本公開涉及襯底臺、帶紋理的臺表面、以及在襯底臺表面上采用突節(jié)和納米結(jié)構(gòu)的方法。

背景技術(shù)：

1、光刻裝置是將期望圖案施加到襯底上(通常，施加到襯底的目標(biāo)部分上)的機(jī)器。光刻裝置可以被用于例如集成電路(ic)的制造中。在該示例中，圖案形成裝置(可選地被稱作掩模(mask)或掩模版(reticle))可以被用于生成待形成于ic的單個(gè)層上的電路圖案。該圖案可以被轉(zhuǎn)印到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括部分管芯、一個(gè)管芯、或多個(gè)管芯)上。圖案的轉(zhuǎn)印通常經(jīng)由到襯底上提供的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上的成像進(jìn)行。通常，單個(gè)襯底將包括被連續(xù)圖案化的相鄰的目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻裝置包括：所謂的步進(jìn)器，其中通過將整個(gè)圖案一次曝光到目標(biāo)部分上來輻射每個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂的掃描儀，其中通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描圖案，同時(shí)沿平行或反平行于該掃描方向同步地掃描襯底來輻射每個(gè)目標(biāo)部分。還可能通過將圖案壓印到襯底上而將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)印到襯底。

2、另一光刻系統(tǒng)是干涉光刻系統(tǒng)，在該系統(tǒng)中不存在圖案形成裝置，而是將光束分成兩束，并且通過使用反射系統(tǒng)使得兩束在襯底的目標(biāo)部分處干涉。干涉引起將被形成在襯底的目標(biāo)部分的線。

3、在光刻操作期間，不同的工藝步驟可能需要在襯底上順序地形成不同的層。因此，有必要以高精度相對于形成在其上的先前圖案來定位襯底。通常，對準(zhǔn)標(biāo)記被放置在要被對準(zhǔn)的襯底上，并參考第二物體被定位。光刻裝置可以使用對準(zhǔn)裝置來檢測對準(zhǔn)標(biāo)記的位置，并使用對準(zhǔn)標(biāo)記對準(zhǔn)襯底以確保來自掩模的精確曝光。兩個(gè)不同層的對準(zhǔn)標(biāo)記之間的未對準(zhǔn)被測量為套刻誤差。

4、為了監(jiān)測光刻工藝，圖案化襯底的參數(shù)被測量。參數(shù)可以包括，例如，在圖案化襯底中或在圖案化襯底上形成的連續(xù)層之間的套刻誤差，以及顯影光敏抗蝕劑的臨界線寬。該測量可以在產(chǎn)品襯底上和/或?qū)Ｓ糜?jì)量目標(biāo)上執(zhí)行。有多種技術(shù)用于測量在光刻工藝中形成的微觀結(jié)構(gòu)，包括使用掃描電子顯微鏡和各種專用工具。一種快速且非侵入形式的專用檢查工具是散射儀，其中輻射束被引導(dǎo)到基底表面上的目標(biāo)上，并且散射或反射束的特性被測量。通過比較束在被襯底反射或散射之前和之后的特性，襯底的特性可以被確定。這可以例如通過將反射束與存儲在與已知襯底特性相關(guān)聯(lián)的已知測量庫中的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較來完成。光譜散射儀將寬帶輻射束引導(dǎo)到襯底上，并測量散射到特定窄角范圍內(nèi)的輻射的光譜(強(qiáng)度作為波長的函數(shù))。相比之下，角分辨散射儀(angularly?resolvedscatterometer)使用單色輻射束并測量散射輻射的強(qiáng)度作為角度的函數(shù)。

5、這種光學(xué)散射儀可以用于測量參數(shù)，諸如顯影光敏抗蝕劑的臨界尺寸或在圖案化襯底中或在圖案化襯底上形成的兩層之間的套刻誤差(ov)?？梢酝ㄟ^比較束被襯底反射散射之前和之后的照射束的特性來確定襯底的特性。

6、期望在襯底臺的表面上規(guī)定并維持摩擦學(xué)特性(例如，摩擦、硬度、磨損)。由于光刻以及計(jì)量工藝的精確需求，襯底臺具有難以滿足的表面水平公差。晶片(例如，半導(dǎo)體襯底)，相比于其表面區(qū)域的寬度(例如＞100mm)是相對較薄的(例如＜1mm厚)，對襯底臺的不平坦特別敏感。此外，接觸的超光滑表面可能會變得“粘”在一起，當(dāng)襯底必須從襯底臺被脫離時(shí)，這可能出現(xiàn)問題。期望開發(fā)用于襯底臺的、允許增加耐磨性以及摩擦特性的結(jié)構(gòu)和方法，其有助于在命令時(shí)接合和脫離襯底。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在一些實(shí)施例中，用于支撐襯底的襯底臺包括表面以及粗突節(jié)。粗突節(jié)中的每個(gè)粗突節(jié)包括突節(jié)頂部表面和細(xì)突節(jié)。粗突節(jié)被設(shè)置在襯底臺的表面上。細(xì)突節(jié)被設(shè)置在突節(jié)頂部表面上并且被配置為當(dāng)襯底臺支撐襯底時(shí)接觸襯底。

2、在一些實(shí)施例中，光刻裝置包括照射系統(tǒng)、支撐件、投影系統(tǒng)以及襯底臺。襯底臺包括表面以及粗突節(jié)。粗突節(jié)中的每個(gè)粗突節(jié)包括突節(jié)頂部表面和細(xì)突節(jié)。粗突節(jié)被設(shè)置在襯底臺的表面上。細(xì)突節(jié)被設(shè)置在突節(jié)頂部表面上并且被配置為當(dāng)襯底臺支撐襯底時(shí)接觸襯底。照射系統(tǒng)被配置為產(chǎn)生輻射束。支撐件被配置為支撐圖案形成裝置以將圖案賦予到所述束上。投影系統(tǒng)被配置為將經(jīng)圖案化的束投影到襯底上。

3、在一些實(shí)施例中，用于制造襯底臺的方法包括支撐襯底臺以接收制造工藝，以及在襯底臺上制造粗突節(jié)和細(xì)突節(jié)。制造組突節(jié)和細(xì)突節(jié)包括在粗突節(jié)的突節(jié)頂部表面設(shè)置細(xì)突節(jié)。

4、下文參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的其他特征和有益效果以及本發(fā)明的各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作。應(yīng)注意，本發(fā)明不限于本文中描述的具體實(shí)施例。僅出于說明性目的在本文中示出此類實(shí)施例?；诒疚闹邪慕淌?，附加的實(shí)施例對于相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將是顯而易見的。

技術(shù)特征：

1.一種制造襯底臺的方法，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述襯底臺上制造粗糙區(qū)域，其中制造所述粗糙區(qū)域包括：將所述粗糙區(qū)域設(shè)置在所述突節(jié)頂部表面上的所述細(xì)突節(jié)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中制造所述粗糙表面還包括：使用激光燒蝕產(chǎn)生所述粗糙區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述粗糙區(qū)域各自具有2nm-8nm?rms的表面粗糙度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述細(xì)突節(jié)中的每個(gè)細(xì)突節(jié)包括接觸表面，所述接觸表面被配置為在襯底被所述襯底臺支撐時(shí)，接觸所述襯底，所述接觸表面具有小于1nmrms的表面粗糙度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述粗突節(jié)中的每個(gè)粗突節(jié)具有100微米至1000微米的寬度以及10微米至200微米的高度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述細(xì)突節(jié)中的每個(gè)細(xì)突節(jié)具有1微米至10微米的寬度以及10微米至50微米的高度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述細(xì)突節(jié)中的兩個(gè)細(xì)突節(jié)之間的距離為50微米至200微米。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述細(xì)突節(jié)的接觸區(qū)域的總表面面積相對于所述襯底臺的總表面面積小于0.1％。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在每個(gè)突節(jié)頂部表面上制作改性表面，所述改性表面具有經(jīng)化學(xué)地改性的低表面能，并且被配置為降低所述襯底臺與被所述襯底臺支撐的襯底之間的粘合力。

技術(shù)總結(jié)
一種用于支撐襯底的襯底臺，包括表面以及粗突節(jié)。粗突節(jié)中的每個(gè)粗突節(jié)包括突節(jié)頂部表面以及細(xì)突節(jié)。粗突節(jié)被設(shè)置在襯底臺的表面上，細(xì)突節(jié)被設(shè)置在突節(jié)頂部表面上。當(dāng)襯底臺支撐襯底時(shí)，細(xì)突節(jié)與襯底接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：M·利普森,S·阿坎塔,B·D·道森,M·A·索納,I·西格爾,T·尤特迪杰克
受保護(hù)的技術(shù)使用者：ASML控股股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23