本發(fā)明涉及調(diào)光膜材料領(lǐng)域，特別涉及一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、聚合物分散液晶調(diào)光膜(pdlc調(diào)光膜)，主要由兩層導(dǎo)電膜及位于兩層導(dǎo)電膜之間的聚合物分散液晶層組成，透明導(dǎo)電膜包括透明基材和ito層。其中分區(qū)域控制調(diào)光膜指的是pdlc調(diào)光膜按圖案分區(qū)后，各區(qū)域做電極，分別對(duì)不同區(qū)域通電，可實(shí)現(xiàn)圖案區(qū)域變透明、非圖案區(qū)域霧狀，圖案區(qū)域霧狀、非圖案區(qū)域透明，整張膜全變透明或全變霧狀等多種變換組合，能夠滿足客戶(hù)對(duì)pdlc調(diào)光膜的圖案顯示及定制化圖案顯示提出了更高需求。

2、而現(xiàn)有技術(shù)中通常采用內(nèi)雕工藝制備分區(qū)域控制調(diào)光膜，內(nèi)雕工藝可參考公開(kāi)號(hào)為cn117102702a的中國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)了一種pdlc膜的制備方法。內(nèi)雕工藝指的是先在兩層導(dǎo)電膜之間涂布pdlc，固化，再通過(guò)激光透過(guò)透明基材，再對(duì)ito層刻蝕，使得ito層分割成單獨(dú)的導(dǎo)電區(qū)。上述制備方法存在以下問(wèn)題：1.激光透過(guò)透明基材的過(guò)程中，由于透明基材對(duì)激光具有一定的散射作用，所以該工藝對(duì)基材厚度均勻性、平臺(tái)平整度的要求極高，增加了加工難度，當(dāng)pdlc、基材被蝕刻掉一部分時(shí)，這類(lèi)蝕刻線肉眼感知明顯，客戶(hù)難以接受。2.由于激光蝕刻線處與導(dǎo)電區(qū)存在折射率差，導(dǎo)致蝕刻線條明顯。鑒于此，本發(fā)明提出一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜及其制備方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明為了克服上述技術(shù)的不足，提供了一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜，能夠產(chǎn)出肉眼難以觀察到蝕刻線，提高調(diào)光膜的美觀性。同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了三層導(dǎo)電膜控制兩層pdlc的調(diào)光效果。

2、一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜，包括依次疊合的第一導(dǎo)電膜、第一pdlc膜、分區(qū)導(dǎo)電膜、第二pdlc膜、第二導(dǎo)電膜，所述分區(qū)導(dǎo)電膜包括依次疊合第一導(dǎo)電層、反射率調(diào)節(jié)層、第一基材層，所述第一導(dǎo)電層通過(guò)多條蝕刻線分成多個(gè)導(dǎo)電區(qū)。

3、優(yōu)選地，所述反射率調(diào)節(jié)層由一個(gè)反射鍍層或至少兩個(gè)反射鍍層疊合而成。

4、優(yōu)選地，所述反射鍍層為sio2鍍層、tio2鍍層、mgf2鍍層、nb2o5鍍層、zro2鍍層中的至少一種。

5、優(yōu)選地，所述反射鍍層的厚度為50～250nm。所述蝕刻線的寬度為10～20微米。

6、優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電膜包括第二基材層，所述第二基材層設(shè)有第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層疊合在第一pdlc膜上。

7、優(yōu)選地，所述第二導(dǎo)電膜包括第三基材層，所述第三基材層設(shè)有第三導(dǎo)電層，所述第三導(dǎo)電層疊合在第二pdlc膜的下表面。

8、本發(fā)明為了克服上述技術(shù)的不足，還提供了一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜的制備方法。

9、一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜的制備方法，其特征在于，包含以下步驟：

10、步驟一：在第一基材層上濺鍍反射率調(diào)節(jié)層；然后在反射率調(diào)節(jié)層上濺鍍第一導(dǎo)電層；

11、步驟二：通過(guò)激光器在第一導(dǎo)電層上形成多條刻蝕線，蝕刻線將第一導(dǎo)電層切割成多個(gè)導(dǎo)電區(qū)，得到分區(qū)導(dǎo)電膜；

12、步驟三：在第二基材層上濺鍍上第二導(dǎo)電層，在第三基材層上濺鍍第三導(dǎo)電層；

13、步驟四：在第一導(dǎo)電層上涂布第一微擴(kuò)散層，第二導(dǎo)電層上涂布第二微擴(kuò)散層，再將第一微擴(kuò)散層疊合在第二微擴(kuò)散層上，將pdlc材料滴加在所述第一微擴(kuò)散層和第二微擴(kuò)散層之間，整體進(jìn)行輥壓，紫外光固后制得第一pdlc膜；在第三導(dǎo)電層上涂布第三微擴(kuò)散層，在第一基材層上涂布第四微擴(kuò)散層，再將第三微擴(kuò)散層疊合在第四微擴(kuò)散層上，將pdlc材料滴加在所述第三微擴(kuò)散層和第四微擴(kuò)散層之間，整體進(jìn)行輥壓，紫外光固后制得第二pdlc膜。

14、優(yōu)選地，步驟二中，激光的波長(zhǎng)為320nm～1200nm；功率為0.05-50w；蝕刻速度為30～300mm/s。

15、優(yōu)選地，所述第一基材層、第二基材層、第三基材層均為卷狀膜料；步驟一對(duì)整個(gè)卷狀進(jìn)行濺鍍反射率調(diào)節(jié)層、第一導(dǎo)電層。

16、優(yōu)選地，步驟二中激光器在第一導(dǎo)電層上方移動(dòng)并連續(xù)對(duì)第一導(dǎo)電層刻蝕，蝕刻線與卷狀膜料的長(zhǎng)度方向平行。

17、優(yōu)選地，步驟三中對(duì)整個(gè)卷狀第二基材層濺鍍第二導(dǎo)電層得到卷狀第一導(dǎo)電膜，對(duì)整個(gè)卷狀第三基材層濺鍍第三導(dǎo)電層得到卷狀第二導(dǎo)電膜。

18、優(yōu)選地，步驟四中分區(qū)導(dǎo)電膜分別與第一導(dǎo)電膜、第二導(dǎo)電膜卷對(duì)卷疊合；

19、優(yōu)選地，調(diào)光膜的制備方法還包括步驟五：將步驟四制得的卷狀調(diào)光膜裁切成對(duì)應(yīng)大小的調(diào)光膜片。

20、優(yōu)選地，所述調(diào)光膜的制備方法還包括步驟六：沿垂直于蝕刻線的方向切掉調(diào)光膜片一側(cè)的第一導(dǎo)電膜、第一pdlc膜，使得導(dǎo)電區(qū)的一側(cè)暴露，在暴露的導(dǎo)電區(qū)上設(shè)置分段電極；沿平行于蝕刻線的方向分別切掉調(diào)光膜片一側(cè)部分的第二導(dǎo)電膜、第二pdlc膜、分區(qū)導(dǎo)電膜、第一pdlc膜，使得調(diào)光膜片一側(cè)的部分第二導(dǎo)電層暴露，并在暴露的第二導(dǎo)電層上設(shè)置第一電極；沿平行于蝕刻線的方向分別切掉調(diào)光膜片一側(cè)部分的第一導(dǎo)電膜、第一pdlc膜、分區(qū)導(dǎo)電膜、第二pdlc膜，使得調(diào)光膜片另一側(cè)的部分第三導(dǎo)電層暴露，并在暴露的第三導(dǎo)電層上設(shè)置第二電極。

21、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

22、1.本發(fā)明通過(guò)在第一基材層與第一導(dǎo)電層設(shè)置反射率調(diào)節(jié)層，反射率調(diào)節(jié)層的折射率介于第一基材層與分區(qū)導(dǎo)電膜之間，其作用如下：第一，反射率調(diào)節(jié)層能夠減緩第一基材層與分區(qū)導(dǎo)電膜間的折射率差異，降低反射率，使得肉眼難以通過(guò)反射可見(jiàn)蝕刻線。第二，能夠縮小導(dǎo)電區(qū)與蝕刻線處的折射率差異，使得肉眼難以觀察到導(dǎo)電區(qū)與蝕刻線界限。

23、2.本發(fā)明的調(diào)光膜包括依次第一導(dǎo)電膜、第一pdlc膜、分區(qū)導(dǎo)電膜、第二pdlc膜、第二導(dǎo)電膜，第一導(dǎo)電膜與分區(qū)導(dǎo)電膜之間接通電源，可以控制局部或全部第一pdlc膜霧化或透明，第二導(dǎo)電膜與分區(qū)導(dǎo)電膜之間接通電源，可以控制局部或全部第二pdlc膜霧化或透明，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)光膜透明或霧狀等多種變換組合，更靈活調(diào)光。

24、3.相較于現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)內(nèi)雕工藝制備分區(qū)域控制調(diào)光膜，本發(fā)明通過(guò)先制備分區(qū)導(dǎo)電膜，再將第一導(dǎo)電膜、第二導(dǎo)電膜分別疊合分區(qū)導(dǎo)電膜上下表面，再在第一導(dǎo)電膜與合分區(qū)導(dǎo)電膜之間、第二導(dǎo)電膜與合分區(qū)導(dǎo)電膜注入pdlc材料，避免激光透過(guò)第一導(dǎo)電膜、第一pdlc膜導(dǎo)致第一pdlc膜被蝕刻的問(wèn)題，降低調(diào)光膜的不良率。特別適用于制備本發(fā)明這類(lèi)具有多層導(dǎo)電膜、pdlc膜的調(diào)光膜。

25、4.本發(fā)明采用卷狀膜料進(jìn)行連續(xù)生產(chǎn)，再將調(diào)光膜卷切成片狀的調(diào)光膜，極大提高了生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜，其特征在于,包括依次疊合的第一導(dǎo)電膜(2)、第一pdlc膜(4)、分區(qū)導(dǎo)電膜(1)、第二pdlc膜(5)、第二導(dǎo)電膜(3)，所述分區(qū)導(dǎo)電膜(1)包括依次疊合第一導(dǎo)電層(13)、反射率調(diào)節(jié)層(12)、第一基材層(11)，所述第一導(dǎo)電層(13)通過(guò)多條蝕刻線(14)分成多個(gè)獨(dú)立控制的導(dǎo)電區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜，其特征在于，所述反射率調(diào)節(jié)層(12)由一個(gè)反射鍍層或至少兩個(gè)反射鍍層疊合而成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜，其特征在于，所述反射鍍層為sio2鍍層、tio2鍍層、mgf2鍍層、nb2o5鍍層、zro2鍍層中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜，其特征在于，所述反射鍍層的厚度為50～250nm，所述蝕刻線的寬度為10～20微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電膜(2)包括第二基材層(21)，所述第二基材層(21)設(shè)有第二導(dǎo)電層(22)，所述第二導(dǎo)電層(22)疊合在第一pdlc膜(4)上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜，其特征在于，所述第二導(dǎo)電膜(3)包括第三基材層(31)，所述第三基材層(31)設(shè)有第三導(dǎo)電層(32)，所述第三導(dǎo)電層(32)疊合在第二pdlc膜(5)的下表面。

7.一種如權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的可分區(qū)域控制的調(diào)光膜的制備方法，其特征在于，包含以下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜的制備方法，其特征在于，步驟二中，激光的波長(zhǎng)為320nm～1200nm；功率為0.05-50w；蝕刻速度為30～300mm/s。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜的制備方法，其特征在于，第一基材層(11)、第二基材層(21)、第三基材層(31)均為卷狀膜料；

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜的制備方法，其特征在于，調(diào)光膜的制備方法還包括步驟六：沿垂直于蝕刻線(14)的方向切掉調(diào)光膜片一側(cè)的第一導(dǎo)電膜(2)、第一pdlc膜(4)，使得導(dǎo)電區(qū)的一側(cè)暴露，在暴露的導(dǎo)電區(qū)上設(shè)置分段電極(15)；沿平行于蝕刻線(14)的方向分別切掉調(diào)光膜片一側(cè)部分的第二導(dǎo)電膜(3)、第二pdlc膜(5)、分區(qū)導(dǎo)電膜(1)、第一pdlc膜(4)，使得調(diào)光膜片一側(cè)的部分第二導(dǎo)電層(22)暴露，并在暴露的第二導(dǎo)電層(22)上設(shè)置第一電極(23)；沿平行于蝕刻線(14)的方向分別切掉調(diào)光膜片一側(cè)部分的第一導(dǎo)電膜(2)、第一pdlc膜(4)、分區(qū)導(dǎo)電膜(1)、第二pdlc膜(5)，使得調(diào)光膜片另一側(cè)的部分第三導(dǎo)電層(32)暴露，并在暴露的第三導(dǎo)電層(32)上設(shè)置第二電極(33)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種可分區(qū)域控制的調(diào)光膜及其制備方法，調(diào)光膜包括依次疊合的第一導(dǎo)電膜、第一PDLC膜、分區(qū)導(dǎo)電膜、第二PDLC膜、第二導(dǎo)電膜，分區(qū)導(dǎo)電膜包括依次疊合第一導(dǎo)電層、反射率調(diào)節(jié)層、第一基材層，第一導(dǎo)電層通過(guò)多條蝕刻線分成多個(gè)導(dǎo)電區(qū)，反射率調(diào)節(jié)層用于提高分區(qū)導(dǎo)電膜整體的折射率，縮小導(dǎo)電區(qū)與蝕刻線處的折射率差異，使得肉眼難以觀察到導(dǎo)電區(qū)與蝕刻線界限。本發(fā)明還通過(guò)先制備分區(qū)導(dǎo)電膜，再將第一導(dǎo)電膜、第二導(dǎo)電膜分別疊合分區(qū)導(dǎo)電膜上下表面，再在第一導(dǎo)電膜與合分區(qū)導(dǎo)電膜之間、第二導(dǎo)電膜與合分區(qū)導(dǎo)電膜注入PDLC材料，避免激光透過(guò)第一導(dǎo)電膜、第一PDLC膜導(dǎo)致第一PDLC膜被蝕刻的問(wèn)題，降低調(diào)光膜的不良率。

技術(shù)研發(fā)人員：李唯,吳琴,杜鵬,吳銘治,刁文杰,解黎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：珠海水發(fā)興業(yè)新材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9