專利名稱：制作用于電子束繪圖的電子束掩模的方法和制作該掩模的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于利用電子束在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上生成一個(gè)精細(xì)圖形的電子束圖像刻繪裝置；更具體地，其涉及一種制作一個(gè)用在集成圖形(單元投影)類型的電子束圖像刻繪裝置中借此能夠以更高的速度生成精細(xì)圖形的圖像刻繪掩模的方法。
隨著LSI技術(shù)的進(jìn)步，在提高生成在半導(dǎo)體裝置上的電路圖形的精細(xì)度方面有了迅速地進(jìn)步。一種生成精細(xì)圖形的方法是使用電子束圖像刻繪。這樣一種電子束圖像刻繪系統(tǒng)是一種能夠生成寬度為達(dá)到甚至更高密度的半導(dǎo)體電路集成而必須小于0.25μm的精細(xì)圖形的系統(tǒng)。
一種如
圖10所示的裝置可以被用作為電子束圖像刻繪裝置。圖10中所示的電子束刻繪圖像裝置包括一個(gè)由一個(gè)矩形孔隙所形成的第一孔隙103和一個(gè)由一組基本孔隙圖形106A所形成的EB掩模106。此第一孔隙103和EB掩模106具有將一個(gè)電子束105A成形為一個(gè)預(yù)定圖形的電子束105B的功能。具體地，利用EB掩模106的一個(gè)基本孔隙圖形106A能夠通過(guò)一次單獨(dú)的曝光(集成圖形圖像刻繪)刻繪出復(fù)雜的圖形。電子束105B被照射到一個(gè)覆蓋了一層抗蝕劑(未示出)的半導(dǎo)體襯底111上，因而在此抗蝕劑中生成了一個(gè)精細(xì)的圖形。
如上所述，在一個(gè)集成圖形類型的電子束圖像刻繪裝置中，使用了一個(gè)被事先提供了一組基本孔隙圖形106A的EB掩模106。在此EB掩模106上生成的基本孔隙圖形106A是通過(guò)從將被成形在半導(dǎo)體襯底111上的精細(xì)圖形中選擇作為一個(gè)相同圖形的單獨(dú)單元部分來(lái)構(gòu)成的。傳統(tǒng)地，基本圖形是以將被成形在半導(dǎo)體襯底上111的精細(xì)圖形的最大重復(fù)次數(shù)的順序來(lái)選擇的。隨后從一組所選的基本圖形中確定一些基本圖形以使為刻繪整個(gè)半導(dǎo)體芯片所需的照射次數(shù)盡可能地少。接著在EB掩模106上生成一個(gè)對(duì)應(yīng)于所確定的基本圖形的基本孔隙106A。
另外，為了減少刻繪整個(gè)半導(dǎo)體襯底111時(shí)照射的次數(shù)，有必要選擇基本圖形以使得基本圖形106A應(yīng)包含盡可能多的精細(xì)圖形。因此多種類型的基本孔隙圖形106A被成形在EB掩模106所允許的尺寸大小中。然而，上述的現(xiàn)有技術(shù)例子有以下的不便之處。特別地，當(dāng)成形在EB掩模106上的基本孔隙圖形106的孔隙面積變大時(shí)，便產(chǎn)生電子束斑，其降低了精細(xì)圖形的圖像刻繪質(zhì)量(分辨率)。其原因在于通過(guò)EB掩模106的電子束150B的總電子束電流變大了，引起由于包含在電子束中的電子的相互排斥力而產(chǎn)生的庫(kù)侖效應(yīng)。
圖11所示為電子束的束電流和束斑之間的關(guān)系。正如從此圖所看到的，當(dāng)電子束電流增大時(shí)，電子束150B的束斑也變大，從而使得在半導(dǎo)體襯底111上生成一個(gè)精細(xì)圖形變得困難起來(lái)。利用傳統(tǒng)選擇一個(gè)基本孔隙圖形的方法，完全不考慮成形在EB掩模106上的基本孔隙圖形106A的孔隙面積。因此其不可能消除由庫(kù)侖效應(yīng)所引起的圖像刻繪質(zhì)量的降低。
本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一種制作一個(gè)用于電子束圖像刻繪裝置中借此能夠生成精細(xì)圖像的掩模的方法。本發(fā)明的另外一個(gè)目標(biāo)是提供一種能夠憑借其生成精細(xì)圖形的集成圖形電子束圖像刻繪裝置。
為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的用于電子束圖像刻繪的EB掩模制作方法包括以下步驟。特別地，從存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中提取包含一個(gè)通過(guò)其生成一個(gè)EB掩模的圖形的單元。隨后利用包含在所提取的單元中的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)計(jì)算出EB掩模所需的孔隙片段的孔隙面積。接著根據(jù)通過(guò)依照該孔隙面積值產(chǎn)生用于孔隙建造的單元數(shù)據(jù)所獲得的用于孔隙建造的單元數(shù)據(jù)在EB掩模上生成一個(gè)基本孔隙圖形。
通過(guò)采用上述方法，利用本發(fā)明，由于能夠在考慮集成圖形曝光的基本孔隙單元的面積的情況下進(jìn)行光學(xué)基本孔隙圖形的確定，可以在沒(méi)有產(chǎn)生束斑(分辨率降低)地生成精細(xì)圖形。
圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的一種電子束圖像刻繪裝置的布局圖；圖2所示為利用根據(jù)本發(fā)明的EB掩模建造方法所建造的EB掩模的平面圖；圖3所示為用于建造EB掩模的裝置的布局圖；圖4所示為在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中基本孔隙圖形的最大允許孔隙面積Smax值表；圖5是為說(shuō)明在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造一個(gè)EB掩模的方法中用于抽取一個(gè)基本孔隙圖形的處理的視圖；圖6所示為用于將設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為圖像刻繪數(shù)據(jù)的處理的示圖；圖7所示為通過(guò)圖5所示的方法建造的一個(gè)EB掩模的平面圖；圖8是為說(shuō)明在根據(jù)本發(fā)明建造一個(gè)EB掩模的方法中用于抽取一個(gè)基本孔隙圖形的處理的另一個(gè)例子的示意圖；圖9所示為通過(guò)圖8所示的方法制作的一個(gè)EB掩模的平面圖；圖10所示為一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的電子束圖像刻繪裝置布局圖；和圖11所示為電子束電流和束斑之間的關(guān)系的示意圖。
接下來(lái)將參照?qǐng)D1對(duì)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖1為根據(jù)本發(fā)明的一種集成圖形類型的電子束圖像刻繪裝置的示意圖。
圖1所示的電子束圖像刻繪裝置包括一個(gè)由一個(gè)第一孔隙3和多種類型的基本孔隙圖形6A所構(gòu)成的EB掩模6。第一孔隙3由一個(gè)矩形孔隙3A構(gòu)成以使從電子槍1所發(fā)射的電子束50成形為矩形電子束50A。EB掩模6將電子束50A成形為具有一個(gè)預(yù)定精細(xì)圖形的電子束50B。電子束50B被照射到涂覆在一個(gè)半導(dǎo)體襯底11上的抗蝕劑上(未示出)，由此一個(gè)精細(xì)圖形被生成了。下面將說(shuō)明在EB掩模6上生成一個(gè)基本孔隙圖形6A的方法。
現(xiàn)在參照?qǐng)D1對(duì)電子束圖像刻繪裝置進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。從電子槍1發(fā)射的電子束50通過(guò)消隱電極2，第一孔隙3，成形透鏡4，成形偏轉(zhuǎn)器5，EB掩模6，聚光透鏡7，主偏轉(zhuǎn)器8，次偏轉(zhuǎn)器9和投影透鏡10被照射到載物臺(tái)12上的半導(dǎo)體襯底11上。
多種類型的基本孔隙圖形6A被成形在EB掩模中。在這些基本孔隙圖形6A中，形成了多個(gè)對(duì)應(yīng)于電路圖形的獨(dú)立的孔隙圖形。通過(guò)第一孔隙3所成形為矩形的電子束50A被照射到成形在EB掩模6中的一個(gè)特定的基本孔隙圖形6A上。通過(guò)這些基本孔隙圖形6A的電子束50B被照射到涂覆在半導(dǎo)體襯底11上的抗蝕劑上。一個(gè)對(duì)應(yīng)于基本孔隙圖形6A的精細(xì)圖形通過(guò)一次單獨(dú)照射被刻繪在半導(dǎo)體襯底11上。即，一個(gè)或一組精細(xì)圖形可以通過(guò)一次單獨(dú)的圖像刻繪處理被成形在抗蝕劑上。
在圖1中，作為將被成形在半導(dǎo)體襯底11上的精細(xì)圖形的標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)被事先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置15中。通過(guò)由計(jì)算機(jī)14所控制的存儲(chǔ)裝置15將設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)讀到內(nèi)存17中。此后，進(jìn)行將圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為用于圖像刻繪的圖像刻繪數(shù)據(jù)所必要的處理。該圖像刻繪數(shù)據(jù)通過(guò)控制裝置16被送到消隱電極2，成形偏轉(zhuǎn)器5，主偏轉(zhuǎn)器8，和次偏轉(zhuǎn)器9。由此對(duì)應(yīng)于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的電子束50B被投射到半導(dǎo)體襯底11上。
因而通過(guò)采用這種集成圖像類型的電子束圖像刻繪裝置，在一個(gè)半導(dǎo)體襯底11上刻繪一個(gè)精細(xì)圖像所必需照射次數(shù)能夠被減少到與傳統(tǒng)的采用形狀可變電子束類型的曝光裝置相比較的1/10～1/100。其結(jié)果是，用于通過(guò)電子束形成一個(gè)精細(xì)圖形所需時(shí)間被減少了，從而使得生產(chǎn)量被提高了。
如上所述，對(duì)于一個(gè)集成圖形類型的電子束圖像刻繪裝置，能夠在事先提供了多種基本孔隙圖形6A的裝置中采用一個(gè)EB掩模6。這些成形在EB掩模6上的基本孔隙圖形6A是通過(guò)從半導(dǎo)體設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中抽取基本重復(fù)片段而獲得的。換句話說(shuō)，選擇那些在半導(dǎo)體襯底11上出現(xiàn)在多個(gè)位置的圖形。
另外，這種抽取圖形以使盡可能多的圖形被包括在基本孔隙圖形6A中的方法能夠使得用于圖像刻繪整個(gè)半導(dǎo)體襯底11所需的照射次數(shù)被減少。因此基本孔隙圖形6A能夠以接近EB掩模6上的一個(gè)孔隙所能允許的大小的程度生成。圖2所示為通過(guò)這樣一種方法所建造的一個(gè)EB掩模6的例子。參考符號(hào)6A，6B，6C，6D和6E分別是成形在EB6掩模中的基本孔隙圖形。
圖3是一種用于制作一個(gè)使用在根據(jù)本發(fā)明的集成圖形類型的電子束圖像刻繪裝置中的EB掩模6的裝置。將被成形在半導(dǎo)體襯底11上的精細(xì)圖形的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)被事先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置15中。特別地，當(dāng)將被成形在半導(dǎo)體襯底11上的精細(xì)圖形被分割為一組單元時(shí)，包含在每個(gè)單元中的圖形的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)起來(lái)。同樣地，指示了通過(guò)此分割處理而獲得的圖形在作為一個(gè)整體的半導(dǎo)體襯底上的什么位置的重復(fù)次數(shù)數(shù)據(jù)也被存儲(chǔ)起來(lái)。除此之外，關(guān)于包含在每個(gè)單元中的圖形將以什么順序被刻繪等信息也被記錄下來(lái)。存儲(chǔ)裝置15還存儲(chǔ)包含在單元中的圖形的最小寬度Lmin和間距P。
用于制作EB掩模6的裝置還包括一個(gè)計(jì)算機(jī)14。該計(jì)算機(jī)14包括一個(gè)所允許的孔隙面積計(jì)算器14a，一個(gè)最小線寬度/間距查尋裝置14b，一個(gè)所允許的孔隙面積查尋裝置14c，一個(gè)孔隙面積計(jì)算器14d，和一個(gè)孔隙面積比較器14e。此外，EB掩模6制作裝置還包括一個(gè)根據(jù)孔隙面積比較器14e的輸出確定用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)的單元數(shù)據(jù)確定裝置。接下來(lái)將給出EB掩模6制作裝置的詳細(xì)說(shuō)明。
所允許的孔隙面積計(jì)算器14a計(jì)算一個(gè)單獨(dú)基本孔隙圖形6A所允許的孔隙面積Smax。成形在EB掩模6上用于集成圖形圖像刻繪的一個(gè)基本孔隙圖形6A的所允許的孔隙面積Smax由包含在一個(gè)單獨(dú)基本孔隙圖形的一個(gè)圖形的最小線寬度Lmin和相鄰圖形之間的間距(間隔)確定。特別地，當(dāng)基本孔隙圖形6A的最小線寬度(最小寬度)Lmin降低時(shí)，所允許的孔隙面積Smax也隨之變小。同樣地，當(dāng)相鄰圖形之間的間距變小時(shí)，所允許的孔隙面積Smax也降低。
在本發(fā)明中，Smax的值是由允許孔隙面積計(jì)算器14a通過(guò)選擇那些被典型地使用的最小線寬度Lmin和間距P的一些類型的組合來(lái)事先得到的。圖4是一個(gè)允許孔隙面積Smax表。在該表中，最小線寬度的計(jì)算范圍是從0.15μm到0.35μm。另一方面，間距是以最小線寬度Lmin的1，2或5倍來(lái)計(jì)算的。計(jì)算所得的允許孔隙面積Smax被存儲(chǔ)在表的表格中。
計(jì)算機(jī)14中的最小線寬度/間距查尋裝置14b查尋包含在所選的單元內(nèi)的圖形的最小線寬度Lmin和間距P的信息。計(jì)算機(jī)14還包括一個(gè)查尋允許孔隙面積Smax的允許孔隙面積查尋裝置14c。該允許孔隙面積查尋裝置14c利用最小線寬度Lmin和間距P從圖4所示的允許孔隙面積Smax表中查尋相對(duì)應(yīng)的允許孔隙面積Smax。
當(dāng)包含在一個(gè)特定的單元中的圖形己被臨時(shí)地成形在一個(gè)EB掩模中時(shí)，在計(jì)算機(jī)14中提供的孔隙面積計(jì)算器14d利用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置15中的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)計(jì)算EB掩模的孔隙面積S。此孔隙面積S能夠利用圖形的線寬度和其長(zhǎng)度來(lái)計(jì)算。
另外，在計(jì)算機(jī)14中提供的孔隙面積比較器14e將從表中查尋到的允許孔隙面積Smax和實(shí)際圖形的孔隙面積S進(jìn)行比較。
接下來(lái)，將參照?qǐng)D5對(duì)確定一個(gè)成形在EB掩模6中用于集成圖形圖像刻繪的基本孔隙圖形的方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，在步驟20中，那些重復(fù)次數(shù)(參考次數(shù))最大的單元被從一組構(gòu)成了將被成形在半導(dǎo)體襯底11上的精細(xì)圖形的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的單元中抽取出來(lái)。接著，在接下來(lái)的步驟21中，所抽取的單元的尺寸Cx，Cy(縱向的和橫向的)被存儲(chǔ)起來(lái)。接著，在步驟22中，包含在單元中的圖形的最小線寬度Lmin和相鄰圖形之間的間距P也被存儲(chǔ)起來(lái)。
接下來(lái)，如步驟23中所示，根據(jù)包含在步驟20中所抽取的單元的圖形的間距和最小線寬度查尋出允許孔隙面積Smax。在步驟24中，確定單元尺寸Cx，Cy是否大于Cmax。Cmax是能夠被成形在EB掩模6上的一個(gè)基本孔隙圖形的一邊的最大長(zhǎng)度。根據(jù)所用于制作EB掩模6的裝置，此Cmax可以被固定為多種不同的值。
如果單元尺寸Cx，Cy大于Cmax，則在步驟25中進(jìn)行單元分割。例如如果在單元中有八個(gè)圖形，則該分割可以是一分為二，即一組四個(gè)另一組也為四個(gè)，或者一分為四，即分為四組每組兩個(gè)。換句話說(shuō)，包含在單元中的圖形被均勻地分割。
接著在步驟26中，計(jì)算分割之后的單元中的孔隙面積S，并且將其與在步驟23中所查尋到的允許孔隙面積Smax進(jìn)行比較(步驟27)。如果孔隙面積S小于允許孔隙面積Smax，其將被直接用作用于基本孔隙圖形的生成的單元數(shù)據(jù)。另一方面，如果S大于Smax，則處理返回到步驟25中的單元分割，直到其小于Smax。
另一方面，如果通過(guò)步驟24的比較，發(fā)現(xiàn)Cx和Cy均小于Cmax，則不進(jìn)行單元分割而是直接地求出單元的孔隙面積S(步驟28)。另外，孔隙面積S與在步驟23中查尋到的Smax進(jìn)行比較(步驟29)，如果S小于Smax，則其將被直接確定為用于基本孔隙圖形的孔隙生成的單元數(shù)據(jù)。相反地，如果S大于Smax，則將進(jìn)行單元分割(步驟30)。該單元分割將被一直重復(fù)到S小于Smax時(shí)。
利用通過(guò)上述方法確定的用于孔隙生成信息的單元數(shù)據(jù)，一個(gè)EB掩模6由EB掩模生成裝置18生成出來(lái)。即利用該用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)在EB掩模中生成了一個(gè)基本孔隙圖形。圖7顯示了利用流程圖5所生成的一個(gè)EB掩模的一個(gè)例子。
接下來(lái)將參照?qǐng)D8對(duì)確定一個(gè)成形在EB掩模6中用于進(jìn)行圖形圖像刻繪的基本孔隙圖形的方法的另一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。與圖5中所示的步驟相同的步驟用相同的數(shù)字說(shuō)明。
首先，在圖8的步驟20中，那些最高重復(fù)數(shù)(參考數(shù))的單元被從與構(gòu)成了所構(gòu)成半導(dǎo)體襯底11上的精細(xì)圖形的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)有關(guān)的單元中抽取出來(lái)。隨后，在接下來(lái)的步驟21中，所抽取的單元的尺寸Cx，Cy(縱向的和橫向的)被存儲(chǔ)起來(lái)。再者，在步驟22中，包含在單元中的圖形的最小線寬度Lmin和相鄰圖形之間的間距P也被存儲(chǔ)起來(lái)。
接下來(lái)，如步驟23中所示，根據(jù)包含在步驟20中所抽取的單元的圖形的間距和最小線寬度查尋出Smax。在步驟24中，進(jìn)行一次判定以確定單元尺寸Cx，Cy是否大于Cmax。Cmax是能夠被成形在EB掩模6上的一個(gè)基本孔隙圖形的一邊的最大長(zhǎng)度。根據(jù)所用于生成EB掩模6的裝置，可以為此Cmax確定多種不同的值。
如果單元尺寸Cx，Cy大于Cmax，則在步驟31中單元重定尺寸(尺寸減小)被進(jìn)行。單元重定尺寸意味著例如如果單元包含八個(gè)圖形，則其被分割為6圖形的單元和2圖形的單元。換句話說(shuō)，包含在單元中的圖形被一點(diǎn)一點(diǎn)地分割開，而沒(méi)有必要進(jìn)行等分。
接著在步驟26中，分割之后的單元中的孔隙面積S被計(jì)算并與在步驟23中所查尋到的允許孔隙面積Smax的大小進(jìn)行比較(步驟27)。如果S小于Smax，其將被直接用作用于基本孔隙圖形的生成的單元數(shù)據(jù)。另一方面，如果S大于Smax，步驟25中的單元重定尺寸被一直重復(fù)到S小于Smax。
另一方面，如果通過(guò)步驟24的比較，發(fā)現(xiàn)Cx和Cy均小于Cmax，則單元的孔隙面積S被直接地求出(步驟28)。再者，孔隙面積S與在步驟23中查尋到的Smax進(jìn)行比較(步驟29)，如果S小于Smax，則其將被直接確定為基本孔隙圖形的單元數(shù)據(jù)。相反地，如果S大于Smax，重定尺寸被進(jìn)行(步驟32)。重定尺寸一直重復(fù)到S小于Smax時(shí)。
利用通過(guò)上述方法所抽取的基本孔隙圖形的用于孔隙生成信息的單元數(shù)據(jù)，EB掩模6被生成出來(lái)。當(dāng)用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)已被確定時(shí)，正如圖6中所示的情況，一個(gè)基本孔隙圖形能夠根據(jù)用于該孔隙圖形的孔隙生成的單元數(shù)據(jù)被生成出來(lái)。圖9顯示了根據(jù)流程圖8所生成的一個(gè)EB掩模6的一個(gè)例子。
如上所述，利用本發(fā)明，用于孔隙生成的光學(xué)單元數(shù)據(jù)是在考慮了用于集成圖形刻繪的基本孔隙圖形的孔隙面積的情況下被抽取出來(lái)的。因此，即使在形成精細(xì)圖形時(shí)，也能夠沒(méi)有電子束斑(分辨率降低)地生成高精度的精細(xì)圖形。其結(jié)果是，能夠提供一種能用于需要更窄線寬的高度集成的半導(dǎo)體制作的EB掩模。
本發(fā)明可以在不背離其精神或本質(zhì)特征的情況下以其他的形式實(shí)施。因此現(xiàn)在的實(shí)施例無(wú)論在哪一點(diǎn)上都應(yīng)該被認(rèn)為是示意性的而非限制性的，由附加的權(quán)利要求而不是以上的說(shuō)明所指明的本發(fā)明的范圍和權(quán)利要求的等價(jià)物的含義和范圍中的所有變化均被包括在其中。
日本專利申請(qǐng)No.9-007833(1997年1月20日申請(qǐng))包括說(shuō)明書，權(quán)利要求，附圖和摘要的完全公開通過(guò)查閱其全部資料被合并于此。
權(quán)利要求
1.一種生成用于電子束圖像刻繪的EB掩模的方法，其特征在于包括如下步驟從存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中抽取一個(gè)包含一個(gè)用于在EB掩模上成形的圖形的單元；利用包含在所抽取的單元內(nèi)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)計(jì)算在EB掩模中所需要的一個(gè)孔隙片段的一個(gè)孔隙面積；利用該孔隙面積的值產(chǎn)生用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)；和利用該用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)在EB掩模中生成一個(gè)基本孔隙圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的生成EB掩模的方法，其中在單元抽取步驟中，那些重復(fù)次數(shù)最大的單元被優(yōu)先地抽取。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的生成EB掩模的方法，其中孔隙段的面積是利用包含在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的圖形的線寬度和長(zhǎng)度來(lái)計(jì)算的。
4.一種生成用于電子束圖像刻繪的EB掩模的方法，包括如下步驟從存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中抽取一個(gè)包含一個(gè)用于在EB掩模上成形的圖形的單元；利用該設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)計(jì)算在EB掩模中所需要的一個(gè)孔隙片段的一個(gè)孔隙面積利用該設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)查尋包含在單元內(nèi)的相鄰圖形的間距和圖形的最小線寬度；利用所查尋到的最小線寬度和間距查尋基本孔隙圖形的允許孔隙面積；比較該允許孔隙面積和計(jì)算所得的孔隙面積；根據(jù)該比較結(jié)果產(chǎn)生用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)；和利用該用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)在EB掩模上生成一個(gè)基本孔隙圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的生成EB掩模的方法，其中在該單元抽取步驟中，重復(fù)次數(shù)最大的單元被優(yōu)先地抽取。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的生成EB掩模的方法，其中孔隙段的面積是利用包含在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的圖形的線寬度和長(zhǎng)度來(lái)計(jì)算的。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的生成EB掩模的方法，其中如果孔隙面積大于該允許面積，單元被分割并且利用所分割的單元生成用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的生成EB掩模的方法，其中孔隙分割被一直重復(fù)到孔隙面積小于允許孔隙面積時(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求4的生成EB掩模的方法，其中在單元分割中，包含在單元內(nèi)的圖形被等分。
10.根據(jù)權(quán)利要求4的生成EB掩模的方法，其中如果所抽取的單元的尺寸大于一個(gè)預(yù)定值時(shí)單元被事先分割。
11.一種生成用于電子束圖像刻繪的EB掩模的方法，包括如下步驟從存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中抽取一個(gè)包含一個(gè)用于在EB掩模上成形的圖形的單元；利用該設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)計(jì)算在EB掩模中所需要的一個(gè)孔隙片段的孔隙面積；利用該設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)查尋包含在單元內(nèi)的相鄰圖形的間距和圖形的最小線寬度；利用所查尋到的最小線寬度和間距計(jì)算基本孔隙圖形的允許孔隙面積；比較該允許孔隙面積和所計(jì)算的孔隙面積；根據(jù)該比較結(jié)果重定單元的尺寸；利用重定尺寸后的單元產(chǎn)生用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)；和利用該用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)在EB掩模中生成一個(gè)基本孔隙圖形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的生成EB掩模的方法，其中在單元抽取步驟中，最大重復(fù)次數(shù)的單元被優(yōu)先地抽取。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的生成EB掩模的方法，其中孔隙片段的面積是根據(jù)包含在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的圖形的線寬度和長(zhǎng)度來(lái)計(jì)算的。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的生成EB掩模的方法，其中如果孔隙面積大于該允許面積，單元被重定尺寸并且利用該重定尺寸的單元生成用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的生成EB掩模的方法，其中孔隙分割被一直重復(fù)到所述孔隙面積小于允許孔隙面積時(shí)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的生成EB掩模的方法，其中孔隙重定尺寸是通過(guò)分割出包含在一個(gè)單元內(nèi)的圖形的一部分來(lái)進(jìn)行的。
17.根據(jù)權(quán)利要求11的生成EB掩模的方法，其中如果所抽取的單元的面積大于一個(gè)預(yù)定值時(shí)單元被事先重定尺寸。
18.一種用于生成一個(gè)用于電子束圖像刻繪的EB掩模的裝置，包括一個(gè)查尋包含在所抽取的單元中的圖形的最小線寬度和圖形之間的間距的最小線寬度/間距查尋裝置；一個(gè)利用所查尋的最小線寬度和間距計(jì)算EB掩模所允許的孔隙面積的允許孔隙面積計(jì)算器；一個(gè)利用包含在單元中的圖形的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)計(jì)算孔隙面積的孔隙面積計(jì)算器；一個(gè)比較該允許孔隙面積和孔隙面積的孔隙面積比較器；一個(gè)利用該比較器的輸出確定用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)的單元數(shù)據(jù)確定裝置；和一個(gè)利用用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)生成一個(gè)EB掩模的EB掩模生成部件。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的用來(lái)生成用于電子束圖像刻繪的一個(gè)EB掩模的裝置，其中如果孔隙面積大于允許孔隙面積，單元數(shù)據(jù)確定裝置便分割單元并將分割后的單元數(shù)據(jù)確定為用于掩模生成的單元數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明是一種生成用于電子束圖像刻繪的EB掩模的方法,包括:從存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中抽取用于成型在EB掩模上的圖形的步驟:利用包含在所抽取的單元內(nèi)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)計(jì)算在EB掩模中所需要的一個(gè)孔隙片段的一個(gè)孔隙面積的步驟;利用該孔隙面積的值產(chǎn)生用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)的步驟;和利用該用于孔隙生成的單元數(shù)據(jù)在EB掩模中生成一個(gè)基本孔隙圖形的步驟。
文檔編號(hào)G03F1/20GK1189684SQ9810005
公開日1998年8月5日 申請(qǐng)日期1998年1月20日 優(yōu)先權(quán)日1997年1月20日
發(fā)明者田村貴央, 山下浩, 中島謙, 野末寬 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社