組合式掩模板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管顯示器的制作領域，尤其涉及一種組合式掩模板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二級管顯示器(Organic Light Emitting D1de，0LED)是一種極具發(fā)展前景的平板顯示技術，它具有十分優(yōu)異的顯示性能，特別是自發(fā)光、結構簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗及可實現柔性顯示等特性，被譽為“夢幻顯示器”，再加上其生產設備投資遠小于TFT-1XD，得到了各大顯示器廠家的青睞，已成為顯示技術領域中第三代顯示器件的主力軍。目前OLED已處于大規(guī)模量產的前夜，隨著研宄的進一步深入，新技術的不斷涌現，OLED顯示器件必將有一個突破性的發(fā)展。
[0003]OLED具有依次形成于基板上的陽極、有機發(fā)光層和陰極。OLED各功能材料層與陰極金屬層薄膜通過真空熱蒸鍍工藝制備，真空熱蒸鍍工藝需要使用到掩膜板(Mask)。掩膜板的作用是使OLED材料蒸鍍到設計的位置，因此掩膜板的開孔位置、形狀以及表面平整度都相當重要。圖1所示為OLED材料真空熱蒸鍍過程的示意圖，坩禍100內添置有待蒸鍍的OLED材料200，在小于10_5Pa的真空度環(huán)境下，坩禍100緩慢升溫，到達OLED材料200的氣化溫度以后，OLED材料200慢慢變成氣態(tài)升華上來，穿過掩膜板300的開孔，氣態(tài)分子在基板400表面沉積，并降溫凝結成固態(tài)分子。OLED材料分子的不斷堆積慢慢形成薄膜于基板400 上。
[0004]請參閱圖2至圖6，為現有的OLED材料真空熱蒸鍍用的尺寸較小的掩膜板制作過程的示意圖。該制作過程一般包括:步驟1、如圖2所示，制作不銹鋼掩膜邊框(Frame) 10 ;步驟2、如圖3所示，提供掩膜基板20’，該掩膜基板20’ 一般是20微米至100微米的不銹鋼或鎳鐵合金鋼的薄片；步驟3、如圖4所示，對掩膜基板20’進行圖案化處理，即在掩膜基板20’上開一些小孔21，形成掩膜20 ;步驟4、如圖5所示，在掩膜20四周施加一定的力，使其表面平整，并且開孔21無變形，然后將掩膜20與掩膜邊框10對位好；步驟5、如圖6所示，激光點焊，使掩膜20與掩膜邊框10焊接在一起。完成上述制作過程后，掩膜20的表面平整，開孔21無形變，并且通過挪動掩膜邊框10可以方便取用掩膜20。
[0005]對于白光OLED (WOLED)高世代線，特別是6代或以上，所使用的掩膜板，其掩膜基板尺寸在1500mm x 1800mm以上，尺寸較大，已無相對應的平坦整片式的原料板材可挖空來制做掩膜，而需采用組合式的掩膜。
[0006]現有的用于WOLED高世代線的較大尺寸的組合式掩膜板，由于掩膜重疊區(qū)域的厚度不一樣，為避免基板貼合時出現破片需在掩膜邊框上挖槽，并存在陰影效應問題。

【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種組合式掩膜板，其掩膜邊框無需挖槽，掩膜的厚度均勻，能夠降低掩膜邊框返修拋光時平面度的加工難度，易于對掩膜邊框進行重復利用，并避免陰影效應的產生。
[0008]本發(fā)明的目的還在于提供一種掩膜板的制作方法，適用于制作較大尺寸的組合式掩膜板，采用該方法制作的組合式掩膜板，其掩膜邊框無需挖槽，掩膜的厚度均勻，能夠降低掩膜邊框返修拋光時平面度的加工難度，易于對掩膜邊框進行重復利用，并避免陰影效應的產生。
[0009]為實現上述目的，本發(fā)明首先提供一種組合式掩膜板，包括掩膜邊框、數條并列平行于掩膜邊框長邊的第一摭板、及數條并列平行于掩膜邊框短邊的第二摭板；
[0010]所述數條第一摭板的兩端通過點焊固定于掩膜邊框的短邊上，所述數條第二摭板的兩端通過點焊固定于掩膜邊框的長邊上；所述數條第一摭板與數條第二摭板相互交疊，形成具有多個成膜孔的網格狀結構；
[0011]所述數條第一摭板與數條第二摭板的厚度相等；所述第一摭板與第二摭板交疊的部位設有貫穿該第一摭板寬度的第一凹槽，所述第二摭板與第一摭板交疊的部位設有貫穿該第二摭板寬度的第二凹槽；所述第一、第二摭板通過第一、第二凹槽相互嵌合、交疊，并使得所述第一、第二摭板的上、下表面分別位于同一平面。
[0012]所述第一凹槽沿第一摭板長度方向的尺寸等于第二摭板的寬度，所述第二凹槽沿第二摭板長度方向的尺寸等于第一摭板的寬度。
[0013]所述第一、第二凹槽的深度之和等于所述第一摭板或第二摭板的厚度。
[0014]所述第一、第二凹槽的深度均為所述第一摭板或第二摭板厚度的1/2。
[0015]所述第一、第二摭板通過第一、第二凹槽相互嵌合、交疊的部位再經激光焊接使所述第一摭板與第二摭板牢固連接。
[0016]本發(fā)明還提供一種組合式掩膜板的制作方法，包括如下步驟:
[0017]步驟1、通過蝕刻或激光制作數條第一摭板與數條第二摭板；
[0018]所述數條第一摭板與數條第二摭板的厚度相等；所述第一摭板與第二摭板欲交疊的部位設有貫穿該第一摭板寬度的第一凹槽，所述第二摭板與第一摭板欲交疊的部位設有貫穿該第二摭板寬度的第二凹槽；
[0019]步驟2、提供掩膜邊框，將所述數條第一摭板的兩端通過點焊固定于掩膜邊框的短邊上，所述數條第二摭板的兩端通過點焊固定于掩膜邊框的長邊上；
[0020]所述數條第一摭板與數條第二摭板相互交疊，形成具有多個成膜孔的網格狀結構；所述第一、第二摭板通過第一、第二凹槽相互嵌合、交疊在一起，并使得所述第一、第二摭板的上、下表面分別位于同一平面；
[0021]步驟3、對所述第一、第二摭板通過第一、第二凹槽相互嵌合、交疊的部位進行激光焊接，使所述第一摭板與第二摭板牢固連接。
[0022]所述步驟2先將數條第一摭板與數條第二摭板進行交疊，再將數條第一、第二摭板的兩端通過點焊固定于掩膜邊框上。
[0023]所述步驟2先將所述數條第一摭板的兩端或第二摭板的兩端通過點焊固定于掩膜邊框上，再相應將第二摭板的兩端或第一摭板的兩端通過點焊固定于掩膜邊框上。
[0024]所述第一凹槽沿第一摭板長度方向的尺寸等于第二摭板的寬度，所述第二凹槽沿第二摭板長度方向的尺寸等于第一摭板的寬度；所述第一、第二凹槽的深度之和等于所述第一摭板或第二摭板的厚度。
[0025]所述第一、第二凹槽的深度均為所述第一摭板或第二摭板厚度的1/2。
[0026]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種組合式掩膜板及其制作方法，將掩膜邊框與第一、第二摭板組合，設置第一、第二摭板的厚度相同，且第一、第二摭板通過第一、第二凹槽相互嵌合、交疊，使得所述第一、第二摭板的上、下表面分別位于同一平面，第一、第二摭板交疊處的厚度仍為單獨的第一或第二摭板的厚度，從而實現掩膜邊框無需挖槽，掩膜的厚度均勻，能夠降低掩膜邊框返修拋光時平面度的加工難度，易于對掩膜邊框進行重復利用，避免了現有的組合式掩膜板陰影效應的產生。
[0027]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0028]下面結合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0029]附圖中，
[0030]圖1為OLED材料真空熱蒸鍍過程的示意圖；
[0031]圖2為現有的掩膜板制作過程步驟I的示意圖；
[0032]圖3為現有的掩膜板制作過程步驟2的示意圖；
[0033]圖4為現有的掩膜板制作過程步驟3的示意圖；
[0034]圖5為現有的掩膜板制作過程步驟4的示意圖；
[0035]圖6為現有的掩膜板制作過程步驟5的示意圖；
[0036]圖7為本發(fā)明組合式掩膜板的俯視示意圖；
[0037]圖8為本發(fā)明組合式掩膜板的第一、第二摭板相互交疊形成的網格狀結構的示意圖；
[0038]圖9為對應圖8中C-C處的剖視圖；
[0039]圖10為對應圖8中D-D處的剖視圖；
[0040]圖11為本發(fā)明組合式掩膜板的第一摭板的立體示意圖；
[0041]圖12為本發(fā)明組合式掩膜板的第二摭板的立體示意圖；
[0042]圖13為本發(fā)明組合式掩膜板的制作方法的流程圖；
[0043]圖14A、圖14B為本發(fā)明組合式掩膜板的制作方法的步驟2的第一種實施方式的示意圖；
[0044]圖15A、圖15B為本發(fā)明組合式掩膜板的制作方法的步驟2的第二種實施方式的示意圖。
【具體實施方式】
[0045]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0046]請同時參閱圖7至圖12，本發(fā)明首先提供一種組合式掩膜板，包括:
[0047]掩膜邊框1，所述掩膜邊框I包括四條邊，該四條邊圍攏出一開口區(qū)域；
[0048]數條第一摭板2，所述數條第一摭板2并列平行于掩膜邊框I的長邊；
[0049]及數條第二摭板3，所述數條第二摭板3并列平行于掩膜邊框I的短邊。
[0050]所述數條第一摭板2的兩端通過點焊固定于掩膜邊框I的短邊上，所述數條第二摭板3的兩端通過點焊固定于掩膜邊框I的長邊上；所述數條第一摭板2與數條第二摭板3相互交疊，形成具有多個成膜孔4的網格狀結構，該網格結構即構成掩膜圖形。
[0051]需要重點說明的是，所述數條第一摭板2與數條第二摭板3的厚度相等。所述第一摭板2與第二摭板3交疊的部位設有貫穿該第一摭板2寬度的第一凹槽21 ;所述第二摭板3與第一摭板2交疊的部位設有貫穿該第二摭板3寬度的第二凹槽31。所述第一、第二摭板2、3通過第一、第二凹槽21、31相互嵌合、交疊，并使得所述第一、第二摭板2、3的上、下表