專利名稱：電光學(xué)裝置及其制造方法和電子機器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電光學(xué)裝置及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及具有使象素電極與象素切換用的薄膜晶體管(下稱TFT)之間電氣導(dǎo)通良好的中繼用導(dǎo)電層的電光學(xué)裝置及其制造方法和電子機器。
原來，這種電光學(xué)裝置是在一對基板之間夾持有液晶等電光學(xué)物質(zhì)，在一方基板的一例的TFT陣列基板上設(shè)置有矩陣狀多個象素電極，另一方基板的一例的對面基板上規(guī)定有各象素上的象素開口區(qū)(即各象素上的使光通過電光學(xué)物質(zhì)部分的區(qū)域)，所以，一般對應(yīng)于象素電極的間隙，把遮光膜設(shè)置成格子狀。這種情況下，為了不會因各象素電極的周邊漏光而使顯示圖象的對比度降低，沿平面看格子狀的遮光膜都與各象素電極有些重疊。這時，因為設(shè)置在對面基板側(cè)上的遮光膜經(jīng)電光學(xué)物質(zhì)等離象素電極比較遠，所以考慮到斜射光或兩基板貼合錯位，上述的象素電極與遮光膜必須留有相當?shù)挠嗔恐丿B起來。這就成為提高象素開口率(即各象素的象素開口區(qū)所占的比率)時的大的障礙。
因此，最近按照所謂進行明亮的圖象顯示的一般要求，為了提高各象素中的象素開口率，不是僅在對面基板側(cè)的遮光膜上界定象素開口區(qū)，而是形成寬的數(shù)據(jù)線，以便用Al(鋁)等遮光性材料覆蓋象素電極的縱方向的間隙，從而部分地規(guī)定各象素開口區(qū)。按照這種技術(shù)，因為用數(shù)據(jù)線來部分地界定各象素開口區(qū)，所以能夠提高象素開口率。
另一方面，在這種電光學(xué)裝置中，各象素電極與例如設(shè)置在各象素上的TFT等的切換元件必須相互連接起來，但是，由于在兩者之間存在包含掃描線、電容線、數(shù)據(jù)線等配線以及使它們相互電氣絕緣的多層層間絕緣膜的例如大約1000nm或更厚的疊層結(jié)構(gòu)，所以，就很難開用來使兩者電氣連接的接觸孔。
按照這種電光學(xué)裝置中的所謂顯示圖象的高品位化的一般要求，象素節(jié)距的細微化、象素開口率的提高、對象素電極穩(wěn)定地提供圖象信號等就尤為重要。
但是，按照用上述數(shù)據(jù)線部分地界定象素開口區(qū)的技術(shù)，因為數(shù)據(jù)線與象素電極經(jīng)層間絕緣膜部分地重疊起來，如果考慮到設(shè)置在各象素中的TFT的話，對應(yīng)于上述數(shù)據(jù)線與象素電極的重疊，就會在源極和漏極之間產(chǎn)生寄生電容。這里，一般經(jīng)數(shù)據(jù)線供給圖象信號的TFT在整個1幀期間進行切換動作，以便把對應(yīng)圖象信號的一定電位保持在象素電極上，但是，在該期間內(nèi)，由于數(shù)據(jù)線向供給其他行的TFT的圖象信號的電位頻繁地擺動，所以，上述源極與漏極之間的寄生電容使TFT異常動作，并把應(yīng)保持在象素電極上的電壓泄放掉。結(jié)果，對象素電極的圖象信號的供給就不穩(wěn)定，最終會招致顯示圖象的劣化。
另一方面，按照這種電光學(xué)裝置中的裝置構(gòu)成的簡單化和低成本化的要求，在附加或提高某種功能時，重要的是不要過分增加疊層結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電層或絕緣膜的層數(shù)，或有效地利用一層膜來實現(xiàn)多功能。
本發(fā)明就是鑒于上述的問題，提供一種具有比較簡單的構(gòu)成、能夠提高象素開口率并能夠進行高品位圖象顯示的電光學(xué)裝置及其制造方法。
為了解決上述問題，本發(fā)明的電光學(xué)裝置在基板上設(shè)置有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、對應(yīng)于所述各掃描線與所述各數(shù)據(jù)線的交叉處配置的薄膜晶體管和象素電極、插在構(gòu)成所述薄膜晶體管的源和漏區(qū)的半導(dǎo)體層和所述象素電極之間并與所述半導(dǎo)體層電氣連接且與所述象素電極電氣連接的遮光性的第一導(dǎo)電層、以及由與所述第一導(dǎo)電層同一薄膜構(gòu)成并沿平面看至少部分地與所述數(shù)據(jù)線重疊的第二導(dǎo)電層。
按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的構(gòu)成，第一導(dǎo)電層插在半導(dǎo)體層和象素電極之間，一方與半導(dǎo)體層電氣連接，另一方與象素電極電氣連接。因此，第一導(dǎo)電層起電氣連接象素電極與半導(dǎo)體層的漏區(qū)的中繼導(dǎo)電層的作用，就能夠避免經(jīng)一個接觸孔把兩者直接連接起來的情況的困難性。
因為沿平面看第二導(dǎo)電層至少部分地與所述數(shù)據(jù)線重疊，所以除數(shù)據(jù)線之外，第二導(dǎo)電層能夠冗長各象素的遮光。
在本發(fā)明的電光學(xué)裝置的一個方案中，沿平面看所述第二導(dǎo)電層至少部分地與所述象素電極重疊。
按照這種構(gòu)成，沿平面看至少部分鄰接的象素電極之間形成的第二導(dǎo)電層特別重疊在象素電極上。因此，用與該象素電極部分重疊的第二導(dǎo)電層能夠至少部分地界定各象素中的象素開口區(qū)。這時，特別是在用第二導(dǎo)電層規(guī)定象素開口區(qū)的地方，因為沿平面看象素電極與第二導(dǎo)電層之間沒有間隙，所以，不會引起經(jīng)這樣的間隙的漏光。結(jié)果，最終使對比度提高。同時，在由第二導(dǎo)電層規(guī)定象素開口區(qū)的地方，由于不必像原來那樣由數(shù)據(jù)線來界定象素開口區(qū)，所以，就不必使數(shù)據(jù)線與象素電極重疊。結(jié)果，由于數(shù)據(jù)線與象素電極經(jīng)層間絕緣膜重疊起來的結(jié)構(gòu)就能夠不發(fā)生各象素中的薄膜晶體管的源極和漏極之間的寄生電容。因此，能夠防止對在一幀規(guī)定的期間內(nèi)供給其他行的薄膜晶體管的圖象信號的電位頻繁地擺動的數(shù)據(jù)線的相應(yīng)電位的波動引起的由上述源極與漏極之間的寄生電容使薄膜晶體管異常動作，并能夠防止應(yīng)保持在象素電極上的電壓泄放。即為了把對應(yīng)于圖象信號的一定的電位保持在象素電極上，薄膜晶體管進行切換動作，從而能夠經(jīng)數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管對象素電極穩(wěn)定地供給圖象信號，最終，由于減低閃爍和行不穩(wěn)而能夠使顯示圖象高品位化。
另外，因為第一導(dǎo)電層具有中繼薄膜晶體管和象素電極的功能，同時在與該第一導(dǎo)電層同一膜構(gòu)成的第二導(dǎo)電層不僅能夠穩(wěn)定供給圖象信號同時具有界定象素開口區(qū)的功能，所以，作為一個整體，就能夠使疊層結(jié)構(gòu)和制造工藝簡單化和低成本化。
在本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案中，所述第一導(dǎo)電層經(jīng)第一接觸孔與所述半導(dǎo)體層電氣連接，并經(jīng)第二接觸孔與象素電極電氣連接。
按照這種構(gòu)成，與從象素電極到半導(dǎo)體層的漏區(qū)開一個接觸孔的情況相比較，能夠減小接觸孔的孔徑。即一般在開深接觸孔的過程中，因為蝕刻精度下降，為防止穿透薄的半導(dǎo)體層，必須中途停止能夠減小接觸孔孔徑的干蝕刻，最后再用濕蝕刻把孔開到半導(dǎo)體層，所以，用無指向性濕蝕刻就不得不擴大接觸孔的孔徑。與此不同，在本方案中，因為可以用2個串聯(lián)的第一和第二接觸孔來連接象素電極和半導(dǎo)體層，所以，就能夠用干蝕刻來開孔，或至少可以用濕蝕刻來縮短開孔距離。結(jié)果，能夠分別縮小各接觸孔的孔徑，從而能夠促進處于第一或第二接觸孔的上方的象素電極部分的平坦化。
按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案，所述數(shù)據(jù)線經(jīng)第三接觸孔與所述半導(dǎo)體層電氣連接。
按照這樣的構(gòu)成，數(shù)據(jù)線與半導(dǎo)體層的源區(qū)能夠經(jīng)第三接觸孔良好地電氣連接起來。
按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案，沿平面看所述數(shù)據(jù)線至少部分地與所述象素電極不重疊。
按照這樣的構(gòu)成，數(shù)據(jù)線與象素電極盡可能地不重疊，與數(shù)據(jù)線與象素電極相重疊的情況比較，確實能夠減小數(shù)據(jù)線與象素電極之間的寄生電容。因此，特別能夠穩(wěn)定象素電極上的電壓并能夠減低閃爍和行不穩(wěn)。
另外，能夠抑制在數(shù)據(jù)線與象素電極經(jīng)層間絕緣膜重疊的地方發(fā)生的可能性高的兩者之間的電短路等缺陷的發(fā)生，最終能夠降低裝置缺陷率，并提高制造時的成品率。
按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案，所述第二導(dǎo)電層被電氣連接在恒電位線上。
按照這樣的構(gòu)成，在至少部分重疊的象素電極和第二導(dǎo)電層之間雖然多少有寄生電容存在，但是第二導(dǎo)電層的電位被保持為恒定電位。因此，經(jīng)象素電極和第二導(dǎo)電層之間的寄生電容就能夠降低第二導(dǎo)電層的電位變動對象素電極的電位產(chǎn)生的惡劣影響，從而能夠使象素電極的電壓更加穩(wěn)定，更進一步地降低閃爍和行不穩(wěn)。
按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案，在所述半導(dǎo)體層之中的至少溝道區(qū)的所述基板側(cè)，還設(shè)置有經(jīng)襯底絕緣膜形成的遮光膜。
按照這樣的構(gòu)成，在半導(dǎo)體層之中的至少溝道區(qū)的基板側(cè)用經(jīng)襯底絕緣膜形成的遮光膜能夠進行溝道區(qū)對來自TFT陣列基板側(cè)的光的遮光。因此，在該電光學(xué)裝置動作時，減少了投射光、內(nèi)面反射光、反射光等對薄膜晶體管的光照射產(chǎn)生的溝道區(qū)的漏光，從而能夠降低薄膜晶體管的特性的變化或劣化，同時還能夠?qū)崿F(xiàn)高品位的圖象顯示。
按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層包含有高熔點金屬。
按照這樣的構(gòu)成，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層由包含例如Ti、Cr、W、Ta、Mo和Pb之中的至少一種的金屬單體、合金、金屬硅化物等構(gòu)成。因此，在制造過程中就不會因形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層后進行的各種工序中的高溫處理使該第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層變形破壞。
按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案，經(jīng)層間絕緣膜至少部分地面對配置所述第二導(dǎo)電層和所述數(shù)據(jù)線。
按照這樣的構(gòu)成，由不是在與電位隨應(yīng)保持的圖象信號變動的象素電極之間而是與電位更加穩(wěn)定的第二導(dǎo)電層之間由數(shù)據(jù)線附加有電容，所以，可以適度地增加與第二導(dǎo)電層之間的電容，而不會招致數(shù)據(jù)線的電位擺動。特別是，使象素節(jié)距細微化，隨之也使數(shù)據(jù)線寬度細微化，增加與第二導(dǎo)電層之間的電容就能夠抑制數(shù)據(jù)線的容量的不足，從而能夠阻止經(jīng)該數(shù)據(jù)線對圖象信號的象素電極供電時的寫入能力的不足。
按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案，還設(shè)置有連接在所述象素電極上的蓄電電容器。
按照這樣的構(gòu)成，用蓄電電容器能夠大大地延長象素電極中的圖象信號的電壓保持時間，并能夠非常有效地提高對比度。
在該方案中，也可以經(jīng)絕緣膜把所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層設(shè)置在所述掃描線和所述蓄電電容器的一個電極上。
按照這樣的構(gòu)成，經(jīng)絕緣膜設(shè)置在所述掃描線和所述蓄電電容器的一個電極上的第一導(dǎo)電層可以中繼象素電極和半導(dǎo)體層，通過經(jīng)絕緣膜設(shè)置在所述掃描線和所述蓄電電容器的一個電極上的第二導(dǎo)電層可以界定象素開口區(qū)，另外，在第二導(dǎo)電層與蓄電電容器的一個電極之間能夠簡單地構(gòu)成電容。
在還設(shè)置有該蓄電電容器的方案中，也可以使由所述半導(dǎo)體層的一部分構(gòu)成的第一蓄電電容器電極和作為所述蓄電電容器的一個電極的第二蓄電電容器電極經(jīng)第一介質(zhì)膜面對地配置，所述第二蓄電電容器電極與由所述第一導(dǎo)電層的一部分構(gòu)成的第三蓄電電容器電極經(jīng)所述絕緣膜即第二介質(zhì)膜面對地配置，并形成所述蓄電電容器。
按照這樣的構(gòu)成，由半導(dǎo)體層的一部分構(gòu)成的第一蓄電電容器電極和所述蓄電電容器的一方電極即第二蓄電電容器電極經(jīng)第一介質(zhì)膜面對地配置，來構(gòu)成第一蓄電電容器，另一方面，第二蓄電電容器電極與由所述第一導(dǎo)電層的一部分構(gòu)成的第三蓄電電容器電極經(jīng)所述絕緣膜即第二介質(zhì)膜面對地配置，來構(gòu)成第二蓄電電容器。由這些第一和第二蓄電電容器在各個象素電極中形成蓄電電容，所以，能夠有效地利用非象素開口區(qū)，從而能夠利用立體結(jié)構(gòu)構(gòu)成容量比較大的蓄電電容器。
在還設(shè)置有該蓄電電容器的方案中，所述第二導(dǎo)電層也可以連接在所述第二蓄電電容器電極上。
按照這樣的構(gòu)成，在至少部分地重疊的象素電極和第二導(dǎo)電層之間多少有些寄生電容，但是能把第二導(dǎo)電層的電位保持在第二蓄電電容器電極的電位上。
這樣，在把第二導(dǎo)電層連接在第二蓄電電容器電極的情況下，所述第二導(dǎo)電層經(jīng)第四接觸孔連接到所述第二蓄電電容器電極上，所述第四接觸孔也可以按與所述第一接觸孔開孔工序同樣的工序來開孔。
按照這樣的構(gòu)成，能夠比較容易地把第二導(dǎo)電層連接在第二蓄電電容器電極上，但是，與開第一接觸孔的同時，來開第四接觸孔，所以，可以實現(xiàn)制造工藝簡單化。
也可以延長設(shè)置該第二蓄電電容器電極作為電容線。
按照這樣的構(gòu)成，電容線是恒定電位或至少是大容量，其電位變動小。因此，通過象素電極和第2導(dǎo)電層之間的寄生電容，能減少第2導(dǎo)電層的電位變動對象素電極電位的惡劣影響。
該第2蓄電電容器電極也可以與遮光膜連接。
按照這樣的構(gòu)成，能夠使第二蓄電電容器電極與遮光膜的電位同一，如果采用把第二蓄電電容器電極與遮光膜的某一方作為規(guī)定電位的結(jié)構(gòu)，另一方也能夠為規(guī)定電位。結(jié)果，能夠減輕由于第二蓄電電容器電極與遮光膜的電位的擺動引起的惡劣的影響。而且，有能夠使遮光膜構(gòu)成的配線和電容線相互作為冗長配線的功能。
該遮光膜配線可以兼作電容線，所述第二蓄電電容器電極也可以在所述基板上的平面狀鄰接的數(shù)據(jù)線間沿所述掃描線延伸，從而在每個象素電極上構(gòu)成為島狀，同時連接到遮光膜上。
按照這樣的構(gòu)成，因為能夠在每個象素電極上把第二蓄電電容器電極構(gòu)成為島狀，所以，能夠提高象素開口率。而且，如果把第二蓄電電容器也作為配線，就能夠與遮光膜一起作為電容線的冗長配線。
另外，所述遮光膜也可以經(jīng)在與所述第四接觸孔不同的平面位置上開出的第五接觸孔電連接到所述電容線上。
按照這種構(gòu)成，用在半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)的基板側(cè)經(jīng)襯底絕緣膜形成的遮光膜能夠進行對來自基板側(cè)的光的溝道區(qū)的遮光。而且，因為遮光膜是導(dǎo)電性的，并經(jīng)第五接觸孔連接到電容線，所以，能夠把遮光膜作為電容線的冗長配線來用，通過使電容線低阻抗化就能夠使電容線的電位更加穩(wěn)定，最終能夠使顯示圖象高品位化。第四接觸孔和第五接觸孔形成在不同的平面上，從而能夠防止第四接觸孔和第五接觸孔中的連接不良。
另外，所述第二導(dǎo)電層和所述遮光膜也可以經(jīng)第二蓄電電容器電極電連接起來，所述第二導(dǎo)電層和所述遮光膜也可以連接到鄰接的象素電極上。
按照這種構(gòu)成，能夠把第二導(dǎo)電層用作電容線。而且把第二蓄電電容器電極作為電容線，把第二導(dǎo)電層和第二蓄電電容器電極連接起來，就能夠構(gòu)成雙重電容線，從而能夠?qū)崿F(xiàn)冗長結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層被設(shè)置在比所述數(shù)據(jù)線更下面的下層上。
按照這種構(gòu)成，用設(shè)置在比所述數(shù)據(jù)線更下面的下層上的第一導(dǎo)電層可以中繼象素電極和半導(dǎo)體層，用設(shè)置在比所述數(shù)據(jù)線更下面的下層上的第二導(dǎo)電層可以界定象素開口區(qū)，另外，第一導(dǎo)電層和第二蓄電電容器電極之間能夠簡單地構(gòu)成電容。
按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案，所述第二導(dǎo)電層沿平面看被設(shè)置為島狀，從而能夠至少部分地界定象素開口區(qū)之中的沿所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域。
按照這種構(gòu)成，用沿平面看被設(shè)置為島狀的第二導(dǎo)電層能夠至少部分地界定象素開口區(qū)之中的沿數(shù)據(jù)線的區(qū)域。例如在沿數(shù)據(jù)線的象素開口區(qū)之中的除薄膜晶體管的溝道區(qū)或開了連接數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層的接觸孔的區(qū)域之外的大部分區(qū)域上能夠形成第二導(dǎo)電層，并能夠由該第二導(dǎo)電層來界定該大部分區(qū)域內(nèi)的象素開口區(qū)。
或者，按照本發(fā)明的電光學(xué)裝置的其他方案的特征是所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層作成為比所述數(shù)據(jù)線離所述基板更遠的層，即被設(shè)置在上層。
按照這種構(gòu)成，用作為比數(shù)據(jù)線離基板更遠的層而設(shè)置的第一導(dǎo)電層能夠中繼象素電極和半導(dǎo)體層，用設(shè)置在數(shù)據(jù)線更上層上的第二導(dǎo)電層能夠界定象素開口區(qū)。這種情況下，可以把第二導(dǎo)電層經(jīng)層間絕緣膜設(shè)置在數(shù)據(jù)線的整個區(qū)域上，也可以經(jīng)層間絕緣膜設(shè)置在掃描線上。如果在非開口區(qū)內(nèi)，則連接第一導(dǎo)電層和象素電極的接觸孔的位置能夠設(shè)定在任意位置上，所以，對于增大設(shè)計自由度是有利的。
在該方案中，所述第二導(dǎo)電層也可以沿平面看除所述第一導(dǎo)電層所在的區(qū)域之外設(shè)置成所述格子狀，并且界定分別沿象素開口區(qū)的所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的區(qū)域。
按照這樣的構(gòu)成，因為第二導(dǎo)電層除第一導(dǎo)電層存在的區(qū)域之外都設(shè)置成格子狀，所以能夠界定分別沿象素開口區(qū)的數(shù)據(jù)線和掃描線的區(qū)域，即能夠界定象素開口區(qū)的全部輪廓。另外，關(guān)于第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的間隙，例如用對面基板側(cè)的遮光膜、薄膜晶體管的下側(cè)的薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線的延長部分等能夠簡單地防止漏光。
在該第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層被設(shè)置在上層的方案中，所述半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電層也可以經(jīng)與所述數(shù)據(jù)線同一膜構(gòu)成的中繼導(dǎo)電層連接起來。
按照這種構(gòu)成，用設(shè)置在比數(shù)據(jù)線更上層的第一導(dǎo)電層把從象素電極到與所述數(shù)據(jù)線同一膜構(gòu)成的中繼導(dǎo)電層電氣連接起來，用該中繼導(dǎo)電層進一步電連接到半導(dǎo)體層，所以，用兩個中繼用的導(dǎo)電層即第一導(dǎo)電層和中繼導(dǎo)電層就能夠良好地從象素電極中繼到半導(dǎo)體層。特別是即使在構(gòu)成數(shù)據(jù)線的Al膜和構(gòu)成象素電極的ITO(銦錫氧化物)膜的電氣的相容性不好的情況下，如果用與兩者的電氣的相容性良好的材料(例如高熔點金屬)形成第一導(dǎo)電層是有利的。
在該第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層設(shè)置在上層的方案中，也可以具有連接在所述象素電極上的蓄電電容器，所述數(shù)據(jù)線也可以經(jīng)層間絕緣膜被夾持在所述蓄電電容器的一方電極和所述第二導(dǎo)電層之間。
按照這種構(gòu)成，不是在與電位根據(jù)應(yīng)保持的圖象信號而變動的象素電極之間把電容附加在數(shù)據(jù)線上，而是在與電位更穩(wěn)定的第二導(dǎo)電層和蓄電電容器的一方電極之間把電容附加在數(shù)據(jù)線上，能夠適度地增加數(shù)據(jù)線的電容量以使之不招致電位擺動。特別是即使使象素節(jié)距細微化，隨之而使數(shù)據(jù)線寬度細微化，也能夠通過增加第二導(dǎo)電層與第二蓄電電容器電極之間的電容量來抑制數(shù)據(jù)線的電容量之不足，并能夠阻止經(jīng)相應(yīng)數(shù)據(jù)線向象素電極供給圖象信號時的寫入能力之不足。
為了解決上述問題，本發(fā)明的第一電光學(xué)裝置制造方法所制造的電光學(xué)裝置在基板上設(shè)置有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、連接在所述各掃描線和所述各數(shù)據(jù)線上的薄膜晶體管和連接所述薄膜晶體管的象素電極；其特征在于所述制造方法包括如下步驟在所述基板上形成源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)構(gòu)成的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成絕緣薄膜；在所述絕緣薄膜上的規(guī)定區(qū)域形成掃描線和蓄電電容器的一方電極；在所述掃描線和蓄電電容器的一方電極上形成第一層間絕緣膜；在所述絕緣薄膜和所述第一層間絕緣膜上開連通到所述半導(dǎo)體層的第一接觸孔；在所述第二絕緣膜上形成遮光性的第一導(dǎo)電層和由與所述第一導(dǎo)電層同一膜構(gòu)成的第二導(dǎo)電層，以使其經(jīng)所述第一接觸孔電氣連接到所述半導(dǎo)體層上；在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層上形成第二層間絕緣膜；在所述第二層間絕緣膜上形成數(shù)據(jù)線；在所述數(shù)據(jù)線上形成第三層間絕緣膜；在所述第二層間絕緣膜和所述第三層間絕緣膜上開連通到所述第一導(dǎo)電層的第二接觸孔；形成象素電極，以使其經(jīng)所述第二接觸孔電氣連接到所述第一導(dǎo)電層；形成所述第二導(dǎo)電層使其沿平面看至少部分地與所述數(shù)據(jù)線重疊。
按照本發(fā)明的第一電光學(xué)裝置制造方法，按如下順序在基板上疊層形成半導(dǎo)體層、絕緣薄膜、掃描線和蓄電電容器的一方電極和第一層間絕緣膜。然后，在絕緣薄膜和第一層間絕緣膜上開連通到半導(dǎo)體層的第一接觸孔；形成遮光性的第一導(dǎo)電層，以使其經(jīng)第一接觸孔電氣連接到半導(dǎo)體層上；同時，形成由與該第一導(dǎo)電層同一膜構(gòu)成的第二導(dǎo)電層，以使其至少部分地配置在沿平面看在形成象素電極的區(qū)域的間隙內(nèi)。接下來按順序?qū)盈B形成第二層間絕緣膜、數(shù)據(jù)線和第三層間絕緣膜。然后，開連通到第一導(dǎo)電層的第二接觸孔；形成象素電極，以使其經(jīng)所述第二接觸孔電氣連接到所述第一導(dǎo)電層。因此，能夠比較容易地制造具有如下構(gòu)成的本發(fā)明的電光學(xué)裝置，即作為比所述數(shù)據(jù)線更靠近基板的層形成第一和第二導(dǎo)電層，并經(jīng)兩個接觸孔用第二導(dǎo)電層中繼象素電極和半導(dǎo)體層。特別是因為用同一膜來形成第一和第二導(dǎo)電層，所以能夠?qū)崿F(xiàn)制造過程簡單化并且低成本化。
在本發(fā)明的第一電光學(xué)裝置制造方法的一個方案中，在形成所述第二層間絕緣膜之后，還包含在所述第二層間絕緣膜上開連通到所述半導(dǎo)體層的第三接觸孔的步驟；在形成所述數(shù)據(jù)線的步驟中，形成所述數(shù)據(jù)線，以使其經(jīng)所述第三接觸孔電氣連接到所述半導(dǎo)體層；在所述第一接觸孔開孔的步驟中，開所述第一接觸孔的同時，在所述第一層間絕緣膜上開連通到所述蓄電電容器的一方電極的第四接觸孔；在形成所述第二導(dǎo)電層的步驟中，形成第二導(dǎo)電層，以使其經(jīng)所述第四接觸孔電氣連接到所述蓄電電容器的一方電極。
按照這種構(gòu)成，形成第二層間絕緣膜之后，開連通到半導(dǎo)體層的第三接觸孔，然后形成數(shù)據(jù)線，以使其經(jīng)該第三接觸孔電氣連接到半導(dǎo)體層。另外，在開第一接觸孔的同時，開連通到蓄電電容器的一方電極的第四接觸孔，再形成第二導(dǎo)電層，以使其經(jīng)第四接觸孔電氣連接到蓄電電容器的一方電極。因此，把所述數(shù)據(jù)線與半導(dǎo)體層經(jīng)接觸孔電氣連接起來，第二導(dǎo)電層與蓄電電容器的一方電極經(jīng)接觸孔電氣連接起來，從而能夠比較容易地制造具有這種構(gòu)成的本發(fā)明的電光學(xué)裝置。特別是，因為這兩個接觸孔同時開孔，所以，能夠?qū)崿F(xiàn)制造過程簡單化并且低成本化。
為了解決上述的課題，本發(fā)明的第二電光學(xué)裝置制造方法，所述電光學(xué)裝置在基板上設(shè)置有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、連接在所述各掃描線和所述各數(shù)據(jù)線上的薄膜晶體管和連接所述薄膜晶體管的象素電極；其特征在于所述制造方法包括如下步驟在所述基板上形成源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)構(gòu)成的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成絕緣薄膜；在所述絕緣薄膜上形成掃描線和蓄電電容器的一方電極；在所述掃描線和蓄電電容器的一方電極上形成第一層間絕緣膜；在所述第一層間絕緣膜上開連通到所述半導(dǎo)體層的第一接觸孔；在所述第一層間絕緣膜上形成數(shù)據(jù)線的同時，形成與所述數(shù)據(jù)線同一膜構(gòu)成的中繼導(dǎo)電層，以使其經(jīng)所述第一接觸孔電氣連接到所述半導(dǎo)體層；在所述數(shù)據(jù)線和所述中繼導(dǎo)電層上形成第二層間絕緣膜；在所述第二層間絕緣膜上開連通到所述中繼導(dǎo)電層的第二接觸孔；在所述第二層間絕緣膜上形成遮光性的第一導(dǎo)電層，以使其經(jīng)所述第二接觸孔電氣連接到所述中繼導(dǎo)電層，同時形成由與所述第一導(dǎo)電層同一膜構(gòu)成的第二導(dǎo)電層，以使該層沿平面與所述數(shù)據(jù)線重疊；在所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層上形成第三層間絕緣膜；在所述第三層間絕緣膜上開連通到所述第一導(dǎo)電層的第三接觸孔；形成象素電極，以使其經(jīng)所述第三接觸孔電氣連接到所述第一導(dǎo)電層。
按照本發(fā)明的第二電光學(xué)裝置制造方法，按如下順序在基板上疊層形成半導(dǎo)體層、絕緣薄膜、掃描線和蓄電電容器的一方電極和第一層間絕緣膜。然后，開連通到半導(dǎo)體層的接觸孔；形成數(shù)據(jù)線的同時，用與數(shù)據(jù)線同一膜形成中繼導(dǎo)電層，以使其電氣連接到半導(dǎo)體層。接著，在形成第二層絕緣膜之后，開連通到中繼導(dǎo)電層的接觸孔；并形成遮光性的第一導(dǎo)電層，以使其電氣連接到中繼導(dǎo)電層上。同時，用與第一導(dǎo)電層同一膜形成第二導(dǎo)電層。接著形成第三層間絕緣膜，然后，開連通到第一導(dǎo)電層的接觸孔并形成象素電極，以使其電氣連接到第一導(dǎo)電層；因此，能夠比較容易地制造具有如下構(gòu)成的本發(fā)明的電光學(xué)裝置，即作為與所述數(shù)據(jù)線同一膜構(gòu)成的導(dǎo)電層，形成中繼導(dǎo)電層；同時作為比數(shù)據(jù)線更遠離基板的層即上層形成第一導(dǎo)電層；并經(jīng)三個接觸孔用中繼導(dǎo)電層和第一導(dǎo)電層中繼象素電極和半導(dǎo)體層，同時用第二導(dǎo)電層界定象素開口區(qū)。特別是因為用同一膜來形成第一和第二導(dǎo)電層，所以能夠?qū)崿F(xiàn)制造過程簡單化并且低成本化。
在本發(fā)明的第二電光學(xué)裝置的制造方法的一個方案中，其特征在于在形成所述第一層間絕緣膜之后，還包含在所述第一層間絕緣膜上開連通到所述半導(dǎo)體層的第四接觸孔的步驟；在形成所述數(shù)據(jù)線的步驟中，形成所述數(shù)據(jù)線，以使其經(jīng)所述第四接觸孔電氣連接到所述半導(dǎo)體層；在開所述第二接觸孔的步驟中，開所述第二接觸孔的同時，在所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜上開連通到所述蓄電電容器的一方電極的第五接觸孔；在所述形成第二導(dǎo)電層的步驟中，形成所述第二導(dǎo)電層，以使其經(jīng)所述第五接觸孔電氣連接到所述蓄電電容器的一方電極。
按照該方案，第一層間絕緣膜形成后，開連通到半導(dǎo)體層的第四接觸孔，形成數(shù)據(jù)線，以使其電氣連接到半導(dǎo)體層；另外，在第二層間絕緣膜上開接觸孔時，同時開連通到蓄電電容器的一方電極的接觸孔；形成第三導(dǎo)電層，以使其電氣連接到蓄電電容器的一方電極。因此，能夠比較容易地制造具有如下構(gòu)成的本發(fā)明的電光學(xué)裝置，即上述的數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層經(jīng)接觸孔電氣連接起來，第二導(dǎo)電層和蓄電電容器的一方電極經(jīng)接觸孔電氣連接起來。特別是，因為這兩個接觸孔同時開孔，所以，能夠?qū)崿F(xiàn)制造過程簡單化并且低成本化。
從下面說明的實施例可以清楚本發(fā)明的這種作用和其他優(yōu)點。
附圖簡要說明

圖1是設(shè)置在構(gòu)成第一實施例的電光學(xué)裝置中的圖象顯示區(qū)的矩陣狀多個象素內(nèi)的各種元件、配線等的等效電路。
圖2是形成第一實施例的電光學(xué)裝置中的數(shù)據(jù)線、掃描線、象素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個象素群的平面圖。
圖3是圖2的A-A＇斷面圖。
圖4是圖2的B-B＇斷面圖。
圖5是按順序表示第一實施例的電光學(xué)裝置的制造工序的工序圖(之一)。
圖6是按順序表示第一實施例的電光學(xué)裝置的制造工序的工序圖(之二)。
圖7是按順序表示第一實施例的電光學(xué)裝置的制造工序的工序圖(之三)。
圖8是按順序表示第一實施例的電光學(xué)裝置的制造工序的工序圖(之四)。
圖9是第二實施例的電光學(xué)裝置中的形成數(shù)據(jù)線、掃描線、象素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個象素群的平面圖。
圖10是圖9的A-A＇斷面圖。
圖11是圖9的B-B＇斷面圖。
圖12是第三實施例的電光學(xué)裝置的斷面圖。
圖13是第四實施例的電光學(xué)裝置中的形成數(shù)據(jù)線、掃描線、象素電極、遮光膜等的TFT陣列基板的相鄰接的多個象素群的平面圖。
圖14是圖13的A-A＇斷面圖。
圖15是圖13的B-B＇斷面圖。
圖16是與各實施例的電光學(xué)裝置中的在其上構(gòu)成TFT陣列基板的各構(gòu)成要素一起從面對基板側(cè)看的平面圖。
圖17是圖16的H-H＇斷面圖。
圖18是按照本發(fā)明的電子機器的實施例的概略構(gòu)成方框圖。
圖19是作為電子機器的一例表示投影機的斷面圖。
圖20是作為電子機器的另一例表示個人計算機的正面圖。
實施發(fā)明的最佳形態(tài)以下根據(jù)附圖來說明本發(fā)明的實施例。
(第一實施例)參照圖1至圖4來說明本發(fā)明的第一實施例的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)。圖1是形成為構(gòu)成電光學(xué)裝置中的圖象顯示區(qū)的矩陣狀的多個象素內(nèi)的各種元件、配線等的等效電路，圖2是形成數(shù)據(jù)線、掃描線、象素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個象素群的平面圖，圖3是圖2的A-A＇斷面圖，圖4是圖2的B-B＇斷面圖。在圖3和圖4中，為了把各層或各部件作成都能在圖面上認清的大小，所以對各層或各部件采用不同的縮尺。
在圖1中，形成為構(gòu)成按照本實施例的電光學(xué)裝置的圖象顯示區(qū)的矩陣狀的多個象素對應(yīng)于掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a的交叉處把用來控制象素電極9a的TFT30形成為多個矩陣狀，供給圖象信號的數(shù)據(jù)線6a被電氣連接到該TFT30的源極上。寫入到數(shù)據(jù)線6a的圖象信號S1、S2、…、Sn可以按這個順序依次供給數(shù)據(jù)線，對于相鄰接的多條同樣的數(shù)據(jù)線6a，供給每一組就行。掃描線3a被電氣連接到TFT30的柵極上，按規(guī)定的定時把掃描信號G1、G2、…、Gm以這個順序脈沖式地加到掃描線3a上。象素電極9a被電氣連接到TFT30的漏極上，作為切換元件的TFT30僅在一定的期間關(guān)閉其切換，從而按規(guī)定的定時寫入從數(shù)據(jù)線6a供給的圖象信號S1、S2、…、Sn。作為電光學(xué)物質(zhì)的一例，經(jīng)象素電極9a寫入到液晶上的規(guī)定電平的圖象信號S1、S2、…、Sn在與形成在對面基板(后述)的對向電極(后述)之間被保持一定期間。由于液晶的分子集合的排列方向或秩序因所施加的電壓電平而改變，就能調(diào)制光來實現(xiàn)灰度級顯示。如果是正常白電平模式，對應(yīng)于所施加的電壓，入射光就不能通過該液晶部分；如果是正常黑電平模式，對應(yīng)于所施加的電壓，入射光就能通過該液晶部分，作為整體，從電光學(xué)裝置發(fā)射出具有對應(yīng)于圖象信號的對比度的光。這里，為了防止漏泄所保持的圖象信號，附加蓄電電容器70和形成在象素電極9a與對向電極之間的液晶電容。例如，象素電極9a的電壓用蓄電電容器70保持得只比在TFT30的源極上施加圖象信號的時間長3位的時間。這樣，就能夠進一步改善保持性，并能夠?qū)崿F(xiàn)對比度高的電光學(xué)裝置。
圖2中，在電光學(xué)裝置的TFT陣列基板上設(shè)置有矩陣狀多個透明的象素電極9a(用點線部9a＇表示輪廓)，沿象素電極9a的縱橫邊界分別設(shè)置有數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a和電容線3b。數(shù)據(jù)線6a經(jīng)接觸孔5與例如由多晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體層1a中的后述的源區(qū)電氣連接。在沿相鄰接的象素電極9a間的間隙中掃描線3a的區(qū)域和沿數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域(用圖中右上方的斜線表示的區(qū)域)中分別設(shè)置島狀的第一導(dǎo)電層(下稱第一阻擋層)80a和第二導(dǎo)電層(下稱第二阻擋層)80b。在本實施例中，第一阻擋層80a和第二阻擋層80b用同一遮光性導(dǎo)電膜形成。象素電極9a中繼第一阻擋層80a，經(jīng)接觸孔8a和接觸孔8b電氣連接到半導(dǎo)體層1a中的后述的漏區(qū)，電容線3b經(jīng)接觸孔8c連接到第二阻擋層80b。掃描線3a被配置得面對用半導(dǎo)體層1a中的圖中的右下方的斜線表示的溝道區(qū)1a＇，掃描線3a起柵極的作用。這樣，在掃描線3a與數(shù)據(jù)線6a的交叉處分別設(shè)置有掃描線3a作為其柵極，面對地配置在溝道區(qū)1a＇上的象素切換用TFT30。
電容線3b具有沿掃描線3a大體呈直線狀伸出的主線部和從與數(shù)據(jù)線6a交叉處沿數(shù)據(jù)線6a突出的突出部。
特別是，第一阻擋層80a分別用接觸孔8a電氣連接到半導(dǎo)體層1a的漏區(qū)，用接觸孔8b電氣連接到象素電極9a，被用作半導(dǎo)體層1a的漏區(qū)和象素電極9a之間的緩沖器。后面將詳細描述該第一阻擋層80a、接觸孔8a和接觸孔8b。
在圖中用粗實線表示的區(qū)域內(nèi)，也可以分別設(shè)置第一遮光膜11a使之通過掃描線3a、電容線3b和TFT30的下側(cè)。第1遮光膜11a分別沿掃描線3a形成為條紋狀，同時，在圖中的下方，與數(shù)據(jù)線6a交叉處形成寬幅，從TFT陣列基板側(cè)看，可以把象素切換用TFT30的溝道區(qū)分別設(shè)置在用該寬幅部分覆蓋的位置上。
下面，如圖3的斷面圖所示，電光學(xué)裝置具有構(gòu)成透明的一方基板一例的TFT陣列基板10和對向該基板配置的構(gòu)成透明的另一方基板一例的對面基板20。TFT陣列基板10由例如石英基板、玻璃基板、硅基板構(gòu)成，對面基板20由例如玻璃基板或石英基板構(gòu)成。象素電極9a設(shè)置在TFT陣列基板10上，其上側(cè)設(shè)置有實施研磨處理等規(guī)定的取向處理的定向膜16。象素電極9a由例如ITO膜等透明導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成。取向膜16例如由聚酰亞胺薄膜等有機薄膜構(gòu)成。
另一方面，對面基板20的整個面上設(shè)置對面電極21，其下側(cè)設(shè)置有實施研磨處理等規(guī)定的取向處理的取向膜22。對面電極21由例如ITO膜等透明導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成。取向膜22例如由聚酰亞胺薄膜等有機薄膜構(gòu)成。
在TFT陣列基板10上，在鄰接各象素電極9a的位置上設(shè)置有切換控制各象素電極9a的象素切換用TFT30。
如圖3所示，在對面電極20上，第二遮光膜23設(shè)置在各象素的非開口區(qū)。因此，入射光不會從對面基板20側(cè)侵入到象素切換用TFT30的半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a＇或低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c。另外，第二遮光膜23具有提高對比度和防止形成濾色器時的色彩的混色的功能。
在這樣構(gòu)成來使象素電極9a和對面電極21對面配置的TFT陣列基板10和對面基板20之間，用后述的密封材料圍起來的空間中封入作為電光學(xué)材料一例的液晶，從而形成液晶層50。在不施加來自象素電極9a的電場的狀態(tài)下，液晶層50由取向膜16和22取為規(guī)定的取向狀態(tài)。液晶層50由例如一種或多種向列液晶混合的液晶構(gòu)成。密封材料是用來把TFT陣列基板10和對面基板20在其周邊貼合起來的粘接劑，例如是由光硬化樹脂或熱硬化樹脂構(gòu)成的粘接劑，并且混入使兩基板之間的距離為規(guī)定值的玻璃纖維或玻璃珠等的間隙材料。
如圖3所示，在分別與象素切換用TFT30相對的位置上，可以把第一遮光膜11a設(shè)置在TFT陣列基板10與象素切換用TFT30之間。第一遮光膜11a最好由包含有不透明的高熔點金屬Ti、Cr、W、Ta、Mo和Pb之中的至少一種的金屬單體、合金、金屬硅化物構(gòu)成。如果由這樣的材料構(gòu)成，由于TFT陣列基板10上的第一遮光膜11a的形成工序之后進行的象素切換用TFT30的形成工序中的高溫處理就能夠不把第一遮光膜11a熔融破壞。因為形成有第一遮光膜11a，所以，能夠防止對來自TFT陣列基板10側(cè)的反射光(返回光)等射入到象素切換用TFT30的溝道區(qū)1a＇或低濃度源區(qū)1b、低濃度漏區(qū)1c，從而就不會由于因此導(dǎo)致的光引起的電流的產(chǎn)生而使象素切換用TFT30的特性變化和劣化。
形成為條紋狀的第一遮光膜11a例如可以沿掃描線3a向下延伸設(shè)置并電氣連接到恒電位線上。按照這樣的構(gòu)成，第一遮光膜11a的電位變動就不會對與第一遮光膜11a對向配置的象素切換用TFT30有惡劣的影響。這種情況下，作為恒電位線，列舉有供給用來驅(qū)動相應(yīng)的電光學(xué)裝置的外圍電路(例如掃描線驅(qū)動電路、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路等)的負電源、正電源等恒電位線以及供給接地電源、對面電極21的恒電位線等。也可以沿數(shù)據(jù)線6a和掃描線3a把第一遮光膜11a形成為格子狀，也可以形成島狀，至少把象素切換用TFT30的溝道區(qū)1a＇或低濃度源區(qū)1b、低濃度漏區(qū)1c覆蓋起來。
另外，在第一遮光膜11a和多個象素切換用TFT30之間設(shè)置有襯底絕緣膜12，襯底絕緣膜12是為了使構(gòu)成象素切換用TFT30的半導(dǎo)體層1a與第一遮光膜11a絕緣而設(shè)置的。在TFT陣列基板10的整個面上形成襯底絕緣膜12，襯底絕緣膜12就具有象素切換用TFT30用的襯底膜的功能。即具有防止TFT陣列基板10的表面研磨時的皺裂或洗凈后殘留污物使象素切換用TFT30的特性劣化的功能。襯底絕緣膜12由例如NSG(無摻雜硅酸鹽玻璃)、PSG(磷硅酸鹽玻璃)、BSG(硼硅酸鹽玻璃)、BPSG(磷硼硅酸鹽玻璃)等高絕緣性玻璃或氧化硅膜、氮化硅膜等構(gòu)成。用襯底絕緣膜12能夠防止第一遮光膜11a污染象素切換用TFT30等。
在本實施例中，從高濃度漏區(qū)1e開始延長設(shè)置半導(dǎo)體層1a作成為第一蓄電電容器電極1f，把與此相對的電容線3b的一部分作成為第二蓄電電容器電極，把包含柵極絕緣膜的絕緣薄膜2從面對掃描線3a的位置開始延伸設(shè)置作成為被夾持在這些電極之間的第一介質(zhì)膜，由此來構(gòu)成第一蓄電電容器70a。另外，把與該第二蓄電電容器電極對向的第一阻擋層80a的一部分作成為第三蓄電電容器電極，并把第一層間絕緣膜81設(shè)置在這些電極之間。第一層間絕緣膜81起第二介質(zhì)膜的作用，形成第二蓄電電容器70b。這些第一蓄電電容器70a和第二蓄電電容器70b經(jīng)接觸孔8a并聯(lián)連接起來構(gòu)成蓄電電容器70。特別是，因為除用高溫氧化形成在多晶硅膜上的TFT30的柵極絕緣膜之外，作為第一蓄電電容器70a的第一介質(zhì)膜的絕緣薄膜2不再成為其他膜，所以，能夠作成為既薄又能耐高壓的絕緣膜，第一蓄電電容器70a能夠構(gòu)成面積較小而容量大的蓄電電容器。因為第一層間絕緣膜81也能形成得與絕緣薄膜2一樣或比絕緣薄膜2更薄，所以，第二蓄電電容器70b也能夠構(gòu)成面積較小而容量大的蓄電電容器。因此，由這些第一蓄電電容器70a和第二蓄電電容器70b立體構(gòu)成的蓄電電容器70能夠有效地利用數(shù)據(jù)線6a下的區(qū)域和所謂沿掃描線3a產(chǎn)生液晶的旋轉(zhuǎn)位移(デイスクリネ-ツョン)(Disclination)的區(qū)域的象素開口區(qū)以外的空間，從而作成面積小容量大的蓄電電容器。
這樣構(gòu)成第二蓄電電容器70b的第一層間絕緣膜81也可以由氧化硅膜、氮化硅膜構(gòu)成，也可以由多層膜構(gòu)成。一般，用形成柵極絕緣膜等的第二絕緣薄膜2所使用的各種公知技術(shù)(減壓CVD法、等離子體CVD法、熱氧化法等)能夠形成第一層間絕緣膜81。把第一層間絕緣膜81形成得薄就能夠使接觸孔8a的孔徑更小，所以，能夠使前述的接觸孔8a中的第一阻擋層80a的坑凹或凹凸更小，能夠進一步促進處于其上方的象素電極9a的平坦化。
在圖3中，象素切換用TFT30具有LDD(輕摻雜漏區(qū))的結(jié)構(gòu)，設(shè)置有掃描線3a、由來自該掃描線3a的電場形成溝道的半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a＇、包含使掃描線3a與半導(dǎo)體層1a絕緣的柵極絕緣膜的絕緣薄膜2、數(shù)據(jù)線6a、半導(dǎo)體層1a的低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c、半導(dǎo)體層1a的高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e。多個象素電極9a中的對應(yīng)的一個象素電極中繼第一阻擋層80a，并連接到高濃度漏區(qū)1e。如后面所述，根據(jù)對于半導(dǎo)體層1a形成n型還是p型溝道來摻雜規(guī)定濃度的n型或p型雜質(zhì)來形成低濃度源區(qū)1b和高濃度源區(qū)1d以及低濃度漏區(qū)1c和高濃度漏區(qū)1e。n型溝道的TFT具有動作速度快的優(yōu)點，所以多用作象素切換元件即象素切換用TFT30。特別是在本實施例中，數(shù)據(jù)線6a由Al等低阻抗金屬膜或金屬硅化物等合金膜之類的遮光性且導(dǎo)電性的薄膜構(gòu)成。在第一阻擋層80a和第一層間絕緣膜81上形成有分別形成通到高濃度源區(qū)1d的接觸孔5和通到第一阻擋層80a的接觸孔8b的第二層間絕緣膜4。數(shù)據(jù)線6a經(jīng)通到該高濃度源區(qū)1d的接觸孔5電氣連接到高濃度源區(qū)1d，另外，在數(shù)據(jù)線6a和第二層間絕緣膜4上形成有形成通到第一阻擋層80a的接觸孔8b的第三層間絕緣膜7。象素電極9a經(jīng)該接觸孔8b電氣連接到第一阻擋層80a，并中繼第一阻擋層80a，經(jīng)接觸孔8a電氣連接到高濃度漏區(qū)1e。前述的象素電極9a被設(shè)置在這樣構(gòu)成的第三層間絕緣膜7的上面。
雖然如上所述象素切換用TFT30最好具有LDD結(jié)構(gòu)，但是，也可以具有在低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c中不進行摻雜的偏置結(jié)構(gòu)，也可以是把由掃描線3a的一部分構(gòu)成的柵極作為掩膜高濃度摻雜并自調(diào)整地形成高濃度源極區(qū)和漏極區(qū)的自調(diào)整型的TFT。
在本實施例中，雖然是在高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e之間僅配置一個象素切換用TFT30的柵極的單柵極結(jié)構(gòu)，但是，在其之間也可以配置兩個以上的柵極。這時，在各柵極上施加同一信號。這樣按照兩柵極或三柵極以上構(gòu)成TFT，就能夠防止溝道區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)的結(jié)合部的漏電流，并能夠降低截止時的電流。如果把這些柵極的至少一個柵極構(gòu)成為LDD結(jié)構(gòu)或偏置結(jié)構(gòu)，就能夠進一步降低截止電流，從而能夠得到穩(wěn)定的切換元件。
如圖2和圖3所示，在本實施例的電光學(xué)裝置中，經(jīng)接觸孔8a和接觸孔8b把高濃度漏區(qū)1e和象素電極9a經(jīng)由第1阻擋層80a電氣連接起來，所以，與從象素電極9a到漏區(qū)開一個接觸孔的情況相比，能夠分別減小接觸孔8a和接觸孔8b的孔徑。即在開一個接觸孔的情況下，因為深開接觸孔的過程中，蝕刻精度會下降，所以，為了防止穿透例如大約50nm非常薄的半導(dǎo)體層1a，就要中途停止能夠減小接觸孔徑的干蝕刻，最后必須用濕蝕刻組合工序把孔一開直到半導(dǎo)體層1a?；蛘?，必須另外設(shè)置一個防止因干蝕刻引起穿透的多晶硅膜。
與此不同，在本實施例中，因為用兩個串聯(lián)的接觸孔8a和接觸孔8b把象素電極9a和高濃度漏區(qū)1e連接起來，所以，能夠分別用干蝕刻來開接觸孔8a和接觸孔8b?；蛘?，至少能夠用濕蝕刻縮短開孔的距離。但是，因為在接觸孔8a和接觸孔8b附加有少許錐度，所以，也可以在干蝕刻之后特意進行比較短時間的濕蝕刻。
按照上述的本實施例，因為能夠分別減小接觸孔8a和接觸孔8b的孔徑，并能夠減小接觸孔8a中的第一阻擋層80a的表面上形成的坑凹或凹凸，所以，能夠在某種程度上促進處于其上方的象素電極9a的部分中的平坦化。另外，由于能夠減小在第二接觸孔8b中的象素電極9a的表面上形成的坑凹或凹凸，所以，能夠在某種程度上促進該象素電極9a部分的平坦化。
特別是在本實施例中，第一阻擋層80a由導(dǎo)電型的遮光膜構(gòu)成，因此，用第一阻擋層80a就能夠至少部分地界定各象素開口區(qū)。例如第一阻擋層80a由包含有不透明的高熔點金屬Ti、Cr、W、Ta、Mo和Pb之中的至少一種的金屬單體、合金、金屬硅化物等構(gòu)成。因此，在第一阻擋層80a和象素電極9a之間就能夠經(jīng)接觸孔8b構(gòu)成良好的電氣連接。第一阻擋層80a的膜厚例如最好是大于50nm而小于500nm。如果是50nm的膜厚，在制造過程中的第二接觸孔8b開孔時，被穿透的可能性就低，如果是大約500nm，第一阻擋層80a的存在所引起的象素電極9a的表面凹凸就不成問題，或能夠比較容易地平坦化。
在本實施例中，由沿數(shù)據(jù)線6a伸長的島狀的第二阻擋層80b和接觸孔5周邊上的數(shù)據(jù)線6a部分來界定各象素中的象素開口區(qū)之中的沿數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域的左右邊，并由第一阻擋層80a和第一遮光膜11a來分別界定各象素中的象素開口區(qū)之中的沿掃描線3a和電容線3b的區(qū)域的上邊和下邊。
更具體地說，如圖2和圖4所示，沿平面看，第二阻擋層80b被部分地設(shè)置在象素電極9a的間隙內(nèi)，并部分地與象素電極9a重疊。因此，該象素電極9a與第二阻擋層80b部分地重疊就能夠界定各象素中的象素開口區(qū)之中的左右邊的大部分。特別是這時在由第二阻擋層80b界定象素開口區(qū)的地方，沿平面看，在象素電極9a與第二阻擋層80b之間沒有間隙，所以就不會發(fā)生經(jīng)這種間隙的漏光。結(jié)果，最終能夠提高對比度。同時，在由第二阻擋層80b界定象素開口區(qū)的地方，因為不必用數(shù)據(jù)線6a來界定象素開口區(qū)，所以，在此處數(shù)據(jù)線6a的寬度就比第二阻擋層80b的寬度細一些。結(jié)果，如圖4所示，數(shù)據(jù)線6a與象素電極9a不經(jīng)第三層間絕緣膜7重疊，也能使各象素中的TFT30的源極和漏極之間不產(chǎn)生寄生電容。因此，能夠防止在一幀等規(guī)定的期間內(nèi)供給其他行的TFT30的圖象信號的電位頻繁地擺動的數(shù)據(jù)線6a的相應(yīng)電位的波動引起的由上述源極與漏極之間的寄生電容使TFT30異常動作，并能夠防止應(yīng)保持在象素電極9a上的電壓泄放。其結(jié)果能夠減低顯示圖象中的閃爍和行不穩(wěn)。但是，在沒有第二阻擋層80b的接觸孔5的周邊的比較小的區(qū)域內(nèi)，也可以使數(shù)據(jù)線6a的寬度少許寬一些，由數(shù)據(jù)線6a來界定象素開口區(qū)。
如果像上面那樣來界定象素開口區(qū)，在對面基板20上就能夠不形成第二遮光膜23，所以，能夠減少對面基板的成本。另外，能夠防止因?qū)γ婊?0和TFT陣列基板10的調(diào)整偏差引起的象素開口率的下降或零散。在第二遮光膜23設(shè)置在對面基板20上的情況下，即使與TFT陣列基板10的錯位不降低象素開口率而形成得小，如上所述，因為借助于數(shù)據(jù)線6a、第一阻擋層80a和第二阻擋層80b以及形成在TFT陣列基板10側(cè)的所謂第一遮光膜11a的遮光性的膜界定象素開口部，所以，能夠高精度地界定象素開口部，與由對面基板20上的第二遮光膜來決定開口部的情況相比，能夠提高象素開口率。
如圖2和圖4所示，由于在結(jié)構(gòu)上使數(shù)據(jù)線6a的寬度稍窄并不與象素電極9a的邊緣部分重疊，所以，能夠抑制在數(shù)據(jù)線6a與象素電極9a經(jīng)第三層間絕緣膜7而重疊的地方發(fā)生的可能性高的兩者間的電氣短路等缺欠的發(fā)生，最終能夠降低裝置的缺欠率并提高制造時的成品率。
第二阻擋層80b最好電氣連接在電容線3b或其他恒電位線上。即因為第二阻擋層80b的邊緣部分與象素電極9a的邊緣部分重疊，所以兩者之間雖然附加有一點寄生電容，但是如果把第二阻擋層80b的電位保持一定的話，就能夠降低第二阻擋層80b的電位的變動對象素電極9a的電位造成的惡劣影響。在本實施例中，可以用與開接觸孔8a同樣的工序來開用來使第二阻擋層80b和電容線3b電氣連接的接觸孔8c，從而不會招致制造過程的復(fù)雜化。而且，這種情況下，在每一個象素中，第二阻擋層80b都經(jīng)接觸孔8c被電氣連接到電容線3b上。
在如上所述的第二阻擋層80b與數(shù)據(jù)線6a經(jīng)第二層間絕緣膜4相對配置的構(gòu)成中，在數(shù)據(jù)線6a上在與電位更穩(wěn)定的第二阻擋層80b之間附加有電容。因此，能夠把數(shù)據(jù)線6a的電容量設(shè)定為不會招致電位擺動的適度大小。特別是，即使使象素節(jié)距微細化并使與之相伴數(shù)據(jù)線6a的寬度微細化，通過增加與第二阻擋層80b之間的電容量，就能夠抑制數(shù)據(jù)線6a的電容量之不足。這樣，就能夠阻止經(jīng)數(shù)據(jù)線6a向象素電極9a供給圖象信號時寫入能力的不足。換言之，使象素節(jié)距微細化時特別有利，能夠比較容易地得到數(shù)據(jù)線6a抗噪聲能力更強的結(jié)構(gòu)。
本實施例的各接觸孔(8a、8b、8c和5)的平面形狀雖然也可以是圓形或四邊形或其他多邊形等，但是，圓形特別能夠防止接觸孔周圍的層間絕緣膜等的破裂。而且，為了得到良好的電氣連接，最好在干蝕刻后進行濕蝕刻，使這些接觸孔中都少許帶點錐度。
如上說明的那樣，按照第一實施例的電光學(xué)裝置，在第一阻擋層80a上具有中繼TFT30和象素電極9a的功能，同時，在由與該第一阻擋層80a同一膜構(gòu)成的第二阻擋層80b上具有能穩(wěn)定供給圖象信號并界定象素開口區(qū)的功能，所以，作為一個整體，能夠?qū)崿F(xiàn)疊層結(jié)構(gòu)及制造過程的簡單化、低成本化。
(第一實施例中的電光學(xué)裝置的制造工藝)下面參照圖5至圖8來說明構(gòu)成具有上述結(jié)構(gòu)的實施例中的電光學(xué)裝置的TFT陣列基板的制造工藝。圖5至圖8是表示使各工序中的TFT陣列基板側(cè)的各層，與圖3一樣，對應(yīng)于圖2的A-A＇斷面的工序圖。
如圖5的步驟(1)所示，首先準備石英基板、硬玻璃基板、硅基板等TFT陣列基板10。這里，最好是在N2(氮氣)等惰性氣體的氣氛下且在約900～1300℃的高溫下進行熱處理，然后進行前處理，以使實施高溫處理中的TFT陣列基板10中產(chǎn)生的變形小。即符合以制造過程中的最高溫度進行高溫處理的溫度，預(yù)先按同一溫度或其以上的溫度對TFT陣列基板10進行熱處理。用濺散技術(shù)等在這樣處理過的TFT陣列基板10的整個面上形成Ti、Cr、W、Ta、Mo和Pb等金屬或金屬硅化物等的金屬合金膜，形成100～500nm最好約200nm膜厚的遮光膜11。為了緩和表面反射，也可以在遮光膜11上形成多晶硅膜等防反射膜。
如步驟(2)所示，用光刻法在所形成的遮光膜11上形成對應(yīng)于第一遮光膜11a的圖形的保護掩膜，經(jīng)該保護掩膜對遮光膜11進行蝕刻，由此來形成第一遮光膜11a。
如步驟(3)所示，在第一遮光膜11a上，例如用常壓或減壓CVD法等，使用TEOS(四乙基原硅酸鹽)氣體、TEB(四乙基硼酸鹽)氣體、TMOP(四甲基氧磷酸鹽)氣體等，形成由NSG(無摻雜硅酸鹽玻璃)、PSG(磷硅酸鹽玻璃)、BSG(硼硅酸鹽玻璃)、BPSG(磷硼硅酸鹽玻璃)等硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等構(gòu)成的襯底絕緣膜12。該襯底絕緣膜12的膜厚取為例如約500～2000nm。
如步驟(4)所示，在約450～550℃、最好在約500℃的較低的溫度環(huán)境中，使用流量約為400～600cc／min的單-硅烷氣體、乙硅烷氣體等的減壓CVD(例如壓力約為20～40帕的CVD)方法，在襯底絕緣膜12上形成非晶硅膜。此后，在氮氣氣氛中、約600～700℃的溫度下實施熱處理約1～10小時，最好是4～6小時，由此使多晶硅膜1固相生長到約50～200nm的膜厚，最好生長到約100nm的膜厚。作為固相生長的方法，也可以是使用RTA(快速熱退火)的熱處理，也可以是使用受激準分子激光器的激光熱處理。
這時，作為圖3所示的象素切換用TFT30，在作成n溝道型的象素切換用TFT30的情況下，也可以用離子注入等方法僅在相應(yīng)的溝道區(qū)域內(nèi)摻雜Sb(銻)、As(砷)、P(磷)等V族元素雜質(zhì)。而在使象素切換用TFT30為P溝道型的情況下，用離子注入法等，僅摻雜B(硼)Ga(鎵)In(銦)等III族元素的雜質(zhì)。也可以不經(jīng)非晶質(zhì)膜而直接用減壓CVD法形成多晶硅膜1?；蛘撸部梢栽谟脺p壓CVD法等堆積的多晶硅膜中滲入硅離子，暫時非晶質(zhì)化，然后通過熱處理使之再結(jié)晶來形成多晶硅膜1。
如步驟(5)所示，用光蝕刻步驟、蝕刻步驟形成具有包含第一蓄電電容器電極1f的規(guī)定圖形的半導(dǎo)體層1a。
如步驟(6)所示，通過對構(gòu)成象素用切換TFT30的半導(dǎo)體層1a用約900～1300℃的溫度、最好是約1000℃的溫度進行熱氧化來形成約30nm的厚度較薄的熱氧化硅膜2a；進而如步驟(7)所示，用減壓CVD法等堆積厚度約為50nm的較薄的由高溫氧化硅膜(HTO膜)或氮化硅膜構(gòu)成的絕緣膜2b，形成具有包含熱氧化硅膜2a和絕緣膜2b的多層結(jié)構(gòu)的象素切換用TFT30的柵絕緣膜以及包含用來形成蓄電電容器的第一介質(zhì)膜的絕緣薄膜2。結(jié)果，半導(dǎo)體層1a的厚度成為約30～150nm，最好是約35～50nm；絕緣薄膜2的厚度約20～150nm，最好是30～100nm。這樣，通過縮短高溫熱氧化時間，就能夠防止在使用8英寸大型基板的情況下的熱彎曲。但是，僅對多晶硅膜1進行熱氧化，也可以形成具有單層結(jié)構(gòu)的絕緣薄膜2。
如步驟(8)所示，用光蝕刻步驟、蝕刻步驟等在除成為第一蓄電電容器電極1f的部分之外的半導(dǎo)體層1a上形成保護層500之后，按約3×1012／cm2的劑量摻雜例如P離子，使第一蓄電電容器電極1f低阻抗化。
如步驟(9)所示，除去保護層500之后，用減壓CVD法等堆積多晶硅膜3，再進行熱擴散P，使多晶硅膜3導(dǎo)電化。另外，也可以用在多晶硅膜3成膜的同時導(dǎo)入P離子的低阻抗的多晶硅膜。多晶硅膜3的厚度堆積到約100～500nm，最好堆積到約300nm。
如圖6的步驟(10)所示，用使用保護掩膜的光蝕刻步驟和蝕刻步驟來一起形成規(guī)定圖形的掃描線3a和電容線3b。掃描線3a和電容線3b也可以用高熔點金屬或金屬硅化物等金屬合金膜來形成，也可以作成為于與多晶硅膜等組合起來的多層配線。
如步驟(11)所示，在把圖3所示的象素切換用TFT30作成為具有LDD結(jié)構(gòu)的n溝道型TFT的情況下，為了在半導(dǎo)體層1a上首先形成低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c，把由掃描線3a的一部分構(gòu)成的柵極作為掩膜，低濃度摻雜P之類的V族元素，例如按1～3×1013／cm2的劑量摻雜P離子。這樣，掃描線3a下的半導(dǎo)體層1a就成為溝道區(qū)1a＇。用這種摻雜也能夠使電容線3b和掃描線3a低阻抗化。
如步驟(12)所示，為了形成構(gòu)成象素切換用TFT30的高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e，在掃描線3a上用比掃描線3a的寬度更寬的掩膜形成保護層600之后，高濃度摻雜同樣的P之類的V族元素，例如按1～3×1015／cm2的劑量摻雜P離子。在把象素切換用TFT30作成為p溝道型的情況下，為了在半導(dǎo)體層1a上形成低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c以及高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e，使用B之類的III族元素進行摻雜。例如不進行低濃度的摻雜，也可以作成為偏置結(jié)構(gòu)的TFT，把掃描線3a作為掩膜，也可以用使用P離子、B離子等的離子注入技術(shù)作成自調(diào)整型的TFT。用這種摻雜也能使電容線3b和掃描線3a進一步低阻抗化。
也可以與這些TFT30的元件形成步驟并列進行，在TFT陣列基板10上的外圍形成由n溝道型TFT和p溝道型TFT構(gòu)成的具有互補型結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路、掃描線驅(qū)動電路等外圍電路。這樣，在本實施例中，如果用多晶硅膜形成構(gòu)成象素切換用TFT30的半導(dǎo)體層1a的話，就能夠用與象素切換用TFT30的形成使幾乎一樣的步驟來形成外圍電路，這在制造上是有利的。
如步驟(13)所示，除去保護層600之后，在電容線3b、掃描線3a和絕緣薄膜2上，用減壓CVD法、等離子體CVD法等把由高溫氧化硅膜(HTO膜)或氮化硅膜構(gòu)成的第一層間絕緣膜81堆積到約200nm以下的較薄的厚度。但是，如上所述，也可以由多層膜來構(gòu)成第一層間絕緣膜81，一般，可以用形成TFT的柵絕緣膜所用的各種公知技術(shù)形成第一層間絕緣膜81。
如步驟(14)所示，用反應(yīng)性離子蝕刻、反應(yīng)性離子束蝕刻等干蝕刻技術(shù)來形成用來電氣連接第一阻擋層80a和高濃度漏區(qū)1e的接觸孔8a以及用來電氣連接第二阻擋層80b和電容線3b的接觸孔8c。因為這樣的干蝕刻方法方向性高，所以能夠開出口徑小的接觸孔8a和接觸孔8c?；蛘?，也可以與有利于防止接觸孔8a穿透半導(dǎo)體層1a的濕蝕刻并用。這種濕蝕刻對于接觸孔8a來說，從附加為了構(gòu)成更良好的電氣連接的錐度的觀點來看，也是有效的。特別是，如上所述，接觸孔8a和接觸孔8b能夠同時開孔，這在制造上是很有利的。
如步驟(15)所示，在經(jīng)第一層間絕緣膜81和接觸孔8a看到的高濃度漏區(qū)1e和經(jīng)接觸孔8c看到的電容線3b的整個面上用濺散等技術(shù)堆積Ti、Cr、W、Ta、Mo和Pb等金屬或金屬硅化物等的金屬合金膜，形成厚度為50～500nm的導(dǎo)電膜80。如果是50nm左右的厚度，后來開接觸孔8b時就幾乎沒有被穿透的可能性。為了緩和表面反射，也可以在該導(dǎo)電膜80上形成多晶硅膜等防反射膜。導(dǎo)電膜80也可以是堆積了金屬或金屬硅化物等的金屬合金膜或者多晶硅膜的多層膜。
如步驟(16)所示，在所形成的該導(dǎo)電膜80上進行光蝕刻步驟和蝕刻步驟形成第一阻擋層80a和第二阻擋層80b。其中，關(guān)于第二阻擋層80b，特別如圖4所示的那樣，可以形成得使其一部分與后來形成的象素電極9a重疊少許。
如步驟(17)所示，為了覆蓋第一層間絕緣膜81和第一阻擋層80a以及第二阻擋層80b，例如使用常壓或減壓CVD法或TEOS氣體等形成由NSG、PSG、BSG、BPSG之類的硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等構(gòu)成的第二層間絕緣膜4。第二層間絕緣膜4的厚度最好是約500～1500nm。如果第二層間絕緣膜4的厚度大于500nm，數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a之間的寄生電容不會過分，或幾乎不成問題。
在步驟(18)中，為了使半導(dǎo)體層1a活性化，在進行大約20分鐘的約1000℃的熱處理之后，在絕緣薄膜2、第一層間絕緣膜81以及第二層間絕緣膜4上開用以電氣連接數(shù)據(jù)線6a與半導(dǎo)體層1a的高濃度漏區(qū)1e的接觸孔5。也可以用與接觸孔5同樣的步驟在基板周邊的區(qū)域內(nèi)開用以將掃描線3a或電容線3b與未圖示的配線電氣連接的接觸孔。
如步驟(19)所示，在第二層間絕緣膜4上，用濺散等方法堆積遮光性的Al等低阻抗金屬或金屬硅化物等，作為金屬膜6，其厚度為約100～500nm，最好是300nm。
如步驟(20)所示，用光蝕刻工序和蝕刻工序等來形成數(shù)據(jù)線6a。這里，關(guān)于數(shù)據(jù)線6a，特別如圖4所示，形成得不與后形成的象素電極9a重疊，而與第二阻擋層80b重疊。
如圖8的步驟(21)所示，為了覆蓋數(shù)據(jù)線6a，例如用常壓或減壓CVD法或TEOS氣體等來形成由NSG、PSG、BSG、BPSG之類的硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等構(gòu)成的第三層間絕緣膜7。第三層間絕緣膜7的厚度最好是約500～1500nm。
如步驟(22)所示，用反應(yīng)性離子蝕刻、反應(yīng)性離子束蝕刻等干蝕刻技術(shù)來形成用來電氣連接象素電極9a和第一阻擋層80a的接觸孔8b。為了作成錐狀，也可以追加濕蝕刻。
如步驟(23)所示，在第三層間絕緣膜7上，用濺散法等堆積ITO膜等透明性導(dǎo)電膜9，其厚度為約50～200nm；如步驟(24)所示，用光蝕刻工序和蝕刻工序等來形成象素電極9a。在把電光學(xué)裝置用作反射型裝置的情況下，也可以由Al等反射率高的不透明材料來形成象素電極9a。
如以上所說明的那樣，按照本實施例的制造工藝，能夠用比較少的步驟而且使用比較簡單的各步驟來制造出上述的第一實施例的電光學(xué)裝置。
(第二實施例)下面參照圖9到圖11來說明本發(fā)明的第二實施例的電光學(xué)裝置的構(gòu)成。圖9是第二實施例的電光學(xué)裝置中的形成數(shù)據(jù)線、掃描線、象素電極等的TFT陣列基板相鄰接的多個象素群的平面圖。圖10是圖9的A-A＇斷面圖。圖11是圖9的B-B＇斷面圖。在圖10和圖11中，為了把各層和各部件繪制成在圖面上能夠看清楚的大小，每層和每個部件采用不同的縮尺。在圖9至圖11的第二實施例中，有關(guān)與圖2至圖4所示的第一實施例同樣的構(gòu)成要素，標注同樣的標號，省略其說明。
在圖9至圖11中，按照第二實施例，電光學(xué)裝置設(shè)置有中繼導(dǎo)電層6b和第一阻擋層90a，中繼導(dǎo)電層6b經(jīng)接觸孔88a與半導(dǎo)體層1a的高濃度漏區(qū)1e電氣連接，并由與數(shù)據(jù)線6a同一層構(gòu)成，第一阻擋層90a由經(jīng)接觸孔88c與象素電極9a電氣連接的遮光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。中繼導(dǎo)電層6b和第一阻擋層90a經(jīng)形成在數(shù)據(jù)線6a和中繼導(dǎo)電層6b上的第二層間絕緣膜4相對地配置，并經(jīng)該第二層間絕緣膜4上開的接觸孔88b電氣連接在一起。另一方面，在第二實施例中，設(shè)置由與第一阻擋層90a同一遮光性導(dǎo)電層構(gòu)成的第二阻擋層90b，第二阻擋層90b和電容線3b經(jīng)接觸孔88d電氣連接。這樣，把第二阻擋層90b作為蓄電電容器電極并與相鄰接的象素群連接，這就能夠代用作電容線。這種情況下，也可以把電容線3b作為蓄電電容器電極，對各象素形成為島狀。這樣，就能夠把象素開口作大。把第二阻擋層90b和電容線3b電氣連接起來，就能夠形成雙重電容線，從而實現(xiàn)冗長結(jié)構(gòu)。如圖9所示，第二阻擋層90b被形成為格子狀，沿平面看除第一阻擋層90a存在的區(qū)域的周圍之外，它覆蓋著象素電極9a的間隙，并且界定分別沿象素開口區(qū)之中的數(shù)據(jù)線6a和掃描線3a的左右邊和上下邊。即使在這種情況下，也與第一實施例的情況相同，第二阻擋層90b的邊緣部分與象素電極9a的邊緣部分少許重疊。用中繼導(dǎo)電層6b或相對基板側(cè)的第二遮光膜23覆蓋第一阻擋層90a與第二阻擋層90b的間隙，這樣就能夠簡單地防止漏光。有關(guān)其他構(gòu)成，與第一實施例的情況一樣。
這樣，在第二實施例中，用兩個中繼導(dǎo)電層即中繼導(dǎo)電層6b和第一阻擋層90a就能夠?qū)崿F(xiàn)從象素電極9a到半導(dǎo)體層1a的良好的中繼。特別是象素電極9a由ITO膜構(gòu)成、數(shù)據(jù)線6a由Al膜構(gòu)成的情況下，最好由能夠在兩者之間得到良好電氣連接的Ti、Cr、W等高熔點金屬等構(gòu)成。
如圖11所示，數(shù)據(jù)線6a經(jīng)介質(zhì)膜即第一層間絕緣膜81和第二層間絕緣膜4被夾持在電容線3b和阻擋層90b之間，在這種結(jié)構(gòu)中，電位更加穩(wěn)定的電容線3b和第二阻擋層90b之間的電容就附加到數(shù)據(jù)線6a上。因此，能夠把數(shù)據(jù)線6a的電容設(shè)定得適度地大，而不會招致電位擺動，并能夠阻止經(jīng)數(shù)據(jù)線6a向象素電極9a供給圖象信號時的寫入能力之不足。
由與這樣的Al膜同一膜構(gòu)成的中繼導(dǎo)電層6b，例如在第一實施例制造過程中的步驟(18)中，把接觸孔88a開到高濃度漏區(qū)1e，在步驟(20)，可以對步驟(19)形成的Al膜實施光蝕刻工序和蝕刻工序，以便在包含該接觸孔88a的高濃度漏區(qū)1e的上方形成中繼導(dǎo)電層6b。另外，對于第二層間絕緣膜4和第一阻擋層90a以及第二阻擋層90b，也可以用與第一實施例中的步驟(13)到步驟(16)同樣的工藝來形成。
(第三實施例)參照圖12來說明本發(fā)明的第三實施例的電光學(xué)裝置的構(gòu)成。圖12是第三實施例中的與形成了數(shù)據(jù)線、掃描線、象素電極等的斷面圖對應(yīng)的斷面圖。在圖12中，為了把各層和各部件繪制成在圖面上能夠看清楚的大小，每層和每個部件采用不同的縮尺。在圖12所示的第三實施例中，有關(guān)與圖10所示的第二實施例同樣的構(gòu)成要素，標注同樣的標號，省略其說明。
在圖12中，第三實施例與第二實施例不同，不使用中繼導(dǎo)電層6b，用第一阻擋層90a＇直接連接在與高濃度漏區(qū)1e之間，其他構(gòu)成與第二實施例的情況一樣。
因此，按照第三實施例，能夠用與構(gòu)成象素電極9a的ITO膜電氣相容性良好的由高熔點金屬構(gòu)成的第一阻擋層90a＇將象素電極9a與高濃度漏區(qū)1e進行電氣中繼連接。
(第四實施例)參照圖13至圖15來說明本發(fā)明的第四實施例的電光學(xué)裝置的構(gòu)成。圖13是第四實施例的電光學(xué)裝置中的形成了數(shù)據(jù)線、掃描線、象素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個象素群的平面圖。圖14是圖13的A-A＇斷面圖，圖15是圖13的B-B＇斷面圖。在圖14和圖15中，為了把各層和各部件繪制成在圖面上能夠看清楚的大小，每層和每個部件采用不同的縮尺。在圖13至圖15所示的第四實施例中，有關(guān)與圖2至圖4所示的第一實施例同樣的構(gòu)成要素，標注同樣的標號，省略其說明。
在圖13至圖15中，第四實施例與第一實施例不同，第一遮光膜11a＇穿過相鄰接的象素電極9a的間隙形成為格子狀，電容線3b經(jīng)接觸孔15在每一個象素上與第一遮光膜11a＇電氣連接。這樣就能夠把第一遮光膜11a＇作為電容線3b的冗長配線來使用，通過使電容線3b的低阻抗化能夠使蓄電電容器70的電位穩(wěn)定。用這樣的構(gòu)成，把第一遮光膜11a＇代用作電容線，也可以在結(jié)構(gòu)上把電容線3b在每一個象素中作為島狀的蓄電電容器電極。這樣，就能夠把象素開口率作得大。另外，通過與第二實施例組合，使電容線3b與第一遮光膜11a＇和第二阻擋層90b電氣連接起來，也可以把用來形成蓄電電容器的電容線作成為3重配線。把電容線3b作為蓄電電容器電極，并在每一個象素中形成為島狀的情況下，第一遮光膜11a＇與第二阻擋層90b經(jīng)蓄電電容器電極電氣連接起來，同時與鄰接的象素相連接。用以把接觸孔15、第二阻擋層80b和電容線3b連接起來的接觸孔8c在不同的平面位置開孔，就能夠防止接觸孔15和接觸孔8c中的連接不良。
另外，如圖14和圖15所示，TFT陣列基板10＇的配線或TFT30的至少一部分形成為凹狀的坑，上側(cè)表面形成平坦狀。結(jié)果，形成數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a、電容線3b等配線或TFT30的平面區(qū)域中的第三層間絕緣膜7的表面就被平坦化。其他構(gòu)成與第一實施例的情況一樣。
因此，按照第四實施例，與數(shù)據(jù)線6a重疊而形成掃描線3a、TFT30、電容線3b等的區(qū)域與象素開口區(qū)的階梯差就被減小了。這樣，由于象素電極9a被平坦化，所以，能夠根據(jù)相應(yīng)的平坦化的程度降低液晶層50的旋轉(zhuǎn)位移(デイスクリネ-シヨン)(Disclination)。結(jié)果，能夠顯示更高品位的圖象，并能夠擴大象素開口區(qū)。
而且，不是在這樣的TFT陣列基板10＇上形成溝來平坦化，而是例如用CMP(化學(xué)機械拋光)處理、旋涂處理、回流法等來進行平坦化，也可以用有機SOG(玻璃旋轉(zhuǎn))膜、無機SOG膜、聚酰亞胺膜等來進行第二層間絕緣膜4或第三層間絕緣膜7中的平坦化。上述的構(gòu)成也能夠適用于第一實施例、第二實施例和第三實施例。
(電光學(xué)裝置的整體構(gòu)成)參照圖16和圖17來說明像上面那樣構(gòu)成的各實施例中的電光學(xué)裝置的整體構(gòu)成。圖16是從對面基板20側(cè)來一起看TFT陣列基板10和形成在其上的各構(gòu)成要素的平面圖，圖17是圖16的H-H＇的斷面圖。
在圖16中，在TFT陣列基板10上沿其邊緣設(shè)置有密封材料52，與其內(nèi)側(cè)并行地設(shè)置有作為例如界定用與第二遮光膜23相同或不同的材料構(gòu)成的圖象顯示區(qū)的周邊的額緣的第三遮光膜53。在密封材料52的外側(cè)區(qū)域，沿TFT陣列基板10的一邊設(shè)置有把圖象信號按規(guī)定的定時供給數(shù)據(jù)線6a來驅(qū)動數(shù)據(jù)線6a的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101和外部電路連接端子102，并沿與該一邊相鄰接的兩邊設(shè)置有把掃描信號按規(guī)定的定時供給掃描線3a來驅(qū)動掃描線3a的掃描線驅(qū)動電路104。如果供給掃描線3a的掃描信號延遲不成問題的話，掃描線驅(qū)動電路104僅單側(cè)良好是不言而喻的。也可以沿圖象顯示區(qū)的邊緣把數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101排列在兩側(cè)。奇數(shù)列數(shù)據(jù)線例如也可以從沿圖象顯示區(qū)的一邊配置的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路供給圖象信號；偶數(shù)列數(shù)據(jù)線從沿上述圖象顯示區(qū)的對面的邊配置的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路供給圖象信號。這樣，如果按梳齒狀驅(qū)動數(shù)據(jù)線的話，因為能夠擴大數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路的占有面積，所以，就能夠構(gòu)成復(fù)雜的電路。另外，在TFT陣列基板10的剩余的一邊設(shè)置有用來連接設(shè)置在圖象顯示區(qū)的兩側(cè)的掃描線驅(qū)動電路104之間的多條配線105。對面基板20的角部的至少一處設(shè)置有用來使在TFT陣列基板10與對面基板20之間電氣導(dǎo)通的導(dǎo)通材料106。如圖17所示，用密封材料52把具有與圖16所示的該密封材料52幾乎同樣輪廓的對面基板20固定在TFT陣列基板10上。在TFT陣列基板10上，除這些數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101、掃描線驅(qū)動電路104等之外，還可以形成有取樣電路、預(yù)充電電路和檢查電路，取樣電路按規(guī)定的定時把圖象信號施加于多條數(shù)據(jù)線6a，預(yù)充電電路分別先于圖象信號把規(guī)定電壓電平的預(yù)充電信號施加于多條數(shù)據(jù)線6a，檢查電路用來檢查制造中或發(fā)貨時該電光學(xué)裝置的質(zhì)量、缺欠等。按照本實施例，可以把對面基板20上的第二遮光膜23形成得比TFT陣列基板10上的遮光膜更小，從而能夠根據(jù)電光學(xué)裝置的用途容易地除掉。
在以上從參照圖1到圖17所說明的各實施例中，也可以不把數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101和掃描線驅(qū)動電路104設(shè)置在TFT陣列基板10上，而是經(jīng)設(shè)置在TFT陣列基板10的周邊部上的各向異性導(dǎo)電膜電氣及機械地連接到實際安裝到例如TAB(自動粘接帶)基板上的驅(qū)動用LSI上。根據(jù)例如TN(扭轉(zhuǎn)向列)模式、VA(垂直對正)模式、PDLC(聚合物彌散液晶)模式等工作模式或正常白電平模式／正常黑電平模式之不同按規(guī)定的方向把偏光膜、相位差膜、偏光板等分別配置在對面基板20的投射光入射側(cè)和TFT陣列基板10的出射光出射側(cè)。
為了把以上所說明的各實施例中的電光學(xué)裝置適用于投影儀，把三個電光學(xué)裝置分別用作RGB用的光閥，分別經(jīng)RGB分色用的二向色鏡分解的各色光作為投射光被分別入射到各光閥中。因此，在各實施例中，不把濾色片設(shè)置在對面基板20上。但是，在面對未形成第二遮光膜23的象素電極9a的規(guī)定區(qū)域內(nèi)也可以把RGB的濾色片與其保護膜一起形成在對面基板20上。這樣，各實施例中的電光學(xué)裝置能夠適用于液晶投影儀以外的直視型或反射型的彩色電光學(xué)裝置。另外，在對面基板20上也可以形成與象素一一對應(yīng)的微透鏡?；蛘撸梢栽诿鎸FT陣列基板10上的RGB的象素電極9a的下面用彩色保護膜等形成彩色濾色層。這樣，就能夠提高入射光的集光效率，從而能夠?qū)崿F(xiàn)明亮的電光學(xué)裝置。另外，在對面基板20上堆積各層折射率不同的干涉層，也可以形成利用光的干涉作出RGB色的二向色濾色層。如用附加了該二向色濾色層的對面基板能夠?qū)崿F(xiàn)更明亮的彩色電光學(xué)裝置。
在以上所說明的各實施例中的電光學(xué)裝置中，與原來一樣，從對面基板20側(cè)入射入射光，但是由于設(shè)置有第一遮光膜11a(或11a＇)，所以，也可以從TFT陣列基板10側(cè)入射入射光，從對面基板20側(cè)射出。即即使把電光學(xué)裝置這樣安裝在投影儀中，也能夠防止光入射到半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a＇和低濃度源區(qū)1b以及低濃度漏區(qū)1c，從而能夠顯示高質(zhì)量的圖象。這里，原來，為了防止在TFT陣列基板10里面?zhèn)鹊姆瓷?，另外設(shè)置了被覆防反射用的AR(防反射)的偏光板，還必須貼附AR膜，但是，在各實施例中，因為在TFT陣列基板10的表面與半導(dǎo)體層1a的至少溝道區(qū)1a＇和低濃度源區(qū)1b以及低濃度漏區(qū)1c之間形成有第一遮光膜11a(或11a＇)，所以，就不必一面使用被覆有這樣AR的的偏光板或AR膜，還要使用對TFT陣列基板10實施了AR處理的基板。因此，按照各實施例，能夠降低材料成本，并在貼附偏光板時，不會因灰塵、損傷等而降低成品率。而且因為耐光性優(yōu)越，所以可以使用明亮的光源，并用偏光分束器進行偏光變換，來提高光利用率，也不會因光的串擾等引起圖象質(zhì)量劣化。
作為各象素中設(shè)置的切換元件，雖然說明了正交錯型或共面型多晶硅TFT，即使對于反交錯型的TFT或非晶硅TFT等其他形式的TFT，各
(電子機器)
下面參照圖18到圖20來說明具備上面詳細描述的電光學(xué)裝置100的電子機器的實施例。
首先，在圖18中，表示具備這種電光學(xué)裝置100的電子機器的概略構(gòu)成。
在圖18中，電子機器由顯示信息輸出源1000、顯示信息處理電路1002、驅(qū)動電路1004、電光學(xué)裝置100、時鐘信號發(fā)生電路1008以及電源電路1010構(gòu)成。顯示信息輸出源1000包含有ROM(只讀存儲器)、RAM(隨機存取存儲器)、光盤裝置等存儲器、調(diào)諧輸出圖象信號的調(diào)諧電路等，根據(jù)來自時鐘信號發(fā)生電路1008的時鐘信號把規(guī)定格式的圖象信號等顯示信息輸出到顯示信息處理電路1002。顯示信息處理電路1002由放大·極性翻轉(zhuǎn)電路、串行-并行變換電路、旋轉(zhuǎn)電路、灰度系數(shù)補償電路、嵌位電路等眾所周知的各種處理電路構(gòu)成，并根據(jù)時鐘信號從所輸入的顯示信息依次生成數(shù)字信號，再與時鐘信號CLK一起輸出到驅(qū)動電路1004。驅(qū)動電路1004驅(qū)動電光學(xué)裝置100。電源電路1010對上述各電路供給規(guī)定的電源。在構(gòu)成電光學(xué)裝置100的TFT陣列基板上，也可以裝載驅(qū)動電路1004，除此之外，還可以裝載顯示信息處理電路1002。
圖19到圖20中，分別表示了這樣構(gòu)成的電子機器的具體例。
在圖19中，作為電子機器一例的投影儀1100準備有三個光閥分別用作各RGB用光閥100R、100G和100B，光閥包含有TFT陣列基板上裝載了上述驅(qū)動電路1004的電光學(xué)裝置100。在投影儀1100中，從金屬鹵化物燈等白色光源的照明單元1102發(fā)出投射光時，用三面鏡子1106和兩面2向色鏡1108把投射光分成為對應(yīng)于RGB三原色的光分量R、G、B，并分別導(dǎo)入與各色對應(yīng)的光閥100R、100G、100B。這時，特別是為了防止長光路引起的光損，經(jīng)由入射透鏡1122、中繼透鏡1123和出射透鏡1124構(gòu)成的中繼透鏡系統(tǒng)1121導(dǎo)入B光。把對應(yīng)于由光閥100R、100G、100B分別調(diào)制的三原色的光分量再次用2向色棱鏡1112合成之后，經(jīng)投射透鏡1114投射導(dǎo)屏幕1120上，作為彩色圖象。
在圖20中，作為電子機器的其他例子的多媒體對應(yīng)的便攜式小型個人計算機(PC)1200，把上述電光學(xué)裝置100設(shè)置在頂蓋盒內(nèi)，另外，還設(shè)置有在容納CPU、存儲器、調(diào)制解調(diào)器等的同時把鍵盤1202組裝起來的主體1204。
除以上參照圖19和圖20說明的電子機器之外，作為圖18所示的電子機器的例子，還列舉有液晶電視、取景器型或監(jiān)視器直視型的錄象機、汽車導(dǎo)航裝置、電子帳本、臺式電子計算機、字處理器、工程·工作站(EWS)、攜帶式電話、電視電話、POS終端、具有觸摸式面板的裝置等。
如上之說明，按照本實施例，能夠?qū)崿F(xiàn)具有制造效率高、可以高品位圖象顯示的電光學(xué)裝置的各種電子機器。
權(quán)利要求
1．一種電光學(xué)裝置，其特征在于在基板上設(shè)置有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、對應(yīng)于所述各掃描線與所述各數(shù)據(jù)線的交叉處配置的薄膜晶體管和象素電極、插在構(gòu)成所述薄膜晶體管的源和漏區(qū)的半導(dǎo)體層和所述象素電極之間并與所述半導(dǎo)體層電氣連接且與所述象素電極電氣連接的遮光性的第一導(dǎo)電層、以及由與所述第一導(dǎo)電層同一薄膜構(gòu)成并沿平面看至少部分地與所述數(shù)據(jù)線重疊的第二導(dǎo)電層。
2．根據(jù)權(quán)利要求1記載的電光學(xué)裝置，其特征在于沿平面看所述第二導(dǎo)電層至少部分地與所述象素電極重疊。
3．根據(jù)權(quán)利要求1或2記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第一導(dǎo)電層經(jīng)第一接觸孔與所述半導(dǎo)體層電氣連接，且經(jīng)所述第二接觸孔與所述象素電極電氣連接。
4．根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述數(shù)據(jù)線經(jīng)第三接觸孔與所述半導(dǎo)體層電氣連接。
5．根據(jù)權(quán)利要求1至4的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于沿平面看所述數(shù)據(jù)線至少部分地與所述象素電極重疊。
6．根據(jù)權(quán)利要求1至5的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第二導(dǎo)電層與定電位線電氣連接。
7．根據(jù)權(quán)利要求1至6的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于在所述半導(dǎo)體層之中的至少溝道區(qū)的所述基板側(cè)還設(shè)置有經(jīng)襯底絕緣膜形成的遮光膜。
8．根據(jù)權(quán)利要求1至7的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層包含高熔點金屬。
9．根據(jù)權(quán)利要求1至8的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第二導(dǎo)電層和所述數(shù)據(jù)線經(jīng)層間絕緣膜至少部分地面對配置。
10．根據(jù)權(quán)利要求1至9的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于還設(shè)置有連接在所述象素電極上的蓄電電容器。
11．根據(jù)權(quán)利要求10記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層經(jīng)絕緣膜被設(shè)置在所述掃描線和所述蓄電電容器的一方的電極上。
12．根據(jù)權(quán)利要求11記載的電光學(xué)裝置，其特征在于由所述半導(dǎo)體層的一部分構(gòu)成的第一蓄電電容器電極和所述蓄電電容器的一方的電極即第二蓄電電容器電極經(jīng)第一介質(zhì)膜面對地設(shè)置，所述第二蓄電電容器電極與由所述第一導(dǎo)電層的一部分構(gòu)成的第三蓄電電容器電極經(jīng)第二介質(zhì)膜面對地配置，從而形成所述蓄電電容器。
13．根據(jù)權(quán)利要求10至12的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第二導(dǎo)電層連接在所述第二蓄電電容器電極上。
14．根據(jù)權(quán)利要求13記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第二導(dǎo)電層經(jīng)第四接觸孔電氣連接在所述第二蓄電電容器電極上；所述第四接觸孔通過與所述第一接觸孔的開孔工藝同樣的工藝開孔。
15．根據(jù)權(quán)利要求12記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第二蓄電電容器電極被延伸設(shè)置，并且是電容線。
16．根據(jù)權(quán)利要求13記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第二蓄電電容器電極與所述遮光膜連接。
17．根據(jù)權(quán)利要求16記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述遮光膜兼做電容線，所述第二蓄電電容器電極使所述基板上的平面形狀相鄰接的數(shù)據(jù)線間沿所述掃描線延伸，并在每個象素電極上構(gòu)成為島狀，同時，連接在所述遮光膜上。
18．根據(jù)權(quán)利要求15記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述遮光膜經(jīng)開孔在不同于所述第四接觸孔的平面位置上的第五接觸孔電氣連接在所述電容線上。
19．根據(jù)權(quán)利要求10至18的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第二導(dǎo)電層和所述遮光膜經(jīng)第二蓄電電容器電極電氣連接，所述第二導(dǎo)電層和所述遮光膜被連接在鄰接的象素電極上。
20．根據(jù)權(quán)利要求1至19的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層被設(shè)置在比所述數(shù)據(jù)線更下面的下層上。
21．根據(jù)權(quán)利要求1至20的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第二導(dǎo)電層沿平面看被設(shè)置為島狀，并至少部分地規(guī)定沿象素開口區(qū)之中的所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域。
22．根據(jù)權(quán)利要求1至10的任一項記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層被設(shè)置在比所述數(shù)據(jù)線更上面的上層上。
23．根據(jù)權(quán)利要求22記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述第二導(dǎo)電層除所述第一導(dǎo)電層存在的區(qū)域之外，沿平面看被設(shè)置為格子狀，并規(guī)定沿象素開口區(qū)域的所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的區(qū)域。
24．根據(jù)權(quán)利要求22或23記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電層經(jīng)與所述數(shù)據(jù)線同一膜構(gòu)成的中繼導(dǎo)電層連接起來。
25．根據(jù)權(quán)利要求24記載的電光學(xué)裝置，其特征在于所述數(shù)據(jù)線經(jīng)層間絕緣膜被夾持在所述蓄電電容器的一方電極與所述第二導(dǎo)電層之間。
26．一種電光學(xué)裝置的制造方法，所述電光學(xué)裝置在基板上設(shè)置有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、連接在所述各掃描線和所述各數(shù)據(jù)線上的薄膜晶體管和連接所述薄膜晶體管的象素電極；其特征在于所述制造方法包括如下步驟在所述基板上形成源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)構(gòu)成的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成絕緣薄膜；在所述絕緣薄膜上形成掃描線和蓄電電容器的一方電極；在所述掃描線和蓄電電容器的一方電極上形成第一層間絕緣膜；在所述絕緣薄膜和所述第一層間絕緣膜上開連通到所述半導(dǎo)體層的第一接觸孔；在所述第一層間絕緣膜上形成遮光性的第一導(dǎo)電層和由與所述第一導(dǎo)電層同一膜構(gòu)成的第二導(dǎo)電層，以使其經(jīng)所述第一接觸孔電氣連接到所述半導(dǎo)體層上；在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層上形成第二層間絕緣膜；在所述第二層間絕緣膜上形成數(shù)據(jù)線；在所述數(shù)據(jù)線上形成第三層間絕緣膜；在所述第二層間絕緣膜和所述第三層間絕緣膜上開連通到所述第一導(dǎo)電層的第二接觸孔；電層；所述第二導(dǎo)電層沿平面看至少部分地與所述數(shù)據(jù)線重合。
27．根據(jù)權(quán)利要求23記載的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于在形成所述第二層間絕緣膜的步驟之后，還包含在所述第二層間絕緣膜上開連通到所述半導(dǎo)體層的第三連接孔的步驟；在形成所述數(shù)據(jù)線的步驟中，形成所述數(shù)據(jù)線，以使其經(jīng)所述第三連接孔電氣連接到所述半導(dǎo)體層；在開所述第一連接孔的步驟中，開所述第一連接孔的同時，在所述第一層間絕緣膜上開連通到所述蓄電電容器的一個電極的第四連接孔；在所述形成第二導(dǎo)電層的步驟中，形成第二導(dǎo)電層，以使其經(jīng)所述第四連接孔電氣連接到所述蓄電電容器的一個電極。
28．一種電光學(xué)裝置的制造方法，所述電光學(xué)裝置在基板上設(shè)置有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、連接在所述各掃描線和所述各數(shù)據(jù)線上的薄膜晶體管和連接所述薄膜晶體管的象素電極；其特征在于所述制造方法包括如下步驟在所述基板上形成成為源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成絕緣薄膜；在所述絕緣薄膜上形成掃描線和蓄電電容器的一個電極；在所述掃描線和蓄電電容器的一個電極上形成第一層間絕緣膜；在所述第一層間絕緣膜上開連通到所述半導(dǎo)體層的第一連接孔；在所述第一層間絕緣膜上形成數(shù)據(jù)線的同時，由與所述數(shù)據(jù)線同一膜構(gòu)成中繼導(dǎo)電層，以使其經(jīng)所述第一連接孔電氣連接到所述半導(dǎo)體層；在所述數(shù)據(jù)線和所述中繼導(dǎo)電層上形成第二層間絕緣膜；在所述第二層間絕緣膜上開連通到所述中繼導(dǎo)電層的第二連接孔；在所述第二層間絕緣膜上形成遮光性的第一導(dǎo)電層，以使其經(jīng)所述第二連接孔電氣連接到所述中繼導(dǎo)電層，同時形成由與所述第一導(dǎo)電層同一膜構(gòu)成的第二導(dǎo)電層，該層沿平面看與所述數(shù)據(jù)線重合；在所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層上形成第三層間絕緣膜；在所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層上形成第三層間絕緣膜；在所述第三層間絕緣膜上開連通到所述第一導(dǎo)電層的第三接觸孔；形成象素電極，以使其經(jīng)所述第三接觸孔電氣連接到所述第一導(dǎo)電層。
29．根據(jù)權(quán)利要求28記載的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于在形成所述第一層間絕緣膜的步驟之后，還包含在所述第一層間絕緣膜上開連通到所述半導(dǎo)體層的第四接觸孔的步驟；在形成所述數(shù)據(jù)線的步驟中，形成所述數(shù)據(jù)線，以使其經(jīng)所述第四接觸孔電氣連接到所述半導(dǎo)體層；在開所述第二接觸孔的步驟中，開所述第二接觸孔的同時，在所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜上開連通到所述蓄電電容器的一方電極的第五接觸孔；在所述形成第二導(dǎo)電層的步驟中，形成所述第二導(dǎo)電層，以使其經(jīng)所述第五接觸孔電氣連接到所述蓄電電容器的一方電極。
30．一種電子機器，其特征在于具有權(quán)利要求1至25的任一項記載的電光學(xué)裝置。
全文摘要
在TFT有源矩陣驅(qū)動方式的電光學(xué)裝置中,為了用比較簡單的構(gòu)成而能夠中繼象素電極和半導(dǎo)體層且提高象素開口率并能夠高品位圖象顯示,電光學(xué)裝置在TFT陣列基板(10)上設(shè)置有TFT(30)、數(shù)據(jù)線(6a)、掃描線(3a)、電容線(3b)和象素電極(9a)。象素電極和TFT之間中繼第一阻擋層(80a),并且接觸孔(8a)和接觸孔(8b)電氣連接。第二阻擋層(80b)設(shè)置得比數(shù)據(jù)線更寬,其一部分與象素電極重疊,并界定象素開口區(qū)。
文檔編號G02F1/13GK1292100SQ9980337
公開日2001年4月18日 申請日期1999年12月27日 優(yōu)先權(quán)日1998年12月28日
發(fā)明者村出正夫 申請人:精工愛普生株式會社