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一種新型雙通道輸入控制光耦器件的制作方法

文檔序號(hào):40545731發(fā)布日期:2025-01-03 11:05閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種新型雙通道輸入控制光耦器件,其特征在于:該光耦器件包括發(fā)光二極管led1、發(fā)光二極管led2、雙向可控硅triac1及雙向可控硅triac2;

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型雙通道輸入控制光耦器件,其特征在于:所述發(fā)光二極管led1及所述發(fā)光二極管led2串聯(lián)時(shí)生成組合狀態(tài)輸入,所述組合狀態(tài)輸入包括輸入模式一、輸入模式二及輸入模式三;

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型雙通道輸入控制光耦器件,其特征在于:所述雙向可控硅triac1及所述雙向可控硅triac2串聯(lián)時(shí)生成組合狀態(tài)輸出;所述組合狀態(tài)輸出包括輸出模式一、輸出模式二及輸出模式三;

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型雙通道輸入控制光耦器件,其特征在于:基于單通道的組合狀態(tài)輸入或組合狀態(tài)輸出時(shí),該光耦器件為低壓模式;基于串聯(lián)通道的組合狀態(tài)輸入或組合狀態(tài)輸出時(shí),該光耦器件為高壓模式;

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種新型雙通道輸入控制光耦器件,其特征在于:所述低壓模式一為:在第一引腳和第二引腳之間接入驅(qū)動(dòng)電流,并將發(fā)光二極管led1發(fā)射的可見(jiàn)光衍射到雙向可控硅triac1表面的zc感光區(qū),當(dāng)?shù)谖逡_和第六引腳的交流電過(guò)零點(diǎn)換相時(shí)導(dǎo)通雙向可控硅triac1,以此實(shí)現(xiàn)低壓控制。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種新型雙通道輸入控制光耦器件,其特征在于:所述低壓模式二為:在第二引腳和第三引腳之間接入驅(qū)動(dòng)電流,并將發(fā)光二極管led2發(fā)射的可見(jiàn)光衍射到雙向可控硅triac2表面的zc感光區(qū),當(dāng)?shù)谒囊_和第五引腳的交流電過(guò)零點(diǎn)換相時(shí)導(dǎo)通雙向可控硅triac2,以此實(shí)現(xiàn)低壓控制。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型雙通道輸入控制光耦器件,其特征在于:所述雙向可控硅triac1或所述雙向可控硅triac2在低壓模式下的最大耐壓為600v。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種新型雙通道輸入控制光耦器件,其特征在于:所述高壓模式為:在第一引腳和第三引腳之間接入驅(qū)動(dòng)電流,并將發(fā)光二極管led1和發(fā)光二極管led2發(fā)出的可見(jiàn)光分別衍射到雙向可控硅triac1和雙向可控硅triac2的zc感光區(qū);當(dāng)?shù)谒囊_和第六引腳的交流電過(guò)零點(diǎn)換相時(shí)導(dǎo)通雙向可控硅triac1和雙向可控硅triac2,以此實(shí)現(xiàn)高壓控制。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種新型雙通道輸入控制光耦器件,其特征在于:所述雙向可控硅triac1或所述雙向可控硅triac2在高壓模式下的最低耐壓為1200v。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種新型雙通道輸入控制光耦器件,其特征在于:所述在第一引腳和第二引腳之間接入驅(qū)動(dòng)電流中的驅(qū)動(dòng)電流為25ma。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種新型雙通道輸入控制光耦器件,涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,該光耦器件包括發(fā)光二極管LED1、發(fā)光二極管LED2、雙向可控硅TRIAC1及雙向可控硅TRIAC2;發(fā)光二極管LED1與發(fā)光二極管LED2串聯(lián),雙向可控硅TRIAC1與雙向可控硅TRIAC2串聯(lián),發(fā)光二極管LED1及發(fā)光二極管LED2串聯(lián)時(shí)生成組合狀態(tài)輸入,組合狀態(tài)輸入包括輸入模式一、輸入模式二及輸入模式三;輸入模式一由第一引腳和第二引腳組成,輸入模式二由第二引腳和第三引腳組成,輸入模式三由第一引腳和第三引腳組成;本技術(shù)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,設(shè)計(jì)合理,有效避免了由于觸發(fā)電流不一致導(dǎo)致的串聯(lián)失效問(wèn)題,顯著提高光耦器件的耐壓上限。

技術(shù)研發(fā)人員:李小建,覃峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者:江蘇捷捷微電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240527
技術(shù)公布日:2025/1/2
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