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電攝影光敏元件的生產(chǎn)方法

文檔序號(hào):2770887閱讀:312來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):電攝影光敏元件的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電攝影光敏元件的生產(chǎn)方法。
電攝影光敏元件基本是由光敏層和基片構(gòu)成,在光敏層上通過(guò)靜電放電和曝光形成潛像,基片上涂有該光敏層。
同時(shí),根據(jù)使用的電攝影方法,要求電攝影光敏元件具有感光度、電性能和光學(xué)特性。
還要求其在任何環(huán)境下具有環(huán)境穩(wěn)定性,從低溫/低濕度到高溫/高濕度,且環(huán)境穩(wěn)定性要足夠高到能很好地展示其性能。
在如數(shù)字復(fù)印機(jī)和激光打印機(jī)的裝置的情況下,其中曝光使用具有單一波長(zhǎng)的光源進(jìn)行,有缺陷的圖像一般表現(xiàn)為白線、白色背景區(qū)中的黑斑、黑色背景區(qū)中的白斑、白色背景區(qū)中的背景霧、以及干涉條紋,它們是由各種因素如光敏元件的基片的表面形狀和不均勻的層厚度引起的。因此,在光敏元件的生產(chǎn)中,必需預(yù)先采取一些防范措施,這樣這些有缺陷的圖像就不會(huì)出現(xiàn)。
當(dāng)這樣有缺陷的圖像出現(xiàn)時(shí),基片的表面狀態(tài)是對(duì)其具有重要影響的因素。
在成型后根本未經(jīng)處理的基片通常不一定具有最適合光敏元件的任何表面狀態(tài)。因此,在許多情況下就出現(xiàn)了由表面狀態(tài)引起的問(wèn)題。
為了解決這樣的問(wèn)題,通常的做法是,例如日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)1-123246和64-86153所公開(kāi)的,在鋁基片表面在車(chē)床上磨光后形成光敏層。特別是,對(duì)于數(shù)字系統(tǒng)的光敏元件,建議磨光基片的表面使其具有合適的不勻度以便預(yù)防干涉條紋。
然而,當(dāng)鋁基片被磨光時(shí),在周邊方向仍保留著連續(xù)加工的痕跡。因此,條紋狀缺陷圖像可能以半色調(diào)像的形式出現(xiàn),或特別地,由于數(shù)字圖像和激光掃描線間的關(guān)系易于出現(xiàn)波紋。
日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)7-43922和8-1510公開(kāi)了在基片周邊進(jìn)行輥拋光。這一方法可提供一種無(wú)規(guī)律的不均勻表面。然而,由于硬砂輪在高速下旋轉(zhuǎn)拋光基片表面,脫落的砂?;蛩榉劭赡軙?huì)影響基片表面,從而易于在某些地方被深深地擦傷,當(dāng)光敏元件生產(chǎn)出來(lái)時(shí)這些劃痕可能會(huì)留下,從而導(dǎo)致缺陷圖像。
日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)6-35216、日本專(zhuān)利號(hào)2668985、日本專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)7-15589和日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)9-179322也公開(kāi)了一種方法,其中用濕磨磨光鋁基片的表面。這一方法是一種提供無(wú)規(guī)律的不均勻表面的有效方法。然而,這不能防止電荷由基片注入。
同時(shí),迄今已提出各種方法,例如在日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)54-12733和57-62056中公開(kāi)的將鋁基片表面進(jìn)行鉻酸鹽化形成鉻酸鹽化的化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層的方法;日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)58-14841和64-29852公開(kāi)的在鋁基片表面形成勃姆石涂層的方法;和日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)57-29051公開(kāi)的高溫處理強(qiáng)制氧化鋁基片表面形成氧化物膜的方法。
對(duì)于,例如鉻酸鹽化方法,能得到具有某一性能度的基片。然而,由于處理溶液含有鉻,處理廢液非常困難,而且考慮到環(huán)境安全這也不是優(yōu)選的。
對(duì)于勃姆石處理,表面的結(jié)晶態(tài)不能說(shuō)是適合電攝影光敏元件的基片。這可能在某一程度上對(duì)電攝影性能有效,但對(duì)于圖像,由于表面結(jié)構(gòu)和形狀不適合,不能達(dá)到令人滿(mǎn)意的圖像質(zhì)量。因此,在現(xiàn)有狀態(tài)下,不能得到所有那些令人滿(mǎn)意的性能。
上述表面處理的目的是在基片表面形成的薄膜防止從基片局部注入光敏層的電荷引起的電攝影性能和圖像的任何不均勻性。
作為一種防止這樣的局部電荷注入以便不引起缺陷圖像的方法,可使用這樣一種方法,其中將鋁基片表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化以提供氧化鋁層(例如,日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2-7070和5-34964)。
這是達(dá)到這一目的的好方法。然而,為了均勻形成該層而不引起基片表面上層厚度的任何不均勻性,必須形成某一較大厚度的層,且在其形成的通常條件下,厚度是大約5或6μm或更高。因此,形成的層厚度必須遠(yuǎn)大于作為電荷注入阻擋層實(shí)際需要的厚度,結(jié)果導(dǎo)致成本的增加。
因此,本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種方法,可以低成本和穩(wěn)定地生產(chǎn)電攝影光敏元件,該元件具有良好電攝影性能,在低溫/低濕度到高溫/高濕度的任何環(huán)境中不會(huì)引起缺陷圖像,還較少引起電勢(shì)變化。
作為解決上述問(wèn)題所進(jìn)行研究的結(jié)果,本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)通過(guò)對(duì)電攝影光敏元件中使用的鋁基片表面施予特殊的化學(xué)轉(zhuǎn)化,從而在基片上形成具有特定組成的不溶性涂層而不需使用任何電外力是一種非常有效的方法,即通過(guò)在基片和含有特定金屬元素的酸性水溶液間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。考慮到成本和環(huán)境可很少受不利影響以及生產(chǎn)裝置比陽(yáng)極氧化要更簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn),這是很有效的。
此外,化學(xué)轉(zhuǎn)化的準(zhǔn)備步驟是用酸和堿中的至少一種蝕刻鋁基片。這使獲得電攝影光敏元件用的具有優(yōu)良性能的基片成為可能。
本發(fā)明提供一種生產(chǎn)電攝影光敏元件的方法,包括至少下列步驟a)和b)中的一步以及步驟c)和d);a)用酸和堿中的至少一種蝕刻鋁基片;b)用含有5%體積或更多的球形磨料的磨料分散體磨蝕鋁基片,以累計(jì)百分率計(jì),50%的球形磨料直徑從5μm至60μm;c)對(duì)已經(jīng)步驟a)和b)中至少一步處理過(guò)的鋁基片,用含鈦鹽或鋯鹽的酸性水溶液進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化;和d)在已經(jīng)化學(xué)轉(zhuǎn)化的鋁基片上形成光敏層。


圖1是電攝影裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,其具有裝了本發(fā)明方法生產(chǎn)的電攝影光敏元件的加工盒。
圖2是表示本發(fā)明方法生產(chǎn)的電攝影光敏元件具有的構(gòu)成鋁基片表面部分的元素組成比例的曲線圖。
圖3是用于本發(fā)明方法中的拋光步驟的示意圖。
圖4是本發(fā)明方法的拋光步驟中使用的刀頭示意圖。
圖5是進(jìn)行本發(fā)明方法所用濕磨的裝置的示意圖。
本發(fā)明生產(chǎn)電攝影光敏元件的方法包括下列步驟a)和b)中至少一步作為化學(xué)轉(zhuǎn)化的準(zhǔn)備步驟;a)用酸和堿中的至少一種蝕刻鋁基片;和b)用含有5%體積或更多的球形磨料的磨料分散體磨蝕鋁基片,用累計(jì)百分率測(cè)定的50%球形磨料直徑從5μm至60μm。
本發(fā)明中的蝕刻不僅可除去基片表面存在的污點(diǎn)或油狀物質(zhì),還可一次性除去基片表面存在的氧化物膜,使基片易于在蝕刻后通過(guò)化學(xué)轉(zhuǎn)化形成化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層以改善涂層的性能。
此外,下文將考慮蝕刻的另一影響。
通常在鋁中含有各種金屬附加物或雜質(zhì)。它們作為金屬互化物與鋁一起形成低共熔混合物,且它們的細(xì)微物質(zhì)島嶼狀散布在鋁上。金屬互化物理所當(dāng)然也存在于基片表面。任何其上進(jìn)行的化學(xué)轉(zhuǎn)化不能很好地在有這種金屬互化物存在的部分形成化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層,并且可能形成有缺陷的涂層,而導(dǎo)致可能影響圖像特性。
因此,在進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化前,通過(guò)蝕刻除去金屬互化物的低共熔混合物。因此,可在基片表面形成非常均勻和無(wú)缺陷的化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層,且化學(xué)轉(zhuǎn)化可更有效,使得到具有非常高性能的電攝影光敏元件成為可能。
可用于本發(fā)明蝕刻的酸包括硫酸、硝酸、氫氟酸和鹽酸。其中,硫酸是特別優(yōu)選的,由于其具有良好選擇性溶解氧化物膜或金屬互化物而不大量溶解鋁的特性。在使用硫酸的情況下,溶液濃度優(yōu)選在10-30重量%。堿可包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、硅酸鈉和磷酸鈉。其中,氫氧化鈉由于具有最強(qiáng)的蝕刻力而是特別優(yōu)選的。
附帶地,當(dāng)用堿蝕刻基片時(shí),取決于用作基片的鋁的類(lèi)型,可能會(huì)出現(xiàn)稱(chēng)為煤塵的粉狀殘余物。因此,在這種情況下,基片必須再浸入酸中以除去它們。為了除去煤塵,可使用硝酸或硫酸。進(jìn)行蝕刻可通過(guò)將鋁基片浸入上述溶液中或?qū)⑸鲜鋈芤阂試婌F的方法施用到鋁基片上,等等。當(dāng)采用浸入方法時(shí),處理時(shí)間優(yōu)選約30秒至約5分鐘,溶液溫度優(yōu)選從室溫至約70℃,但這些取決于所用溶液的濃度。
下面將描述步驟b),該步驟用含有磨料的磨料分散體磨蝕鋁基片,被稱(chēng)為濕磨。
在濕磨中使用的磨料通常主要由多角形顆粒組成。這些多角形顆粒由于其尖角可高效磨蝕鋁基片,并因此可在相對(duì)較短的噴灑時(shí)間內(nèi)達(dá)到需要的表面粗糙度。然而,如此形成的表面具有尖銳的小山和山谷的形狀。通常,這樣的磨料具有粒徑分布,大磨料顆粒易于形成大山和山谷,小磨料顆粒易于形成小山和山谷,因此難于獲得均勻粗糙度。
然而,本發(fā)明中的化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層(通過(guò)化學(xué)轉(zhuǎn)化形成的涂層)提供了一層薄膜,且這種尖銳的突出部可導(dǎo)致光敏層的紊亂或絕緣失效。因此,在本發(fā)明中使用的磨料顆粒主要是球形的。在這種情況下,由于它們不具有或相對(duì)少地具有尖角,所以它們相對(duì)較少地磨蝕鋁基片表面,相反相對(duì)更多地通過(guò)墊性加工使表面變形。因此,表面形狀呈輕微的不均勻且在小山和山谷的高度或深度上的差異因磨料顆粒的粒徑分布而較小。因而,可得到更均勻的粗糙度。
另一個(gè)是磨料顆粒的粘入或陷入問(wèn)題。通常,一些多角形磨料能引起微粉碎,從而自己連續(xù)產(chǎn)生切割角。結(jié)果,可能出現(xiàn)它們粘入或陷入鋁基片表面的現(xiàn)象。在這種陷入發(fā)生的部分,難于形成化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層,從而易于產(chǎn)生缺陷圖像。
然而,當(dāng)使用用于本發(fā)明的主要為球形的磨料時(shí),其顆粒難于陷入基片表面,還由于塑性加工使表面變形,而難于陷入。
關(guān)于表面粗糙度還有另一個(gè)問(wèn)題。化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層的總層厚可為1μm或更小,這將在下文詳述。在這種層厚下,表面粗糙度可能會(huì)有直接影響。因此,其最大高度(Rmax)可優(yōu)選0.5-3.0μm,十點(diǎn)平均粗糙度為0.5-1.8μm。如果最大高度小于0.5μm,粗糙度會(huì)過(guò)小以致出現(xiàn)干涉條紋。如果大于3.0μm,可能會(huì)出現(xiàn)背景霧。如果十點(diǎn)平均粗糙度小于0.5μm,粗糙度會(huì)過(guò)小以致出現(xiàn)干涉條紋。如果大于1.8μm,粗糙度會(huì)過(guò)大以致形成劣質(zhì)圖像。
下面描述本發(fā)明使用的主要為球形的磨料。可用作球形磨料的是氧化鋁物質(zhì)顆粒、氧化鋯物質(zhì)顆粒、碳化硅物質(zhì)顆粒、鐵物質(zhì)顆粒和玻璃顆粒。氧化鋁物質(zhì)顆粒包括,但不限于氧化鋁顆粒、氧化鋁-硅石顆粒和鋯石-氧化鋁顆粒。
考慮到用噴霧的可壓碎性,磨料優(yōu)選那些維氏硬度為500Kg/mm2或更高的,更優(yōu)選1000Kg/mm2或更高。
通過(guò)Coulter計(jì)數(shù)器法借助于100μm或200μm的孔徑測(cè)量,以體積平均粒徑的累計(jì)百分率計(jì),所用磨料50%的直徑是5μm至60μm,優(yōu)選10-50μm,特別優(yōu)選10-40μm。如果50%的直徑小于5μm,難于達(dá)到希望的表面粗糙度。如果50%的直徑大于60μm,表面粗糙度易于過(guò)大。
考慮到窄粒徑分布和即期利用性,優(yōu)選使用氧化鋁顆粒。這種氧化鋁顆粒優(yōu)選堆積密度為1.6-2.3g/cm3。多數(shù)情況下,堆積密度低于1.6g/cm3的顆粒為多角形,并不適于使用。
噴灑磨料速度優(yōu)選20-80m/sec.,可根據(jù)需要的粗糙度和所用磨料的粒徑適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇。
當(dāng)需要達(dá)到均勻的表面粗糙度和較輕微的表面不勻性時(shí),磨料的噴射角可優(yōu)選90°或更小,噴射角形成于噴射的中軸和鋁基片的中軸彼此交叉處。這是因?yàn)樵趪娚浣菫?0°或更小時(shí)噴射可使磨料與圓柱形管在低壓下碰撞,也可在更均勻的壓力分布下碰撞。磨料更優(yōu)選在60-30°的噴射角下噴射,特別優(yōu)選60°-45°。相對(duì)于鋁基片的圓柱形管表面,噴射角可以是向上的角和向下的角。
將磨料分散在分散介質(zhì)中,來(lái)制備用于本發(fā)明的磨料分散體。分散介質(zhì)可以在不會(huì)導(dǎo)致磨料成塊的條件下選擇。特別是考慮到各種因素,優(yōu)選水。分散在分散介質(zhì)中的磨料量基于磨料體積不超過(guò)25%體積,特別優(yōu)選5-15%體積。如果用量低于5%體積,磨蝕步驟要花費(fèi)太長(zhǎng)時(shí)間。如果用量超過(guò)15%體積,以及超過(guò)25%體積,噴射時(shí)磨料可能不良分散。
優(yōu)選鋁基片圓柱形管表面粗糙度的Rmax為2μm或更小,Rz為0.7μm或更小。這是因?yàn)橹饕乔蛐蔚哪チ现饕ㄟ^(guò)塑性加工使基片表面變形,而較少降低原始粗糙度,特別是Rmax。優(yōu)選圓柱形管表面粗糙度的Rmax為1.5μm或更小,Rz為0.5μm或更小。
作為鋁基片圓柱形管,可適當(dāng)使用未拋光的拉制管和表面拋光管。特別是當(dāng)使用表面拋光管時(shí),優(yōu)選拋光至Rz為0.7μm或更小的管,以便控制拋光加工痕跡不產(chǎn)生任何影響。
完成了本發(fā)明的磨蝕后,在適合用水清洗時(shí)可以用水噴射流清洗鋁基片。組合使用適當(dāng)?shù)谋砻婊钚詣┖统暡▉?lái)用水清洗將更有效。
用表面粗糙度測(cè)量裝置(SURFCORDER SE-3300,Kosaka Kenkyusho制造)和高斯濾波器在截止值0.8mm、標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度0.8mm、評(píng)估長(zhǎng)度8.0mm的條件下測(cè)量表面粗糙度。
在步驟a)和b)中至少一步完成后,用含有鈦鹽或鋯鹽的酸性水溶液對(duì)鋁基片進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化。
本發(fā)明中的化學(xué)轉(zhuǎn)化指的是一種基片與特定溶液接觸從而在基片上形成具有特殊組成的涂層的處理,而不需施加任何電外力,如在陽(yáng)極氧化中。
用于本發(fā)明的金屬鹽中的金屬是鈦和鋯。具有本發(fā)明的化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層(其中鈦和鋯中任一種是與鋁和氧共同存在)的鋁基片,作為用于電攝影光敏元件的基片具有非常優(yōu)良的性能。
鈦鹽和鋯鹽優(yōu)選為氟化合物。鈦鹽可包括氫氟化鈦(titaniumhydrogenfluride),其鈉鹽、鉀鹽或銨鹽,和硫酸鈦。鋯鹽可包括氟化鉀鋯(potassium zircon fluoride)和硫酸鋯。
酸性水溶液可含有濃度以金屬的重量計(jì)為0.01-2g/L的金屬鹽。
酸性水溶液優(yōu)選還含有氟離子,濃度為0-10g/L。在這一范圍內(nèi),蝕刻反應(yīng)可適當(dāng)?shù)匕l(fā)生在基片表面上并易于形成均勻涂層。
本發(fā)明的酸性水溶液的pH值可用氨或氫氧化鈉調(diào)節(jié)至1.0-5.5的范圍內(nèi)。如果其pH值低于1.0,蝕刻反應(yīng)發(fā)生得過(guò)于猛烈,而難于獲得良好涂層。如果pH值高于5.5,涂層的形成速率過(guò)低,以致于只能得到很薄的涂層,難于獲得本發(fā)明的重大效果。
在本發(fā)明中,考慮到反應(yīng)穩(wěn)定發(fā)生的益處,優(yōu)選將酸性水溶液在使用時(shí)加熱至30-90℃。
作為將基片與酸性水溶液接觸的方法,浸漬和噴灑法均可使用??紤]到生產(chǎn)效率,優(yōu)選浸漬法。
已進(jìn)行過(guò)化學(xué)轉(zhuǎn)化的基片在清洗和干燥后即可使用。
本發(fā)明基片表面部分的組成用掃描Auger電子射線波譜進(jìn)行測(cè)量,并且在從最上表面至深度為5×10-3μm(50)的范圍內(nèi)確定。
在本發(fā)明中,鈦或鋯的含量可為4-100原子%。
形成于基片表面且含鈦或鋯的化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層優(yōu)選總層厚為1μm或更小,更優(yōu)選5×10-3μm(50μm)或更大。如果層厚大于1μm,電荷難于大量選出,而易于引起殘留電勢(shì)的增加或引起灰霧。如果層厚小于5×10-3μm(50),難于獲得本發(fā)明的重大效果。
在本發(fā)明中,考慮到涂膜的耐腐蝕性和附著力,酸性水溶液優(yōu)選進(jìn)一步含有磷酸、磷酸鹽、單寧或單寧酸。
磷酸可包括磷酸和其鈉、鉀或銨鹽。磷酸鹽可包括焦磷酸、三聚磷酸、六甲基磷酸(hexametaphosphoric acid)和縮合的堿金屬磷酸鹽,如任何一種的鈉鹽或鉀鹽。有機(jī)磷酸化合物也是可用的,如肌醇六磷酸、硝基二乙醇亞乙基膦酸、2-羥基乙基間烷基-1-酸膦酸(2-hydroxyethylmetaalkyl-1-acidphosphonic acid)、2-乙基己基酸式膦酸和乙烷-1-羥基-1,1-二膦酸。
酸性水溶液中的磷酸或磷酸鹽的濃度以磷酸根離子計(jì)優(yōu)選0.05-50g/L。在這一范圍內(nèi),可形成特別均勻和良好的化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層,而且處理溶液能具有非常良好的穩(wěn)定性。
單寧或單寧酸可包括白雀木鞣質(zhì)、縮酚酸單寧、中國(guó)單寧酸、土耳其單寧酸、金縷梅單寧酸、云實(shí)鞣酸、漆葉單寧、中國(guó)鞣酸和鞣花酸單寧。
酸性水溶液中單寧或單寧酸的濃度優(yōu)選范圍是0.1-10g/L。
在本發(fā)明中,氫氟酸、硼氟酸、氟硅酸或任何一種的鹽可優(yōu)選加入酸性水溶液中。當(dāng)基片進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化時(shí)這些化合物具有蝕刻基片表面的功能,并因此可形成非常均勻的化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層。
從上文可知,本發(fā)明的化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層優(yōu)選含有磷和氟。
對(duì)于鋁基片沒(méi)有特別的限制,只要其包括鋁,鋁可包括純鋁和鋁合金如Al-Mn、Al-Mg、Al-Cu、Al-Si、Al-Mg-Si和Al-Cu-Si型。更具體地說(shuō),6000型鋁如JIS A6063和3000型鋁如JIS A3003可以使用。對(duì)其形狀也無(wú)特別限制。優(yōu)選圓筒狀。還優(yōu)選熱擠壓處理生產(chǎn)出的粗制管、壓焊熱軋薄板生產(chǎn)出的電焊合管或TIG-焊接熱軋薄板生產(chǎn)出的電弧焊管。特別優(yōu)選熱擠壓處理生產(chǎn)的粗制管。
在本發(fā)明中,作為濕磨的另一準(zhǔn)備步驟,鋁基片還可用金剛石刀頭切割??紤]到表面粗糙度,切割基片作為預(yù)處理能使?jié)衲ピ诒瘸R?guī)條件更緩和的空氣壓力下和更短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行。
本發(fā)明中,在車(chē)床上用金剛石刀頭切割鋁粗制管??墒褂靡詮?fù)數(shù)排列的金剛石刀頭。由于可在非常短的時(shí)間內(nèi)切割粗制管,所以這是優(yōu)選的。
更具體地說(shuō),在常規(guī)切割車(chē)床中,刀頭有一個(gè)刀口,刀口向前相對(duì)于要切割的小山形狀以0.01-0.05mm的間距切割,同時(shí)粗制管以2000-3000rpm的轉(zhuǎn)數(shù)運(yùn)轉(zhuǎn)。因此,切割一條例如250mm直徑的粗制管最快要花大約100秒。
作為在本發(fā)明中用于切割的金剛石刀頭,優(yōu)選使用以復(fù)數(shù)且等間距成行排列(優(yōu)選3-5個(gè)刀頭)的金剛石miracle刀頭。
因而,每轉(zhuǎn)刀口可能向前3-5個(gè)間距而非1個(gè)間距,這樣切割粗制管的速度三至五倍于常規(guī)切割,并且每只管的切割時(shí)間僅為20-30秒。
下面描述在本發(fā)明方法的步驟c)中形成的電攝影光敏元件的光敏層。
本發(fā)明中光敏層的構(gòu)造可大概歸集成單層型和多層型,單層型的同一層中含有電荷產(chǎn)生物質(zhì)和電荷傳送物質(zhì),多層型有一層電荷產(chǎn)生層,含有電荷產(chǎn)生物質(zhì),和一層電荷傳送層,含有電荷傳送物質(zhì)。
下文描述具有多層型光敏層的電攝影光敏元件。
光敏層可按以電荷產(chǎn)生層和電荷傳送層的順序?qū)臃旁诨系男问綐?gòu)成,或相反以電荷傳送層和電荷產(chǎn)生層的順序?qū)臃诺男问健?br> 電荷傳送層是通過(guò)涂布涂層溶液,接著干燥形成的,涂層溶液是將電荷傳送物質(zhì)溶解于具有成膜特性的樹(shù)脂中制得,電荷傳送物質(zhì)包括如具有亞聯(lián)苯基、蒽、芘或菲結(jié)構(gòu)的多環(huán)芳族化合物,含氮的環(huán)狀化合物如吲哚、咔唑、噁二唑或二氫吡唑,腙化合物或苯乙烯基化合物。
具有成膜特性的樹(shù)脂包括聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯和聚烯丙基化物(polyallylates)。
電荷傳送層的層厚優(yōu)選5-40μm,更優(yōu)選l0-30μm。
電荷產(chǎn)生層是通過(guò)涂布分散體,接著干燥形成的,分散體是將電荷傳送物質(zhì)分散于樹(shù)脂中制備的,電荷傳送物質(zhì)包括如偶氮顏料如蘇丹紅或Dyan藍(lán),醌類(lèi)顏料如芘、醌或二苯并[cd,jk]芘-5,10-二酮,喹諾花青顏料,苝顏料,靛藍(lán)顏料如靛藍(lán)或硫靛藍(lán)或酞菁顏料,樹(shù)脂包括如聚乙烯醇縮丁醛、聚苯乙烯或聚乙酸乙烯酯或聚丙烯酸酯;或真空沉積上述顏料也可形成電荷產(chǎn)生層。
電荷產(chǎn)生層的層厚優(yōu)選5μm或更小,更優(yōu)選0.01-3μm。
單層型光敏層是通過(guò)涂布通過(guò)分散和溶解電荷產(chǎn)生物質(zhì)和電荷傳送物質(zhì)于樹(shù)脂中制得的涂布液,接著干燥形成的。這種光敏層的層厚優(yōu)選5-40μm,更優(yōu)選10-30μm。
在本發(fā)明中,在支撐物和光敏層間可提供一層具有屏障功能和附著功能的膠層。膠層是通過(guò)涂布通過(guò)溶解酪蛋白、硝酸纖維素、乙烯-丙烯酸共聚物、醇溶性聚酰胺、聚氨酯或明膠制得的溶液,接著干燥形成的。
膠層的層厚優(yōu)選0.1-3μm。
在本發(fā)明中,在光敏層上可提供一層保護(hù)層。
保護(hù)層可由一種材料構(gòu)成,包括聚酯、聚丙烯酸酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丁二烯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚丙烯、聚酰亞胺、聚酰胺-酰亞胺、聚砜、聚丙烯酸醚、聚縮醛、苯酚樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚硅氧烷、環(huán)氧樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂、烯丙基樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂、丁醛樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、膦嗪(phospazene)樹(shù)脂、丙烯?;男缘沫h(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酰基改性的尿烷樹(shù)脂和丙烯?;男缘木埘?shù)脂。
保護(hù)層的層厚優(yōu)選0.2-10μm。
在上述各層中,可摻入潤(rùn)滑劑如聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟型接枝聚合物、聚硅氧烷型接枝聚合物、氟型嵌段聚合物、聚硅氧烷型嵌段聚合物或硅油以改進(jìn)清洗性能和耐磨性。
為了改進(jìn)耐候性,可進(jìn)一步可加入添加劑如抗氧化劑。
在保護(hù)層中,為了控制電阻,可分散導(dǎo)電粉如導(dǎo)電氧化錫或?qū)щ姸趸仭?br> 圖1用示意圖說(shuō)明了裝有加工盒的電攝影裝置的構(gòu)造,加工盒中裝有根據(jù)本發(fā)明方法生產(chǎn)的電攝影光敏元件。
在圖1中,標(biāo)號(hào)1表示本發(fā)明的圓筒型電攝影光敏元件,沿箭頭方向繞軸2以設(shè)定的圓周速度旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。通過(guò)初級(jí)充電裝置3使光敏元件1沿周邊均勻靜電充電至設(shè)定的正或負(fù)電勢(shì)。然后將充電的光敏元件曝光在從用于狹縫曝光或激光掃描曝光的曝光裝置(未示出)中發(fā)出的光4下。這樣,靜電潛像就沿光敏元件1的周邊連續(xù)形成。
隨后操作顯影裝置5用調(diào)色劑對(duì)形成的靜電潛像顯影。然后顯影形成的調(diào)色劑顯影圖像通過(guò)轉(zhuǎn)印裝置6的操作以與光敏元件1的旋轉(zhuǎn)同步的方式連續(xù)轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印介質(zhì)7的表面位于光敏元件1和轉(zhuǎn)印裝置6之間的部分,其中轉(zhuǎn)印介質(zhì)7從紙進(jìn)料部分(未示出)進(jìn)料。
接收到圖像的轉(zhuǎn)印介質(zhì)7從光敏元件表面分離,通過(guò)圖像定影裝置8,在這里圖像被定影,然后從裝置8中印出,成為復(fù)制材料(復(fù)制品)。
圖像已轉(zhuǎn)印的光敏元件1的表面通過(guò)清洗裝置9除去轉(zhuǎn)印后殘余的調(diào)色劑。這樣光敏元件的表面就干凈了,再通過(guò)從預(yù)曝光裝置(未示出)中發(fā)射出的預(yù)曝光光10以消除電荷,然后重復(fù)用于圖像形成。當(dāng)初級(jí)充電裝置是一種使用充電輥的接觸充電裝置時(shí),預(yù)曝光就不是必需的。
在本發(fā)明中,裝置可由多個(gè)元件組合構(gòu)成,它們包括如上述的電攝影光敏元件1、初級(jí)充電裝置3、顯影裝置5和清洗裝置9整合成加工盒,因而加工盒可拆卸地安裝到電攝影裝置如復(fù)印機(jī)或激光打印機(jī)的主體中。例如,初級(jí)充電裝置3、顯影裝置5和清洗裝置9中的至少一個(gè)可與光敏元件1一起整合于盒中,形成加工盒11,其可通過(guò)裝置主體中提供的導(dǎo)向裝置如軌道12可拆卸地安裝到裝置的主體中。
在使用電攝影裝置作為復(fù)印機(jī)或打印機(jī)的情況下,曝光光4是從原件反射或透射的光,或激光掃描照射的光,根據(jù)通過(guò)傳感器辨認(rèn)原件并將信息轉(zhuǎn)化成信號(hào)所獲得的信號(hào)驅(qū)動(dòng)LED陣列或液晶開(kāi)關(guān)陣列所照射的光。
本發(fā)明的電攝影光敏元件不僅可用于電攝影復(fù)印機(jī),還可廣泛用于使用電攝影的領(lǐng)域,例如激光打印機(jī)、CRT打印機(jī)、LED打印機(jī)、液晶打印機(jī)和激光雕刻機(jī)。
下文將給出實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
實(shí)施例1準(zhǔn)備一個(gè)外徑29.92mm,內(nèi)徑28.5mm,長(zhǎng)254mm的鋁圓筒。
用表面活性劑將鋁圓筒脫脂和清洗,然后通過(guò)浸入加熱到60℃的20%硫酸溶液中,振搖3分鐘而蝕刻。
將含有有機(jī)磷酸-肌醇六磷酸和金屬鹽-氫氟化鈦和氟化銨鈦的酸性水溶液(商品名PALCOAT 3753,可從Nihon Parkerizing Co.,Ltd.得到;pH值3.8)保持在40℃,然后將上述鋁圓筒浸入這一酸性水溶液中進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化1分鐘,然后用純水清洗,接著風(fēng)干。這樣形成的化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層的層厚為2×10-2μm(200)。
接著,4重量份氧化鈦(oxytitanium)酞菁、2重量份聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂(商品名BX-1,可從Sekisui Chemical Co.Ltd.得到)和34重量份環(huán)己酮用砂磨機(jī)分散8小時(shí),接著加入60重量份四氫呋喃配成電荷產(chǎn)生層涂料分散體。
將該分散體浸漬涂布到已經(jīng)化學(xué)轉(zhuǎn)化的鋁圓筒上,接著于90℃加熱10分鐘干燥形成電荷產(chǎn)生層,層厚0.2μm。
接下來(lái),將通過(guò)溶解50重量份下式代表的三芳基胺化合物和50重量份雙酚-Z聚碳酸酯樹(shù)脂于400重量份一氯苯制得的溶液浸漬涂布到電荷產(chǎn)生層上,接著于110℃加熱1小時(shí)干燥,形成電荷傳送層,層厚20μm。
-評(píng)價(jià)-對(duì)已經(jīng)化學(xué)轉(zhuǎn)化、清洗和干燥的基片的表面部分,使用掃描Auger電子射線波譜進(jìn)行元素分析,同時(shí)從基片的最上表面沿縱深方向進(jìn)行氬離子蝕刻。結(jié)果,檢測(cè)到鋁、鈦和氧是主要組成元素。其圖示于圖2。在本實(shí)施例中,深度和濺射時(shí)間的關(guān)系以二氧化硅為單位是1.1×10-3μm(110)/min。這個(gè)值是可適當(dāng)改變的。
在基片的最上表面和距最上表面深5×10-3μm(50)處元素組成比例以鋁元素量視為100時(shí)的元素百分比示于表1。
從這些結(jié)果可看出,基片表面的化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層包括其中已摻入了鈦的氧化鋁涂層。分析結(jié)果表明檢測(cè)到含有的其他元素是氮、氟、磷等。這些元素被認(rèn)為是最初包含在進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化時(shí)使用的酸性水溶液中的磷酸和氟化合物中,并摻入化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層中。
接著將得到的電攝影光敏元件置于常溫/正常濕度(23℃,60%RH)、高溫/高濕度(32.5℃,85%RH)或低溫/低濕度(15℃,10%RH)的環(huán)境中48小時(shí),之后放置在商業(yè)可得到的帶有反相顯影系統(tǒng)的激光打印機(jī)中,在各種環(huán)境中復(fù)制白色實(shí)像。
肉眼評(píng)價(jià)如此形成的白色實(shí)像的背景霧狀態(tài)。結(jié)果示于表2。
同時(shí),在各種環(huán)境中測(cè)定暗區(qū)電勢(shì)和亮區(qū)電勢(shì)。結(jié)果示于表2。
實(shí)施例2除了蝕刻處理是先將鋁圓筒浸入加熱到40℃的3%氫氧化鈉溶液中20秒,接著水洗,然后浸入15%硝酸溶液中1分鐘,再用水洗,和除了用于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理的酸性水溶液為含有單寧酸、銨鹽的溶液(商品名PALCOAT 3756,可從Nihon Parkerizing Co.,Ltd.得到;pH3.2)和作為金屬鹽使用氟化鋯和硫酸鋯外,與實(shí)施例1同樣的方式生產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。結(jié)果示于表1和2?;瘜W(xué)轉(zhuǎn)化涂層的層厚為1.5×10-2μm(150)。
實(shí)施例3除了使用的硫酸溶液的濃度為60%,和用于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理的酸性水溶液為含有肌醇六磷酸的溶液(商品名PALCOAT 3753T,可從Nihon Parkerizing Co.,Ltd.得到;pH3.5),以及作為金屬鹽使用氫氟酸鋯和氟化銨鋯外,與實(shí)施例1相同的方式生產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。結(jié)果示于表1和2?;瘜W(xué)轉(zhuǎn)化涂層的層厚為1.8×10-2μm(180)。
比較實(shí)施例1
除了不進(jìn)行蝕刻和化學(xué)轉(zhuǎn)化外,與實(shí)施例1相同的方式生產(chǎn)電攝影光敏元件。堿性同樣的評(píng)估。結(jié)果示于表2。
比較實(shí)施例2制備濃度為0.3%的氨水,并加熱到95℃。
將未經(jīng)化學(xué)轉(zhuǎn)化而與實(shí)施例1所用同樣的鋁圓筒浸入這種熱氨水中5分鐘以進(jìn)行表面處理,接著干燥,在圓筒表面形成勃姆石涂層。
除了使用這種鋁圓筒外,與實(shí)施例1相同的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。結(jié)果示于表2。
比較實(shí)施例3將鋁圓筒浸入保持在30℃、既不含鈦也不含鋯的磷酸鉻型溶液中1分鐘,而不是本發(fā)明的酸性水溶液中,進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化,在圓筒表面形成鉻酸鹽型化學(xué)轉(zhuǎn)化涂層。
除了使用這種鋁圓筒外,與實(shí)施例1相同的方法性產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。結(jié)果示于表2。
參考實(shí)施例除了僅進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化而不進(jìn)行蝕刻外,與實(shí)施例1同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。結(jié)果示于表2。
(加工實(shí)施例1)將鋁合金JIS A 3003通過(guò)孔道進(jìn)行連續(xù)擠壓成型,擠壓成外徑30.0mm、內(nèi)徑28.5mm的管,并將其切割成長(zhǎng)254mm的圓筒形管。這樣形成的圓筒形管的Rmax為1.5μm,Rz為0.6μm。
用液體磨裝置(可從FUJI SEIKI CO.,LTD.得到)在下述條件下對(duì)圓筒形管進(jìn)行拋光。
磨料溶液的濃度4升磨料注入40升水中。
磨料球形氧化鋁顆粒(ALUMINA BEADS CB-A20S,可從Showa TitaniumCo.,Ltd.得到),根據(jù)累計(jì)百分率50%的直徑是20.1μm,堆積密度是2.0g/cc,顯微鏡下觀察到的形狀幾乎是球形。
圓筒管的轉(zhuǎn)速100rpm,與噴槍的距離150mm,噴槍的角度小角(lower angle)45度噴槍噴嘴直徑8mm,噴槍進(jìn)給速度800mm/min,空氣壓力10.1×10-2MPa(1.1Kgf/cm2)在上述條件下,進(jìn)行一次拋光往復(fù)運(yùn)動(dòng),接著用使用噴射水的清潔器清洗。然后用去離子水和超聲波振蕩器再次清洗。
用SURFCODER SE-3300(可從Kosaka Research & Development Institute.得到)測(cè)量鋁基片的表面粗糙度。結(jié)果是Rmax=1.7μm,Rz=1.0μm。在單片基片的12個(gè)點(diǎn)處測(cè)量Rz為0.95-1.05μm,這是令人滿(mǎn)意的。顯微鏡下觀察到表面有點(diǎn)不平。顯微鏡觀察還表明沒(méi)有磨料粘在基片上。
(加工實(shí)施例2)將鋁合金JIS A 6063通過(guò)孔道進(jìn)行連續(xù)擠壓成型,擠壓成外徑30.15mm、內(nèi)徑28.5mm的管,并將其切割成長(zhǎng)255mm的圓筒形管。然后將得到的圓筒形管機(jī)械切割成外徑30.0mm,長(zhǎng)254mm的管。這樣形成的圓筒形管的Rmax為1.1μm,Rz為0.4μm。
用液體磨裝置(可從FUJI SEIKI CO.,LTD.得到)在下述條件下對(duì)圓筒形管進(jìn)行拋光。
磨料液的濃度4升磨料注入40升水中。
磨料球形氧化鋁顆粒(ALUMINA BEADS CB-A20S,可從Showa TitaniumCo.,Ltd.得到),根據(jù)累計(jì)百分率50%的直徑是20.1μm,堆積密度是2.0g/cc,顯微鏡下觀察到的形狀幾乎是球形。
圓筒管的轉(zhuǎn)速100rpm,與噴槍的距離200mm,噴槍的角度小角60度噴槍噴嘴直徑8mm,噴槍進(jìn)給速度800mm/min,空氣壓力10.1×10-2Mpa(1.1Kgf/cm2)在上述條件下,進(jìn)行一次拋光往復(fù)運(yùn)動(dòng),接著用使用噴射水的清潔器清洗。然后用去離子水和超聲波振蕩器再次清洗。
用SURFCODER SE-3300(可從Kosaka Research&Development Institute.得到)測(cè)量所得鋁基片的表面粗糙度。結(jié)果是Rmax=1.5μm,Rz=1.2μm。在單片基片的12個(gè)點(diǎn)處測(cè)量Rz為1.1-1.3μm,這是令人滿(mǎn)意的。顯微鏡下觀察到表面有點(diǎn)不平。顯微鏡觀察還表明沒(méi)有磨料粘在基片上。
(加工實(shí)施例3)除了磨料從CB-A20S變成CB-A30S(可從Showa Titanium Co.,Ltd.得到)外,在加工實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn)行拋光處理。根據(jù)累計(jì)百分率,50%的直徑是30.2μm,堆積密度是2.1g/cc,顯微鏡下觀察到的形狀幾乎是球形。
結(jié)果是Rmax=2.0μm,Rz=1.5μm。在單片基片的12個(gè)點(diǎn)處測(cè)量Rz為1.4-1.6μm,這是令人滿(mǎn)意的。表面有點(diǎn)不平。沒(méi)有磨料粘在基片上。
(加工實(shí)施例4)除了噴槍的角度變?yōu)?5°外,在加工實(shí)施例2同樣的條件下進(jìn)行拋光處理。
結(jié)果是Rmax=1.4μm,Rz=0.9μm。在單片基片的12個(gè)點(diǎn)處測(cè)量Rz為0.85-0.97μm,這是令人滿(mǎn)意的。表面有點(diǎn)不平。沒(méi)有磨料粘在基片上。
(參考加工實(shí)施例1)除了磨料從CB-A20S換成TOSAEMIRY-A1200(可從Uji E1ectrochemicalIndustry Co.,Ltd.得到)外,在加工實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn)行拋光處理。根據(jù)累計(jì)百分率,50%的直徑是6.7μm,顯微鏡觀察到的形狀是多角形。除了空氣壓力從10.1 × 10-2Mpa(1.1Kgf/cm2)變成29.4×10-2MPa(3.0Kgf/cm2)外,在同樣條件下再進(jìn)行一次拋光。
結(jié)果,Rmax為3.5μm,Rz為0.7μm。在單片基片的12個(gè)點(diǎn)處測(cè)量Rz為0.5-0.9μm,這表明其均勻性不好。表面形狀由尖銳的突出部分和凹陷組成。并且觀察到有磨料粘在基片上。
實(shí)施例4除了用在加工實(shí)施例1中獲得的鋁基片作為鋁圓筒,20%硫酸水溶液的溫度是40℃,電荷產(chǎn)生層的干燥溫度是95℃和在評(píng)估項(xiàng)目中加入目測(cè)干涉條紋的存在外,與實(shí)施例1同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。并進(jìn)行同樣的評(píng)估。
得到與實(shí)施例1同樣的結(jié)果,此外,得到無(wú)干涉條紋的極好圖像。經(jīng)化學(xué)轉(zhuǎn)化處理后基片表面的組成元素與實(shí)施例1相同。
實(shí)施例5除了使用加工實(shí)施例2的鋁圓筒,和用于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理的水溶液為含有單寧酸和銨鹽的溶液(商品名PALCOAT 3756,可從Nihon Parkerizing Co.,Ltd.得到;pH3.2)以及作為金屬鹽使用氟化鋯和硫酸鋯外,與實(shí)施例4同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。
得到與實(shí)施例2同樣的結(jié)果,此外,得到無(wú)干涉條紋的極好圖像。經(jīng)化學(xué)轉(zhuǎn)化處理后基片表面的組成元素與實(shí)施例2相同。
實(shí)施例6除了使用加工實(shí)施例3的鋁圓筒,和用于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理的水溶液為含有肌醇六磷酸的溶液(商品名PALCOAT 3753T,可從Nihon Parkerizing Co.,Ltd.得到;pH3.5)以及作為金屬鹽使用氫氟酸鋯和氟化銨鋯外,與實(shí)施例4同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。
得到與實(shí)施例3同樣的結(jié)果,此外,得到無(wú)干涉條紋的極好圖像。經(jīng)化學(xué)轉(zhuǎn)化處理后基片表面的組成元素與實(shí)施例3相同。
實(shí)施例7除了使用加工實(shí)施例4的鋁圓筒,和用于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理的水溶液為含磷酸的溶液(商品名ALUSURF 301 N-1,可從Nihon Paint Co.,Ltd.得到;pH4.0)以及作為金屬鹽使用氟化鋯和氫氟酸鋯的鈉鹽外,與實(shí)施例4同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。結(jié)果示于表3和4?;瘜W(xué)轉(zhuǎn)化涂層的層厚為3.0×10-2μm(30)。
實(shí)施例8除了不進(jìn)行蝕刻處理外,用與實(shí)施例4同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。
結(jié)果沒(méi)有產(chǎn)生干涉條紋,其他性能與參比實(shí)施例相同。
實(shí)施例9除了使用參比加工實(shí)施例1的鋁圓筒外,用與實(shí)施例4同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。并進(jìn)行同樣的評(píng)估。觀察到有一些黑斑產(chǎn)生。
比較實(shí)施例4除了不進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理外,用與實(shí)施例4同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。
結(jié)果沒(méi)有干涉條紋產(chǎn)生,其他性能幾乎與比較實(shí)施例1相同。
實(shí)施例10熱擠壓鋁合金JIS A 6063制備外徑30.5mm,內(nèi)徑28.5mm,長(zhǎng)250mm,偏轉(zhuǎn)(run-out)精確度為100μm,表面粗糙度Rz為10μm的鋁粗制管。
圖3和4是說(shuō)明切割鋁管過(guò)程的示意圖。
上述粗制管14用卡頭固定在車(chē)床上,用切割刀具13進(jìn)行機(jī)械切割,刀具13中有5個(gè)金剛石單刃刀具18以0.5mm的間距排成一排,這樣它們的外徑達(dá)到30.0±0.02mm,偏轉(zhuǎn)精確度為15μm,表面粗糙度Rz=0.9μm。在這種情況下,主軸的轉(zhuǎn)速(沿方向16)是3000rpm,切割刀具的進(jìn)刀速度3(沿方向15)是0.3mm/轉(zhuǎn),生產(chǎn)時(shí)間為16.7秒。標(biāo)號(hào)17表示機(jī)械切割的軌跡。
用圖5所示的濕磨裝置,在下述條件下,對(duì)已經(jīng)機(jī)械切割的鋁管進(jìn)行濕磨處理。圖中標(biāo)號(hào)19表示噴槍?zhuān)?0表示供氣管,21表示磨料溶液的循環(huán)管,22表示鋁基片,23表示架臺(tái),24表示旋轉(zhuǎn)馬達(dá),25表示磨料溶液,26表示攪拌馬達(dá),27表示攪拌螺旋槳,28表示磨料溶液回收管,29表示磨料溶液循環(huán)泵,30表示噴槍的移動(dòng)方向。
(濕磨條件)磨料=ALUMINA BEADS CB-A20S(可從Showa Titanium Co.Ltd.得到)分散介質(zhì)=水,磨料/分散介質(zhì)=1/10(體積比)已進(jìn)行機(jī)械切割的鋁管轉(zhuǎn)速=100rpm,空氣噴涂壓力=0.1Mpa,噴槍移動(dòng)速度=0.8m/min,磨處理時(shí)間=19秒經(jīng)過(guò)濕磨處理后圓筒表面的粗糙度中Rmax=1.5μm,Rz=1.0μm,Ra=0.15μm,Sm=40μm。
除了使用上面制得的鋁基片作鋁筒外,用與實(shí)施例4同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。
結(jié)果該電攝影光敏元件在所有的灰霧性能、電勢(shì)性能和干涉條紋性能方面都是出色的。
實(shí)施例11除了使用有3個(gè)金剛石單刃刀具成一排的切割刀具,切割刀具的進(jìn)刀速度是0.2mm/轉(zhuǎn)以及生產(chǎn)時(shí)間是20秒外,用與實(shí)施例10同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。進(jìn)行同樣的評(píng)估。
結(jié)果該電攝影光敏元件在所有的灰霧性能、電勢(shì)性能和干涉條紋性能方面都是出色的。
實(shí)施例12除了使用有5個(gè)金剛石單刃刀具成一排的切割刀具,主軸轉(zhuǎn)速是4000rpm,切割刀具的進(jìn)刀速度是0.25mm/轉(zhuǎn)以及生產(chǎn)時(shí)間是20秒外,用與實(shí)施例10同樣的方法生產(chǎn)電攝影光敏元件。
結(jié)果該電攝影光敏元件在所有的灰霧性能、電勢(shì)性能和干涉條紋性能方面都是出色的。
表1
測(cè)量?jī)x器由ULVAC-PHI.INC.制造的670xi型掃描Auge電子分光鏡;電子探針直徑0.1μm或者更小。在蝕刻時(shí)使用氬離子槍。
表2
評(píng)估AA超級(jí)優(yōu)秀A優(yōu)秀B好C不好表3
測(cè)量?jī)x器由ULVAC-PHI.INC.制造的670xi型掃描Auge電子分光鏡;電子探針直徑0.1μm或者更小。在蝕刻時(shí)使用氬離子槍。
表4
評(píng)估A優(yōu)秀
權(quán)利要求
1.一種電攝影光敏元件的生產(chǎn)方法,包括下列步驟a)和b)中至少一步和下列步驟c)和d);a)用酸和堿中的至少一種蝕刻鋁基片;b)用含有5%體積或更多的球形磨料的磨料分散體磨蝕鋁基片,以累計(jì)百分率計(jì),50%的球形磨料直徑從5μm至60μm;c)對(duì)已經(jīng)步驟a)和b)中至少一步處理過(guò)的鋁基片,用含鈦鹽或鋯鹽的酸性水溶液進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化;和d)在已經(jīng)化學(xué)轉(zhuǎn)化的鋁基片上形成光敏層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述方法包括步驟a),c)和d)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述方法包括步驟b),c)和d)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述方法包括步驟a),b),c)和d)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中鈦鹽和鋯鹽是氟化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述酸性水溶液的pH值為1.0-5.5。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述酸性水溶液的溫度是30-90℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述酸性水溶液還含有至少一種選自磷酸、磷酸鹽、單寧和單寧酸的化合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述酸性水溶液還含有至少一種選自氫氟酸、硼氟酸、氟硅酸和它們?nèi)魏我环N的鹽的化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方,其中在蝕刻中使用酸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或10的方法,其中在蝕刻中使用硫酸。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中在蝕刻中使用堿。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或12的方法,其中在蝕刻中使用氫氧化鈉。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述磨料是氧化鋁顆粒。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法,其中所述氧化鋁顆粒的堆積密度是1.6g/cm3-2.3g/cm3。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述方法在步驟b)前有用金剛石刀頭切割鋁基片的步驟。
全文摘要
一種電攝影光敏元件的生產(chǎn)方法,包括下列步驟a)和b)中至少一步和下列步驟c)和d);a)用酸和堿中的至少一種蝕刻鋁基片;b)用含有5%體積或更多的球形磨料的磨料分散體磨蝕鋁基片,以累計(jì)百分率計(jì),50%的球形磨料直徑是5μm至60μm;c)對(duì)已經(jīng)步驟a)和b)中至少一步處理過(guò)的鋁基片,用含鈦鹽或鋯鹽的酸性水溶液進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化;和d)在已經(jīng)化學(xué)轉(zhuǎn)化的鋁基片上形成光敏層。
文檔編號(hào)G03G5/10GK1258023SQ99127720
公開(kāi)日2000年6月28日 申請(qǐng)日期1999年11月26日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月27日
發(fā)明者木村知裕, 川守田陽(yáng)一, 鈴木幸一, 長(zhǎng)坂秀昭, 田中成人, 兵主善彥 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社
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