專(zhuān)利名稱(chēng)：水平電場(chǎng)類(lèi)型的液晶顯示的制作方法
本申請(qǐng)基于申請(qǐng)日為1996年5月1日的日本專(zhuān)利申請(qǐng)HE1-8-110705，在此參考引用它的全部?jī)?nèi)容。
本發(fā)明涉及一種液晶顯示元件及其制造，具體來(lái)說(shuō)，涉及一種液晶顯示元件及其制造，其液晶分子的排列(或取向)方向是由一個(gè)平行于基片表面的水平電場(chǎng)所控制的。
TN(扭曲的向列)型液晶元件和STN(超扭曲的向列)型液晶元件目前用于液晶顯示器件。這些TN型液晶元件均采用這樣一種顯示模式，其取向方向在沿液晶盒的厚度方向(垂直于基片表面)施加垂直方向的電場(chǎng)時(shí)，自沿水平方向上設(shè)置的液晶分子的狀態(tài)改變到沿預(yù)定方向提升的(向上傾斜的)分子狀態(tài)。一個(gè)液晶元件的使用者采用這樣的顯示模式觀察液晶分子的前半部分或后半部分取決于顯示屏的觀察方向(角度)。因此，沿不同的觀察方向滯后有很大變化，所以觀察角度特性不好，例如低對(duì)比度和顏色有變化。
為了提高性能，提出了液晶分子的取向通過(guò)水平方向電場(chǎng)(平行于基片表面)而非垂直方向電場(chǎng)控制的方法。
這些方法中的一個(gè)已被公開(kāi)，例如，在由M.oh-e，M.Ohta，S.Aratani，和K，Kondo在1995年的IDRC會(huì)議記錄(Asia Display)的第577頁(yè)上發(fā)表的“使用平面內(nèi)轉(zhuǎn)接模式的電光學(xué)行為的原理和特性”，及由M.Ohta，M.Oh-e和K.Kondo在1991年的IDRC會(huì)議記錄(Asia Display)的707頁(yè)上發(fā)表的論文，這里參考引用了它們。
根據(jù)在前一個(gè)文件中披露的方法，如圖2B所示，液晶12的取向通過(guò)對(duì)在基片11的一側(cè)上設(shè)置的一對(duì)電極13施加水平方向上的電場(chǎng)E而改變。在圖2A中表示的液晶分子的單軸向排列狀態(tài)中由偏振片14進(jìn)入盒體的線(xiàn)性偏振光通過(guò)液晶層進(jìn)入分析器15。因?yàn)榉治銎?5的偏振方向和通過(guò)盒體的線(xiàn)性偏振光的方向是垂直的，所以盒體處于一個(gè)光攔截狀態(tài)。
如果施加了一個(gè)水平方向電場(chǎng)E，在液晶盒的厚度方向上的中間部位的液晶分子的取向全改變。與基片接觸的液晶分子由于基片的強(qiáng)大的取向力而很少會(huì)改變它們的取向。在施加了水平方向電場(chǎng)E時(shí)，取向由(未施加水平電場(chǎng)的)如圖2A所示的狀態(tài)(即液晶分子12在整個(gè)厚度的方向上沿單軸的方向排列)改變到如施加水平電場(chǎng)后的狀態(tài)(即液晶分子12沿深度方向在盒體的中部扭曲)。
在圖2B所示的液晶驅(qū)向狀態(tài)中，由起偏器14進(jìn)入盒體并且通過(guò)液晶層的線(xiàn)性偏振以光變?yōu)闄E圓形的偏振光。與分析器15的偏振方向符合的光可通過(guò)，盒體成為透光狀態(tài)。
使用如圖2A和2B所示的水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方法時(shí)，可顯示出是有很寬觀測(cè)角度特性的圖象，然而，采用這種顯示模式時(shí)，透光率隨施加的電壓變化的光銳程度很差，因此希望在使用這種模式時(shí)要用有源元件，如TFT。
有一種所謂的磨擦方法，即使用棉布或類(lèi)似物沿一個(gè)方向磨擦中間有液晶層的玻璃基片的方法，被廣泛用作為液晶分子可靠地形成一個(gè)排列或取向結(jié)構(gòu)的方法，上述文件中公開(kāi)的水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方式的液晶盒的基片也同樣要經(jīng)過(guò)磨擦。
磨擦可提供機(jī)械磨擦力，并且這種磨擦力可產(chǎn)生靜電。如果基片在其表面上有由金屬線(xiàn)和有源元件如TFT(薄膜晶體管)和MIM(金屬絕緣體金屬)并且磨擦基片時(shí)，磨擦產(chǎn)生的靜電荷會(huì)損壞這些元件或金屬線(xiàn)并且會(huì)降低電學(xué)特性。
由諸如TFT和MIM的元件形成的基片表面是很不規(guī)則的，并且難于得到均勻的取向過(guò)程。
更進(jìn)一步的是垂直電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方法與水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方法不同，水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方法不需要使液晶分子預(yù)傾斜。而且，在無(wú)需預(yù)傾斜的情況下就可得到較高對(duì)比度的顯示。然而，可靠的取向過(guò)程如磨擦通常會(huì)使液晶分子預(yù)傾斜。為了在無(wú)預(yù)傾斜情況下實(shí)施磨擦需要采用一種特殊的取向膜材料。
進(jìn)而，水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方式還會(huì)導(dǎo)致比一般TN型液晶顯示元件相對(duì)較高的驅(qū)動(dòng)電壓(約7V)及較慢的響應(yīng)。
本發(fā)明的目的是提供一種水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)類(lèi)型的液晶顯示元件及其制造方法，它能夠消除磨擦過(guò)程中元件的損壞和斷裂，可在低電壓下操作，并且具有優(yōu)異的觀測(cè)角特性和響應(yīng)特性。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所提供的液晶顯示元件包括一對(duì)互相面對(duì)的基片；一個(gè)夾在兩個(gè)基片間的液晶層；對(duì)液晶層施加電場(chǎng)的裝置，電場(chǎng)與這對(duì)基片的基片表面基本上平行；以及，一種取向結(jié)構(gòu)，即與液晶層接觸的一對(duì)基片中的一個(gè)的界面不經(jīng)受可靠的取向過(guò)程，而與液晶層接觸的一對(duì)基片中的另一個(gè)基片的界面經(jīng)受可靠的取向過(guò)程，其中，液晶層的液晶分子的取向狀態(tài)在平行于這對(duì)基片的兩個(gè)方向之間變化。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造為在平行于液晶顯示元件的基片表面的方向控制液晶分子的取向狀態(tài)的液晶顯示元件的方法，包括下列步驟制備一個(gè)帶有用來(lái)施加水平電場(chǎng)的電極的基片，并且在基片的表面有一個(gè)不經(jīng)受可靠取向過(guò)程的薄膜；制備一個(gè)在其表面上有一個(gè)經(jīng)受使用預(yù)定取向圖案的可靠取向過(guò)程的取向結(jié)構(gòu)；通過(guò)把兩個(gè)基片互相面對(duì)面放置形成一個(gè)盒體；以及把液晶材料注入這個(gè)盒體的兩個(gè)基片之間，并把液晶材料由各向同性相狀態(tài)改變到液晶相狀態(tài)來(lái)取向液晶分子。


圖1A是一個(gè)液晶盒體的剖面圖，表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)液晶顯示元件的結(jié)構(gòu)。圖1B到1D是表示其它取向過(guò)程和一個(gè)取向圖案的一個(gè)例子的示意圖。
圖2A和2B是一個(gè)液晶盒體的分解透視圖，說(shuō)明一個(gè)傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型的液晶顯示元件的操作。
使用根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的水平電場(chǎng)(平行于基片表面)驅(qū)動(dòng)方法，一個(gè)可靠的取向過(guò)程(磨擦)不施加在組成一個(gè)液晶顯示元件的盒體的一對(duì)基片中的一個(gè)上面，而是只施加在另外一個(gè)基片上面。
兩個(gè)基片(一個(gè)進(jìn)行可靠的取向過(guò)程而另一個(gè)不進(jìn)行)，面對(duì)面地放置，并且液晶材料被注入這個(gè)空的盒體內(nèi)。液晶材料被加熱以在一個(gè)各向同性相狀態(tài)時(shí)被注入，或在一個(gè)液晶相(向列相)時(shí)注入。如果它是在液晶相時(shí)注入。注入后的液晶被加熱而使這些材料處于一種各向同性的液體狀態(tài)，也就是說(shuō)在各向同性相。
在這兩種注入方法中，處于各向同性相的液晶材料被逐漸冷卻而使其相改變?yōu)橐壕顟B(tài)，也就是說(shuō)，進(jìn)入液晶相以排列液晶分子。在這個(gè)取向過(guò)程中，在液晶層和經(jīng)受可靠取向過(guò)程(磨擦)的基片之間的界面一側(cè)調(diào)節(jié)液晶分子的取向。在經(jīng)受可靠取向過(guò)程的基片的界面上液晶分子的取向傳遞給盒體中的另一些液晶分子，并且在另外一個(gè)不經(jīng)受可靠取向過(guò)程的基片的界面上的液晶分子也同樣受到在盒體的中間部位取向的液晶分子的影響而進(jìn)行取向。關(guān)于這種注入方法，可參考1995年12月19日發(fā)表的USP5,477,356，這里參考引用了該專(zhuān)利。
按上述方式，即使擁有諸如TFT和MIM的有源元件和電極的基片不經(jīng)受諸如磨擦等的可靠取向過(guò)程，靠近這個(gè)基片的液晶盒體仍可被取向。沒(méi)有磨擦的基片不進(jìn)行預(yù)傾斜。即使其中一個(gè)基片進(jìn)行了諸如磨擦等的可靠取向過(guò)程并有預(yù)傾斜，整個(gè)盒體的平均預(yù)傾斜只是普遍的預(yù)傾斜量的一半。
液晶層和沒(méi)有經(jīng)受可靠取向過(guò)程的基片的界面擁有的取向調(diào)節(jié)力(表面能)弱于經(jīng)受可靠取向過(guò)程的基片的取向調(diào)節(jié)力。因而，如果把施加水平電場(chǎng)的電極安裝在這個(gè)沒(méi)有經(jīng)受可靠取向過(guò)程的基片上，其響應(yīng)特性會(huì)得到改善并且驅(qū)動(dòng)電壓可被降低。
可靠取向過(guò)程并不局限于磨擦，其它過(guò)程也可同樣被采用，例如，如圖1B中所示，一個(gè)光學(xué)的取向膜(如一個(gè)偏振記憶膜)可被用作取向膜3，并且偏振光21可施加在光學(xué)取向膜上。還有一個(gè)選擇就是如圖1C所示，一個(gè)光學(xué)取向膜可被用作取向膜3，并且非偏振光22可被傾斜地施加在光學(xué)取向膜上。
參考圖1A來(lái)描述一個(gè)液晶顯示元件的特殊結(jié)構(gòu)及其根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例的制造方法。
在一個(gè)玻璃基片1的表面上形成濾色片2。在這些濾色片2上形成一個(gè)取向膜3。為了在這個(gè)基片的整個(gè)區(qū)域上沿一個(gè)預(yù)定的方向得到一個(gè)均勻的取向，在取向膜3上將完成一次磨擦過(guò)程或一個(gè)光學(xué)取向過(guò)程。如果要形成如圖1D所示的具有多個(gè)不同取向的多個(gè)所謂的多個(gè)公開(kāi)的取向區(qū)域，一對(duì)用來(lái)確定每一個(gè)取向區(qū)域的光刻過(guò)程及磨擦過(guò)程要重復(fù)多次，重復(fù)的次數(shù)等于具有不同的取向方向的分開(kāi)的取向區(qū)的個(gè)數(shù)。另外，一個(gè)可選擇的方法是，偏振光通過(guò)一個(gè)光掩膜施加到一個(gè)光學(xué)取向膜(如一個(gè)PVC膜)上所需要的次數(shù)，同時(shí)改變偏振光的偏振方向。按上述方式，取向膜3的表面設(shè)有取向結(jié)構(gòu)3a。
如果使用了磨擦過(guò)程，液晶分子將以某個(gè)預(yù)傾斜角度取向。這個(gè)預(yù)傾斜角度可以通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇取向膜3的材料而變得很小。例如，如果選擇的材料的液晶分子的取向垂直于磨擦方向，那么可把預(yù)傾斜角度設(shè)在恰好0°?？墒褂糜械皖A(yù)傾斜型的聚亞胺膜、聚苯乙烯膜、或類(lèi)似物。在一般情況下該光學(xué)取向過(guò)程不產(chǎn)生預(yù)傾斜。
在另一個(gè)玻璃基片4的表面上，形成有源元件5(如TFT)、象素電極6、和用來(lái)施加水平電場(chǎng)的配對(duì)電極7。在這些元件和電極上，形成了一個(gè)絕緣膜8，并在膜8上形成一個(gè)取向膜9，膜9不經(jīng)受取向過(guò)程。盡管這個(gè)圖在厚度方向上被擴(kuò)大了，但電極6和7之間的距離和盒體的間隙(液晶層的厚度)的比遠(yuǎn)大于1，液晶層被施加了一個(gè)與基片基本平行的電場(chǎng)。
通過(guò)使基片1進(jìn)行一個(gè)可靠的取向過(guò)程，而基片4不進(jìn)行可靠的取向過(guò)程，二者之間形成一個(gè)預(yù)定間隙，形成一個(gè)空的盒體，從而可把液晶材料注入到空盒體。注入一個(gè)各向同性的狀態(tài)或一個(gè)向列的狀態(tài)的向列液晶。也可采用向列液晶和引起扭曲的手性試劑的混合物。如果在向列的狀態(tài)注入這個(gè)液晶盒，液晶材料要被加熱來(lái)將其改變成各向同性狀態(tài)。在各向同性狀態(tài)的液晶材料被逐漸冷卻來(lái)將其改變到液晶狀態(tài)來(lái)通過(guò)使用經(jīng)歷取向過(guò)程的基片的影響在預(yù)定的方向上來(lái)取向液晶分子10。
當(dāng)一個(gè)電壓施加在象素電極6和配對(duì)的電極7之間時(shí)，在盒體中產(chǎn)生了如圖1A中用虛線(xiàn)所示的水平電場(chǎng)。
液晶分子的取向方向與偏振片和分析器的偏振方向間的關(guān)系與傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型的液晶顯示元件的這種關(guān)系是相同的。
下面將要描述制造上述的液晶顯示元件的一個(gè)例子。
當(dāng)基片1上的取向膜3將要經(jīng)受一個(gè)取向過(guò)程時(shí)，使用一個(gè)低預(yù)傾斜型的聚酰亞胺膜(由Nissan Kagaku Kogyo制造的SE-510)，并進(jìn)行磨擦。在不經(jīng)受取向過(guò)程的基片4上形成一個(gè)擁有弱取向調(diào)節(jié)力的薄膜9，其表面能夠?yàn)?5dyn/cm。這個(gè)薄膜9全不經(jīng)受可靠取向過(guò)程，如磨擦。
在一個(gè)由把這兩個(gè)基片放置成有一個(gè)預(yù)定的間隙而產(chǎn)生的空盒體中，在環(huán)境溫度下(液晶相)通過(guò)其它注入法注入，通常所用的沒(méi)有任何手性材料的含氟的向列的液晶材料(NI點(diǎn)98℃)的混合物。
對(duì)注射后的取向狀態(tài)進(jìn)行觀察，并且核實(shí)流動(dòng)圖案取向。這個(gè)盒體在120℃被加熱了30分鐘。這個(gè)熱處理消除了取向的干擾，如流動(dòng)圖案取向；在整個(gè)液晶層厚度的全部基片表面上得到?jīng)]有任何缺陷的沿一個(gè)方向的均勻的平行取向。
使用這種制造方法，在不需要在不經(jīng)受取向過(guò)程的基片上用特殊膜材料(例如低預(yù)傾斜型的聚酰亞胺)形成膜的情況下就可把預(yù)傾斜角設(shè)置為0°。
在上述實(shí)施例中，把液晶狀態(tài)的向列液晶注入到空盒體中?？稍诟飨蛲韵酄顟B(tài)下注入向列液晶材料，在這種情況下還有，各向同性相狀態(tài)通過(guò)冷卻被改變到向列相狀態(tài)來(lái)取向液晶分子。
同樣在上述實(shí)施例中，盡管磨擦被用作可靠的取向過(guò)程，前述的光學(xué)取向過(guò)程也可能被采用。在這種情況下，例如一個(gè)PVC膜在一個(gè)要經(jīng)受取向過(guò)程的基片上形成。一束偏振光將可能在垂直于基片的方向上照射到這個(gè)膜上約幾十秒鐘以取向該P(yáng)VC膜。通過(guò)在每個(gè)象素上或每個(gè)象素的每個(gè)取向區(qū)域上改變偏振方向可使盒體分開(kāi)取向，如圖1D所示。注入的液晶的電介各向異性可能是正的或是負(fù)的。為了通過(guò)光輻射形成一個(gè)液晶取向膜，如偏振記憶膜，可參考USP5,479,282(1995年12月26日發(fā)表)，USP5,576,862(1996年11月9日發(fā)表)，及美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)08/387,170(1995年2月13日中請(qǐng))這里參考引用了它們。
其中一個(gè)基片不經(jīng)受如磨擦的可靠取向過(guò)程。因而，如果有源元件(如TFT和MIM)及電極和類(lèi)似物在這個(gè)基片上形成，由于靜電荷引起的擊穿和斷裂均可避免。
更進(jìn)一步的是，因?yàn)橐壕Х肿涌梢栽诓粚?duì)其中一個(gè)基片施加可靠取向過(guò)程的情況下取向，即使這個(gè)帶有電極和有源元件的基片表面是不規(guī)則的，仍然可能出現(xiàn)均勻的取向。
這個(gè)不經(jīng)受取向過(guò)程的基片在不使用特殊取向膜的情況下不產(chǎn)生預(yù)傾斜。即使在經(jīng)受可靠取向過(guò)程的基片上產(chǎn)生預(yù)傾斜，整個(gè)盒體的平均預(yù)傾斜約為普通預(yù)傾斜量的一半。因而，對(duì)比度和觀測(cè)角特性可以改善。
按水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方式，在不經(jīng)受取向過(guò)程的和形成有電極的基片上的預(yù)傾斜角極大地影響顯示特性。因而，0°的預(yù)傾斜角有相當(dāng)大的作用，如改進(jìn)了對(duì)比度。
在傳統(tǒng)上由于取向特性問(wèn)題和類(lèi)似的問(wèn)題而難于使用的材料可以相對(duì)來(lái)說(shuō)容易地在不經(jīng)受取向過(guò)程的基片上使用。例如，一個(gè)聚酰亞胺膜具有較低的表面能，PVA膜、PVC膜和其它一些類(lèi)似的膜有弱的取向調(diào)節(jié)力和由磨擦或其它類(lèi)似方法提供的取向狀態(tài)的低穩(wěn)定性。在有電極的不經(jīng)受取向過(guò)程的基片上的取向狀態(tài)由經(jīng)受取向過(guò)程的基片提供的取向狀態(tài)的液晶的彈性能決定。因而，擁有弱取向調(diào)節(jié)力的材料的膜可以在不經(jīng)受取向過(guò)程的基片上形成。
如果一個(gè)擁有弱取向調(diào)節(jié)力的膜在不經(jīng)受可靠取向過(guò)程的基片上形成，即使靠近基片界面的液晶分子通過(guò)水平電場(chǎng)也很容易移動(dòng)。因而，閾值比傳統(tǒng)的盒體小得多，所以操作電壓也可能被降低，或者改進(jìn)了上升響應(yīng)。例如，當(dāng)一個(gè)擁有約25dyn/cm的表面能的聚酰亞胺膜在不經(jīng)受取向過(guò)程的基片上形成時(shí)，操作電壓可能被降低到6V。
上述描述中的材料和數(shù)值只是用作舉例說(shuō)明的，本發(fā)明并不只局限于上述的實(shí)施例。很明顯，本領(lǐng)域的技術(shù)人員基于上述描述可作出各種修改和變動(dòng)。
本發(fā)明的技術(shù)不只適用于液晶顯示元件，還可用于與液晶有關(guān)的其它設(shè)備和部件上。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示元件，包括一對(duì)互相面對(duì)的基片；一個(gè)液晶層，夾在一對(duì)基片中間；把一個(gè)電場(chǎng)如到液晶層上的裝置，該電場(chǎng)與一對(duì)基片表面基本上平行；以及一個(gè)取向結(jié)構(gòu)與液晶層相接的一對(duì)基片中的一個(gè)基片的界面不經(jīng)受可靠的取向過(guò)程，而與液晶層相接的一對(duì)基片中的另一個(gè)基片的界面經(jīng)受可靠的取向過(guò)程；其中，液晶層的液晶分子的取向狀態(tài)在兩個(gè)平行于一對(duì)基片表面的方向之間改變。
2.如權(quán)利要求1所說(shuō)的一種液晶顯示元件，其中所說(shuō)的取向結(jié)構(gòu)基本上不使所說(shuō)的液晶層預(yù)傾斜。
3.如權(quán)利要求1所說(shuō)的一種液晶顯示元件，其中一對(duì)基片中的經(jīng)受可靠取向過(guò)程的另外一個(gè)基片的所說(shuō)取向結(jié)構(gòu)有多個(gè)擁有不同取向的取向區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的一種液晶顯示元件，其中一個(gè)聚酰亞胺膜在一對(duì)基片中的一個(gè)上的液晶層的界面上形成。
5.如權(quán)利要求1所說(shuō)的一種液晶顯示元件，其中一個(gè)聚乙烯醇(PVA)膜在一對(duì)基片中的一個(gè)基片的液晶層的界面上形成。
6.如權(quán)利要求1所說(shuō)的一種液晶顯示元件，其中一個(gè)PVC膜在一對(duì)基片中的一個(gè)基片與液晶層的界面上形成。
7.如權(quán)利要求1所說(shuō)的一種液晶顯示元件，其中一對(duì)基片中的另一個(gè)基片不形成用來(lái)施加電場(chǎng)的電極。
8.如權(quán)利要求1所說(shuō)的一種液晶顯示元件，其中一對(duì)基片中的一個(gè)基片形成用來(lái)施加電場(chǎng)的電極。
9.一種制造用來(lái)控制在平行于液晶顯示元件的基片表面的方向上的液晶分子的取向狀態(tài)的液晶顯示元件的方法，包括下列步驟制備一個(gè)用來(lái)施加水平電場(chǎng)的電極的基片，并在基片表面上有不經(jīng)受可靠取向過(guò)程的一層膜；制備一個(gè)在其表面上有一個(gè)經(jīng)受使用預(yù)定取向圖案可靠取向過(guò)程的取向結(jié)構(gòu)；通過(guò)把兩塊基片互相面對(duì)放置而形成一個(gè)盒體；并且，把液晶材料注入到這個(gè)盒體的兩塊基片之間，并且將液晶從各向同性相改變到液晶相來(lái)取向液晶分子。
10.如權(quán)利要求9所說(shuō)的一種方法，其中所說(shuō)的注入和取向步驟在液晶相注射液晶材料，并把液晶材料加熱到一個(gè)溫度，使液晶分子處于各向同性相，隨后逐漸冷卻液晶分子以改變到液晶相并且取向液晶分子。
11.如權(quán)利要求9所說(shuō)的一種方法，其中所說(shuō)的注入和取向步驟注入的液晶材料被加熱到各向同性相，然后逐漸冷卻液晶分子來(lái)改變到液晶相并且取向液晶分子。
12.如權(quán)利要求9所說(shuō)的一種方法，其中通過(guò)磨擦實(shí)現(xiàn)可靠取向過(guò)程。
13.如權(quán)利要求12所述的一種方法，其中所說(shuō)的制備在其表面上有經(jīng)受可靠取向過(guò)程的取向結(jié)構(gòu)基片的步驟，在基片上形成一個(gè)聚酰亞胺膜，這個(gè)聚酰亞胺膜可在垂直于磨擦方向上取向液晶分子。
14.如權(quán)利要求9所說(shuō)的一種方法，其中這個(gè)液晶材料不加入手性材料。
15.如權(quán)利要求9所說(shuō)的一種方法，其中這個(gè)可靠取向過(guò)程形成一個(gè)取向結(jié)構(gòu)，因而基本上不使液晶分子預(yù)傾斜。
16.如權(quán)利要求9所說(shuō)的一種方法，其中這個(gè)取向結(jié)構(gòu)包括一個(gè)偏振記憶膜，并且這個(gè)可靠取向過(guò)程是在偏振記憶膜上施加一個(gè)偏振光的過(guò)程。
17.如權(quán)利要求9所說(shuō)的一種方法，其中這個(gè)取向結(jié)構(gòu)包括一個(gè)偏振記憶膜，該可靠取向過(guò)程是一個(gè)傾斜地非偏振光施加到偏振記憶膜上的過(guò)程。
全文摘要
一種液晶顯示元件,包括:一對(duì)互相面對(duì)的基片,其間有一液晶層;一單元,用來(lái)對(duì)液晶層施加一基本上平行于一對(duì)基片表面的電場(chǎng);及一取向結(jié)構(gòu),與液晶層相接的一對(duì)基片中的一個(gè)基片的界面不經(jīng)受可靠取向過(guò)程,而另外一個(gè)基片的界面經(jīng)受可靠取向過(guò)程,其中液晶層液晶分子的取向狀態(tài)在平行于一對(duì)基片的兩個(gè)方向上變化。此種液晶顯示元件即使在摩擦?xí)r也沒(méi)有元件損壞和斷裂發(fā)生,觀察角性能和響應(yīng)性能很優(yōu)異,并可在低壓下驅(qū)動(dòng)。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1188244SQ9711322
公開(kāi)日1998年7月22日 申請(qǐng)日期1997年5月1日 優(yōu)先權(quán)日1997年5月1日
發(fā)明者都甲康夫 申請(qǐng)人:斯坦利電氣株式會(huì)社