本申請涉及顯示，具體涉及一種顯示面板。

背景技術：

1、目前的液晶顯示屏(liquid?cystal?display，簡稱為lcd)通常用金屬作為器件的array側(cè)公共電極，以減小寄生電容對顯示的影響，但由于金屬層不透光等原因會導致發(fā)光區(qū)域減小，即降低穿透率?；诖?，透明屏蔽電極和存儲電容(transparent?shielding?andstorage?electrode，簡稱為tss)結構，通過增加一層透明電極(tss?ito層)取代部分原有的金屬電極，作為存儲電容和屏蔽電極，可以減小像素暗區(qū)，提高開口率，從而起到提高面板穿透率的作用。

2、但是tss?ito層與其他金屬層疊加會導致像素結構的邊緣場復雜，使得液晶排序發(fā)生紊亂，進而造成出光不理想。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請的實施例提供一種顯示面板，以至少解決現(xiàn)有的像素結構中因金屬層疊加導致像素結構的邊緣場復雜，使得液晶排序發(fā)生紊亂，進而造成出光不理想的技術問題。

2、本申請的實施例提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列排布的多個子像素，所述顯示面板還包括：基板，所述子像素位于所述基板上；屏蔽電極，所述屏蔽電極位于所述基板和所述子像素之間；其中，所述子像素包括像素電極，所述屏蔽電極的至少一部分位于所述子像素的開口區(qū)，所述屏蔽電極的第一側(cè)邊和所述像素電極的第一側(cè)邊不重疊，所述屏蔽電極的第一側(cè)邊為所述屏蔽電極靠近所述子像素的非開口區(qū)的一側(cè)邊，所述像素電極的第一側(cè)邊為所述像素電極靠近所述非開口區(qū)的一側(cè)邊。

3、在一實施例中，所述非開口區(qū)包括薄膜晶體管，所述像素電極通過位于所述非開口區(qū)的過孔與所述薄膜晶體管連接；其中，所述屏蔽電極的第一側(cè)邊到所述過孔的間距大于所述像素電極的第一側(cè)邊到所述過孔的間距。

4、在一實施例中，所述屏蔽電極的第一側(cè)邊與所述過孔之間的距離l1滿足以下范圍：l1≥5μm。

5、在一實施例中，所述顯示面板還包括公共電極，所述公共電極包括公共電極走線，所述公共電極走線位于所述基板和所述屏蔽電極之間，且所述公共電極走線位于所述開口區(qū)和所述非開口區(qū)的交界處；其中，所述公共電極走線的第一側(cè)邊到所述過孔的間距小于所述屏蔽電極的第一側(cè)邊到所述過孔的間距，所述公共電極走線的第一側(cè)邊為所述公共電極走線遠離所述過孔的一側(cè)邊。

6、在一實施例中，所述非開口區(qū)包括薄膜晶體管，所述像素電極通過位于所述非開口區(qū)的過孔與所述薄膜晶體管連接；其中，所述屏蔽電極的第一側(cè)邊到所述過孔的間距小于所述像素電極的第一側(cè)邊到所述過孔的間距。

7、在一實施例中，所述顯示面板還包括設置于相鄰所述子像素之間的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線位于所述基板和所述屏蔽電極之間，所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的正投影與所述像素電極的邊框在所述基板上的正投影在所述數(shù)據(jù)線的寬度方向上部分重疊。

8、在一實施例中，設定所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的正投影與所述像素電極的邊框在所述基板上的正投影的重疊寬度為l2，相鄰兩個所述子像素之間的像素間隔為l3，l3和l2的比值關系滿足：l3/l2＞1.6。

9、在一實施例中，所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的正投影與所述像素電極的邊框在所述基板上的正投影的重疊寬度l2的取值范圍滿足：l2≤3μm。

10、在一實施例中，相鄰兩個所述子像素之間的像素間隔l3的取值范圍滿足：l3≥5μm。

11、在一實施例中，所述顯示面板還包括色阻層，所述色阻層設置在所述屏蔽電極靠近所述基板的一側(cè)。

12、本申請的實施例提供的有益效果至少包括：

13、本申請實施例提供了一種顯示面板，包括陣列排布的多個子像素，還包括基板和屏蔽電極；子像素位于基板上，屏蔽電極位于基板和子像素之間；其中，子像素包括像素電極，屏蔽電極的至少一部分位于子像素的開口區(qū)，屏蔽電極的第一側(cè)邊和像素電極的第一側(cè)邊不重疊，屏蔽電極的第一側(cè)邊為屏蔽電極靠近子像素的非開口區(qū)的一側(cè)邊，像素電極的第一側(cè)邊為像素電極靠近非開口區(qū)的一側(cè)邊。本申請實施例中，子像素可以是矩形結構，薄膜晶體管(thin?film?transistor，tft)和公共電極等金屬走線一般設置在子像素的短邊區(qū)域，透明的屏蔽電極(tss?ito)與像素電極之間的電壓差會導致子像素的短邊的邊緣電場紊亂，因此，在子像素的非開口區(qū)，屏蔽電極的第一側(cè)邊和像素電極的第一側(cè)邊不重疊，即，屏蔽電極上移或下移避開過孔處的像素電極，可以有效避免屏蔽電極與像素電極的電場效應，防止液晶排序紊亂，進而提高出光效率。

14、本申請實施例的其他有益效果將在下述具體實施方式中進一步闡述。

技術特征：

1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括陣列排布的多個子像素，所述顯示面板還包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述非開口區(qū)包括薄膜晶體管，所述像素電極通過位于所述非開口區(qū)的過孔與所述薄膜晶體管連接；

3.根據(jù)權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述屏蔽電極的第一側(cè)邊與所述過孔之間的距離l1滿足以下范圍：l1≥5μm。

4.根據(jù)權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括公共電極，所述公共電極包括公共電極走線，所述公共電極走線位于所述基板和所述屏蔽電極之間，且所述公共電極走線位于所述開口區(qū)和所述非開口區(qū)的交界處；

5.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述非開口區(qū)包括薄膜晶體管，所述像素電極通過位于所述非開口區(qū)的過孔與所述薄膜晶體管連接；

6.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括設置于相鄰所述子像素之間的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線位于所述基板和所述屏蔽電極之間，所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的正投影與所述像素電極的邊框在所述基板上的正投影在所述數(shù)據(jù)線的寬度方向上部分重疊。

7.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，設定所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的正投影與所述像素電極的邊框在所述基板上的正投影的重疊寬度為l2，相鄰兩個所述子像素之間的像素間隔為l3，l3和l2的比值關系滿足：

8.根據(jù)權利要求7所述的顯示面板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的正投影與所述像素電極的邊框在所述基板上的正投影的重疊寬度l2的取值范圍滿足：l2≤3μm。

9.根據(jù)權利要求7所述的顯示面板，其特征在于，相鄰兩個所述子像素之間的像素間隔l3的取值范圍滿足：l3≥5μm。

10.根據(jù)權利要求1至9任一項所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括色阻層，所述色阻層設置在所述屏蔽電極靠近所述基板的一側(cè)。

技術總結
本申請的實施例公開了一種顯示面板，包括陣列排布的多個子像素，還包括基板和屏蔽電極；子像素位于基板上，屏蔽電極位于基板和子像素之間；其中，子像素包括像素電極，屏蔽電極的至少一部分位于子像素的開口區(qū)，屏蔽電極的第一側(cè)邊和像素電極的第一側(cè)邊不重疊，屏蔽電極的第一側(cè)邊為屏蔽電極靠近子像素的非開口區(qū)的一側(cè)邊，像素電極的第一側(cè)邊為像素電極靠近非開口區(qū)的一側(cè)邊。在子像素的非開口區(qū)，屏蔽電極的第一側(cè)邊和像素電極的第一側(cè)邊不重疊，可以有效避免屏蔽電極與像素電極的電場效應，防止液晶排序紊亂，進而提高出光效率。

技術研發(fā)人員：胡斯茸,謝忠憬,姚曉慧
受保護的技術使用者：TCL華星光電技術有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/30