和強(qiáng)度調(diào)控電光層1的折射率至所需值，由此滿足光纖熔接點(diǎn)的使用要求。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、適用面廣、效果突出、調(diào)節(jié)方式靈活高效等優(yōu)點(diǎn)，具有較好的推廣應(yīng)用前景。

技術(shù)研發(fā)人員：何欽政,谷亮,李松柏,高廣澤,高亦飛,韓新麗,齊恕賢,董超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湖北華中長(zhǎng)江光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30