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陣列基板及顯示面板的制作方法

文檔序號:40648723發(fā)布日期:2025-01-10 18:55閱讀:4來源:國知局
陣列基板及顯示面板的制作方法

本申請涉及顯示,尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。


背景技術:

1、在相關技術中,陣列基板的設置一般存在兩種選擇。第一種選擇是:在陣列基板中設置屏蔽電極以防止液晶分子受到數(shù)據(jù)線和柵極電場的影響,第二種選擇是:取消屏蔽電極并將像素電極遠離數(shù)據(jù)線以提高開口率。但無論采用上述何種方式,均存在一定問題:

2、第一種選擇,設置屏蔽電極雖然能夠有效避免液晶分子受數(shù)據(jù)線的影響而偏轉,但屏蔽電極的存在會導致像素的開口率降低;

3、第二種選擇,雖然將屏蔽電極取消并使像素電極遠離數(shù)據(jù)線能夠提高開口率,但是陣列基板中的數(shù)據(jù)線可能會影響液晶分子偏轉,導致在陣列基板所顯示的畫面中存在畫面亮度不一致,甚至部分區(qū)域出現(xiàn)暗紋。


技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此,本申請?zhí)峁┮环N陣列基板及顯示面板,用以改善陣列基板為解決暗紋問題而犧牲開口率的問題。

2、本申請為解決上述技術問題所采用的技術方案為:

3、第一方面,本申請的實施例提供了一種陣列基板,包括:

4、襯底;

5、n+1個數(shù)據(jù)線組,所述數(shù)據(jù)線組位于所述襯底上,n為大于或者等于1的整數(shù);

6、多個像素,所述像素沿行方向和列方向排列,一所述數(shù)據(jù)線組位于一列所述像素內;

7、其中,一所述數(shù)據(jù)線組包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線,位于奇數(shù)行且奇數(shù)列的所述像素與所述第一數(shù)據(jù)線連接,位于奇數(shù)行且偶數(shù)列的所述像素與所述第二數(shù)據(jù)線連接;位于偶數(shù)行且奇數(shù)列的所述像素與所述第二數(shù)據(jù)線連接,位于偶數(shù)行且偶數(shù)列的所述像素與所述第一數(shù)據(jù)線連接;所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線極性相反;

8、一所述像素包括第一像素電極,所述第一像素電極包括沿所述列方向延伸的第一縱向主干和第二縱向主干,且所述第一縱向主干和所述第二縱向主干錯位設置,沿所述行方向,相鄰的所述第一像素電極鏡像設置,沿所述列方向,相鄰的所述第一像素電極鏡像設置。

9、在本申請的部分實施例中,所述第一縱向主干和所述第一數(shù)據(jù)線的至少一部分重疊,所述第二縱向主干和所述第二數(shù)據(jù)線的至少一部分重疊。

10、在本申請的部分實施例中,第n個所述數(shù)據(jù)線組中的所述第一數(shù)據(jù)線和第n+m個所述數(shù)據(jù)線組中的所述第一數(shù)據(jù)線并聯(lián),所述m為3的整數(shù)倍。

11、在本申請的部分實施例中,所述第一像素電極還包括第一橫向主干和多個第一分支,所述第一縱向主干和所述第二縱向主干分別連接于所述第一橫向主干在所述列方向上的兩側,多個所述第一分支連接所述第一縱向主干、所述第二縱向主干和第一橫向主干。

12、在本申請的部分實施例中,一所述像素還包括第二像素電極,沿所述列方向,所述第一像素電極和所述第二像素電極交替排列,所述第二像素電極包括第三縱向主干、第四縱向主干、第二橫向主干和多個第二分支,所述第三縱向主干和第四縱向主干分別設置于所述第二橫向主干在所述列方向上的兩側,多個所述第二分支連接所述第二橫向主干、所述第三縱向主干和第四縱向主干;

13、其中,沿所述行方向,相鄰的所述第二像素電極鏡像設置,沿所述列方向,相鄰的所述第二像素電極鏡像設置。

14、在本申請的部分實施例中,所述陣列基板還包括多條掃描線、第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和分壓線;其中

15、所述掃描線沿所述行方向延伸;

16、所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管位于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間,所述第一薄膜晶體管的源極和對應的所述第一數(shù)據(jù)線或所述第二數(shù)據(jù)線連接,所述第一像素電極與所述第一薄膜晶體管的漏極連接,所述第二像素電極和所述第二薄膜晶體管的漏極連接;

17、所述分壓線沿列方向延伸,且位于相鄰兩列所述像素之間,所述分壓線和所述第二薄膜晶體管的源極連接,所述分壓線與所述數(shù)據(jù)線組同層設置。

18、在本申請的部分實施例中,相鄰兩列所述像素共用一條所述分壓線。

19、在本申請的部分實施例中,所述陣列基板還包括第三薄膜晶體管,所述第三薄膜晶體管的源極與所述第一薄膜晶體管的源極連接,所述第三薄膜晶體管的漏極與所述第二薄膜晶體管的漏極連接。

20、在本申請的部分實施例中,所述第一薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管位于一所述數(shù)據(jù)線組的同一側。

21、在本申請的部分實施例中,所述第一薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管位于對應的所述數(shù)據(jù)線組的所述第一數(shù)據(jù)線或所述第二數(shù)據(jù)線的相對兩側。

22、第二方面,本申請的實施例提供了一種顯示面板,所述顯示面板包括如第一方面所述的陣列基板,以及

23、對置基板,位于所述陣列基板的一側;

24、液晶層,所述液晶層設置在所述陣列基板和所述對置基板之間。

25、綜上,由于采用了上述技術方案,本申請至少包括如下有益效果:

26、本申請的實施例提供了一種陣列基板及顯示面板,通過使位于奇數(shù)行且奇數(shù)列的像素與第一數(shù)據(jù)線連接,位于奇數(shù)行且偶數(shù)列的像素與第二數(shù)據(jù)線連接;位于偶數(shù)行且奇數(shù)列的像素與第二數(shù)據(jù)線連接,位于偶數(shù)行且偶數(shù)列的像素與第一數(shù)據(jù)線連接,并且第一縱向主干和第二縱向主干錯位設置,使得第一數(shù)據(jù)線的一部分會被第一縱向主干遮擋,第二數(shù)據(jù)線的一部分會被第二縱向主干遮擋,從而達到提供像素開口率的目的。并且又通過使第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的極性相反,且沿行方向,相鄰的第一像素電極鏡像設置,沿列方向,相鄰的第一像素電極鏡像設置,以避免數(shù)據(jù)線影響液晶分子偏轉,有利于提高陣列基板的亮度均勻性。詳細地說,首先通過在數(shù)據(jù)線組中設置第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線,并使位于奇數(shù)行且奇數(shù)列的所述像素與所述第一數(shù)據(jù)線連接,位于奇數(shù)行且偶數(shù)列的所述像素與所述第二數(shù)據(jù)線連接;位于偶數(shù)行且奇數(shù)列的所述像素與所述第二數(shù)據(jù)線連接,位于偶數(shù)行且偶數(shù)列的所述像素與所述第一數(shù)據(jù)線連接,且第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線極性相反,從而起到平衡正負幀引起的耦合作用;然后又通過使第一像素電極包括第一縱向主干和第二縱向主干,第一縱向主干與第二縱向主干錯位設置,使得第一數(shù)據(jù)線的一部分能夠被第一縱向主干遮擋,第二數(shù)據(jù)線的一部分能夠被第二縱向主干遮擋,使縱向主干能夠充當屏蔽信號的作用,增加開口率。又通過沿行方向,相鄰的第一像素電極鏡像設置,沿列方向相鄰的第一像素電極也鏡像設置,使鏡像且相鄰的像素之間可以平衡極性相反的數(shù)據(jù)線對液晶分子所帶來的影響,實現(xiàn)相鄰像素的亮暗差異補償,提高陣列基板的亮度均勻性。



技術特征:

1.一種陣列基板,其特征在于,包括:

2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一縱向主干和所述第一數(shù)據(jù)線的至少一部分重疊,所述第二縱向主干和所述第二數(shù)據(jù)線的至少一部分重疊。

3.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,第n個所述數(shù)據(jù)線組中的所述第一數(shù)據(jù)線和第n+m個所述數(shù)據(jù)線組中的所述第一數(shù)據(jù)線并聯(lián),所述m為3的整數(shù)倍。

4.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一像素電極還包括第一橫向主干和多個第一分支,所述第一縱向主干和所述第二縱向主干分別連接于所述第一橫向主干在所述列方向上的兩側,多個所述第一分支連接所述第一縱向主干、所述第二縱向主干和第一橫向主干。

5.如權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,一所述像素還包括第二像素電極,沿所述列方向,所述第一像素電極和所述第二像素電極交替排列,所述第二像素電極包括第三縱向主干、第四縱向主干、第二橫向主干和多個第二分支,所述第三縱向主干和第四縱向主干分別設置于所述第二橫向主干在所述列方向上的兩側,多個所述第二分支連接所述第二橫向主干、所述第三縱向主干和第四縱向主干;

6.如權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括多條掃描線、第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和分壓線;其中

7.如權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,相鄰兩列所述像素共用一條所述分壓線。

8.如權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括第三薄膜晶體管,所述第三薄膜晶體管的源極與所述第一薄膜晶體管的源極連接,所述第三薄膜晶體管的漏極與所述第二薄膜晶體管的漏極連接。

9.如權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管位于一所述數(shù)據(jù)線組的同一側。

10.如權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管位于對應的所述數(shù)據(jù)線組的所述第一數(shù)據(jù)線或所述第二數(shù)據(jù)線的相對兩側。

11.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括如權利要求1至10任一項所述的陣列基板,以及


技術總結
本申請?zhí)峁┝艘环N陣列基板及顯示面板。該陣列基板包括襯底;N+1個數(shù)據(jù)線組,數(shù)據(jù)線組位于襯底上,N為大于或者等于1的整數(shù);多個像素,沿行方向和列方向排列,一數(shù)據(jù)線組位于一列像素內;一數(shù)據(jù)線組包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線,位于奇數(shù)行奇數(shù)列的像素與第一數(shù)據(jù)線連接,位于奇數(shù)行偶數(shù)列的像素與第二數(shù)據(jù)線連接;位于偶數(shù)行奇數(shù)列的像素與第二數(shù)據(jù)線連接,位于偶數(shù)行偶數(shù)列的像素與第一數(shù)據(jù)線連接;第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線極性相反;一像素包括第一像素電極,第一像素電極包括沿列方向延伸的第一縱向主干和第二縱向主干,且第一縱向主干和第二縱向主干錯位設置,沿行方向,相鄰的第一像素電極鏡像設置,沿列方向,相鄰的第一像素電極鏡像設置。

技術研發(fā)人員:劉凈,鐘福蘭,朱宏康
受保護的技術使用者:TCL華星光電技術有限公司
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/1/9
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