一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的干擾電場影響液晶分子偏轉(zhuǎn)的示意圖，圖2為圖1所示顯示基板的漏光區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1和圖2所示，所述顯示基板內(nèi)設(shè)置有掃描線101，所述掃描線101所帶電荷產(chǎn)生的電場103會對液晶顯示裝置的液晶分子102形成干擾，導(dǎo)致所述液晶分子102的偏轉(zhuǎn)方向發(fā)生改變，從而在顯示區(qū)域104之外出現(xiàn)漏光區(qū)域105?，F(xiàn)有技術(shù)通過設(shè)置黑矩陣來遮擋上述漏光區(qū)域，然而，所述黑矩陣的使用降低了液晶顯示裝置的開口率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)設(shè)置黑矩陣遮擋漏光區(qū)域降低了顯示裝置的開口率的問題。
[0004]為此，本發(fā)明提供一種顯示基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有薄膜晶體管、掃描線、數(shù)據(jù)線以及電場屏蔽層，所述電場屏蔽層設(shè)置在所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的上方；
[0005]所述電場屏蔽層用于屏蔽與所述電場屏蔽層對應(yīng)的掃描線和/或數(shù)據(jù)線的電場。
[0006]可選的，還包括像素電極，所述像素電極與所述電場屏蔽層同層設(shè)置，所述像素電極與所述電場屏蔽層施加相同的電壓。
[0007]可選的，所述像素電極與所述電場屏蔽層電連接。
[0008]可選的，還包括公共電極，所述公共電極與所述電場屏蔽層同層設(shè)置，所述公共電極與所述電場屏蔽層施加相同的電壓。
[0009]可選的，所述公共電極與所述電場屏蔽層電連接。
[0010]可選的，所述電場屏蔽層的構(gòu)成材料包括透明導(dǎo)電材料。
[0011]可選的，所述電場屏蔽層的厚度范圍包括0.04 μ??至I μπι。
[0012]可選的，所述電場屏蔽層的厚度為0.2 μπι。
[0013]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述任一顯示基板。
[0014]本發(fā)明還提供一種顯示基板的制備方法，包括:
[0015]在襯底基板上形成薄膜晶體管、掃描線以及數(shù)據(jù)線；
[0016]在所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的上方形成電場屏蔽層，所述電場屏蔽層用于屏蔽與所述電場屏蔽層對應(yīng)的掃描線和/或數(shù)據(jù)線的電場。
[0017]可選的，所述在所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的上方形成電場屏蔽層的步驟包括:
[0018]在所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的上方形成電場屏蔽層和像素電極，所述像素電極與所述電場屏蔽層同層設(shè)置，所述像素電極與所述電場屏蔽層施加相同的電壓。
[0019]可選的，所述在所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的上方形成電場屏蔽層的步驟包括:
[0020]在所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的上方形成電場屏蔽層和公共電極，所述公共電極與所述電場屏蔽層同層設(shè)置，所述公共電極與所述電場屏蔽層施加相同的電壓。
[0021]本發(fā)明具有下述有益效果:
[0022]本發(fā)明提供的顯示基板及其制備方法、顯示裝置中，所述顯示基板包括薄膜晶體管、掃描線、數(shù)據(jù)線以及電場屏蔽層，所述電場屏蔽層設(shè)置在所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的上方，所述電場屏蔽層用于屏蔽與所述電場屏蔽層對應(yīng)的掃描線和/或數(shù)據(jù)線的電場。本發(fā)明提供的電場屏蔽層減少或消除了干擾電場，避免出現(xiàn)漏光區(qū)域，從而減少了黑矩陣的使用，提高了顯示裝置的開口率。
【附圖說明】
[0023]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的干擾電場影響液晶分子偏轉(zhuǎn)的示意圖；
[0024]圖2為圖1所不顯不基板的漏光區(qū)域的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種顯不基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0026]圖4為實施例一中電場屏蔽層屏蔽干擾電場的不意圖；
[0027]圖5為實施例一中顯示基板的無漏光區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖6為本發(fā)明實施例二提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖7為本發(fā)明實施例四提供的一種顯示基板的制備方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0030]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的顯示基板及其制備方法、顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0031]實施例一
[0032]下面對本實施例提供的顯示基板進(jìn)行詳細(xì)描述，需要說明的是，本實施例只針對ADS模式的顯示基板進(jìn)行描述，但是其它顯示模式，例如，TN模式、VA模式或IPS模式的顯示基板也屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0033]圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為實施例一中電場屏蔽層屏蔽干擾電場的不意圖。如圖3和圖4所不，所述顯不基板包括襯底基板106，所述襯底基板106上設(shè)置有薄膜晶體管、掃描線101、數(shù)據(jù)線以及電場屏蔽層107。本實施例中，所述電場屏蔽層107設(shè)置在所述掃描線101的上方，所述電場屏蔽層107用于屏蔽所述掃描線101的電場103。本實施例提供的電場屏蔽層減少或消除了干擾電場，避免出現(xiàn)漏光區(qū)域，從而減少了黑矩陣的使用，提高了顯示裝置的開口率。需要說明的是，在本實施例中所述電場屏蔽層107還可以設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線的上方，以屏蔽數(shù)據(jù)線的電場，或者所述電場屏蔽層107設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和掃描線的上方，以屏蔽所述數(shù)據(jù)線和掃描線的電場。
[0034]本實施例中，所述顯示基板包括掃描線101和數(shù)據(jù)線，所述掃描線101和所述數(shù)據(jù)線交叉限定出像素單元，所述像素單元包括公共電極108、像素電極109和薄膜晶體管。可選的，所述公共電極108與所述掃描線101同層設(shè)置。所述公共電極108和所述掃描線101之上設(shè)置有柵絕緣層201，所述柵絕緣層201之上設(shè)置有鈍化層202，所述電場屏蔽層107設(shè)置在所述鈍化層202之上。優(yōu)選的，所述電場屏蔽層107的構(gòu)成材料包括透明導(dǎo)電材料。所述電場屏蔽層107的厚度范圍包括0.04 μπι至I μπι。更優(yōu)選的，所述電場屏蔽層107的厚度為0.2 μπι。
[0035]本實施例中，所述像素電極109與所述電場屏蔽層107同層設(shè)置，而且所述像素電極109與所述電場屏蔽層107施加相同的電壓?？蛇x的，所述像素電極109與所述電場屏蔽層107電連接。在實際應(yīng)用中，所述電場屏蔽層107的構(gòu)成材料可以與所述像素電極109的構(gòu)成材料相同。由于所述像素電極109與所述電場屏蔽層107的電壓一致，因此所述電場屏蔽層107不會產(chǎn)生導(dǎo)致液晶分子偏轉(zhuǎn)的干擾電場，從而避免出現(xiàn)漏光現(xiàn)象。圖5為實施例一中顯示基板的無漏光區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，在顯示區(qū)域104之外沒有出現(xiàn)漏光區(qū)域。所述電場屏蔽層107屏蔽了所述掃描線101的電場，從而可以減少黑矩陣的面積，進(jìn)而可以提高開口率。在實際應(yīng)用中，本實施例提供的顯示基板中黑矩陣區(qū)域相對于現(xiàn)有技術(shù)中的黑矩陣區(qū)域可以減少5至20um。
[0036]本實施例提供的顯示基板中，所述顯示基板包括薄膜晶體管、掃描線、數(shù)據(jù)線以及電場屏蔽層，所述電場屏蔽層設(shè)置在所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的上方，所述電場屏蔽層用于屏蔽與所述電場屏蔽層對應(yīng)的掃描線和/或數(shù)據(jù)線的電場。本實施例提供的電場屏蔽層減少或消除了干擾電場，避免出現(xiàn)漏光區(qū)域，從而減少了黑矩陣的使用，提高了顯示裝置的開口率。
[0037]實施例二
[0038]下面對本實施例提供的顯示基板進(jìn)行詳細(xì)描述，需要說明的是，本實施例只針對ADS模式的顯示基板進(jìn)行描述，但是其它顯示模式，例如，TN模式、VA模式或IPS模式的顯示基板也屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0039]圖6為本發(fā)明實施例二提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，所述顯示基板包括襯底基板106，所述襯底基板106上設(shè)置有薄膜晶體管、掃描線、數(shù)據(jù)線203以及電場屏蔽層107。本實施例中，所述電場屏蔽層107設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線203的上方，所述電場屏蔽層107用于屏蔽所述數(shù)據(jù)線203的電場。本實施例提供的電場屏蔽層減少或消除了干擾電場，避免出現(xiàn)漏光區(qū)域，從而減少了黑矩陣的使用，提高了顯示裝置的開口率。需要說明的是，在本實施例中所述電場屏蔽層107還可以設(shè)置在所述掃描線的上方，以屏蔽掃描線的電場，或者所述電場屏蔽層107設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和掃描線的上方，以屏蔽所述數(shù)據(jù)線和掃描線的電場。
[0040]本實施例中，所述顯示基板包括掃描線和數(shù)據(jù)線203，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線203交叉限定出像素單元，所述像素單元包括公共電極108、像素電極109和薄膜晶體管?？蛇x的，所述像素電極109與所述數(shù)據(jù)線203同層設(shè)置。所述像素電極109與所述數(shù)據(jù)線203之上設(shè)置有柵絕緣層201，所述柵絕緣層201之上設(shè)置有鈍化層202，所述電場屏蔽層107設(shè)置在所述鈍化層202之上。優(yōu)選的，所述電場屏蔽層107的構(gòu)成材料包括透明導(dǎo)電材料。所述電場屏蔽層107的厚度范圍包括0.04 μπι至I μπι。更優(yōu)選的，所述電場屏蔽層107的厚度為0.2 μπι。
[0041]本實施例中，所述公共電極108與所述電場屏蔽層107同層設(shè)置，而且所述公共電極108與所述電場屏蔽層107施加相同的電壓?？蛇x的，所述公共電極108與所述電場屏蔽層107電連接。在實際應(yīng)用中，所述電場屏蔽層107的構(gòu)成材料可以與所述公共電極108的構(gòu)成材料相同。由于所述公共電極108與所述電場屏蔽層107的電壓一致，因此所述電場屏蔽層107不會產(chǎn)生導(dǎo)致液晶分子偏轉(zhuǎn)的干擾電場，從而避免出現(xiàn)漏光現(xiàn)象。參見圖5，在顯示區(qū)域104之外沒有出現(xiàn)漏光區(qū)域105。所述電場屏蔽層107屏蔽了所述數(shù)據(jù)線203的電場，從而可以減少黑矩陣的面積，進(jìn)而可以提高開口率。在實際應(yīng)用中，本實施例提供的顯示基板中黑矩陣區(qū)域相對于現(xiàn)有技術(shù)中的黑矩陣區(qū)域可以減少5至20um。
[004