本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種光罩缺陷檢查方法。

背景技術(shù)：

1、光罩是一種圖像傳輸?shù)妮d體，將設(shè)計(jì)好的電路圖形通過(guò)電子激光設(shè)備曝光在感光膠上，被曝光的區(qū)域會(huì)被顯影出來(lái)，形成電路圖形，成為類似曝光后底片的掩模版，然后應(yīng)用于對(duì)集成電路進(jìn)行投影定位，通過(guò)集成電路光刻機(jī)對(duì)所投影的電路進(jìn)行光蝕刻。然而，光罩在制作過(guò)程不可避免的會(huì)形成各種缺陷，缺陷會(huì)影響電路圖形的形成，因此需要檢查機(jī)臺(tái)對(duì)光罩進(jìn)行后道缺陷檢查。

2、光罩的后道檢查類型主要包括die?to?die(dd)、die?to?database(db)和starlight三種檢查方式，其中dd檢查方式是通過(guò)比較光罩上兩個(gè)die的圖形差異來(lái)確定光罩圖形是否存在缺陷；db檢查方式是只需要測(cè)量光罩上一個(gè)die，并將die的圖形與數(shù)據(jù)庫(kù)中的圖形進(jìn)行對(duì)比，尋找差異以判斷光罩圖形是否存在缺陷；starlight檢查方式是對(duì)光罩進(jìn)行光的透反射檢測(cè)，例如可以采用starlight的檢測(cè)設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)的檢測(cè)。

3、目前，光罩包括常規(guī)版光罩、single?chip(單芯片)版光罩、mpw(多項(xiàng)目)版光罩、mlm(多層整合)版光罩，其中單芯片版光罩是指將原本數(shù)枚芯片實(shí)現(xiàn)的功能集成到一枚芯片中來(lái)實(shí)現(xiàn)的技術(shù)，相當(dāng)于單個(gè)芯片中具有多個(gè)子芯片。單芯片版光罩上具有多個(gè)單芯片，在數(shù)據(jù)處理多個(gè)單芯片的過(guò)程中、db檢查過(guò)程中，單芯片進(jìn)行光罩后道缺陷檢查中進(jìn)行db檢查存在轉(zhuǎn)檔時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，導(dǎo)致缺陷檢查效率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種光罩缺陷檢查方法，縮短了數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔時(shí)間，提高了光罩缺陷檢查效率。

2、為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種光罩缺陷檢查方法，包括：

3、提供光罩，所述光罩上具有多個(gè)單芯片，所述單芯片包括若干die；

4、對(duì)所述單芯片執(zhí)行切割道處理，以將所述單芯片劃分為若干獨(dú)立的die；

5、分別對(duì)每個(gè)獨(dú)立的die執(zhí)行缺陷檢查，以完成所述光罩上單芯片的缺陷檢查。

6、可選的，所述光罩為單芯片版光罩。

7、可選的，所述單芯片上die的數(shù)量至少為一個(gè)。

8、可選的，若干所述die呈陣列排布。

9、可選的，相鄰兩個(gè)所述die之間具有間隙。

10、可選的，執(zhí)行切割道處理時(shí)的切割道部分位于相鄰兩個(gè)所述die之間的間隙內(nèi)。

11、可選的，所述缺陷檢查為die?to?database檢查方式。

12、可選的，對(duì)每個(gè)獨(dú)立的die執(zhí)行缺陷檢查的步驟包括：

13、采集獲得每個(gè)獨(dú)立的die的圖形；

14、將采集到的每個(gè)獨(dú)立的die的圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔；

15、將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔后的每個(gè)獨(dú)立的die的圖形與數(shù)據(jù)庫(kù)中存儲(chǔ)的圖形進(jìn)行對(duì)比，以識(shí)別每個(gè)獨(dú)立的die的圖形與數(shù)據(jù)庫(kù)中存儲(chǔ)的圖形的差異。

16、可選的，利用光罩缺陷掃描機(jī)掃描采集獲得每個(gè)獨(dú)立的die的圖形。

17、可選的，所述單芯片上所有die的圖形存儲(chǔ)于所述數(shù)據(jù)庫(kù)中。

18、在本發(fā)明提供的光罩缺陷檢查方法中，包括：提供光罩，光罩上具有多個(gè)單芯片，單芯片包括若干die；對(duì)單芯片執(zhí)行切割道處理，以將單芯片劃分為若干獨(dú)立的die；分別對(duì)每個(gè)獨(dú)立的die執(zhí)行缺陷檢查，以完成光罩上單芯片的缺陷檢查。本發(fā)明中原本單芯片中不具有切割道，在對(duì)單芯片進(jìn)行缺陷檢查時(shí)，需要將單芯片中的所有die同步進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔，會(huì)存在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題；本發(fā)明通過(guò)對(duì)單芯片執(zhí)行切割道處理，以將單芯片劃分為若干獨(dú)立的die，結(jié)合分別對(duì)每個(gè)獨(dú)立的die執(zhí)行缺陷檢查，每個(gè)獨(dú)立的die的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔時(shí)間短，整個(gè)單芯片的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔時(shí)間相較于將單芯片中的所有die同步進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔時(shí)間會(huì)更短，因此縮短了數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔時(shí)間，提高了光罩缺陷檢查效率。

技術(shù)特征：

1.一種光罩缺陷檢查方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的光罩缺陷檢查方法，其特征在于，所述光罩為單芯片版光罩。

3.如權(quán)利要求1所述的光罩缺陷檢查方法，其特征在于，所述單芯片上die的數(shù)量至少為一個(gè)。

4.如權(quán)利要求1所述的光罩缺陷檢查方法，其特征在于，若干所述die呈陣列排布。

5.如權(quán)利要求1所述的光罩缺陷檢查方法，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述die之間具有間隙。

6.如權(quán)利要求5所述的光罩缺陷檢查方法，其特征在于，執(zhí)行切割道處理時(shí)的切割道部分位于相鄰兩個(gè)所述die之間的間隙內(nèi)。

7.如權(quán)利要求1所述的光罩缺陷檢查方法，其特征在于，所述缺陷檢查為die?todatabase檢查方式。

8.如權(quán)利要求1所述的光罩缺陷檢查方法，其特征在于，對(duì)每個(gè)獨(dú)立的die執(zhí)行缺陷檢查的步驟包括：

9.如權(quán)利要求8所述的光罩缺陷檢查方法，其特征在于，利用光罩缺陷掃描機(jī)掃描采集獲得每個(gè)獨(dú)立的die的圖形。

10.如權(quán)利要求8所述的光罩缺陷檢查方法，其特征在于，所述單芯片上所有die的圖形存儲(chǔ)于所述數(shù)據(jù)庫(kù)中。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種光罩缺陷檢查方法，包括：提供光罩，光罩上具有多個(gè)單芯片，單芯片包括若干Die；對(duì)單芯片執(zhí)行切割道處理，以將單芯片劃分為若干獨(dú)立的Die；分別對(duì)每個(gè)獨(dú)立的Die執(zhí)行缺陷檢查，以完成光罩上單芯片的缺陷檢查。本發(fā)明能夠縮短了數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔時(shí)間，提高了光罩缺陷檢查效率。

技術(shù)研發(fā)人員：李星月
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合光光掩?？萍迹ò不眨┯邢薰?br/>技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30