一種雙柵線陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙柵線陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜晶體管液晶顯不 器）作為目前主流的顯示器件，廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、監(jiān)控器、電視機(jī)等顯示產(chǎn)品中。
[0003] TFT-LCD本身的像素結(jié)構(gòu)使其不可避免的存在因柵極電壓由高至低而造成的跳變 電壓，跳變電壓的產(chǎn)生會對TFT-IXD的顯示品質(zhì)產(chǎn)生直接的影響。
[0004] 基于此，通過降低跳變電壓以獲得高品質(zhì)的TFT-LCD，對于提高市場競爭力和獲得 良好的用戶體驗至關(guān)重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實施例提供一種雙柵線陣列基板和顯示裝置，可增大顯示裝置的存儲電 容，從而降低跳變電壓，改善顯示品質(zhì)。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
[0007] -方面，提供一種雙柵線陣列基板，包括橫縱交錯的多個柵線組和多條數(shù)據(jù)線， 以及陣列排布的多個像素單元；所述柵線組包括第一柵線和第二柵線；所述陣列基板還包 括：位于所述像素單元內(nèi)部的第一公共電極線，以及與所述第一柵線和所述第二柵線之間 的間隙對應(yīng)的第二公共電極線；位于所述像素單元內(nèi)部的像素電極，以及與所述像素電極 電連接的輔助電極；其中，所述第一公共電極線與所述像素電極之間具有交疊區(qū)域，所述第 二公共電極線與所述輔助電極之間具有交疊區(qū)域。
[0008] 優(yōu)選的，所述像素電極與所述輔助電極具有一體化結(jié)構(gòu)。
[0009] 進(jìn)一步優(yōu)選的，所述輔助電極包括與所述第二公共電極線相互交疊的條狀部和與 所述像素電極相連的連接部；其中，沿平行于所述柵線組的方向，所述連接部的尺寸小于所 述條狀部的尺寸。
[0010] 優(yōu)選的，所述第一公共電極線與所述第二公共電極線電連接。
[0011] 可選的，所述第一公共電極線與所述第二公共電極線通過連接橋進(jìn)行電連接；其 中，所述連接橋與所述像素電極同層形成。
[0012] 優(yōu)選的，所述第一公共電極線與所述柵線組同層形成；所述第二公共電極線與所 述數(shù)據(jù)線同層形成，且與所述數(shù)據(jù)線之間相互絕緣。
[0013] 可選的，所述像素單元內(nèi)部還設(shè)置有薄膜晶體管；其中，相鄰兩個像素單元的薄膜 晶體管分別與所述第一柵線和所述第二柵線相連。
[0014] 另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0015] 本發(fā)明的實施例提供一種雙柵線陣列基板和顯示裝置。
[0016] 現(xiàn)有技術(shù)中，所述第一公共電極線與所述像素電極之間存在交疊區(qū)域，因此可在 二者之間形成存儲電容；但是，該存儲電容形成在像素單元的內(nèi)部，若要增大存儲電容，則 需增加所述第一公共電極線與所述像素電極之間的相對面積，這樣必然導(dǎo)致像素單元的開 口率有所下降。
[0017] 本發(fā)明的實施例中，通過在所述像素單元的外部（即，所述第一柵線與所述第二 柵線之間）設(shè)置相互交疊的第二公共電極線和輔助電極，這樣一來，在不影響像素單元開 口率的前提下，即可在所述第二公共電極線與所述輔助電極之間形成附加存儲電容。
[0018] 相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的實施例可在不影響開口率的前提下，有效的提高存儲 電容的大小。
[0019] 在此基礎(chǔ)上，跳變電壓的理論公式如下：
[0020]
【主權(quán)項】
1. 一種雙柵線陣列基板，包括橫縱交錯的多個柵線組和多條數(shù)據(jù)線，以及陣列排布的 多個像素單元；所述柵線組包括第一柵線和第二柵線；其特征在于， 所述陣列基板還包括： 位于所述像素單元內(nèi)部的第一公共電極線，以及與所述第一柵線和所述第二柵線之間 的間隙對應(yīng)的第二公共電極線； 位于所述像素單元內(nèi)部的像素電極，以及與所述像素電極電連接的輔助電極； 其中，所述第一公共電極線與所述像素電極之間具有交疊區(qū)域，所述第二公共電極線 與所述輔助電極之間具有交疊區(qū)域。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極與所述輔助電極具有 一體化結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助電極包括與所述第二公共 電極線相互交疊的條狀部和與所述像素電極相連的連接部； 其中，沿平行于所述柵線組的方向，所述連接部的尺寸小于所述條狀部的尺寸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極線與所述第二公 共電極線電連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極線與所述第二公 共電極線通過連接橋進(jìn)行電連接； 其中，所述連接橋與所述像素電極同層形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極線與所述柵線組 同層形成； 所述第二公共電極線與所述數(shù)據(jù)線同層形成，且與所述數(shù)據(jù)線之間相互絕緣。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元內(nèi)部還設(shè)置 有薄膜晶體管； 其中，相鄰兩個像素單元的薄膜晶體管分別與所述第一柵線和所述第二柵線相連。
8. -種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項所述的陣列基板。
【專利摘要】本發(fā)明的實施例提供一種雙柵線陣列基板和顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可增大顯示裝置的存儲電容，從而降低跳變電壓，改善顯示品質(zhì)。所述雙柵線陣列基板包括橫縱交錯的多個柵線組和多條數(shù)據(jù)線，以及陣列排布的多個像素單元；所述柵線組包括第一柵線和第二柵線；所述陣列基板還包括：位于像素單元內(nèi)部的第一公共電極線，以及與第一柵線和第二柵線之間的間隙對應(yīng)的第二公共電極線；位于像素單元內(nèi)部的像素電極，以及與像素電極電連接的輔助電極；其中，所述第一公共電極線與所述像素電極之間具有交疊區(qū)域，所述第二公共電極線與所述輔助電極之間具有交疊區(qū)域。用于顯示裝置的制造。
【IPC分類】G02F1-1345, G02F1-1362
【公開號】CN104570530
【申請?zhí)枴緾N201510053859
【發(fā)明人】馮博, 馬禹
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2015年2月2日