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一種薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法

文檔序號(hào):86903閱讀:308來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)及其制造方法,尤其涉及一種在面板內(nèi)增加納米導(dǎo)電粒子,提高液晶顯示器(LCD)的畫面品質(zhì)的薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)
在平板顯示器中,LCD裝置薄、重量輕、并且功耗低、低電磁發(fā)射,因此LCD被廣泛的應(yīng)用如手機(jī)、計(jì)算機(jī)、電視和個(gè)人數(shù)字助理(PDA)之類的信息裝置的顯示器。
如圖1,TFT LCD器件是由陣列玻璃基板110(TFT基板)和彩膜玻璃基板120(C/F基板)通過(guò)封框膠130對(duì)盒而形成的,在兩層之間有各向異性的液晶140、取向?qū)?50及隔墊物160,當(dāng)通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路170在薄膜晶體管(TFT)上形成一電場(chǎng)使得液晶轉(zhuǎn)動(dòng),配合上下層偏光片180可以由控制電場(chǎng)強(qiáng)弱來(lái)改變LCD的透過(guò)率以達(dá)到不同的顯示效果。隨著顯示內(nèi)容的逐漸提升,使得對(duì)顯示器的性能與影像品質(zhì)要求逐漸增加,如高亮度、高對(duì)比度、廣視角、高響應(yīng)速度、靜電防護(hù)及殘像恢復(fù)等。
殘像是現(xiàn)今LCD存在的顯著缺陷,廣義上可以分成面殘像和線殘像,面殘像是由驅(qū)動(dòng)電壓中含有直流電壓,可通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)改善;線殘像就是常見(jiàn)的殘像,也是本發(fā)明主要解決的問(wèn)題。如圖2所示,殘像是指當(dāng)LCD長(zhǎng)時(shí)間顯示固定同一畫面,當(dāng)畫面切換至下一個(gè)畫面時(shí),會(huì)隱約殘留上一個(gè)畫面的圖像。面板(Cell)內(nèi)離子會(huì)沿著電場(chǎng)方向往液晶上下基板移動(dòng),聚集在取向?qū)由?,聚集的離子會(huì)產(chǎn)生靜電,當(dāng)離子的濃度產(chǎn)生的靜電足以改變LCD的透過(guò)率時(shí),會(huì)使TFT LCD的顯示出現(xiàn)差異,當(dāng)切換至下一個(gè)畫面時(shí),聚集的離子無(wú)法馬上離開取向?qū)樱^續(xù)保持原來(lái)的圖像,因此出現(xiàn)圖像殘留。
從理論上看,通??梢圆捎脙煞N辦法來(lái)減弱殘像,一種是減少LCD內(nèi)離子數(shù)量,面板內(nèi)離子主要來(lái)源于所用的材料,包括液晶、取向?qū)?、封框膠、隔墊物、電極等,其中一部分離子是由材料本身不純帶來(lái)的,一部分離子是在工藝工程中由于電壓、高溫、光照射等造成部分材料分解,可通過(guò)改善材料來(lái)減少離子數(shù);另一種是增強(qiáng)面板的防靜電能力,當(dāng)前技術(shù)中增強(qiáng)面板的防靜電能力主要由薄膜晶體管陣列元件電路設(shè)計(jì);液晶顯示器面板表面抗靜電膜涂布等。但是上述方法均沒(méi)有從根本上消除殘像。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法,其主要目的是改善目前液晶顯示器出現(xiàn)的殘像,從而增強(qiáng)液晶顯示器的顯示品質(zhì);本發(fā)明的另一目的是增強(qiáng)液晶顯示器的抗靜電能力,這樣可以有效的減少工藝過(guò)程中由于ESD造成的不良,提高良品率。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器,包括彩膜基板和相對(duì)設(shè)置的陣列基板,液晶層封裝于兩個(gè)基板之間,其中兩個(gè)基板之間加入有納米導(dǎo)電粒子。
上述方案中,所述納米導(dǎo)電粒子直徑在10nm~70nm之間。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明同時(shí)提供一種薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法,包括首先,提供已完成制作的陣列基板和具有柱狀隔墊物的彩膜基板,并分別在陣列基板和彩膜基板上形成取向?qū)樱蝗缓螅瑢?duì)形成取向?qū)拥年嚵谢搴筒誓せ暹M(jìn)行清洗,將納米導(dǎo)電粒子和液晶的混合后的混合液經(jīng)過(guò)液晶滴注機(jī)的液晶滴頭滴注在陣列基板取向?qū)拥谋砻妫蛔詈?,將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對(duì)盒。
上述方案中,所述納米導(dǎo)電粒子與液晶的重量比為0.01∶100~0.07∶100。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明同時(shí)還提供一種薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法,包括首先,提供已完成制作的陣列基板和普通彩膜基板,并分別在陣列基板和彩膜基板上形成取向?qū)?;然后,?duì)形成取向?qū)拥年嚵谢搴筒誓せ暹M(jìn)行清洗,將球狀隔墊物和納米導(dǎo)電粒子的混合物通過(guò)球狀隔墊物噴灑設(shè)備噴灑在陣列基板取向?qū)拥谋砻妫俳?jīng)過(guò)液晶滴注機(jī)的液晶滴頭將液晶滴注在陣列基板取向?qū)拥谋砻?;最后,將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對(duì)盒。
上述方案中,所述納米導(dǎo)電粒子和球狀隔墊物的混合重量比為0.5∶100~3.5∶100。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明由于在液晶顯示器面板內(nèi)添加了納米導(dǎo)電粒子后,因此一方面,由于取向?qū)拥膶?dǎo)電能力增加,正負(fù)離子出現(xiàn)的幾率減少;另一方面,當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間停留在一個(gè)固定畫面時(shí),離子向取向?qū)泳奂?,在切換至下一畫面時(shí),聚集的離子由于納米導(dǎo)電粒子的存在,迅速的離開取向?qū)樱虼瞬粫?huì)出現(xiàn)殘像,提高了畫面品質(zhì)。
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步更為詳細(xì)地說(shuō)明。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)TFT LCD結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是現(xiàn)有技術(shù)殘像示意圖;圖3是本發(fā)明納米導(dǎo)電粒子作用圖;圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例中液晶與導(dǎo)電粒子滴注示意圖;圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例中球狀隔墊物和導(dǎo)電粒子噴灑示意圖。
附圖標(biāo)記110、陣列玻璃基板;120、彩膜玻璃基板;130、封框膠;140、液晶;150、取向?qū)樱?60、隔墊物;170、驅(qū)動(dòng)電路;180、上下偏光片;310、導(dǎo)電粒子;410、液晶與導(dǎo)電粒子混合液;420、液晶滴頭;430、基臺(tái);510、噴頭;520、球狀隔墊物和導(dǎo)電粒子混合物;530、球狀隔墊物噴灑室。
具體實(shí)施方式圖3所示為本發(fā)明的液晶顯示器結(jié)構(gòu)示意圖及納米導(dǎo)電粒子作用圖。如圖3所示,本發(fā)明的液晶顯示器結(jié)構(gòu)主要包括陣列玻璃基板110和彩膜玻璃基板120,陣列玻璃基板110和彩膜玻璃基板120通過(guò)封框膠130對(duì)盒設(shè)置,兩層基板之間包括各向異性的液晶140、取向?qū)?50及隔墊物160。上述各部分與現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管液晶顯示器結(jié)構(gòu)并無(wú)差異,本發(fā)明區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的特征在于,在兩層基板之間加入導(dǎo)電的納米粒子310,納米導(dǎo)電粒子直徑在10nm~7nm。當(dāng)通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路170在薄膜晶體管(TFT)上形成一電場(chǎng)使得液晶轉(zhuǎn)動(dòng),配合上下層偏光片180可以由控制電場(chǎng)強(qiáng)弱來(lái)改變LCD的透過(guò)率以達(dá)到不同的顯示效果。如圖3所示,E為電場(chǎng)方向;V+為正離子移動(dòng)方向;V-為負(fù)離子移動(dòng)方向,當(dāng)液晶顯示器中附加一電場(chǎng)時(shí),面板內(nèi)正負(fù)離子在電場(chǎng)的作用下分別向陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板移動(dòng),在長(zhǎng)時(shí)間固定在同一畫面時(shí),電場(chǎng)維持在不變的方向,因此正負(fù)離子持續(xù)向陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板聚集,聚集到一定程度,當(dāng)切換畫面,外加電場(chǎng)方向改變時(shí),聚居的正負(fù)離子仍固定在玻璃基板的取向?qū)由希a(chǎn)生內(nèi)在電場(chǎng)維持原來(lái)的畫面,因此出現(xiàn)殘像。但是在添加了納米導(dǎo)電粒子后,在切換至下一畫面時(shí),聚集的離子通過(guò)納米導(dǎo)電粒子,迅速的離開取向?qū)樱虼瞬粫?huì)出現(xiàn)殘像;同時(shí)由于導(dǎo)電粒子的存在,增加了玻璃基板的導(dǎo)電能力,減少靜電出現(xiàn)的幾率,因此降低了工藝過(guò)程中由于靜電造成的良品率。
以上薄膜晶體管液晶顯示器結(jié)構(gòu),可采用如下實(shí)施例的制作方法進(jìn)行制作,但不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明實(shí)施的限制。
實(shí)施例1
首先,在完成陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板的制作后,對(duì)陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板先通過(guò)清洗、取向?qū)油坎?、取向等一系列工序,形成取向?qū)?,取向?qū)雍穸却蠹s50nm~100nm。
然后,對(duì)形成取向?qū)拥年嚵胁AЩ搴筒誓げAЩ暹M(jìn)行清洗后,將液晶和導(dǎo)電粒子的混合液410經(jīng)過(guò)液晶滴注機(jī)的液晶滴頭420滴注在基臺(tái)430上的陣列玻璃基板110的取向?qū)由希瑢?dǎo)電粒子與液晶的重量比為0.01∶100~0.07∶100。圖4是本實(shí)施例中將液晶材料和導(dǎo)電粒子混合滴注示意圖,主要用于隔墊物為柱狀隔墊物(Post Spacer)的情況。
最后,通過(guò)彩膜玻璃基板上的封框膠130對(duì)盒,經(jīng)過(guò)切割、清洗等一系列工藝形成具有良好殘像恢復(fù)能力的液晶顯示器面板。
實(shí)施例2首先,在完成陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板的制作后,對(duì)陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板先通過(guò)清洗、取向?qū)油坎?、取向等一系列工序,形成取向?qū)樱∠驅(qū)雍穸却蠹s50nm~100nm。
然后,對(duì)形成取向?qū)拥年嚵胁AЩ搴筒誓げAЩ暹M(jìn)行清洗后,將陣列玻璃基板110輸送到球狀隔墊物(Ball spacer)噴灑室530的基臺(tái)430上,通過(guò)球狀隔墊物噴灑設(shè)備510的噴頭將球狀隔墊物和納米導(dǎo)電粒子混合物520噴灑在陣列玻璃基板110取向?qū)拥谋砻?,?dǎo)電粒子和球狀隔墊物重量比為0.5∶100~3.5∶100。圖5是本實(shí)施例中采用噴灑的方式將球狀隔墊物和納米導(dǎo)電粒子混合物噴灑于取向?qū)拥谋砻?,主要用于隔墊物為球狀隔墊物(Ball spacer)的情況。
最后,通過(guò)對(duì)盒、切割等過(guò)程形成液晶顯示器面板。
最后應(yīng)說(shuō)明的是,以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制,盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)按照需要可使用不同材料和設(shè)備實(shí)現(xiàn)之,即可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換,而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管液晶顯示器,包括彩膜基板和相對(duì)設(shè)置的陣列基板,液晶層封裝于兩個(gè)基板之間,其特征在于兩個(gè)基板之間加入有納米導(dǎo)電粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的薄膜晶體管液晶顯示器,其特征在于所述納米導(dǎo)電粒子直徑在10nm~70nm之間。
3.一種薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法,其特征在于,包括首先,提供已完成制作的陣列基板和具有柱狀隔墊物的彩膜基板,并分別在陣列基板和彩膜基板上形成取向?qū)樱蝗缓?,?duì)形成取向?qū)拥年嚵谢搴筒誓せ暹M(jìn)行清洗,將納米導(dǎo)電粒子和液晶的混合液經(jīng)過(guò)液晶滴注機(jī)的液晶滴頭滴注在陣列基板取向?qū)拥谋砻?;最后,將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對(duì)盒。
4.根據(jù)權(quán)利要求
3所述的制造方法,其特征在于所述納米導(dǎo)電粒子與液晶的重量比為0.01∶100~0.07∶100。
5.一種薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法,其特征在于,包括首先,提供已完成制作的陣列基板和普通彩膜基板,并分別在陣列基板和彩膜基板上形成取向?qū)樱蝗缓?,?duì)形成取向?qū)拥年嚵谢搴筒誓せ暹M(jìn)行清洗,將球狀隔墊物和納米導(dǎo)電粒子的混合物通過(guò)球狀隔墊物噴灑設(shè)備噴灑在陣列基板取向?qū)拥谋砻?,再?jīng)過(guò)液晶滴注機(jī)的液晶滴頭將液晶滴注在陣列基板取向?qū)拥谋砻?;最后,將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對(duì)盒。
6.根據(jù)權(quán)利要求
5所述的制造方法,其特征在于所述納米導(dǎo)電粒子和球狀隔墊物的重量比為0.5∶100~3.5∶100。
專利摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器,包括彩膜基板和相對(duì)設(shè)置的陣列基板,液晶層封裝于兩個(gè)基板之間,其中兩個(gè)基板之間加入有納米導(dǎo)電粒子,納米導(dǎo)電粒子直徑在10nm~70nm之間。本發(fā)明同時(shí)公開了薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法。本發(fā)明通過(guò)在TFT LCD內(nèi)加入納米導(dǎo)電粒子,能夠有效改善液晶顯示器的殘像問(wèn)題,同時(shí)增加基板的防靜電能力,從而降低工藝過(guò)程中由于靜電造成的良品率降低問(wèn)題。
文檔編號(hào)G02F1/1339GK1996133SQ200610165139
公開日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2006年12月13日
發(fā)明者劉俊國(guó), 樸春培, 嚴(yán)太镕, 朱紅 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan
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