本技術(shù)實施例涉及一種光學模塊。

背景技術(shù)：

1、在高頻或高數(shù)據(jù)速率下，由于長距離的高能量損耗，電力傳輸已達到極限。因此，依賴長距離傳輸?shù)碾娮有酒谵D(zhuǎn)向光傳輸。這樣的電子芯片可以例如包括開關(guān)芯片或片上系統(tǒng)(soc)芯片。這樣的soc芯片可以例如包括專用集成電路(asic)芯片、中央處理單元(cpu)芯片、圖形處理單元(gpu)芯片等。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型實施例提供一種光學模塊，包括：波導，包括肋且還包括分別位于所述肋的相對側(cè)的第一凸起和第二凸起；光偵測器，包括位于所述肋中的pn結(jié)；以及半導體區(qū)，位于所述pn結(jié)上，其中所述波導包括第一半導體部分，且所述半導體區(qū)包括不同于所述第一半導體部分的第二半導體材料。

2、本實用新型實施例提供一種光學模塊，包括：波導，圍繞中心區(qū)布置并終止于所述中心區(qū)；光偵測器，集成至圍繞所述中心區(qū)的所述波導中；第一接墊，耦合到所述光偵測器的n型區(qū)；以及第二接墊，耦合到所述光偵測器的p型區(qū)。

技術(shù)特征：

1.一種光學模塊，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學模塊，其特征在于，所述半導體區(qū)的位置與所述波導中的位置實質(zhì)上重合，所述位置位于所述波導的寬度方向中心和所述波導的高度方向中心。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學模塊，其特征在于，所述半導體區(qū)直接位于所述波導的上方，且直接接觸所述波導的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學模塊，其特征在于，所述半導體區(qū)被注入在所述波導內(nèi)，且包括所述第一半導體部分和所述第二半導體部分兩者。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學模塊，其特征在于，所述波導包括在所述第一凸起和所述第二凸起下方延伸的平板，且其中所述肋直接從所述平板在所述第一凸起和所述第二凸起之間延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學模塊，其特征在于，所述半導體區(qū)在所述波導的所述肋中，且與所述平板隔開。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學模塊，其特征在于，還包括形成所述pn結(jié)的p型區(qū)和n型區(qū)，其中所述p型區(qū)和n型區(qū)從所述波導的橫截面來看具有不同形狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學模塊，其特征在于，所述波導包括在所述第一凸起下方延伸至所述半導體區(qū)的第一平板，以及在所述第二凸起下方延伸至所述半導體區(qū)的第二平板，且其中所述第二平板的上表面位于所述第一平板的下表面的下方。

9.一種光學模塊，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光學模塊，其特征在于，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種光學模塊。波導，包括肋且還包括分別位于所述肋的相對側(cè)的第一凸起和第二凸起。此外，波導由第一半導體部分形成。光偵測器位于波導中并包括肋中的PN結(jié)。PN結(jié)的P型區(qū)延伸至第一凸起，PN結(jié)的N型區(qū)延伸至第二凸起。此外，第一凸起和第二凸起容置重摻雜P型和N型接觸件區(qū)。半導體區(qū)位在PN結(jié)上。半導體區(qū)包括不同于第一半導體部分的第二半導體部分。本技術(shù)可以第二半導體部分可以具有比第一半導體部分更小的帶隙以提高量子效率。

技術(shù)研發(fā)人員：黃泰鈞,斯帝芬魯蘇
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240410
技術(shù)公布日：2025/1/9