專利名稱：光纖耦合器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光纖耦合器的一種制造方法，即通過對集束的光纖部分進行加熱、熔融與延伸來制造光纖耦合器的一種所謂熔融延伸法。
光纖耦合器乃是一種用來對通過一批光纖之光進行分流與耦合的裝置。為了制造出具有所需分流比之光纖耦合器，必須在熔融延伸過程中對此種分流比進行監(jiān)控。
一種已知的用來監(jiān)控此分流比的方法為透射監(jiān)控法，披露于日本特許(公開)昭63-175812號中。在此方法中，如圖2所示，將用來制造光纖耦合器5之光纖4與4′的組合體的一端或第一端同光源1耦合，而將其另一端或第二端同光電探測器6與6′耦合。利用光電探測器6與6′接收的光功率，由計算機來計算此耦合器的分流比。另一種已知的用來監(jiān)控分流比的方法是反射監(jiān)控法，描述于日本特許申請，平1-275616號中。在此方法中，如圖3所示，將光導(dǎo)入用于制造光纖耦合器5之光纖4與4′的組合體第一端內(nèi)，光在第二端被反射，此反射的光被引導(dǎo)通過耦合器5與一分流耦合器2，到過光電探測器6與6′。根據(jù)光電探測器的探測結(jié)果，即可測定耦合器的分流比。
在圖2所示的透射監(jiān)探法中，每當(dāng)制造一耦合器時，就需在接頭“a”與“b”處進行連接。這種連接工作需要提高的技巧，有時還會造成測量誤差。反射監(jiān)控法的優(yōu)點是毋須這樣一種連接工作，但缺點在于來自光源1的光當(dāng)通過光纖而在端部9′以及在開端9處被反射時，所反射的光在耦合器5內(nèi)將相互干擾，造成分流比的測量誤差。
為此，本發(fā)明之目的在于利用反射監(jiān)控法的不需在每次構(gòu)成耦合器時都要進行連接工作的優(yōu)點，但能減少傳統(tǒng)反射監(jiān)控法中所發(fā)生的測量誤差。
上述目的將通過后附權(quán)利要求1、7、10、11與13中所述的有創(chuàng)造性的方法與設(shè)備來實現(xiàn)。
下面對照附圖詳述本發(fā)明的，用來在反射監(jiān)控法中減少測量誤差的各種方法與設(shè)備，在附圖中

圖1示范性地闡明根據(jù)反射監(jiān)控法來制造耦合器的一種方法，它是本發(fā)明依照權(quán)利要求1之方法的一個特例;
圖2示范性地闡明根據(jù)一種傳統(tǒng)的透射監(jiān)控法來制造耦合器的方法;
圖3示范性地闡明一種根據(jù)傳統(tǒng)的反射監(jiān)控法來制造耦合器的方法;
圖4示明瑞利散射光功率相對于光纖長度的關(guān)系;
圖5示意性地表明用來實施本發(fā)明的一種制造光纖耦合器之方法中，光纖耦合器制造設(shè)備的略圖;
圖6為一流程圖，示明根據(jù)本發(fā)明的一種制造方法來制造光纖耦合器時的步驟系列;
圖7為一曲線圖，表示了據(jù)本發(fā)明制造方法所制的光纖耦合器與據(jù)常規(guī)方法所制光纖耦合器二者的分流比;
圖8示意地表明一種光測量系統(tǒng)的略圖，用來闡明制造本發(fā)明之光纖耦合器的另一種方法;
圖9給出了一個表，對比了在傳統(tǒng)反射監(jiān)控測量系統(tǒng)中與本發(fā)明的一種反射監(jiān)控測量系統(tǒng)中，所接收之光功率的測量結(jié)果;
圖10示意地表明一種光測量系統(tǒng)的略圖，用來闡明制造本發(fā)明之光纖耦合器的又一種方法;
圖11給出了一個表，對比了在傳統(tǒng)反射監(jiān)控測量系統(tǒng)中與本發(fā)明的一種反射監(jiān)控測量系統(tǒng)中，所接收之光功率的測量結(jié)果;
圖12為一曲線圖，表明了脈沖光的瑞利散射特性;
圖13示意地表明了實施本發(fā)明一種制造光纖耦合器的方法時，所用的一種光纖耦合器制造設(shè)備的略圖;
圖14為一流程圖，示明了據(jù)本發(fā)明的一種制造方法來制造光纖耦合器的工序系列;
圖15為一曲線圖，表明了據(jù)本發(fā)明的一種制造方法與據(jù)一種傳統(tǒng)方法所制的光纖耦合器二者的分流比;
圖16示意地表明了反射監(jiān)控法系統(tǒng)另一基本結(jié)構(gòu)的略圖;而圖17示意地表明了反射監(jiān)控法系統(tǒng)又一基本結(jié)構(gòu)的略圖。
圖1為用來說明依據(jù)權(quán)利要求1的反射監(jiān)控法的示意圖。長單模光纖4與4′分別卷纏到繞線架上。光纖4的第一端通過一分離耦合器2連至光源1，而它的第二端則通過一耦合器5連至一反射裝置8，這通常要把光纖的端部切割平整。分流耦合器2中分流光纖的第一端連至一光電探測器6，而其第二端則同一防反射裝置了耦合。光纖4′的第一端與光電探測器6′連接，而其第二端則經(jīng)耦合器5與防反射裝置3′相連。
從光源1發(fā)出的光通過分流耦合器2耦合器5，為反射裝置8所反射。所反射的光導(dǎo)至由光電換能元件構(gòu)成的光電探測器6與6′，據(jù)此來測量反射光量。將此種光量供給一計算機7，計算出分流比。所算出的分流比即用來控制制造耦合器5的設(shè)備。
根據(jù)權(quán)利要求1，提供了一種制造光纖耦合器的方法，它包括以下幾個步驟第一步，當(dāng)一批光纖經(jīng)熔融與延伸，達(dá)到所需的分流比時，將規(guī)定量的光引入到其中至少一根光纖的第一端;第二步，使上面引入的光在此光纖的第二端反射，返轉(zhuǎn)并再次通過這樣形成的耦合器，并在此光纖的第一端探測此返回的光;第三步，用來控制此耦合器的延伸率，得以根據(jù)所探出之光量與入射光量之比而終止延伸;其中，至少是在一批光纖4與4′中之一的遠(yuǎn)端側(cè)設(shè)置一種防反射裝置，或是在除已導(dǎo)入光之光纖的所有其它光纖的遠(yuǎn)端側(cè)設(shè)置防反射裝置3與3′。
為了實現(xiàn)上述防反射裝置，可以將此種光纖的遠(yuǎn)端浸沒于黑墨水一類光吸收材料或硅油之類折射率匹配油中，可以將光纖的遠(yuǎn)端彎曲來減小其直徑而導(dǎo)致光損耗，或可以斜切或者拋光光纖的遠(yuǎn)端。
本發(fā)明根據(jù)權(quán)利要求1所采用的一種較為特別的裝置形式是，在相應(yīng)的制造方法中采用很長的光纖，將光源與光電探測器設(shè)在一批光纖的第一端側(cè)，而在這批光纖的第二端側(cè)來形成一耦合器的成形部。
在圖1所示的本發(fā)明據(jù)權(quán)利要求1的制造方法中，卷纏在繞線架之光纖4′在遠(yuǎn)端上的菲涅耳反射，例如可以通過將此遠(yuǎn)端浸沒于折射率匹配油中來防止。這種菲涅耳反射僅僅是由位于光纖4遠(yuǎn)端處的反射裝置8而引起的。這樣就不再會發(fā)生反射光的干擾，而光電探測器6′的測量結(jié)果就不會變化在耦合器2的遠(yuǎn)端側(cè)還設(shè)有防反射裝置3，使光電探測器6的測量值同樣能穩(wěn)定。
為了斷定本發(fā)明據(jù)權(quán)利要求1的有益效果，對圖3中所示傳統(tǒng)的反射監(jiān)控測量系統(tǒng)與圖1中所示本發(fā)明的反射監(jiān)控測量系統(tǒng)，測量和比較了二者為光電探測器6與6′所接收之光功率的穩(wěn)定性。光源1為能產(chǎn)生0.85μm波長之光的LD(激光二極管)光源。卷纏到繞線架上的光纖4與4′為0.85μm波段的單模光纖。據(jù)本發(fā)明的反射監(jiān)控測量系統(tǒng)，制造了一種分流比為50%的光纖耦合器。在光纖4的接近其遠(yuǎn)端的部分處于振動狀態(tài)下，測量了光電探測器6與6′所接收的光量。測量的結(jié)果是在傳統(tǒng)的反射法中，光電探測器6所接收的光量在-37.6至-44.6dBm(毫瓦分貝)的范圍內(nèi)變化，而光電探測器6所接收的光量是在-34.3至-41.7dBm范圍內(nèi)變化。在本發(fā)明的方法中，光電探測器6接收的光量是在-38.0dBm處而幾乎無變化，而光電探測器6′接收的光量則幾乎不變地為-35.0dBm。利用光電探測器6與6′的測量結(jié)果求出了分流比的變化范圍。在傳統(tǒng)的反射監(jiān)控法中，此分流比在23%至76%的范圍內(nèi)有大幅度改變，而在本發(fā)明的反射監(jiān)控法中，由于接收的光量穩(wěn)定，分流比的變化幾乎不存在。
如上所述，本發(fā)明據(jù)權(quán)利要求1的光纖耦合器的制造方法，能夠消除導(dǎo)致測量誤差的菲涅耳反射光的干擾，后者實為反射監(jiān)控法的缺點;但同時卻能利用其不需在每次構(gòu)成耦合器時進行連接工作的優(yōu)點。因此，這種方法能提高光纖耦合器的制造效率和改進分流比的測量精度。
在圖3所示的方法中，來自光纖4開端的待探測的反射光乃是一種弱菲涅耳反射光。因此，在光纖4很長的情形下。所探測到的反射光會顯著地受到光纖4與4′內(nèi)瑞利散射的影響，而這將造成測量誤差。
從光纖入射端輸入到其中的光會在此光纖的遠(yuǎn)端被反射而返回到這一入射端。所返回的光包括來自該遠(yuǎn)端的菲涅耳反射光以及普遍存在于整個光纖內(nèi)的瑞利散射光。菲涅耳反射的光功率Pr由下式給定Pr＝Po·α·γ.
其中，γ為菲涅耳反射系數(shù)，α為光纖透過率(＝透射時發(fā)射的光功率/透射時入射的光功率)，Po為入射的光功率。
上式表明，當(dāng)光纖很長而它的透過率很小時，菲涅耳反射光功率便變得極小。如圖4所示，瑞利散射光功率隨光纖的增長而變大。因而在采用長光纖時，瑞利散射的光有很大影響。據(jù)此可知，要地在光纖內(nèi)只有瑞利散射光功率可以測量出，則從既含瑞利散射光功率又含菲涅耳反射光功率的那種光功率中，只能計算出菲涅耳反射光功率。
為此，本發(fā)明之據(jù)權(quán)利要求7的方法即是以適才所述的原理為基礎(chǔ)，而目的在于提供一種制造光纖耦合器的方法，使得瑞利散射在監(jiān)控分離比中的影響降至最低限度。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)權(quán)利要求7提供了制造光纖耦合器的一種方法，其中，當(dāng)通過加熱、熔融和延伸一批光纖組成的耦合器成形部時，探測通過此耦合器成形部的光量，并根據(jù)所探測出的這一光量來控制此耦合器成形部處理過程的終止;這一方法包以下幾步第一步，在加熱和熔融耦合器成形部之前，從它的至少一根光纖的第一端導(dǎo)入一定量的光，在此光纖的第一端探測光纖中的瑞利散射光量;第二步，在加熱與熔融耦合器成形部后，使從此光纖第一端導(dǎo)入的一定量的光通過耦合器成形部，它到光纖的第二端處即被反射，而后使之再次通過此耦合器成形部，并在一批光纖的各第一端測定反射光量;第三步，將第一步中探測出的光量以及在第二步出探測出的各相應(yīng)光量加以校準(zhǔn)，根據(jù)已校準(zhǔn)的這些光量的有關(guān)比值，控制此耦合器成形部延長過程的終止。
在這一方法中，最好是在光纖的第二端消除菲不耳反射的條件下來探測瑞利散射光。而且，最好是通過將此光纖的第二端浸沒于某種折射率匹配液中來消除菲耳反射。
如上所述，在耦合器成形部加熱與熔融，補助地光纖的第一端來探測光纖中的瑞利散射光量?？梢杂脭?shù)值形式求出光纖中導(dǎo)致的瑞利散射光。然后，在耦合器成形部加熱與熔融之后，從光纖的第一端輸入一定量的光，并在一批光纖的第一端探測所反射的光量。從反射光的探測值減去瑞利散射光的探測值，就能求得制造中的耦合器內(nèi)的菲耳反射光量。根據(jù)這樣求得的菲耳反射光量業(yè)計算此光纖耦合器的分流比，將可提供一種精確的分流比。
參看圖5，首先來描述實施本發(fā)明依據(jù)權(quán)利要求7的耦合器制造方法所用到的制造光纖耦合器的一種設(shè)備，在定制造設(shè)備中，采用了一對卷纏到繞線架2上之長單模光纖1。當(dāng)光纖從此繞線架上拉出時，次第形成了分流比為1∶1(50%)的一批光纖耦合器。在本實施例中，采用了兩根精確一致的光纖。為便于說明，稱位于圖中上方的光纖為第一光纖并記為1a，而稱圖中下方的光纖為第二光纖并記為1b。光纖1a與1b的第一端與各種用來監(jiān)控待形成之光纖耦合器3之分流比的以及用來控制耦合器成形作業(yè)的裝置耦合。此兩根光纖的第二端則浸沒于折射率匹配油槽4a-4b中，用來防止菲耳反射。第二光纖1b的第或其它端常浸沒在折射率匹配油槽4b中。第一光纖1a的第一端浸入于折射率匹配油槽4a中，并在此后給定的制造過程中從其中取出。上述光纖1a的第一端是在要于其第二端處消除菲耳反射時浸入此油槽中，而當(dāng)菲耳反射在該處有效地起作用時從此油槽中取出。在光纖1a與1b的靠近折射率匹配油槽4a與4b的一處，形成一耦合器成形部5。此耦合器成形部5是按以下方式形成的在光纖1a與1b的待形成此耦合器成形部的那些部分上，將其上的覆蓋除去，并在此處將光纖集來。用燃燒器之類的適當(dāng)加熱裝置將這樣形成的耦合器形成部加熱并熔融，同時使之延伸，這樣便形成了耦合器。為此目的，將此耦合器成形部5裝配到一配備為燃燒器6與處理臺7的處理機架8上。
第一光纖1a的第一端1a通過一測量用耦合器9連接到SLD(超發(fā)光二極管)之類的光源10上。從光源10發(fā)出一定量的光，并通過此測量耦合器9將其從光纖1a的第一端導(dǎo)入此光纖1a之內(nèi)。對于耦合器9在第一光纖1a側(cè)的分流情形中，此耦合器的第一端連接到第一光纖1a上，而其第二端則置于折射率匹配油槽4c中，以防止光在此第二端反射。至于此耦合器在監(jiān)控裝置側(cè)的分流，此時這一耦合器的第一端連到光源10上，而其第二端連接著一第一光電探測器11。第二光纖16的第一端則連至一第二光電探測器12。在本實施例中，這些光電探測器都是由光電換能元件構(gòu)成，且連到一臺計算機13上以計算分流比。
在第一光纖1a之第二端處所反射的光，于耦合器成形部分中分流成進入第一光纖1a的光和進入第二光纖的光。這一反射的光通過第一光纖1a，再次分流進入其接受探測處的光電探測器11中。這一反射的光還通過第二光纖1b，同時進入第二光電探測器12，并在此接受探測。第一光電探測器11探測兩種類型的光，一種是只含瑞利散射光的照射光，另一種光含有照射的瑞利散射光與菲耳反射光。為了探測前者，將第一光纖1a的第二端浸入折射率匹配油槽4a中以消除菲耳反射光。為了探測后者。將此第二端從油槽4a中取出，使進入的光有效地發(fā)生菲耳反射。
第一與二光電探測器11與12探測出的值輸入到計算機13中，用來計算分流比。此計算機應(yīng)用后面給定的公式來計算分流比。當(dāng)所計算的值達(dá)到預(yù)定的分流比(本實施例中為50%)時，計算機即輸出一控制信號，停止與此計算機耦連的延伸控制14的延伸作業(yè)。
上述延伸控制器14耦連著延伸機架8，響應(yīng)計算機13的控制信號來驅(qū)動此機架8。機架9配備有用來加熱耦合器成形即5的燃燒器6以及延伸臺7。利用此機架8，耦合器成形部5得以加熱、熔融與延伸。上述延伸控制器14在收到計算機13的停止控制信號后，根據(jù)這一信號即終止機架8的作業(yè)。
下面簡述權(quán)利要求7之監(jiān)控方法的原理。設(shè)在光纖耦合器制成之前為第一光電探測器11探測出的光功率為P0，而當(dāng)此耦合器于制造過程中為第一第二光電探測器探測出的光功率為P1與P2，則光纖耦合器3的分流比(定義為支線中光功率之比)，亦即在此耦合器制造過程中為計算機13所計算出的分流比，表示為分流比＝(s/(t+s)×100%其中，t＝(P1/P0)，S＝(α1/α2)S0(P22/P0·P1)在上述式子中，21與22為第一與第二光纖1a與1b的透過率(發(fā)射出的光功率/入射的光功率)，而So為干線的透過率(干線發(fā)射出的光功率/干線入射的光功率)。利用上述公式由計算機13進行計算，當(dāng)達(dá)到所需的分流比時，計算機即輸出一信號，終止耦合器成形部的處理作業(yè)。事實上，上述光功率P0、P1與P2要用后面給定過程中所探測出的瑞利散射光的數(shù)值，以減除的公式加以校正。
下面對照圖6所示流程來描述耦合器的制造步驟序列。開始時，將光纖1的覆蓋層部分地剩除形成耦合器成形部5(步驟201)。將耦合器形成部5的兩端裝定到機架8的延伸臺7與7上(步驟202)。隨后，將第一光纖1a的第二端浸入折射率匹配油槽4a中(步驟203)，再行接通先源10(步驟204)。出現(xiàn)于第一光纖1a中的瑞利散射光用第一光電探測器11予以探測(步驟205)。將第一光纖1a的第二端從油槽4a中抽出(步驟206)，使之適合于發(fā)生菲耳反射。然后由第一光電探測器11探測反射光P0(步驟207)。在這樣的狀態(tài)下，用燃燒器6(步驟208)加熱和熔融耦合器成形部5(步驟208)，并加以延伸(步驟209)。在此延伸過程中，用第一與第二光電探測器11與12探測出光功率P1與P2(步驟210)。將所探測出的值輸入計算機13。應(yīng)用上述光功率值(P0、P1與P2)以及所探測出的用來校正前者的瑞利散射光值，由計算機來算出分流比(步驟211)。在延伸過程中重復(fù)光功率P1-P2的探測作業(yè)并計算分流比，直至后者達(dá)到50%(步驟212)。當(dāng)達(dá)到這一50%的值時，計算機即對處理延伸控制器14輸出一停止信號。響應(yīng)這一停止信號，延伸控制器14便停止機架8的延伸作業(yè)(步驟213)。將這樣形成的光纖耦合器3模壓上或粘合上一防護件(未示明)，例如石英玻璃制的外殼(步驟214)。
重復(fù)以上各制造步驟，從兩根卷纏到繞線架上的長光纖，可相續(xù)形成許多光纖耦合器3。應(yīng)該注意到，只當(dāng)制造第一個光纖耦合器3時，才需將測量用耦合器9與第二光電探測器耦連到第一與第二光纖1a與1b上，而在制造第二個及之后的耦合器時，就可省去上述耦連工作。
據(jù)上述實施例的制造方法，業(yè)已制成了一批光纖耦合器3，同時測量了它們的分流比。光源10為0.85μm波長的超發(fā)光二極管。第一與第二光纖都是0.85μm波段的1公里長的單模光纖。耦合器9亦為0.85μm波段的單模耦合器。
在上述條件下，在監(jiān)控分流比的同時制造出不同分流比的一系列光纖耦合器。由透射監(jiān)控法測量了所制成之光纖耦合器的分流比。測量結(jié)果標(biāo)繪于圖7，其中以黑點表示用本發(fā)明方法所制光纖耦合器的分比，而以中空的黑圈表示傳統(tǒng)反射監(jiān)控法所制耦合器的分流比。從圖中看出，本實施例之反射監(jiān)控法的測量結(jié)果與本實施例之透射監(jiān)控法的測量結(jié)果理想的一致，這就是說，用本發(fā)明的反射監(jiān)控法所制成的光纖耦合器有著精確的分流比。傳統(tǒng)反射監(jiān)控法的測量結(jié)果則與傳統(tǒng)透射監(jiān)控法的測量結(jié)果不一致。因此，傳統(tǒng)反射監(jiān)控法所制的光纖耦合器的分流比是不夠精確的。根據(jù)以上事實，本實施例的反射監(jiān)控法已成功地消除了瑞利散射光的影響。
從以上所述可知，在本發(fā)明的權(quán)利要求7的方法中，光纖內(nèi)引起的瑞利散射光是事先予以探測的。在耦合器成形部延伸過程中來監(jiān)控分流比時，即用測出的瑞利散射光值來校正所探測得的反射光值。因此，瑞利散射光的影響可以降至最低限度，而所制得的光纖耦合器具有精確分他流。
現(xiàn)在來描述本發(fā)明權(quán)利要求10的方法，同時來認(rèn)識此方法的優(yōu)點。必須指出，正如上面討論到的，在反射監(jiān)控法中，當(dāng)反射光從一批光纖的端部返回時，這種光是用光纖耦合器耦合的。在此情形下，反射的光將相互干擾，因而反射光的功率會變化。來自用于形成耦合器的在繞線架上之光纖的瑞利散射光會相互干擾，或者這種瑞利散射光會與反射光相互干擾，因而接收到的光功率要發(fā)生變化。接收到的光功率的這種變化會在反射監(jiān)控法中造成測量誤差。
為了解決上述問題，本發(fā)明據(jù)權(quán)利要求10提供了一種制造光纖耦合器的方法，它能夠消除反射光間的互擾、瑞利散射光間的互擾以及反射光與瑞利散射光間的互擾，同時還能利用反射監(jiān)控法的優(yōu)點應(yīng)用低相干光作為入射到光纖第一端上的光，而不必在每一光纖耦合器的制造中部需進行光纖的連接工作。
具體地說，提供了這樣一種制造纖耦合器的方法，其中，在通過加熱、熔融和延伸一批光纖來形成光纖耦合器時，將光人一根纖的第一端導(dǎo)入其中，使之通過耦合器成形部，并在此光纖的第二端被反射，這時在此光纖的第一端探測反射光，并根據(jù)這一探測值來控制延伸作業(yè)，其中入射到光纖第一端上的光為低相干光。
圖8示明實施例本發(fā)明上述有創(chuàng)造性之方法的一種設(shè)備之說明性實施例。為了精確地計算分流比，必須精確地測量從繞在架上的光纖2a或2b之遠(yuǎn)端返回的菲耳反射光，所用探測儀器為圖8中的示的光電探測器6a或6b。要是所用的光源為高相干型，則菲耳反射光就將從光纖2a與2b兩者返回而在制造過程中耦合到光纖耦合器3中，這樣的光將相互干擾。此外，來自繞線架上光纖的瑞利散射光也會相互干擾，則時瑞到散射光與菲耳反射光也將相互干擾。這樣干擾的結(jié)果將使光電探測器6a與6b處接收的光功率變化，引致測量誤差。
采用低相干型的光源時，就可防止菲耳反射光與瑞利散射光的相互干擾，可使接收到的光功率在光電探測器6a與6b中不發(fā)生變化。
圖8中，參考數(shù)號1a指低相干型SKC光源。分流比的測量原理與參看圖3所描述的相同。由于在本實施例中，是以低相干型的SLD為先源，因此測量不受干擾與光功率變化的影響，從而可以保證從事精確的測量。在圖8的情形中，采用SUD為光源是為了獲得低相干光，但任何其它適當(dāng)?shù)墓庠匆彩强梢杂糜诖送荒康牡摹?br> 為了斷定本發(fā)明的上述有益效果，應(yīng)用圖8中所示的反射測量監(jiān)控系統(tǒng)測量和比較了光電探測器6a與6b的光功率穩(wěn)定性，一次用高相干光，一次用低相干光，其中所用LD(激光二極管)的工作波長為0.85μm。
此測量系統(tǒng)中，用作制造條件下的光纖耦合器3的供測量用的光纖耦合器，都是0.85μm波段的單模耦合器。繞線架上的光纖2a與2b也因為0.85μm波段的單模光纖，長5公里。在兩次測量中制得了分流比為50%的光纖耦合器。在用于測量目的之繞線架上之光纖2a與光纖耦合器3發(fā)生變化的條件下，由光電探測器6a與6b測量了接收的光功率。測量的結(jié)果列出于圖9的表中。從表中看出，由光電探測器6a與6b測量出的所接收的光功率，當(dāng)采用低相干、光時為穩(wěn)定的，而當(dāng)采用高相干光時則在一定的范圍內(nèi)變化。
利用圖9表中所示光電探測器6a與6b的測量結(jié)果，計算了分流比的變化。在用高相干光的監(jiān)控法中，分流比的變化范圍為46%-53%。在本發(fā)明的監(jiān)控法中，則已斷定分流比無變化，這是由于所接收的光功率是穩(wěn)定的。
從上述可知，本發(fā)明的制造耦合器的方法成功地消除了由菲耳反射光與瑞利散射光干擾造成的不利影響(這樣的干擾在反射監(jiān)控法中會導(dǎo)致測量誤差)，同時卻利用了反射監(jiān)控法的優(yōu)點。因此，本發(fā)明的這一制造光纖耦合器的方法能夠提高制造效率和改進分流比的測量精度。
權(quán)利要求11的反射監(jiān)控法，對于反射監(jiān)控法中來自一批光纖的反射光相互干擾而使反射光的功率變化的問題，提供了另一種解決方法，供形成耦合器用在繞線架上之光纖的瑞利散射光會相互干擾，而瑞利散射光和反射光也會相互干擾，使得接收的光功率將發(fā)生變化，所接收到的光功率的這種變化便可在反射監(jiān)控法中造成測量誤差。
根據(jù)權(quán)利要求11，本發(fā)明提供了一種制造光纖耦合器的方法，它能夠消除因反射光間的、瑞利散射光間的以及反射光與瑞利散射珧間的互擾所導(dǎo)致的測量誤差，同時還能利用反射監(jiān)控法不必要在每次制造光纖耦合器時都需作纖維連接工作的優(yōu)點。
在權(quán)利要求11的光纖耦合器制造方法中，當(dāng)加熱、熔融與延伸一批光纖來形成光纖耦合器時，使從一根光纖一端的第一端引入其中的光通過耦合器成形部，并在此光纖的第二端被反射，此時在光纖的第一端探測此掇射光、并根據(jù)這一探測值來控制延伸作業(yè)，其中，因菲涅耳反射光與瑞利散射光的干擾而造成接收的光功率變化，是在強制條件下引致并隨時間而均化，由此使所接收的光穩(wěn)定化。
如權(quán)利要求12所述，通過改變經(jīng)光纖與光纖耦合器傳播的光的相位、偏振與頻率三者中的至少一個，可以強制性地引起因菲涅耳反射光與瑞利散射光的干擾而導(dǎo)致的所接收之光功率的變化。
圖10表明的實施權(quán)利要求11中方法的一種設(shè)備。為了精確地算出分流比，必須精確地側(cè)量由繞線架上光纖遠(yuǎn)端返回的菲涅耳反射光，后者由圖10所示光電探測器6a或6b探測。要是所用的光源為高相干型，菲涅耳反射光會從光纖2a與2b兩者返回，而在制造過程中耦合到光纖耦合器5中。除此，來自繞線架上光纖中的瑞利散射光將相互干擾，而這種瑞利散射光與匪涅耳反射光也將相互干擾。干擾的結(jié)果使得光片探測器6a與6b所接收的光功率變化，導(dǎo)致測量誤差。
根據(jù)本發(fā)明權(quán)利要求11中的方法，使得將導(dǎo)致干擾的菲涅耳反射光與瑞利散射光2相位、偏振與頻率三者中至少有一個改變，由此而強制性地引起菲涅耳反射光與瑞利散射光所造成的光功率變化。例如，要是用偏振/相位調(diào)制器在高速下改變菲涅耳反射光與瑞利散射光的偏振和相位，則干擾的光之功率也會以高速變化。當(dāng)這種干擾光的功率的變化速度相對于光電探測器6a與6b的均化時間足夠的高，則各光電探測器6a與6b所接收的光功率就被均化而取一穩(wěn)定值。結(jié)果是，即含菲涅耳反射光與瑞利散射光發(fā)生干擾，光電探測器6a與6b所接收的光也不會有變化。
圖10中，參考數(shù)號8代表一利用了壓電元件的偏振/相位，調(diào)制器。在圖10所示的實施例中，偏振/相位調(diào)制器是插在光源1與光纖耦合器3之間。由于干擾光的功率因偏轉(zhuǎn)/相位調(diào)制器8而高速的改變，使得光電探測器6a與6b所測得的是均化了和與穩(wěn)定化的光功率，因而實現(xiàn)了精確的測量。
在圖10所示實施例中，采用了壓電元件的偏振/相位調(diào)制器被用作為改變干擾光功率的裝置，它可以由至少能改變光的相位、偏振與頻率中之一的另一種裝置代替。此外，這種偏振/相位調(diào)制器，亦可設(shè)置在異于圖10所示插入位置的任何其它處于光源，至光電探測器6a與6b光路的位置上。
為了斷定本發(fā)明的權(quán)利要求11中方法的有利影響，在有和沒有調(diào)制器8的條件下，應(yīng)用圖10中所示反射監(jiān)控測量系統(tǒng)測量和比較了光電探測器6a與6b的光功率穩(wěn)定性。兩種情形下都用0.85μm波長的LD為光源。
用作為制造中的光纖耦合器3的供測量用的光纖耦合器，在以上兩種情形下都是0.85um波段牟單模耦合器。繞線架上的光纖2a與2b都是5公里長，同樣是0.85um的單模光纖。偏振/相位調(diào)制器8是由卷繞了0.85um波段單模光纖之管狀的壓電元件構(gòu)制成。在此兩種測量系統(tǒng)中，制造了分流比為50%的光纖耦合器。在繞線架上之光纖2a與供測量用的光纖耦合器3之間引起的振動的條件下，由光電探測器6a與6b測量了接收的光功率。測量的結(jié)果列出于圖11的表中。從表中看出，應(yīng)用了調(diào)制器8時由江電探測器6a與6b所測量的接收光功率是穩(wěn)定的，而在未采用調(diào)制器8時，測量出的結(jié)果收在表中示出的范圍內(nèi)變化。
應(yīng)用圖11所示光電探測器6agng 6b的測量結(jié)果計算了分流比的變化，在沒有調(diào)制器8的監(jiān)控方法中，分流比在46%至53%的范圍內(nèi)變化。在有調(diào)制器8的監(jiān)控方法中，則肯定了分流比無變化，因為接收光功率是穩(wěn)定的。
從上述可知，權(quán)利要求11的耦合器制造方法成功地消除了，將在此種反射監(jiān)控法中導(dǎo)致測量誤差的菲涅耳反射反射光與瑞利散射光的不利影響，同時都利用了反射監(jiān)控法的有利特點。因此，這種耦合器制造方法能夠提高光纖耦合器的制造效率，同時可改進分流比的測量精度。
下面討論權(quán)利要求13中的方法，如已述及的，當(dāng)圖1中的光纖4很長時，所探測出的反射光顯著地受到光纖4與4′中瑞利散射的影響。這種瑞利散射會造成測量誤差。
當(dāng)有脈沖先導(dǎo)入長的光纖內(nèi)時，會在整個光纖內(nèi)造成瑞利散射。于是，返回到光纖入射端的瑞利散射光(作為反射光探測)取呼12所示的時間相關(guān)波形。當(dāng)脈沖光重復(fù)地進入光纖內(nèi)而脈沖發(fā)生間隔以逐漸減小時，成批脈沖光的散射光就會相互重疊，而時間相關(guān)性質(zhì)將漸次消失，同時，菲涅耳反射只發(fā)生光纖的第二端或遠(yuǎn)端。因此，要是脈沖光重復(fù)地入射到光纖上，菲涅耳反射光會返回到入射端，同時保持其原有的波形，即與入射光的波形相同。因此，要是采用脈沖發(fā)生間隔短的調(diào)制光，即采用高調(diào)制頻率調(diào)制的光時，瑞利散射光是作為無時間相關(guān)性的固定功率之光來探測的，而菲涅耳反射光是作為具有原始波形的調(diào)制光功率來探測的。
權(quán)利要求13的方法是以上述原理為根據(jù)的，而其目的在于提供一種能在監(jiān)控分流比時使瑞利散射影響最小的制造光纖耦合器的方法。
為了實現(xiàn)上述目的，在權(quán)利要求13的制造光纖耦合器的方法中，在加熱、熔融和延伸一批光纖所成的耦合器成形部時，探測通過耦合器成形部的光量，并根據(jù)所探測出的光量來控制此耦合器成形部延伸過程的終止;此方法包括第一步，將預(yù)定量的已調(diào)制光從一批光纖中至少一根的第一端導(dǎo)入;
第二步，當(dāng)此已調(diào)制光通過前述耦合器成形部時，在所說光纖的第二端反射，再次通過該耦合器成形部，在這批光纖中之一的第一端探測此反射光;與第三步，根據(jù)所探測出的反射光量與入射的一定量已調(diào)制光之比，來控制耦合器成形部延伸過程的終止。
在上述方法中，進行反射光的探測最好與入射的已調(diào)制光同步。反射光最好在探測前放大。此外，最好把鎖定放大器用于這一放大目的。
已調(diào)制的光從一光纖的第一端進入，而與從此光纖第二端之反射光同步的已調(diào)制波是在光纖的第一端探測。這樣，光的進入與探測可以只在光纖的第一端進行。此外，是把一種已調(diào)制光用于測量目的而又探測這種已調(diào)制光，因而菲涅耳反射光與瑞利散射光可以有區(qū)別地探測。
如果此種反射光是與入射的已調(diào)制光同步地探測，則菲涅耳反射光能夠被選用于探測目的。這時，要是將此已調(diào)制光放大，則只有待測量的菲涅耳反射光配被放大，而使瑞利散射的影響降至最低限度。
下面參看圖13描述用來實施權(quán)利要求13中光纖耦合器制造方法一種相應(yīng)設(shè)備。在這一光纖耦合器的制造設(shè)備中，采用了卷纏在繞線架上2的一對長的單模光纖1。從繞線架上拉出光纖的同時，相續(xù)地制得了分流比為1∶1(50%)的一批光纖耦合器了。在本實施例中，用到的這兩根光纖精確的一致，為便于說明，稱位于圖中上方的光纖為第一光纖，記為1a;稱位于圖中下方的光纖為第二光纖，記為1b。光纖1a與1b的第一端耦連到用來監(jiān)控待制造的光纖耦合器3的分流比以及用來控制耦合器成形作業(yè)的各種裝置上。這兩根光纖的第二端是開放的。第一光纖1a的開端僅僅是空開著，但第二光纖1b的開端則浸入于折射率匹配油槽4中。第一與第二光纖1a與1b的耦合器成形部形成在光纖1a與1b的靠近折射率匹配油槽4的一處。形成耦合器成形部5時，要將待形成這一部分處的光纖的覆蓋層剝除，并在此處將光纖緊密結(jié)合。用燃燒器之類適當(dāng)?shù)募訜嵫b置加熱和熔融按以上方式形成的耦合器成形部，并把它延伸，便可形成一光纖耦合器。為此目的，將耦合器形成部5設(shè)置于一配備有一燃燒器6和幾個延伸臺7的延伸機架8上。
第一光纖1a的第一端通過一側(cè)量用耦合器9連至一已調(diào)制光原10，例如一種半導(dǎo)體激光器裝置上，光源10的上游側(cè)則連接一調(diào)制信號源11。由半導(dǎo)體激光器構(gòu)成的已調(diào)制光源10響應(yīng)調(diào)制信號源11的信號，發(fā)射高頻的已調(diào)制光(脈沖光)。這就是說，根據(jù)調(diào)制信號源11的調(diào)制信號可從光源11產(chǎn)生所需的脈沖光，它經(jīng)過測量量用耦合器9，從光纖1a的第一端進入此光纖中。對于耦合器9在第一光纖1a側(cè)的分流，是將此耦合器的第一端連到第一光纖1a上，而將其第二端浸入于折射率匹配油槽4中以防止光在此第二端反射。對于耦合器9在監(jiān)控裝置側(cè)的分流，是將此耦合器的秕一端連到光源10上，而將其第二端連接著第一光電探測器12，第二光纖1b的第一端連接闐第一第二不電探測器13。這兩個光電探測器12與13是由光電換能元伯構(gòu)成，用來將導(dǎo)引到其上的反射光轉(zhuǎn)換為電信號。更具體地說，來自第一光纖1a第二端的反射光通過耦合器成形部分，并在其中分流。分流的光被導(dǎo)引到第一與第二光纖1a與1b，此分流的反射光通過第一光纖1a，進一步為測量用耦合器9分流，再引導(dǎo)到第一光電探測器12，在這里接受探測。這一分流的反射光在通過第二光纖1b之后，則被引導(dǎo)到第二光是民探測器13處理探測。
第一鎖定放大器14連到它上游側(cè)處的第一光電探測器12上。第二鎖定放大器14則連至其上游側(cè)處的第二光電探測器13上。這兩臺放大器14與15耦連闐一臺用來計算分流比的計算機16，起到放大前述反射光中菲涅耳反射光的作用，此外，放大器14與15與調(diào)制信號源11耦連，根據(jù)調(diào)制信號源11的信號同步運行。這就是說，此兩臺放大器拾取并放大這樣的已調(diào)制光，此種已調(diào)制光來自光電探測器12與13所探測出的反射光，且業(yè)已從光源11用于光纖對1上。于是，這兩臺放大器放大了其中還含有瑞利散射光的所探測出之光中的菲涅耳反射光，使得瑞利散射光量低于菲涅耳反射光量，由此便減小了瑞利散射光的影響。根據(jù)鎖定放大器14與15所放大有反射光量，應(yīng)用后面給出的公式，用計算機16計算了分流比，當(dāng)計算出的值達(dá)到預(yù)定的分流比(本實施例中為50%)時，此計算機即輸出一控制信號，使與此計算機耦連的一臺延伸控制器17終止其延伸作業(yè)。
上述延伸控制器17與延伸機架8耦連，響應(yīng)計算機16的控制信號來驅(qū)動此機架8。機架8配備有用來加熱耦合器形成部5的燃燒器6，還配有延伸臺7。利用此機架，可加熱、熔融和延伸耦合器成形部5。延伸控制器17在接收到計算機16的控制信號后，即據(jù)此終止機架8的延伸作業(yè)。
下面簡述權(quán)利要求13中監(jiān)控法的原理。設(shè)在上述光纖耦合器制成的前為第一光電探測器探測到的光功率為90，而在此耦合器制造中為第一與第二光電探測器12與13探測出的光功率為P1與P2，則在耦合器制造過程中由計算機16所計算的光纖耦合器3的分流比(由分支中功率之比確定)表示為
分流比＝(S/(t+s))×100%式中，t＝(P1/P0)1/2，S＝(α1/α2)S0(P2/P0.P1)1/2上式中，α1與α2為第一與第二光纖1a與1b的透過率(發(fā)射出的光功率/入射的光功率)，而S0為干線的透過率(干線發(fā)射出的光功率/干線入射的光功率)。計算機16即用上述有關(guān)公式進行計算。當(dāng)達(dá)到所需的分流比時，此計算機即輸出信號，終止耦合器成形部的延伸作業(yè)。實際上，光功率P0、P1、P2乃是第一與第二鎖定放大器所放大的值。
下面對照圖14所示流程來敘述耦合器的一系列制造步驟，開始時，部分地剝除光纖對1的覆蓋層以形成耦合器成形部分(步驟201)。將耦合器成形部分的兩端裝定到機器8的延伸臺7與7上(步驟202)。繼后，接通調(diào)制光源10(步驟203)。由第一光電探測器11探測從第一光纖1a第二端返回的反射光P0(步驟204)。之后，在此狀態(tài)下，由燃燒器6加熱和熔融耦合器民形部分(步驟205)，并予以延伸(步驟206)。在此延伸過程，由第一與第二光電探測器12與13來探測光功率P1與P2(步驟207)。將探測得的值輸入計算機16，應(yīng)用這些光功率值計算出分流比(步驟208)。重復(fù)延伸過程中光功率P1與P2的探測作業(yè)，同時重復(fù)計算分流比，直至此分流比達(dá)到50%(步驟209)。在分流比達(dá)到了50%時，計算機16輸給延伸控制器17一停止信號，響應(yīng)此停止信號，延伸控制器17即終止機架8的延伸作業(yè)(步驟210)。將這樣形成的光纖耦合器3模壓或粘接上石英玻璃制的外殼之類(未示明的)防護件(步驟211)。
重復(fù)上述一系列制造步驟，從卷纏到繞線架2上的兩根長光纖相繼制成了一批光纖耦合器3。注意到測量耦合器9與第二光電探測器13僅當(dāng)在制造第一個光纖耦合器3時，才耦合到第一與第二光纖1a與1b之上，而在制造第二個和此后的耦合器時，就可省除這種耦連工作。
根據(jù)上述實施例的制造方法，業(yè)已制造出一批光纖耦合器3，同時測量了它們的分流比。所和光源10為0.85um波長的超發(fā)光二極管。由調(diào)制信號源11將一矩形波，200KHZ的調(diào)制信號加到光源10上，響應(yīng)此信號，光源10發(fā)出矩形波，200KHZ的脈沖光。第一與第二光纖均為0.85um波段的1公里長的單模光纖。測量用耦合器9亦為0.85um波段的單模光纖。
在上述條件下，于監(jiān)控分流比的同時制得子不同分流比的一批光纖。用透射監(jiān)控法測量了所制光纖耦合器的分流比。測量結(jié)果標(biāo)給于圖15，其中以黑點表明由本發(fā)明方法所制光纖耦合器的分流比，而以中空黑圈表明傳統(tǒng)反射控制法所制光纖耦合器的分流比，從圖中看出，本實施例的反射監(jiān)控法與透射監(jiān)控法二者的測量結(jié)果理想的一致，因此根據(jù)本實施例之反射監(jiān)控法已制出了具有精確流的光纖耦合器;而傳統(tǒng)的反射監(jiān)控法與透射監(jiān)控法二者的測量結(jié)果則一致，因此據(jù)傳統(tǒng)反射監(jiān)控法所制的光纖耦合器的分流比則有一定程度的不精確。
從以上所述可知，已調(diào)制的光是從形成光纖耦合器之光纖和第一端引入的，而在第二端探測它的反射光。根據(jù)此探測出的光時和一定的入射的已調(diào)制光量之比，來控制此耦合器成形部延伸作業(yè)的終止。因此，簡化了光纖與監(jiān)控裝置的連接工作?？梢詤^(qū)別開地控測匪涅耳反射光與瑞利散射光。要是僅僅選擇和探測菲涅耳反射光，就可使瑞利散射光的影響減至最低限度，所制得的光纖具有精確的分流比。
根據(jù)以上所述以及各權(quán)利要求，顯然本發(fā)明提供了若干給在反射監(jiān)控法時獲得較佳測量結(jié)果的方法與設(shè)備。
盡管對本發(fā)明提供的幾個方法與設(shè)備已逐一分別討論，但顯然，不可將這些方法中的若干個結(jié)合應(yīng)用，使得這種反射監(jiān)控法能獲得更佳的結(jié)果。
本發(fā)明業(yè)已對照根據(jù)圖3所示傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)之反射監(jiān)控法系統(tǒng)的若干實施例作了說明。但其它結(jié)構(gòu)，例如圖16與17所示的結(jié)構(gòu)，也可作為適合本發(fā)明之原理的基本結(jié)構(gòu)。
在圖16所示結(jié)構(gòu)中，在包括光纖2b在內(nèi)的光路中，另外插入有一供測量用的光纖耦合器，在光電探測器6a與6b中分別插接有特性相同的光纖耦合器4a與4b，得以在相同增益下測量反射光功率。
在圖17所示結(jié)構(gòu)中，另外采用了光開關(guān)10a、10b、與10c。來自光源1的激光，通過控制光開關(guān)10a能有選擇地導(dǎo)引到光纖2a或光纖2b。通過控制開關(guān)10b與10c，可以有選擇地對光纖耦合器3測量反射光功率或入射光功率。
權(quán)利要求
1.一種制造光纖耦合器的一種方法，它包括第一步，在將一批光纖熔融與延伸至達(dá)到所需的分流比時，把一預(yù)定量的光從這批光纖中至少一根的第一端引入；第二步，上述的引入的光在該光纖的第二端被反射，返回并再次通過擬形成的耦合器，此時在該光纖的第一端探測此返回的光；與第三步，根據(jù)所探測出之光量與引入的入射光量之比，控制上述耦合器延伸作出和終止，其中，在上述這批光纖中至少之一的遠(yuǎn)端側(cè)設(shè)置了一種防反射裝置。
2.如根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖耦合管的方法，其中的防反射裝置是設(shè)在除業(yè)已引入有光有這根光纖之外其它所有光纖的遠(yuǎn)端側(cè)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的制造光纖耦合器的方法，其中的防反射裝置是通過把述及的這根光纖之遠(yuǎn)端浸入于光的吸收材料折射率匹配油中來實現(xiàn)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的光纖耦合器制造的方法，其中的防反射裝置是通過彎曲相關(guān)光纖的遠(yuǎn)端，以減小其直徑，由此而引起光損耗不實現(xiàn)。
5.如權(quán)利要求1或2所述的光纖耦合器制造方法，其中的防反射裝置是通過斜切或拋光相關(guān)光纖的遠(yuǎn)端來實現(xiàn)。
6.如上述各權(quán)利要求中至少一項所述的光纖耦合器制造方法，其中采用了長的光纖，在此種光纖的第一端側(cè)設(shè)有光源與光電探測器，而在光纖的第二端側(cè)形成有一耦合器成形部。
7.一種制造光纖耦合器的方法，其中，在加熱、熔融與延伸由一批光纖構(gòu)成之耦合器成形部來形成一光纖耦合器時，探測通過此耦合器成形部的光量，并根據(jù)探測出的光量控制此耦合器形成部延伸過程的終止，此方法包括第一步，在加熱與熔融此耦合器成形部之前，從這批光纖中的至少一根的第一端引入一定量的光，并在此光纖的第一端探測這一光纖的瑞利散射光量;第二步，在上述耦合器成形部加熱與熔融之后，使引入述及之光纖第一端的一定量的光通過所說的耦合器成形部，在此光纖的第二端反射并再次通過這一耦合器形成部，然后在這批光纖的第一端探測反射光量;與第三步，校正第一與第二步中各自探測出的光量，并根據(jù)所校正的這些光量之比值，來終止此耦合器成形部的延伸過程。
8.如權(quán)利要求7所述的制造光纖耦合器的方法，其中，在探測瑞利散射光時，于所述光纖的第二端消除菲涅耳反射。
9.如權(quán)利要求8所述的制造光纖耦合器方法之一，其中，通過將此所說光纖之第二端浸入于某種折射率匹配液中，來消除此光纖第二端上的菲涅耳反射。
10.制造光纖耦合器的一種方法，它在通過加熱、熔融和延伸一批光纖來形成光纖耦合器時，使光從一光纖的第一端引入其中，再通過一耦合器成形部并在此纖的第二端反射，于此同時，在紫光纖的第一端探測此反射光，并根據(jù)此探測值控制延伸作業(yè)，其中，入射到此光纖第一端的光是低相于光。
11.制造光纖耦合器的一種方法，它在由加熱、熔融和延伸一批光纖來形成一光纖耦合器時，使光從一光纖的第一端引入，經(jīng)過一耦合器形成部，在此光纖的第二端反射，于此同時，在這一光纖的第一端探測此反射光，并根據(jù)此探測值來控制延伸作業(yè)，其中，在強制條件下，造成所接收之光功率因菲涅耳反射光與瑞利散射光之干攏而發(fā)生的變化并使之隨時間而均化，由此使接收的光穩(wěn)定化。
12.如權(quán)利要求11所述的光纖耦合器制造方法，其中，是由改變經(jīng)所述光纖與耦合器傳播之光的相位、偏振與頻率三者中至少之一，來強制造成所接收之光功率因菲涅耳反射光與端利散射光之干擾而發(fā)生的變化。
13.制造光纖耦合器的一種方法，其中，在由加熱、熔融和延伸一批光纖組成之光纖耦合器形成部來形成一光纖耦合器時，探測通過此耦合器形成部的光量，并據(jù)此探測得的光量來控制此耦合器形成部延伸作業(yè)的終止，此方法包括第一步，從這批光纖中至少之一的第一端引入一預(yù)定量的已調(diào)制光;第二步，此已調(diào)制光在通過所說耦合器成形部時于所述光纖的第二端反射，并再次通過此耦合器成形部，在這批光纖之一的第一次端探測此反射光;與第三步，根據(jù)所探測之反射光量與入射的已調(diào)制光量之比，來控制此耦合器成形部的延伸作業(yè)的終止。
14.如權(quán)利要求13所述的光纖耦合器制造方法，其中，進行反射光的探測是與入射的已調(diào)制光同步。
15.如權(quán)利要求14所述的光纖耦合器的制造方法，其中，所述的反射光在探測前已予放大。
16.如權(quán)利要求15所述的光纖耦合器的制造方法，其中，是將一鎖定放大器用于上述放大目的。
全文摘要
制造光纖耦合器的一種方法，首先把一批光纖熔融并延伸至所需的分流比后將一定量的光纖引入這批光纖中之一的第一端；其次使引入的光于此光纖的第二端反射并返回而再次通過其內(nèi)這批光纖形成的耦合器，在此光纖的第一端探測返回的光；最后據(jù)此探測出的光量與入射光量之比來控制此耦合器延伸作業(yè)的終止，其中在這批光纖中至少之一的遠(yuǎn)端側(cè)設(shè)置有一防反射裝置。
文檔編號G02B6/287GK1067513SQ9210077
公開日1992年12月30日 申請日期1992年1月31日 優(yōu)先權(quán)日1991年6月3日
發(fā)明者笹岡英資, 吉川順一, 滝本弘明, 菅沼寬, 橫田弘, 有本和彥, 福萬增見 申請人:住友電器工業(yè)株式會社, 住電奧普康姆株式會社