本申請(qǐng)涉及顯示，具體涉及一種顯示面板。

背景技術(shù)：

1、在高刷新率、低能耗、解復(fù)用(demux)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品中，薄膜晶體管(thin?filmtransistor，tft)器件需要具有較大的開態(tài)電流以滿足充電率需求，或降低薄膜晶體管器件的尺寸實(shí)現(xiàn)窄邊框、高穿透率。短溝道技術(shù)可以大幅提升器件開態(tài)電流、縮小器件尺寸。若通過短溝道技術(shù)將薄膜晶體管器件的溝道縮小至1微米(um)內(nèi)，相對(duì)于常規(guī)薄膜晶體管器件，器件開態(tài)電流可提升5倍以上。

2、通常，4.5代廠(g4.5)的曝光機(jī)分辨率在1.5um以上，且8.5代廠(g8.5)的曝光機(jī)分辨率在2um以上，難以通過直接曝光的方式實(shí)現(xiàn)短溝道器件的制作。而垂直溝道結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管器件，可以不局限于曝光機(jī)的精度，從而可以在大世代線上實(shí)現(xiàn)超短溝道器件的制作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板，可以在實(shí)現(xiàn)顯示面板的高開口率與高充電率的同時(shí)有效的降低其制作成本。

2、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板，所述顯示面板包括相鄰設(shè)置的顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括呈陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括相鄰設(shè)置的器件區(qū)和像素區(qū)；所述顯示面板包括位于所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)的襯底、位于所述器件區(qū)中的薄膜晶體管和位于所述像素區(qū)中的像素電極；

3、所述薄膜晶體管包括：

4、第一電極，位于所述襯底上；

5、層間介質(zhì)層，覆蓋所述襯底和所述第一電極；所述層間介質(zhì)層上設(shè)有第一過孔，所述第一過孔暴露至少部分所述第一電極；

6、第二電極，位于所述層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

7、有源層，覆蓋暴露于所述第一過孔的所述第一電極、所述第一過孔的孔壁以及至少部分所述第二電極；

8、其中，所述層間介質(zhì)層從所述器件區(qū)延伸至所述像素區(qū)，所述像素電極位于所述層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且與所述第二電極連接；所述像素電極與所述第二電極或所述有源層同層設(shè)置。

9、可選地，所述像素電極與所述第二電極同層設(shè)置；所述像素電極和所述第二電極的材料相同且包括透明的金屬氧化物導(dǎo)體材料。

10、可選地，所述像素電極和所述第二電極的材料包括銦錫氧化物和銦鋅氧化物中的任意一種或兩種材料的組合。

11、可選地，所述像素電極與所述有源層同層設(shè)置；所述有源層的材料為半導(dǎo)體材料，所述像素電極的材料為導(dǎo)體化的半導(dǎo)體材料，且所述像素電極的材料包含所述有源層的材料所含的全部化學(xué)元素。

12、可選地，所述有源層的材料包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料；所述第二電極的材料包括金屬材料或金屬氧化物導(dǎo)體材料。

13、可選地，所述薄膜晶體管還包括柵極絕緣層和柵極；所述柵極絕緣層至少覆蓋所述有源層；所述柵極位于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且與所述有源層對(duì)位設(shè)置；

14、所述柵極靠近所述像素電極一側(cè)的邊緣與所述像素電極靠近所述柵極一側(cè)的邊緣完全重疊設(shè)置。

15、可選地，所述柵極絕緣層的邊緣與所述柵極的邊緣對(duì)齊設(shè)置。

16、可選地，所述像素電極從所述層間介質(zhì)層上延伸至覆蓋部分所述第二電極；位于所述第二電極上的所述像素電極靠近所述柵極一側(cè)的邊緣與所述柵極靠近所述像素電極一側(cè)的邊緣完全重合設(shè)置。

17、可選地，所述第二電極上設(shè)有第二過孔；所述第二過孔與所述第一過孔對(duì)位且連通設(shè)置；所述有源層還覆蓋在所述第二過孔的側(cè)壁上；所述第一過孔靠近所述第二過孔一側(cè)的孔徑大于或等于所述第二過孔靠近所述第一過孔一側(cè)的孔徑。

18、可選地，所述顯示面板還包括柵極絕緣層和柵極；所述柵極絕緣層至少覆蓋所述有源層；所述柵極至少設(shè)置在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述第一過孔的孔壁的一側(cè)。

19、本申請(qǐng)?zhí)峁┑娘@示面板中，器件區(qū)中的薄膜晶體管的第一電極、第二電極、有源層和柵極在垂直于襯底的方向上分布，且溝道形成在層間介質(zhì)層的第一過孔的側(cè)壁上，可以通過控制層間介質(zhì)層的厚度來實(shí)現(xiàn)納米或亞微米級(jí)超短溝道，從而實(shí)現(xiàn)高開口率與高充電率；并且，由于像素區(qū)中的像素電極與器件區(qū)中的第二電極或有源層同層設(shè)置，使得像素電極可以與第二電極或有源層在同一光罩制程中形成，有利于節(jié)省一道用于制作像素電極的光罩制程，從而節(jié)省顯示面板的制作成本；同時(shí)，像素電極與第二電極連接且同層設(shè)置可以避免增加開孔搭接，從而減少開孔數(shù)量，進(jìn)而進(jìn)一步降低顯示面板的制作成本。因此，本申請(qǐng)所提供的顯示面板可以在實(shí)現(xiàn)高開口率與高充電率的同時(shí)有效的降低其制作成本。

技術(shù)特征：

1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括相鄰設(shè)置的顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括呈陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括相鄰設(shè)置的器件區(qū)和像素區(qū)；所述顯示面板包括位于所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)的襯底、位于所述器件區(qū)中的薄膜晶體管和位于所述像素區(qū)中的像素電極；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述像素電極與所述第二電極同層設(shè)置；所述像素電極和所述第二電極的材料相同且包括透明的金屬氧化物導(dǎo)體材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述像素電極和所述第二電極的材料包括銦錫氧化物和銦鋅氧化物中的任意一種或兩種材料的組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述像素電極與所述有源層同層設(shè)置；所述有源層的材料為半導(dǎo)體材料，所述像素電極為導(dǎo)體化的半導(dǎo)體材料，且所述像素電極的材料包含所述有源層的材料所含的全部化學(xué)元素。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述有源層的材料包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料；所述第二電極的材料包括金屬材料或金屬氧化物導(dǎo)體材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括柵極絕緣層和柵極；所述柵極絕緣層至少覆蓋所述有源層；所述柵極位于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且與所述有源層對(duì)位設(shè)置；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述柵極絕緣層的邊緣與所述柵極的邊緣對(duì)齊設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述像素電極從所述層間介質(zhì)層上延伸至覆蓋部分所述第二電極；位于所述第二電極上的所述像素電極靠近所述柵極一側(cè)的邊緣與所述柵極靠近所述像素電極一側(cè)的邊緣完全重合設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第二電極上設(shè)有第二過孔；所述第二過孔與所述第一過孔對(duì)位且連通設(shè)置；所述有源層還覆蓋在所述第二過孔的側(cè)壁上；所述第一過孔靠近所述第二過孔一側(cè)的孔徑大于或等于所述第二過孔靠近所述第一過孔一側(cè)的孔徑。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括柵極絕緣層和柵極；所述柵極絕緣層至少覆蓋所述有源層；所述柵極至少設(shè)置在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述第一過孔的孔壁的一側(cè)。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種顯示面板，顯示面板的顯示區(qū)包括呈陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括器件區(qū)和像素區(qū)；顯示面板包括襯底、位于器件區(qū)中的薄膜晶體管和位于像素區(qū)中的像素電極；薄膜晶體管包括依次位于襯底上的第一電極、層間介質(zhì)層、第二電極和有源層；層間介質(zhì)層覆蓋襯底和第一電極；層間介質(zhì)層上設(shè)有暴露第一電極的第一過孔；第二電極位于層間介質(zhì)層上；有源層覆蓋暴露于第一過孔的第一電極、第一過孔的孔壁以及第二電極；層間介質(zhì)層從器件區(qū)延伸至像素區(qū)，像素電極位于層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，且與第二電極連接；像素電極與第二電極或有源層同層設(shè)置。本申請(qǐng)可以在實(shí)現(xiàn)顯示面板的高開口率與高充電率的同時(shí)有效的降低其制作成本。

技術(shù)研發(fā)人員：劉念
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240530
技術(shù)公布日：2025/1/2