1.一種光刻仿真模型構(gòu)建方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，多個(gè)所述光刻仿真參數(shù)還包括目標(biāo)格點(diǎn)內(nèi)所述目標(biāo)光化學(xué)反應(yīng)物質(zhì)的局部濃度信息，所述目標(biāo)格點(diǎn)為所述第一測(cè)試圖形中劃分的量測(cè)點(diǎn)；
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一測(cè)試圖形和所述第二測(cè)試圖形為一維光柵結(jié)構(gòu)版圖中的測(cè)試圖形；所述關(guān)鍵尺寸為所述第一測(cè)試圖形和所述第二測(cè)試圖形之間不透光區(qū)域的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，多個(gè)所述光刻仿真參數(shù)還包括目標(biāo)格點(diǎn)對(duì)應(yīng)的所述目標(biāo)光化學(xué)反應(yīng)物質(zhì)的局部濃度信息，所述目標(biāo)格點(diǎn)為所述第一測(cè)試圖形中劃分的量測(cè)點(diǎn)；
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一測(cè)試圖形和所述第二測(cè)試圖形為二維光柵結(jié)構(gòu)版圖中的測(cè)試圖形；所述關(guān)鍵尺寸為目標(biāo)格點(diǎn)與n個(gè)參考格點(diǎn)中各參考格點(diǎn)之間的距離，n為正整數(shù)；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，多個(gè)所述光刻仿真參數(shù)還包括目標(biāo)格點(diǎn)對(duì)應(yīng)的所述目標(biāo)光化學(xué)反應(yīng)物質(zhì)的局部濃度信息，所述目標(biāo)格點(diǎn)為所述第一測(cè)試圖形中劃分的量測(cè)點(diǎn)；所述基于多個(gè)所述光刻仿真參數(shù)，確定曝光后光刻膠中的目標(biāo)光化學(xué)反應(yīng)物質(zhì)的目標(biāo)擴(kuò)散系數(shù)，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目標(biāo)擴(kuò)散系數(shù)，構(gòu)建所述目標(biāo)光化學(xué)反應(yīng)物質(zhì)在光刻仿真的后烘流程中的目標(biāo)反應(yīng)擴(kuò)散模型，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于所述目標(biāo)擴(kuò)散系數(shù)，構(gòu)建所述目標(biāo)光化學(xué)反應(yīng)物質(zhì)在光刻仿真的后烘流程中的目標(biāo)反應(yīng)擴(kuò)散模型之后，所述方法還包括：
9.一種光刻仿真模型構(gòu)建裝置，其特征在于，所述裝置包括：
10.一種光刻仿真模型構(gòu)建設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：處理器以及存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令的存儲(chǔ)器；
11.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令，所述計(jì)算機(jī)程序指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的光刻仿真模型構(gòu)建方法。
12.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品中的指令由電子設(shè)備的處理器執(zhí)行時(shí)，所述電子設(shè)備執(zhí)行如權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的光刻仿真模型構(gòu)建方法。