至圖5所示，本實(shí)施例之顯示裝置I包括一第一基板10、一像素陣列12、一柵極驅(qū)動(dòng)電路(gate driver on array) 20、多條周邊導(dǎo)線30、一第二基板40、一框膠42、一顯不介質(zhì)層44、一半透光圖案46以及一遮光圖案48。第一基板10具有一主動(dòng)區(qū)10A、一柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)1G與一周邊區(qū)10P，其中周邊區(qū)1P設(shè)置于主動(dòng)區(qū)1A之至少一側(cè)，且柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)1G設(shè)置于主動(dòng)區(qū)1A與該周邊區(qū)1P之間。第一基板10可包括一透明基板例如玻璃基板或塑膠基板，且第一基板10可為一硬質(zhì)基板或一可撓式基板。像素陣列12設(shè)置于第一基板10之主動(dòng)區(qū)1A內(nèi)。像素陣列12可包括多條柵極線GL與多條數(shù)據(jù)線DL，其中柵極線GL與數(shù)據(jù)線DL交錯(cuò)設(shè)置定義出多個(gè)呈陣列排列的次像素SP。各次像素SP包括一薄膜晶體管元件Tl、一像素電極PE以及一共通電極CE。薄膜晶體管元件Tl設(shè)置于第一基板10上，其中各薄膜晶體管元件Tl具有一柵極G1、一半導(dǎo)體通道層SE1、一柵極絕緣層G1、一源極SI以及一漏極D1，其中柵極Gl與對應(yīng)的柵極線GL電性連接，源極SI與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DL電性連接，且漏極Dl與像素電極PE電性連接。像素電極PE設(shè)置于第一基板10之保護(hù)層14上。在本實(shí)施例中，共通電極CE設(shè)置于第二基板40上，但不以此為限。在一變化實(shí)施例中，共通電極CE可設(shè)置于第一基板10上。像素電極PE與共通電極CE之材料可分別為透明導(dǎo)電材料例如氧化銦錫或氧化銦鋅，但不以此為限。柵極驅(qū)動(dòng)電路(gate driver on array) 20設(shè)置于第一基板10之柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)1G內(nèi)，其中柵極驅(qū)動(dòng)電路20包括多個(gè)薄膜晶體管元件T2，且各薄膜晶體管元件T2具有一柵極G2、一半導(dǎo)體通道層SE2、柵極絕緣層G1、一源極S2以及一漏極D2。柵極驅(qū)動(dòng)電路20制作于第一基板10上，其中柵極驅(qū)動(dòng)電路20的薄膜晶體管元件T2與次像素SP的薄膜晶體管元件Tl可以利用相同的工藝制作，但不以此為限。半導(dǎo)體通道層SEl與半導(dǎo)體通道層SE2的材料可包括各式半導(dǎo)體材料例如硅(例如非晶硅、多晶硅、單晶硅、微晶硅或納米晶硅)，或氧化物半導(dǎo)體材料例如氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide, IGZO)，但不以此為限。周邊導(dǎo)線30設(shè)置于第一基板10之周邊區(qū)1P內(nèi)，其中周邊導(dǎo)線30與柵極驅(qū)動(dòng)電路20連接。周邊導(dǎo)線30可包括多條匯流線(bus line) 301以及多條連接導(dǎo)線302，其中匯流線301實(shí)質(zhì)上可沿一第一方向LI (例如圖1之縱向方向)延伸，而連接導(dǎo)線302實(shí)質(zhì)上可沿一第二方向L2(例如圖1之橫向方向)延伸，但不以此為限。各匯流線301與一部分之連接導(dǎo)線302電性連接，借此匯流線301可經(jīng)由連接導(dǎo)線302傳遞信號至柵極驅(qū)動(dòng)電路20。在本實(shí)施例中，周邊導(dǎo)線30可與薄膜晶體管元件Tl以及薄膜晶體管元件T2利用相同的工藝制作。舉例而言，匯流線301可與源極S1、S2、漏極D1、D2以及數(shù)據(jù)線DL由同一層圖案化導(dǎo)電層例如圖案化不透明導(dǎo)電層(例如金屬層或合金層)所構(gòu)成，連接導(dǎo)線302可與柵極G1、G2以及柵極線GL由同一層圖案化導(dǎo)電層例如圖案化不透明導(dǎo)電層(例如金屬層或合金層)所構(gòu)成，但不以此為限。此外，匯流線301與連接導(dǎo)線302可利用一橋接導(dǎo)線303加以電性連接。精確而言，橋接導(dǎo)線303可設(shè)置于保護(hù)層14上，其中保護(hù)層14可暴露出一部分之匯流線301，而柵極絕緣層GI可暴露出一部分的連接導(dǎo)線302，借此橋接導(dǎo)線303可分別與匯流線301及連接導(dǎo)線302接觸。此外，橋接導(dǎo)線303可與像素電極PE由同一層圖案化導(dǎo)電層例如圖案化透明導(dǎo)電層所構(gòu)成，但不以此為限。
[0062]第二基板40與第一基板10相對設(shè)置。框膠42設(shè)置于第一基板10與第二基板40之間，用以接合第一基板10與第二基板40。框膠42位于第一基板10之至少一部分之周邊區(qū)1P與至少一部分之柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)1G內(nèi)，且框膠42在一垂直方向Z上與至少一部分的周邊導(dǎo)線30以及柵極驅(qū)動(dòng)電路20之至少一部分的薄膜晶體管元件T2重疊。框膠42可為一光硬化框膠，其在照射到特定波長的光線后會(huì)硬化并產(chǎn)生黏性。舉例而言，本實(shí)施例之框膠42可選用一紫外光框膠，其在受到紫外光的充分照射后會(huì)硬化并產(chǎn)生黏性，借此可發(fā)揮接合第一基板10與第二基板40與封合顯示介質(zhì)層44的效果。顯示介質(zhì)層44設(shè)置于第一基板10與第二基板10之間并被框膠42所封合。本實(shí)施例之顯示介質(zhì)層44選用一液晶層，但不以此為限。半透光圖案46設(shè)置于第二基板40上，且半透光圖案46在垂直方向Z上與框膠42重疊。遮光圖案48設(shè)置于第二基板40上，其中遮光圖案48對應(yīng)于第一基板10之至少一部分之周邊區(qū)10P，且遮光圖案48在垂直方向Z上可未與框膠42重疊。
[0063]在本實(shí)施例中，第二基板40上設(shè)置有對應(yīng)于框膠42的半透光圖案46，其中半透光圖案46的整體透光率可依據(jù)硬化框膠42所需要的光量加以調(diào)整。舉例而言，半透光圖案46的整體透光率實(shí)質(zhì)上介于10%至80%之間，且較佳實(shí)質(zhì)上介于30%至60%之間，但不以此為限，借此在進(jìn)行框膠42的硬化工藝時(shí)，紫外光UV可由第二基板40的方向穿透半透光圖案46照射到框膠42。也就是說，紫外光UV不是經(jīng)由第一基板10的方向照射框膠42，因此不需要考慮第一基板10的周邊區(qū)1P的透光率。如此一來，第一基板10的周邊區(qū)1P的兩相鄰的周邊導(dǎo)線30的間距可以在符合設(shè)計(jì)規(guī)則與工藝能力的情況下縮減至最小值，故可大幅縮減周邊區(qū)1P的面積。
[0064]本實(shí)施例之半透光圖案46可包括一遮光結(jié)構(gòu)層，此遮光結(jié)構(gòu)層具有遮光特性，而遮光結(jié)構(gòu)層具有多個(gè)透光開口 46H可容許光線通過，借此在進(jìn)行框膠42的硬化工藝時(shí)，紫外光UV可經(jīng)由透光開口 46H照射到框膠42。半透光圖案46的整體透光率可經(jīng)由調(diào)整透光開口 46H的面積與數(shù)量決定，其中透光開口 46H的形狀可為孔洞、狹縫或其它開放型開口或封閉型開口。此外，半透光圖案46與遮光圖案48可使用相同的材料，且可由同一層材料層(例如黑色矩陣)所構(gòu)成，其中遮光圖案48可以不具有透光開口，因此可實(shí)質(zhì)上完全遮光，而半透光圖案46具有透光開口 46H，以使得其整體透光率實(shí)質(zhì)上介于10%至80%之間，且較佳介于30%至60%之間。此外，由于對應(yīng)于半透光圖案46的周邊導(dǎo)線30與柵極驅(qū)動(dòng)電路20是由不透明導(dǎo)電材料例如金屬或合金所構(gòu)成，因此周邊導(dǎo)線30與柵極驅(qū)動(dòng)電路20可以對紫外光UV產(chǎn)生反射作用。在此狀況下，即使半透光圖案46的整體透光率實(shí)質(zhì)上介于10%至80%，透過反射可以增加紫外光UV的利用率而有效硬化框膠42。
[0065]本實(shí)施例之顯示裝置I另可選擇性包括一背光模塊50，以及一遮光框架52設(shè)置于第一基板10之下方用以承載第一基板10。背光模塊50用以提供光源L (例如一可見光源)，而遮光框架52設(shè)置于背光模塊50與第一基板10之間且在垂直方向Z上至少與半透光圖案46重疊。由于遮光框架52與半透光圖案46重疊，因此可以遮蔽光源產(chǎn)生器52產(chǎn)生的光源L，而可避免漏光。此外，僅管半透光圖案46的透光率實(shí)質(zhì)上介于10 %至80 %，但是在半透光圖案46的下方設(shè)置有遮光框架52的情況下，對應(yīng)于半透光圖案46的周邊導(dǎo)線30與柵極驅(qū)動(dòng)電路20會(huì)因?yàn)闆]有光源L的照射而不易被使用者明顯的觀察到。
[0066]在本實(shí)施例中，柵極驅(qū)動(dòng)電路20包括多個(gè)移位暫存器(shift register) 22，分別與對應(yīng)的柵極線GL連接，用以提供柵極驅(qū)動(dòng)信號。移位暫存器22包括多級，且上一級的移位暫存器22與下一級的移位暫存器22電性連接。各移位暫存器22包括一輸入單元221、一下拉單元222以及一上拉輸出單元223。本實(shí)施例之各移位暫存器的輸入單元221、下拉單元222以及上拉輸出單元223的連接關(guān)及其配置可如圖5所示，但不以此為限而可有其它變化。柵極驅(qū)動(dòng)電路20的電路配置及運(yùn)作原理如本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟悉，在此不再贅述。
[0067]在本實(shí)施例中，框膠42在垂直方向Z上與一部分的周邊導(dǎo)線30以及柵極驅(qū)動(dòng)電路20之一部分的薄膜晶體管元件T2重疊。舉例而言，在垂直方向Z上，框膠42與一部分的周邊導(dǎo)線30以及一部分的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜晶體管元件T2以及下拉單元222的薄膜晶體管元件T2重疊，而未與另一部分的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜晶體管元件T2以及下拉單元222的薄膜晶體管元件T2重疊，也未與所有的移位暫存器22的上拉輸出單元223重疊，但不以此為限。此外，半透光圖案46的圖案與框膠42的圖案在垂直方向Z上實(shí)質(zhì)上重疊。在一變化實(shí)施例中，框膠42可與所有周邊導(dǎo)線30以及一部分的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜晶體管元件T2以及下拉單元222的薄膜晶體管元件T2重疊。
[0068]經(jīng)實(shí)證結(jié)果顯示，利用紫外光UV由第二基板40的方向穿透半透光圖案46照射框膠