掩模板及其改善拼接曝光姆拉現(xiàn)象的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩模板及其改善拼接曝光姆拉現(xiàn)象的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]信息化社會越來越需要輕薄便攜式的顯示設(shè)備，目前比較成熟的產(chǎn)品是薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)液晶顯示器。TFT液晶顯示器主要是由TFT陣列基板、對向彩膜基板以及夾在兩基板中間的液晶層構(gòu)成。其中，TFT陣列基板主要包括陣列基板，和在陣列基板上層疊設(shè)置的柵極金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏極金屬層、絕緣膜保護(hù)層和透明像素層等。TFT陣列基板的制造過程是通過多次曝光、顯影和刻蝕，將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)至基板上的，從而形成了各種元件的圖案。
[0003]為了滿足大面積顯示的需求，TFT液晶顯示器面板的尺寸越來越大，使TFT陣列基板的制作過程也越發(fā)復(fù)雜。為了增大TFT陣列基板的尺寸，掩模版的尺寸也需要隨之增大，但是由于曝光機(jī)對掩模版尺寸的限定，以及大尺寸掩模版存在制造困難、成本過高、日常存放使用不便等問題，使得在制造TFT陣列基板時，需要將大尺寸的陣列基板劃分成若干區(qū)域，分別制作各區(qū)域?qū)?yīng)的掩模版部分，在制造時用這些掩模版分區(qū)域部分曝光，最終拼合成大尺寸的TFT陣列基板。
[0004]目前，在采用拼接曝光方式來制作TFT陣列基板的過程中，由于工廠的曝光機(jī)存在一定的曝光對位誤差，不可避免地使得拼接區(qū)域的圖形需要受到兩次甚至兩次以上的重復(fù)曝光，然而，圖形受到多次重復(fù)曝光后，其尺寸會變小，而跟其它只受到一次曝光的圖形相比有了一些差異，這種差異有可能會導(dǎo)致液晶面板制作完成后顯示畫面上的差異，進(jìn)而形成了拼接曝光姆拉現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種掩模板及其改善拼接曝光姆拉現(xiàn)象的方法，能夠有效地減輕甚至消除拼接曝光姆拉現(xiàn)象，減弱了各拼接區(qū)域的顯示亮度差異，從而提高了由拼接曝光制作的液晶面板的畫面品質(zhì)。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0007]本發(fā)明提供了一種掩膜板，應(yīng)用于采用拼接曝光方式制作陣列基板，所述陣列基板包括多個圖形區(qū)域和在相鄰的所述圖形區(qū)域之間的拼接區(qū)域；所述掩模板包括:多個完全透射區(qū)域和在相鄰的所述完全透射區(qū)域之間的部分透射區(qū)域；其中，所述完全透射區(qū)域與所述陣列基板上的圖形區(qū)域相對應(yīng)，所述部分透射區(qū)域與所述陣列基板上的拼接區(qū)域相對應(yīng)，所述部分透射區(qū)域的寬度大于所述拼接區(qū)域的寬度。
[0008]優(yōu)選地，所述部分透射區(qū)域的寬度為所述拼接區(qū)域的寬度與2倍的所述掩模板與所述陣列基板之間的對位精度之和。
[0009]優(yōu)選地，所述部分透射區(qū)域的曝光率為η分之一，其中，η為重復(fù)曝光的次數(shù)。
[0010]優(yōu)選地，所述掩模板還包括覆蓋所述完全透射區(qū)域和所述部分透射區(qū)域的透明的保護(hù)層。
[0011]優(yōu)選地，所述保護(hù)層的厚度為100微米。
[0012]本發(fā)明實施例還提供了一種改善拼接曝光姆拉現(xiàn)象的方法，應(yīng)用于采用拼接曝光方式制作陣列基板，所述陣列基板包括多個圖形區(qū)域和在相鄰的所述圖形區(qū)域之間的拼接區(qū)域；所述方法包括:在掩模板上設(shè)置與所述陣列基板上的圖形區(qū)域相對應(yīng)的完全透射區(qū)域；在掩模板上設(shè)置與所述拼接區(qū)域相對應(yīng)的部分透射區(qū)域，其中，所述部分透射區(qū)域的寬度大于所述拼接區(qū)域的寬度。
[0013]優(yōu)選地，所述部分透射區(qū)域的寬度為所述拼接區(qū)域的寬度與2倍的所述掩模板與所述陣列基板之間的對位精度之和。
[0014]優(yōu)選地，所述部分透射區(qū)域的曝光率為η分之一，其中，η為重復(fù)曝光的次數(shù)η。
[0015]優(yōu)選地，所述方法還包括:在所述完全透射區(qū)域和所述部分透射區(qū)域上設(shè)置透明的保護(hù)層。
[0016]優(yōu)選地，所述保護(hù)層的厚度為100微米。
[0017]本發(fā)明提供的掩膜板，包括:多個完全透射區(qū)域和在相鄰的所述完全透射區(qū)域之間部分透射區(qū)域；其中，所述完全透射區(qū)域與所述陣列基板上的圖形區(qū)域相對應(yīng)，所述部分透射區(qū)域與所述陣列基板上的拼接區(qū)域相對應(yīng)，所述部分透射區(qū)域的寬度大于所述拼接區(qū)域的寬度；如此，能夠有效地減輕甚至消除由于拼接曝光的線寬問題而引起的拼接曝光姆拉現(xiàn)象，減弱了各拼接區(qū)域的顯示亮度差異，從而提高了由拼接曝光制作的液晶面板的畫面品質(zhì)。
【附圖說明】
[0018]圖1a和圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中形成TFT圖案的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖1c為現(xiàn)有技術(shù)中兩組掩模板拼接形成的大尺寸TFT圖案的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2a為現(xiàn)有技術(shù)中采用拼接曝光方式制作大尺寸陣列基板時掩模板分區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2b為現(xiàn)有技術(shù)中采用拼接曝光方式制作大尺寸陣列基板時陣列基板分區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2c為現(xiàn)有技術(shù)中采用拼接曝光方式制作大尺寸陣列基板時陣列基板的拼接區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明實施例提供的掩模板中的部分透射區(qū)域?qū)?yīng)的在陣列基板上的位置不意圖；
[0024]圖4為本發(fā)明實施例改善拼接曝光姆拉現(xiàn)象的方法的實現(xiàn)流程示意圖。
[0025]附圖標(biāo)記:
[0026]10—TFT ;11—柵極金屬層；12—源極；13_-漏極；21—遮擋塊；22—拼接線；23—邊緣。
【具體實施方式】
[0027]本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板，應(yīng)用于采用拼接曝光方式制作陣列基板，所述陣列基板包括多個圖形區(qū)域和在相鄰的所述圖形區(qū)域之間的拼接區(qū)域；其特征在于，所述掩模板包括:多個完全透射區(qū)域和在相鄰的所述完全透射區(qū)域之間部分透射區(qū)域；其中，所述完全透射區(qū)域與所述陣列基板上的圖形區(qū)域相對應(yīng)，所述部分透射區(qū)域與所述陣列基板上的拼接區(qū)域相對應(yīng)，所述部分透射區(qū)域的寬度大于所述拼接區(qū)域的寬度。
[0028]這里，所述部分透射區(qū)域的寬度為所述拼接區(qū)域的寬度與2倍的所述掩模板與所述陣列基板之間的對位精度之和。
[0029]這里，所述部分透射區(qū)域的曝光率為η分之一，其中，η為重復(fù)曝光的次數(shù)。
[0030]這里，所述掩模板還包括覆蓋所述完全透射區(qū)域和所述部分透射區(qū)域的透明的保護(hù)層，所述保護(hù)層的厚度可以為100微米。
[0031]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明的技術(shù)方案，但是本發(fā)明的技術(shù)方案還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明專利的保護(hù)范圍不受下面記載的具體實施例的限制。其次，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，圖1至圖3中表示的示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)闡述。
[0032]在使用掩模板在基板上形成TFT圖案時，先利用柵極掩模板形成陣列排布的柵極金屬層，然后在各柵極金屬層上依次形成柵絕緣層和半導(dǎo)體層，再利用源漏極掩模板在各柵極金屬層的上方同時形成薄膜晶體管的源極、漏極。圖1a和圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中形成TFT圖案的平面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1a所示，利用柵極掩模板形成陣列排布的柵極金屬層11后，又在各柵極金屬層11上依次形成柵絕緣層和半導(dǎo)體層；然后如圖1b所示，利用源、漏極掩模板在各柵極金屬層11的上方同時形成源極12、漏極13。需要說明的是，在圖1a和圖1b以及下面的圖1c中為了清楚，柵絕緣層和半導(dǎo)體層未示出。
[0033]在形成大尺寸TFT陣列基板時，需要多組掩模板分別形成各區(qū)域圖案，其中，所述掩模板至少包括:柵極掩模板和源、漏極掩模板等，然后將各區(qū)域圖案拼接形成大尺寸圖案?，F(xiàn)以兩組掩模板形成圖案為例，圖1c為現(xiàn)有技術(shù)中兩組掩模板拼接形成的大尺寸TFT圖案的平面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1c所示，利用第一柵極掩模板形成左側(cè)的第一柵極金屬層，以及，利用第二柵極掩模板形成右側(cè)的第二柵極金屬層后；再利用第一源漏掩模板在圖中左側(cè)的第一柵極金屬層上形成第一源、漏極陣列圖案，以及，利用第二源漏極掩模板在圖中右側(cè)的第二柵極金屬層上形成第二源、漏極陣列圖案，然后將兩側(cè)圖案進(jìn)行拼接即可形成大尺寸的TFT陣列圖案。
[0034]下面以形成陣列基板的柵極金屬層圖案為例，來對現(xiàn)有的拼接曝光方式制作大尺寸陣列基板進(jìn)行詳細(xì)的說明；假設(shè)需要形成如圖2a所示的陣列基板的柵極金屬層圖案，在圖2a中，陣列基板的柵極金屬層圖案一共包括5個圖形區(qū)域，分別為區(qū)域A、B1、B2、B3和C，其中，區(qū)域B1、B2和B3為大尺寸陣列基板上需要重復(fù)的區(qū)域，其中，相鄰兩區(qū)域如區(qū)域A與BI之間、區(qū)域BI與B2之間、區(qū)域B2與B3之間和區(qū)域B3和C之間存在拼接區(qū)域，用于在分區(qū)域掩模和曝光后，將相鄰兩區(qū)域拼合成大尺寸的陣列基板。
[0035]在形成如圖2a所示的陣列基板的柵極金屬層圖案時，需要用到的三種掩模板分為三個區(qū)域，如圖2b所示，分別為區(qū)域A’、B’和C’，區(qū)域A’、B’和C’分別具有一種掩模圖形、且兩兩不相同，其中，掩模板的區(qū)域A’和C’分別對應(yīng)地用來形成圖2a中的陣