陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板，及由該陣列基板組成的顯示面板，以及包含該顯示面板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示面板具有輕薄、功耗低和低輻射等優(yōu)點，目前被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、掌上電腦(Personal Digital Assistant, PDA)等便攜式電子產(chǎn)品中，例如:薄膜晶體管液晶顯不器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, TFT-LCD)、有機(jī)發(fā)光二級管顯不器(Organic Light Emitting D1de, OLED)、低溫多晶娃(Low TemperaturePoly-silicon, LTPS)顯示器以及等離子體顯示器(Plasma Display Panel, PDP)等。液晶顯示面板通常包括陣列基板和彩膜基板，及陣列基板與彩膜基板之間的液晶分子。隨著顯示科技的蓬勃發(fā)展，消費(fèi)大眾對于顯示器顯像品質(zhì)的要求也越來越高。消費(fèi)大眾對顯示器的良好的顯示效果的要求也日漸提高。
[0003]在目前使用的液晶顯示裝置中，開口率是指除去每一個次像素的配線部、晶體管部(通常采用黑色矩陣隱藏)后的光線通過部分的面積和每一個次像素整體的面積之間的比例。開口率越高，光線通過的效率越高。當(dāng)光線經(jīng)由背光板發(fā)射出來時，并不是所有的光線都能穿過面板，比如給液晶顯示器源極驅(qū)動芯片及柵極驅(qū)動芯片用的信號走線，以及薄膜晶體管(TFT)本身，還有儲存電壓用的儲存電容等。這些地方除了不完全透光外，也由于經(jīng)過這些地方的光線不受電壓控制，而無法顯示正確的灰階，所以都需利用黑矩陣(blackmatrix)加以遮蔽，以免干擾其它透光區(qū)域。而有效的透光區(qū)域與全部面積的比例就稱之為開口率。通常為保證面板高的開口率，以提高面板的顯示效果，在面板的顯示區(qū)不會設(shè)置額外的器件，所以在面板的顯示區(qū)設(shè)置的器件通常都是與像素有關(guān)的像素器件，而對面板的性能進(jìn)行檢測的器件通常是設(shè)置在面板的非顯示區(qū)中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，及由該陣列基板組成的顯示面板，以及包含該顯示面板的顯示裝置。
[0005]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，其中，包括一個襯底，所述襯底上包括多條柵極線和數(shù)據(jù)線，且所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉；所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線圍設(shè)而成多個呈陣列分布的像素單元；所述陣列基板包括至少一個溫度測定單元，以及至少一條柵極信號啟動控制線，所述溫度測定單元包括至少一個薄膜晶體管；所述陣列基板包括信號輸入線和信號輸出線，所述溫度測定單元包括第一端和第二端，所述第一端與所述信號輸入線電連接，所述第二端與所述信號輸出線電連接；所述信號輸入線上設(shè)置有一個電阻。
[0006]本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括陣列基板，其中，所述顯示面板采用如上所述的陣列基板，還包括與所述陣列基板相對放置的彩膜基板，所述彩膜基板包括像素單元區(qū)和預(yù)設(shè)遮光區(qū)，所述像素單元區(qū)與所述陣列基板上的像素單元相對設(shè)置，所述預(yù)設(shè)遮光區(qū)與所述陣列基板上的溫度測定單元相對設(shè)置。
[0007]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其中，包括如上所述的顯示面板，所述顯示裝置包括IC和可繞性電路板(FPC)，所述顯示面板通過所述IC或者FPC向信號輸入線輸入信號，再通過所述信號輸出線將輸出信號返回到IC或者FPC。
[0008]本發(fā)明實施例提供的陣列基板，及由該陣列基板組成的顯示面板，在面板的顯示區(qū)中設(shè)置有一個附加功能區(qū)，即溫度測定單元，所述溫度測定單元能夠檢測在面板顯示時面板的溫度，所述顯示面板通過所述IC或者FPC向信號輸入線輸入信號，再通過所述信號輸出線將輸出信號返回到IC或者FPC，在對溫度測定單元輸入信號輸出信號的過程中，根據(jù)輸入電壓、電阻、輸出電壓與面板溫度之間的關(guān)系，來計算面板的溫度，如果面板的溫度過高，就可以采用冷卻的方法來降低面板的溫度，以避免溫度過高而使得顯示不良，或者造成顯示面板及顯示裝置的損壞。
【附圖說明】
[0009]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0010]圖1是本發(fā)明實施例提供的陣列基板的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2是本發(fā)明實施例提供的第一測定單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖3是本發(fā)明實施例提供的第二測定單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖4是本發(fā)明實施例提供的第二測定單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖5是本發(fā)明實施例提供的第二測定單元的第三種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖6是本發(fā)明實施例提供的顯示面板的剖視圖；
[0016]圖7是本發(fā)明實施例提供的顯示裝置的平面示意圖；
[0017]圖8a是本發(fā)明實施例提供的子像素的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖Sb是本發(fā)明實施例提供的像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖9是本發(fā)明實施例提供的陣列基板的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖10是本發(fā)明實施例提供的輸出電壓與面板溫度之間的關(guān)系曲線圖。
【具體實施方式】
[0021]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0022]本發(fā)明實施例提供本發(fā)明實施例提供一種陣列基板101，如圖1所示，陣列基板101包括一個襯底10，所述襯底10上包括多條柵極線Gn和數(shù)據(jù)線Dn，從圖1中可以看出，所述柵極線Gn為順序排列的Gl、G2、G3到Gn，所述η為正整數(shù)；所述數(shù)據(jù)線為順序排列的DU D2、D3到Dn，所述η為正整數(shù)；且所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉；所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線圍設(shè)而成多個呈陣列分布的像素單元105 ;所述像素單元105包括多個子像素11，子像素11包括像素電極112以及像素開關(guān)111，所述像素開關(guān)111為非晶硅薄膜晶體管。所述陣列基板101包括至少一個溫度測定單元106，以及至少一條柵極信號啟動控制線12，所述溫度測定單元106包括至少一個薄膜晶體管；所述陣列基板包括信號輸入線13和信號輸出線14，所述溫度測定單元106包括第一端1061和第二端1062，所述第一端1061與所述信號輸入線13電連接，所述第二端1062與所述信號輸出線14電連接；所述信號輸入線13上設(shè)置有一個電阻15。
[0023]所述溫度測定單元106包括多個第一測定單元20，如圖2所示，所述薄膜晶體管21設(shè)置在所述第一測定單元內(nèi)20，所述薄膜晶體管是N型晶體管，所述N型晶體管是高壓打開，低壓截止的晶體管；所述薄膜晶體管21包括柵極211、漏極212和源極213。其中，所述柵極信號啟動控制線12設(shè)置在所述第一測定單元20中，所述薄膜晶體管21的柵極211和漏極213均與所述柵極信號啟動控制線12電連接，所述源極212與所述柵極線Gn電連接，所述柵極信號啟動控制線12包括第三端和第四端，所述柵極信號啟動控制線12的第三端是所述溫度測定單元的第一端1061，所述柵極信號啟動控制線的第四端是所述溫度測定單元的第二端1062。所述第一測定單元包括至少一個薄膜晶體管。
[0024]所述溫度測定單元106還包括多個第二測定單元30，如圖3所示，所述薄膜晶體管21設(shè)置在所述第二測定單元內(nèi)30，所述薄膜晶體管21包括第一薄膜晶體管214、第二薄膜晶體管215，所述第一晶體管21