0.62%以下，并且芯部直徑為9.0 μπι以上且ll.0ym以下。更優(yōu)選的是，Δ。在0.44%至0.55%的范圍內(nèi)，使得芯部直徑的(傳輸特性良好的)范圍可以拓寬為±0.5 μπι以上。
[0062]優(yōu)選的是，第一包層rd的外半徑與芯部r。的外半徑的比率Ra = rd/r。為3.0以上且4.5以下。優(yōu)選的是，第二芯部的外半徑r。與第一芯部的外半徑r ,的比率Rb = r。/^在
1.1至5的范圍內(nèi)。優(yōu)選的是，第二包層的最大折射率N。相對(duì)于第一包層的最小折射率Nd2而言的相對(duì)折射率差A(yù)dS 0.05%以上且0.25%以下。第二芯部的最大折射率N。相對(duì)于中心芯部的最小折射率Ni而言的相對(duì)折射率差Λ i可以為0.05%以上且0.25%以下。在這種情況下，可以提高彎曲特性。
[0063]第一芯部的外半徑ri按如下方式限定。用rn作為芯部的折射率具有最小值N
的半徑。用rx作為芯部的折射率具有最大值N。處的半徑。外半徑^^定義為^^化^^范圍內(nèi)的半徑(其中，！^和^為半徑位置沁使得折射率叭!.)相對(duì)于半徑的導(dǎo)數(shù)dN(r)/dr具有最大值。換言之，^定義為位于芯部的折射率具有最小值的半徑與芯部的折射率具有最大值的半徑之間的半徑位置，在該半徑位置處，折射率隨著半徑的增大而增大，并且在該半徑位置處，折射率的變化率最大。
[0064]優(yōu)選地，光纖具有下述其它特性。優(yōu)選的是，在1380nm的波長(zhǎng)的情況下的衰減低至0.8dB/km以下，更優(yōu)選地低至0.4dB/km以下，并且更優(yōu)選地低至0.3dB/km以下。偏振模色散可以為0.2ps/ V km以下。優(yōu)選的是，光纜截止波長(zhǎng)為1520nm以下。更優(yōu)選的是，光纜截止波長(zhǎng)為1450nm以下，這是用于拉曼放大的泵浦波長(zhǎng)。在1550nm的波長(zhǎng)的情況下的模場(chǎng)直徑可以在8.5 μ m至11.5 μ m的范圍內(nèi)。在1550nm的波長(zhǎng)的情況下的色散斜率可以為0.050ps/nm2/km以上且0.070ps/nm2/km以下。光纖預(yù)制件的芯部和包層可以各自具有折射率結(jié)構(gòu)。
[0065]使用包括上述具有大的有效面積Aeff、大的色散Disp和大的品質(zhì)因數(shù)FOM的光纖的傳輸系統(tǒng)，能夠提高長(zhǎng)距離大容量傳輸?shù)膫鬏斝阅?。具體而言，當(dāng)在諸如陸地高芯數(shù)光纜和海底無(wú)中繼器傳輸光纜等光纜(在這種光纜中，光纖被以較高的密度封裝)中使用光纖時(shí)，能夠降低衰減并提高傳輸性能。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光纖，其包括芯部和包層， 其中，在1550nm的波長(zhǎng)的情況下，有效面積Aeff為100 μm2以下，并且色散Disp為19.0ps/nm/km 以上且 22ps/nm/km 以下，用表達(dá)式 FOM = 51og {| Disp ?Leff} -1Olog {Leff/Aeffl-ΙΟΟα表示的品質(zhì)因數(shù)FOM為3.2dB以上，在該表達(dá)式中，所述光纖的有效長(zhǎng)度用Leff [km]表示并且所述光纖的衰減用a [dB/km]表示。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖， 其中，在1550nm的波長(zhǎng)的情況下的衰減α為0.164dB/km以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖， 其中，在1550nm的波長(zhǎng)的情況下的有效面積Aeff為76 μ m2以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖， 其中，在1550nm的波長(zhǎng)的情況下的有效面積Aeff為62 μ m2以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的光纖， 其中，在2m長(zhǎng)的光纖上測(cè)得的光纖截止波長(zhǎng)為1.30 μπι以上且1.60 μ m以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的光纖， 其中，在1550nm的波長(zhǎng)的情況下的色散斜率S為0.05ps/nm2/km以上且0.07ps/nm2/km以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的光纖， 其中，熔接到在1550nm的波長(zhǎng)的情況下具有80 μm2的有效面積的單模光纖時(shí)的熔接損耗為0.05dB/面以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的光纖， 其中，所述芯部相對(duì)于純石英玻璃的折射率而言的相對(duì)折射率差為-0.1 %以上且0.1%以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光纖， 其中，所述芯部由摻雜有平均濃度為1000原子ppm以上的氯的石英系玻璃制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的光纖， 其中，所述芯部摻雜有平均濃度為0.01原子ppm以上且50原子ppm以下的堿金屬。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任一項(xiàng)所述的光纖， 其中，所述芯部中的過(guò)渡金屬和主族金屬的濃度為Ippm以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的光纖， 其中，所述芯部的直徑2r。為9.0 μ m以上且11.6 μ m以下，并且 在與所述光纖的中心軸線相距r。以上且4.5r。以下的距離范圍內(nèi)，所述芯部的最大折射率N。相對(duì)于所述包層的最小折射率Nd2而言的相對(duì)折射率差Λ。= (Ne-Nd2VNd2S0.34%以上且0.62%以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光纖， 其中，所述芯部包括第一芯部和第二芯部，所述第一芯部具有最小折射率Np最大折射率Ni2和外半徑r i，所述第二芯部具有最大折射率N。和外半徑r。，凡彡N i2，re> r i，并且2r。為9.0 μπι以上且11.0 μπι以下，并且 在與所述中心軸線相距r。以上且4.5r。以下的距離范圍內(nèi)，所述第二芯部的最大折射率N。相對(duì)于所述包層的最小折射率Nd2而言的相對(duì)折射率差Λ。= (Ne-Nd2VNd2S 0.40%以上且0.62%以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光纖， 其中，相對(duì)折射率差A(yù)i= 0。-隊(duì))/隊(duì)為0.05%以上且0.25%以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中的任一項(xiàng)所述的光纖， 其中，所述包層包括第一包層和第二包層，所述第一包層具有外半徑rd、最大折射率Ndl和最小折射率Nd2，所述第二包層具有外半徑r。、最大折射率N。和最小折射率N o2,Nc>No2>Ndl,并且 re〈rd〈r。， 所述第二包層的最大折射率N。相對(duì)于所述第一包層的最小折射率Nd2而言的相對(duì)折射率差A(yù)d= (NQ-Nd2)/Nd2S0.05%以上且0.25%以下，并且 所述第一包層的外半徑rd與所述芯部的外半徑r。的比率Ra = r d/r。為3.0以上且4.5以下。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖， 其中，在與所述光纖的中心軸線相距距離1^處，所述芯部具有最小折射率Ni, 在與所述中心軸線相距距離rx處，所述芯部具有最大折射率N。， ri<rx^ r。，在該關(guān)系中，所述芯部的外徑用r。表示，R。= r。/匕為I以上且5.0以下，并且 9 μ m < 2rc^ 11 μ m， 所述芯部的最大折射率N。相對(duì)于所述芯部的最小折射率1而言的相對(duì)折射率差Λ i =(Nc-Ni)/Ni為0.05%以上且0.25%以下，并且 在與所述中心軸線相距r。以上且4.5r。以下的距離范圍內(nèi)，所述芯部的最大折射率N。相對(duì)于最小折射率Nd2而言的相對(duì)折射率差Λ。= (Ne-Nd2)/N。為0.40%以上且0.62%以下。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種適合于高密度封裝和長(zhǎng)距離傳輸?shù)墓饫w。根據(jù)本發(fā)明的光纖包括芯部和包層，并且在1550nm的波長(zhǎng)的情況下，有效橫截面面積Aeff為100μm2以下，并且色散Disp為19.0－22ps/nm/km，當(dāng)以Leff定義有效長(zhǎng)度并且用α定義傳輸損耗時(shí)，表達(dá)式“FOM＝5log{|Disp|·Leff}-10log{Leff/Aeff}-100α”中所示的品質(zhì)因數(shù)FOM為3.2dB以上。
【IPC分類】G02B6-036, G02B6-02
【公開號(hào)】CN104603652
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380046230
【發(fā)明人】平野正晃, 春名徹也, 田村欣章, 山本義典
【申請(qǐng)人】住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
【公開日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2013年9月2日
【公告號(hào)】EP2894498A1, US20150226914, WO2014038512A1