1.一種光開(kāi)關(guān)，其特征在于，包括：基板(21)、第一絕緣層(22)與移相層(23)；
2.如權(quán)利要求1所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述脊型波導(dǎo)包括第一翼部(21122)、脊部(31122)與第二翼部(41122)，所述第一翼部(21122)位于所述脊部(31122)與所述第一正摻雜區(qū)(11221)之間，所述第二翼部(41122)位于所述脊部(31122)與所述第一負(fù)摻雜區(qū)(11223)之間，所述第一翼部(21122)的高度與所述第二翼部(41122)的高度相同，且所述第一翼部(21122)的高度小于所述脊部(31122)的高度。
3.如權(quán)利要求2所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述脊部(31122)、所述第一翼部(21122)與所述第二翼部(41122)均為本征半導(dǎo)體。
4.如權(quán)利要求2所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述第一正摻雜區(qū)(11221)為重正摻雜區(qū)，所述第一負(fù)摻雜區(qū)(11223)為重負(fù)摻雜區(qū)；
5.如權(quán)利要求2所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述第一正摻雜區(qū)(11221)的摻雜濃度與所述第一負(fù)摻雜區(qū)(11223)的摻雜濃度分別大于1018cm-3，所述第一翼部(21122)的摻雜濃度與所述第二翼部(41122)的摻雜濃度分別小于1018cm-3。
6.如權(quán)利要求2所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，還包括第二絕緣層(24)、第一電極(25)、第二電極(26)、電熱元件、第一導(dǎo)電部(27)與第二導(dǎo)電部(28)；
7.如權(quán)利要求6所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述電熱元件設(shè)置為摻雜電阻(29)，所述摻雜電阻(29)包括第一摻雜電阻(291)和第二摻雜電阻(292)，所述第一摻雜電阻(291)設(shè)置于所述第一正摻雜區(qū)(11221)和所述第一翼部(31122)之間，所述第二摻雜電阻(292)設(shè)置于所述第一負(fù)摻雜區(qū)(11223)和所述第二翼部(41122)之間，所述第一摻雜電阻(291)與所述第二摻雜電阻(292)分別獨(dú)立進(jìn)行通電。
8.如權(quán)利要求6所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述第一電極(25)的材料為金屬，所述第二電極(26)的材料為金屬，所述加熱電極(20)的材料為氮化鈦。
9.如權(quán)利要求1所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，還包括第一空氣墻(31)，所述第一空氣墻(31)環(huán)繞所述第一pin移相器(1122)或所述第二pin移相器(1123)。
10.如權(quán)利要求1所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，還包括第二空氣墻(41)、懸梁臂(51)與空氣底槽(61)；
11.如權(quán)利要求6所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述基板(21)的材料為硅；所述第一絕緣層(22)的材料與所述第二絕緣層(24)的材料分別為二氧化硅；所述本征半導(dǎo)體的材料為硅。
12.如權(quán)利要求1所述的光開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述脊型波導(dǎo)為熱光移相器。
13.一種光鏈路交換芯片，其特征在于，包括m行n列的光開(kāi)關(guān)(11)、n個(gè)光入射端口與m個(gè)光出射端口，m為正整數(shù)，n為正整數(shù)，所述光開(kāi)關(guān)(11)為如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的光開(kāi)關(guān)(11)；
14.如權(quán)利要求13所述的光鏈路交換芯片，其特征在于，每個(gè)所述光開(kāi)關(guān)(11)還包括：第一光功率監(jiān)控裝置(114)與第二光功率監(jiān)控裝置(115)，所述第一光功率監(jiān)控裝置(114)用于監(jiān)控經(jīng)過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)單元的第三端的出射光的功率，所述第二光功率監(jiān)控裝置(115)用于檢測(cè)從所述第二開(kāi)關(guān)單元(113)中出射的光的功率。
15.如權(quán)利要求14所述的光鏈路交換芯片，其特征在于，第m行的所述光開(kāi)關(guān)(11)還包括第三光功率監(jiān)控裝置(116)，所述第三光功率監(jiān)控裝置(116)位于所述第一開(kāi)關(guān)單元(112)的第二分光器件(1124)的第四端，用于檢測(cè)經(jīng)過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)單元的第二分光器件(1124)的第四端的出射光的功率。
16.如權(quán)利要求15所述的光鏈路交換芯片，其特征在于，所述第三光功率監(jiān)控裝置(116)位于所述第一開(kāi)關(guān)單元(112)的第二分光器件(1124)的第四端的出射口處。
17.如權(quán)利要求14所述的光鏈路交換芯片，其特征在于，所述第一光功率監(jiān)控裝置(114)包括第一光電探測(cè)器與第三分光器件，所述第三分光器件的一端與所述第一開(kāi)關(guān)單元(112)的第二分光器件(1124)的第三端接近且可存在間隙，另一端與所述第一光電探測(cè)器連接；
18.如權(quán)利要求17所述的光鏈路交換芯片，其特征在于，所述第一光電探測(cè)器的材料包括si、ge或inp；